三维存储器中的子块停用
专利汇可以提供三维存储器中的子块停用专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一些 实施例 涉及与 存储器 单元的 块 相关联的设备及方法。存储器单元的所述块可包含存储器单元的两个或两个以上子块。此一子块可包括存储器单元的垂直串，其包含选择晶体管。一种设备可包含子块停用 电路 。所述子块停用电路可包含 内容可寻址存储器 。所述内容可寻址存储器可接收包含块地址及子块地址的地址。如果所述所接收的地址包含与标记子块相关联的所述块地址及所述子块地址，那么所述内容可寻址存储器可输出 信号 以停用所述标记子块。所述子块停用电路可进一步包含多个 驱动器 以基于所述信号而驱动所述选择晶体管中的一或多者。本 发明 还描述其它设备及方法。，下面是三维存储器中的子块停用专利的具体信息内容。
1.一种存储器设备，其包括：
存储器单元的多个块，所述多个块连接至相同的数据线，所述多个块中的至少一者包含两个或两个以上子块，且所述两个或两个以上子块中的至少一者包含存储器单元的垂直串，所述垂直串包含多个存储器单元及一选择晶体管，其中所述多个块中的第一块中的子块耦合至第一源极选择线，且其中所述多个块中的第二块中的子块耦合至与所述第一源极选择线不同的第二源极选择线；
子块停用电路，其包含存储器以存储与确定为有缺陷的子块相关联的第一块地址及子块地址，其中所述子块停用电路经配置以响应于接收到匹配所存储的所述第一块地址及子块地址的块地址及子块地址而停用与所存储的所述第一块地址及子块地址相关联的子块；
及
块停用电路，其存储第二块地址，所述第二块地址与其中有多个子块有缺陷的所述多个块中的块相关联。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述选择晶体管是漏极选择栅极SGD晶体管，其中所述子块停用电路进一步包括漏极选择栅极SGD驱动器，且其中经配置以响应于接收到匹配所存储的所述第一块地址及子块地址的块地址及子块地址而停用与所存储的所述第一块地址及子块地址相关联的所述子块的所述子块停用电路包括经配置以响应于接收到匹配所存储的所述第一块地址及子块地址的块地址及子块地址而停用所述SGD驱动器的所述子块停用电路。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述块停用电路包含锁存器，所述锁存器用于存储块的标记状态且所述锁存器经布置以基于所述块的所述标记状态而接收块选择信号且输出块启用信号。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述垂直串与包括半导体材料的柱相关联。
5.根据权利要求1所述的设备，其中存储器单元的所述多个块中的每一块与至少四个存取线相关联，所述至少四个存取线中的每一者定位于半导体构造的不同层中。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述垂直串耦合到定位于所述半导体构造的第一层中的第一存取线及定位于所述半导体构造的第二层中的第二存取线。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备包括存储器装置。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述设备包括三维与非NAND存储器装置。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述子块停用电路经配置以停用多个子块。
10.一种用于控制对存储器装置的存取的方法，其中所述存储器装置包括存储器单元的多个块，所述多个块连接至相同的数据线且所述多个块中的至少一者包含两个或两个以上子块，其中所述多个块中的第一块中的子块耦合至第一源极选择线，且其中所述多个块中的第二块中的子块耦合至与所述第一源极选择线不同的第二源极选择线，所述方法包括：
接收块地址及子块地址；
确定所接收的所述块地址及子块地址是否匹配所存储的第一块地址及子块地址，其中所存储的所述第一块地址及子块地址与确定为有缺陷的存储器单元的子块相关联；
响应于确定所接收的所述块地址及子块地址匹配所存储的所述第一块地址及子块地址，停用与所存储的所述第一块地址及子块地址相关联的所述存储器单元的子块；及存储第二块地址，所述第二块地址与其中有多个子块有缺陷的所述多个块中的块相关联。
