Read only memory
专利汇可以提供Read only memory专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To improve the integration of circuit, by making a transistor (TR) corresponding to a word and bit lines as an offset gate TR or an enhancement TR.
CONSTITUTION: One memory cell consists of NOR gates consisting of MOS TRs TR
1 and TR
2 , and a gate electrode of the TR
1 is connected to a selection word line Wi, the gate of the other TR
2 is connected to a non-selection word line Wj adjacent to the selected word Wi, each source is grounded and commonly formed to a drain of the TRs TR
1 and TR
2 and connected to the same bit line Bi. When a memory cell corresponding to the Wi and Bi is set to "H" level, an offset gate TR is used for the TR
1 and when set to "L" level inversely, an enhancement TR is used for the TR
1 .
COPYRIGHT: (C)1983,JPO&Japio，下面是Read only memory专利的具体信息内容。
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