Read only memory
专利汇可以提供Read only memory专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To obtain a synthesized pattern, by operating address decoders of two sets or more for one ROM at the same time, providing a common bit line for a storage area selected at the decoders, and picking up OR information belonging to different storage areas simultaneously. CONSTITUTION:MOS transisters (TRs) TA11-TALN, TB11-TBLM are arranged in matrix, word lines A1-AN, B1-BM are connected to a gate of the MOS TR in common and word lines A1-AN, B1-BM are split into two so as to be selected with address decoders A3, B4. Bit lines C1-CL are connected to the source of the TRs. An OR output of the TR connected to the selected word line is generated to the bit line. Thus, the synthesized pattern of the patterns stored in the two storage areas selected with the two address decoders can be obtained easily.，下面是Read only memory专利的具体信息内容。
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