11.根据权利要求10所述的方法，其中确定所接收的所述块地址及子块地址是否匹配所存储的第一块地址及子块地址包括确定所接收的所述块地址及子块地址是否匹配存储器中所存储的块地址及子块地址。
12.根据权利要求11所述的方法，其中确定所接收的所述块地址及子块地址是否匹配存储器中所存储的块地址及子块地址包括确定所接收的所述块地址及子块地址是否匹配内容可寻址存储器中所存储的块地址及子块地址。
13.根据权利要求12所述的方法，其中停用所述存储器单元的子块包括停用经配置以驱动存储器单元的垂直串中的漏极选择栅极晶体管的驱动器。
14.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：
接收块地址；
确定所接收的所述块地址是否匹配所存储的所述第二块地址，所存储的所述第二块地址存储于第二存储器中，所述第二存储器与所述内容可寻址存储器分离；及响应于确定所接收的所述块地址匹配所存储的所述第二块地址，停用与所存储的所述第二块地址相关联的所述块。
15.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括；
在对所述存储器单元的子块的写入操作期间确定所述存储器单元的子块有缺陷；
及
将与确定为有缺陷的所述存储器单元的子块相关联的块地址及子块地址存储于用于所存储的所述块地址及子块地址的所述存储器中。
16.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括；
在对所述存储器单元的子块的读取操作期间确定所述存储器单元的子块有缺陷；
及
将与确定为有缺陷的所述存储器单元的子块相关联的块地址及子块地址存储于所述存储器中作为所存储的所述块地址及子块地址。
17.根据权利要求11所述的方法，其中存储器单元的子块包括存储器单元的垂直串，所述垂直串与包括半导体材料的柱相关联。
18.根据权利要求11所述的方法，其中确定所接收的所述块地址及子块地址是否匹配存储器中所存储的块地址及子块地址包括确定所接收的所述块地址及子块地址是否匹配静态随机存取存储器中所存储的块地址及子块地址。
19.一种指示存储器装置中的缺陷的方法，其中所述存储器装置包括存储器单元的多个块，所述多个块连接至相同的数据线且所述多个块中的至少一者包含两个或两个以上子块，其中所述多个块中的第一块中的子块耦合至第一源极选择线，且其中所述多个块中的第二块中的子块耦合至与所述第一源极选择线不同的第二源极选择线，所述方法包括：
确定所述存储器装置的子块有缺陷；
将与确定为有缺陷的所述存储器装置的所述子块相关联的信息存储于存储器中，其中所述信息是与确定为有缺陷的所述存储器装置的所述子块相关联的块地址及子块地址；
确定所述存储器装置的块有缺陷；及
将与确定为有缺陷的所述存储器装置的所述块相关联的信息存储于第二存储器中。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述块地址及子块地址与子块的群组相关联，且所述群组包含确定为有缺陷的所述存储器装置的所述子块。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述群组包含所述存储器装置的相应块中的子块的一半。
22.一种用于存储器装置的子块停用电路，其中所述存储器装置包括存储器单元的多个块，所述多个块连接至相同的数据线且所述多个块中的至少一者包含两个或两个以上子块，其中所述多个块中的第一块中的子块耦合至第一源极选择线，且其中所述多个块中的第二块中的子块耦合至与所述第一源极选择线不同的第二源极选择线，所述电路包括：
第一存储器，其用于存储与确定为有缺陷的存储器单元的子块相关联的第一块地址及子块地址，其中所述子块停用电路经配置以响应于接收到匹配所存储的所述第一块地址及子块地址的块地址及子块地址而停用所述存储器单元的子块；及
第二存储器，其存储第二块地址，所述第二块地址与其中有多个子块有缺陷的所述多个块中的块相关联。
23.一种擦除存储器装置中的存储器的方法，其中所述存储器装置包括存储器单元的多个块，所述多个块连接至相同的数据线且所述多个块中的至少一者包含两个或两个以上子块，其中所述多个块中的第一块中的子块耦合至第一源极选择线，且其中所述多个块中的第二块中的子块耦合至与所述第一源极选择线不同的第二源极选择线，所述方法包括：
