一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬“絕緣體"半導體式場效電晶體
专利汇可以提供一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬“絕緣體"半導體式場效電晶體专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本發明為一種具有高崩潰電壓及極低漏電流之新型雙
重單 原子 層摻雜通道之金屬-”絕緣體”-半導體式場效電晶
體，由於以磷化銦銖材料作為閘極蕭特基接觸層，具有較
高的閘極位障，而在界面間因有明顯的導帶不連續度△Ec5 的存在，可有效地侷限電子於通道層內，以得到一高轉導
值、低漏電流且良好夾止現象的元件特性。
而在價帶亦有明顯的不連續度△EV的存在，可有效阻
擋電洞因撞擊游離而奔向閘極的作用，故可增加其閘-汲
極崩潰電壓。另外，其通道為具有雙重單原子層摻雜，類10似量子井結構的砷化銦鎵磊晶層，使侷限電子的能 力 更為
良好，以提供較高的載子濃度及較大的電子移動率。因雙
重單原子層摻雜結構可使通道層內載子濃度呈現均勻分
佈，而使元件擁有甚大的閘極電壓操作範圍，以及線性化
的轉導值。根據以上所述優點，本發明之元件在高功率，15大信號電路的應用上深俱潛力。，下面是一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬“絕緣體"半導體式場效電晶體专利的具体信息内容。
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