可配置为提供只读存储器功能的闪存存储器装置
专利汇可以提供可配置为提供只读存储器功能的闪存存储器装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开的实施方案包括一种可被配置为作为只读 存储器 装置操作的闪存存储器装置。在一些实施方案中，所述闪存存储器装置可被配置为闪存存储器部分和 只读存储器 部分。，下面是可配置为提供只读存储器功能的闪存存储器装置专利的具体信息内容。
1.一种非易失性存储器装置，包括：
闪存存储器单元的阵列，所述阵列包括控制部分和多个扇区，每个扇区包括多个闪存存储器单元行并且控制部分存储多个控制位，多个控制位中的每个与多个扇区中的一个相关联，其中在配置过程期间可以修改所述多个控制位；
多个扇区解码器，多个扇区解码器中的每个与多个扇区中的一个和多个控制位中的一个相关联，
其中，如果所述多个控制位内的第一控制位是第一值，则与该第一控制位相关联的扇区解码器通过使擦除栅驱动器能够耦合到扇区中每个闪存存储器单元的擦除栅端子，使控制栅驱动器能够耦合到扇区中每个闪存存储器单元的控制栅端子以及使源极线驱动器能够耦合到扇区中每个闪存存储器单元的源极线端子来使所述与该第一控制位相关联的扇区能够被擦除和编程；以及
其中，如果该第一控制位是第二值，则与该第一控制位相关联的扇区解码器阻止所述与该第一控制位相关联的扇区被擦除和编程，从而将与该第一控制位相关联的扇区变换为只读存储器的扇区。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中来自所述多个控制位的值被存储在所述多个扇区解码器中的锁存器中。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中当所述非易失性存储器装置被加电时，从所述控制部分读取所述多个控制位。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中当接收到擦除或编程命令时，从所述控制部分读取所述多个控制位中的一个或多个。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中在所述控制部分被编程之后，从所述控制部分读取所述多个控制位。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：
与所述控制部分相关联的控制部分扇区解码器。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中所述控制部分扇区解码器包括用以禁用对所述控制部分的所述擦除和所述编程的锁存器。
8.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：
安全电路，所述安全电路用于当通过所述非易失性存储器装置接收到与多个控制位内的第二组位匹配的第一组位时，使所述控制部分能够被擦除和编程。
9.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其中当所述非易失性存储器装置被加电时，从所述控制部分读取所述第二组位。
10.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其中当接收到擦除或编程命令时，从所述控制部分读取所述多个控制位中的一个或多个。
11.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其中在所述控制部分被编程之后，从所述控制部分读取所述多个控制位。
12.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其中所述闪存存储器单元中的每个是非易失性分裂栅存储器单元。
13.一种操作包括闪存存储器单元的阵列的非易失性存储器装置的方法，所述阵列包括控制部分、多个扇区以及多个扇区解码器，每个扇区包括多个闪存存储器行并且与多个扇区解码器中的一个相关联，所述方法包括：
使用擦除操作和编程操作在控制部分中存储第一组位和第二组位；
通过第一扇区解码器从所述阵列的所述控制部分接收第一组位；
通过第二扇区解码器从所述阵列的所述控制部分接收第二组位；
通过所述第一扇区解码器响应于第一组位，通过使擦除栅驱动器能够耦合到第一扇区中每个闪存存储器单元的擦除栅端子，使控制栅驱动器能够耦合到第一扇区中每个闪存存储器单元的控制栅端子以及使源极线驱动器能够耦合到第一扇区中每个闪存存储器单元的源极线端子来使所述第一扇区能够被擦除和编程；并且
通过所述第二扇区解码器响应于第二组位，禁用对第二扇区的擦除和编程，从而将第二扇区变换为只读存储器的扇区。
14.根据权利要求13所述的方法，还包括：
当所述非易失性存储器装置被加电时，从所述控制部分读取所述第一组位和所述第二组位。
15.根据权利要求13所述的方法，还包括：
当接收到擦除或编程命令时，从所述控制部分读取所述第一组位中的一个或多个和所述第二组位中的一个或多个。
16.根据权利要求13所述的方法，还包括：
在所述控制部分被编程之后，从所述控制部分读取所述第一组位和所述第二组位。
17.根据权利要求13所述的方法，其中所述闪存存储器单元中的每个是非易失性分裂栅存储器单元。
18.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二扇区是一次可编程的。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述阵列中的OTP扇区中的OTP位使所述第二扇区能够是一次可编程的。
20.根据权利要求13所述的方法，还包括：
使用擦除操作和编程操作将第三组位存储在所述控制部分中；以及
通过安全电路接收第四组位，并且如果所述第四组位与存储在所述控制部分中的第三组位匹配，则使所述控制部分能够被擦除和编程。
21.根据权利要求20所述的方法，还包括：
当所述非易失性存储器装置被加电时，从所述控制部分读取所述第一组位和所述第二组位。
22.根据权利要求20所述的方法，还包括：
当接收到擦除或编程命令时，从所述控制部分读取所述第一组位中的一个或多个和所述第二组位中的一个或多个。
23.根据权利要求20所述的方法，还包括：
在所述控制部分被编程之后，从所述控制部分读取所述第一组位和所述第二组位。
24.根据权利要求20所述的方法，其中所述闪存存储器单元中的每个是非易失性分裂栅存储器单元。
25.根据权利要求20所述的方法，其中所述第二扇区是一次可编程的。
26.根据权利要求25所述的方法，其中所述阵列中的OTP扇区中的OTP位使所述第二扇区能够是一次可编程的。
可配置为提供只读存储器功能的闪存存储器装置
技术领域
背景技术
具体实施方式
225，以及在读取和写入操作期间由存储器阵列220使用的高电压驱动器电路226。
擦除 0V 0V
编程 4.5-5V 0-1V
读取 0V 0-0.5V
擦除 0V 0-1V
编程 4.5-5V 0-1V
215的控制部分。
630中。在第三种方法下，每当ROM启用部分430被擦除或编程时，SFROM位434也可被加载到扇区解码器630中。可以遵循这些方法中的不止一种。
610，并且通过将SFROM位434设置为相反的值(例如，“0”)来建立只读存储器阵列620。
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