检查其中存储与所述存储器装置中的存储器单元的子块相关联的第一块地址及子块地址的存储器；
响应于在所述存储器中找到与所述存储器单元的子块相关联的所述第一块地址及子块地址，抑制或阻止所述存储器单元的子块的擦除验证程序；及
存储第二块地址，所述第二块地址与其中有多个子块有缺陷的所述多个块中的块相关联。
24.根据权利要求23所述的方法，其进一步包括：
监视待擦除的存储器的每一子块的存储器阵列。
25.根据权利要求23所述的方法，其进一步包括：
如果块的子块在擦除程序期间失效，那么通过存储所述块的块地址而标记所述块。
26.一种存储器设备，其包括：
存储器单元的多个块，所述多个块连接至相同的数据线，所述多个块中的至少一者包含两个或两个以上子块，且所述两个或两个以上子块中的至少一者包含存储器单元的垂直串，所述垂直串包含多个存储器单元及一选择晶体管，其中所述多个块中的第一块中的子块耦合至第一源极选择线，且其中所述多个块中的第二块中的子块耦合至与所述第一源极选择线不同的第二源极选择线；
存储器控制器，其包含第一存储器以存储与确定为有缺陷的存储器装置的子块相关联的第一块地址及子块地址，其中所述存储器控制器经配置以：
检查所述第一存储器以确定所接收的用户地址的块地址及子块地址是否匹配所述第一存储器中所存储的块地址及子块地址；及
响应于确定所接收的用户地址的块地址及子块地址匹配所述第一存储器中所存储的所述第一块地址及子块地址，停用与所述第一存储器中所存储的所述块地址及子块地址相关联的子块；及
第二存储器，其存储第二块地址，所述第二块地址与其中有多个子块有缺陷的所述多个块中的块相关联。
三维存储器中的子块停用
技术领域
背景技术
具体实施方式
130可包含任何数目个存储器单元。存储器单元132-0到132-15可串联耦合。
120-2的存储器单元134-14及子块120-n的存储器单元136-14共享。每一存取线可定位于半导体构造的不同层中，如下文关于图2所描述。
150-1至少部分包围半导体材料的柱210。柱210可包括p型多晶硅且是存储器单元132-0到
132-15、SGS晶体管140-1及SGD晶体管150-1的沟道。存储器单元132-0到132-15、SGS晶体管
140-1及SGD晶体管150-1与柱210相关联。柱210在包括n+型多晶硅的源极帽220与包括n+型多晶硅的漏极帽230之间延伸。垂直串130的存储器单元132-0到132-15定位于沿柱210的垂直范围的半导体构造的不同层中，因此形成作为存储器单元的“垂直”串的垂直串130。此外，字线160-0到160-15定位于沿柱210的垂直范围的半导体构造的对应不同层中。源极帽
220与柱210电接触且与柱210形成p-n结。漏极帽230与柱210电接触且与柱210形成p-n结。
源极帽220是柱210的源极且漏极帽230是柱210的漏极。源极帽220耦合到共同源极145。漏极帽230耦合到数据线155。
1、150-2、150-n、152-1、152-2或152-n(图1)。在一些实施例中，为gsgd_disable“高”的信号
320可将信号输出到SGD驱动器325的驱动器中的至少一者。此继而引起SGD晶体管150-1、
150-2、150-n、152-1、152-2或152-n中的至少一对应者的栅极偏压到接地电位，借此停用SGD晶体管150-1、150-2、150-n、152-1、152-2或152-n中的至少一者。此将导致用户获得相应子块的(例如)全部为0的读取结果(针对读取操作)，且将因此通知用户：所述子块是缺陷子块。可在下文关于图6所描述的存储器控制器642上实施子块停用电路300的一或多个组件。
608以发射及接收数据信号。尽管已将所述数据信号描绘为在单独物理总线上被接收，但还可在相同物理总线上多路复用及接收所述数据信号。存储器装置600可耦合到系统中的处理器(未展示)。
610及/或从阵列610擦除数据)的控制器642。控制器642可包括(例如)相同或不同于包含阵列610及/或存储器装置600的任何或全部其它组件的裸片的裸片上的控制电路(例如，其经配置以实施状态机)。控制器可包括单独或与其它电路组合的控制电路642、固件、软件或前述任何者或全部的组合。可经由N个信号线646在感测/高速缓存电路622与I/O电路626之间传送数据。可使用所述控制器来实施使用存储器装置的操作。
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