1.一种操作存储器的方法，包括：
将第一电压电平施加到第一数据线和第二数据线，同时将低于所述第一电压电平的第二电压电平施加到连接在所述第一数据线与第一经串联连接存储器单元串之间的第一选择栅极和连接在所述第二数据线与第二经串联连接存储器单元串之间的第二选择栅极；
将低于所述第一电压电平的第三电压电平施加到所述第一数据线，同时继续将所述第一电压电平施加到所述第二数据线，并且同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述第一选择栅极和所述第二选择栅极；
将高于所述第三电压电平的第四电压电平施加到所述第一选择栅极，同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述第二选择栅极；
将高于所述第一电压电平的第五电压电平施加到第一存取线和第二存取线，同时继续将所述第四电压电平施加到所述第一选择栅极，并且同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述第二选择栅极，其中所述第一存取线和所述第二存取线分别耦合到所述第一经串联连接存储器单元串中的相应存储器单元和所述第二经串联连接存储器单元串中的相应存储器单元；以及
将高于所述第五电压电平的第六电压电平施加到所述第一存取线，同时继续将所述第五电压电平施加到所述第二存取线。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一存取线耦合到所述第一经串联连接存储器单元串中的第一存储器单元，并耦合到所述第二经串联连接存储器单元串中的第二存储器单元，并且其中将所述第六电压电平施加到所述第一存取线包括施加配置成增加所述第一存储器单元的阈值电压且配置成禁止所述第二存储器单元的阈值电压的增加的电压电平。
3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第三电压电平施加到所述第一数据线同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述第一选择栅极包括将所述第三电压电平施加到所述第一数据线，同时继续将所述第二电压电平施加到所述第一选择栅极。
4.根据权利要求3所述的方法，其中将所述第四电压电平施加到所述第一选择栅极同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述第二选择栅极包括将所述第四电压电平施加到所述第一选择栅极，同时继续将所述第二电压电平施加到所述第二选择栅极。
5.根据权利要求4所述的方法，其中继续将所述第四电压电平施加到所述第一选择栅极同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述第二选择栅极包括继续将所述第四电压电平施加到所述第一选择栅极，同时继续将所述第二电压电平施加到所述第二选择栅极。
6.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述第一电压电平包括施加正供应电压。
7.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述正供应电压包括施加Vcc。
8.根据权利要求6所述的方法，其中施加所述第二电压电平包括施加参考电势。
9.根据权利要求8所述的方法，其中施加所述参考电势包括施加接地。
10.一种操作存储器的方法，包括：
将第一电压电平施加到第一数据线和第二数据线，同时将低于所述第一电压电平的第二电压电平施加到连接在所述第一数据线与第一经串联连接存储器单元串之间的第一选择栅极和连接在所述第二数据线与第二经串联连接存储器单元串之间的第二选择栅极；
将低于所述第一电压电平的第三电压电平施加到所述第一数据线，同时继续将所述第一电压电平施加到所述第二数据线，并且同时继续将所述第二电压电平施加到所述第一选择栅极和所述第二选择栅极；
将高于所述第三电压电平的第四电压电平施加到所述第一选择栅极，同时继续将所述第二电压电平施加到所述第二选择栅极；
将高于所述第一电压电平的第五电压电平施加到第一存取线和第二存取线，同时继续将所述第四电压电平施加到所述第一选择栅极，并且同时继续将所述第二电压电平施加到所述第二选择栅极；以及
将高于所述第五电压电平的第六电压电平施加到所述第一存取线，同时继续将所述第五电压电平施加到所述第二存取线。
11.根据权利要求10所述的方法，其中施加所述第二电压电平和施加所述第三电压电平包括施加具有与所述第三电压电平相同的电压电平的所述第二电压电平。
12.根据权利要求10所述的方法，其中将所述第四电压电平施加到所述第一选择栅极包括施加配置成启动所述第一选择栅极的电压电平。
13.根据权利要求12所述的方法，其中将所述第二电压电平施加到所述第二选择栅极包括施加配置成停用所述第二选择栅极的电压电平。
14.根据权利要求10所述的方法，其中将所述第五电压电平施加到所述第一存取线和所述第二存取线包括施加配置成将所述第二经串联连接存储器单元串的沟道区的电压电平增加到配置成禁止耦合到所述第一存取线的所述第二经串联连接存储器单元串中的第一存储器单元编程且禁止耦合到所述第二存取线的所述第二经串联连接存储器单元串中的第二存储器单元编程的值的电压电平。
15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括将所述第五电压电平施加到耦合到所述第二经串联连接存储器单元串中的相应存储器单元的其余每一存取线，同时将所述第五电压电平施加到所述第一存取线和所述第二存取线。
16.根据权利要求15所述的方法，其中施加所述第五电压电平包括施加配置成将所述第二经串联连接存储器单元串的所述沟道区的所述电压电平增加到配置成禁止所述第二经串联连接存储器单元串中的每一存储器单元编程的值的电压电平。
17.一种操作存储器的方法，包括：
将第一电压电平施加到多个数据线中的每一数据线，同时将低于所述第一电压电平的第二电压电平施加到多个选择栅极中的每一选择栅极，每个选择栅极连接在所述多个数据线中的相应数据线与多个经串联连接存储器单元串中的相应经串联连接存储器单元串之间；
将低于所述第一电压电平的第三电压电平施加到所述多个数据线中的特定数据线，同时继续将所述第一电压电平施加到所述多个数据线中的不同数据线，并且同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述多个选择栅极中的每一选择栅极；
将高于所述第三电压电平的第四电压电平施加到所述多个选择栅极中连接在所述特定数据线与所述多个经串联连接存储器单元串中的特定经串联连接存储器单元串之间的特定选择栅极，同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述多个选择栅极中连接在所述不同数据线与所述多个经串联连接存储器单元串中的不同经串联连接存储器单元串之间的不同选择栅极；
将高于所述第一电压电平的第五电压电平施加到多个存取线中的每一存取线，同时继续将高于所述第三电压电平的电压电平施加到所述特定选择栅极，并且同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述不同选择栅极；以及
将高于所述第五电压电平的第六电压电平施加到所述多个存取线中的特定存取线，同时继续将所述第五电压电平施加到所述多个存取线中的不同存取线。
18.根据权利要求17所述的方法，其中将所述第三电压电平施加到所述特定数据线同时继续将所述第一电压电平施加到所述不同数据线包括将所述第三电压电平施加到所述特定数据线，同时继续将所述第一电压电平施加到所述多个数据线中除所述特定数据线以外的每一数据线。
19.根据权利要求17所述的方法，其中将所述第四电压电平施加到所述特定选择栅极同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述不同选择栅极包括将所述第四电压电平施加到所述特定选择栅极，同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述多个选择栅极中除所述特定选择栅极以外的每一选择栅极。
20.根据权利要求17所述的方法，其中将所述第一电压电平施加到所述多个数据线中的每一数据线同时将所述第二电压电平施加到所述多个选择栅极中的每一选择栅极包括将配置成通过所述多个选择栅极中的相应选择栅极诱发来自所述多个数据线中的每一数据线的栅致漏极泄漏GIDL电流的电压电平施加到所述多个数据线中的每一数据线。
21.一种存储器，包括：
存储器单元阵列，其包括多个经串联连接存储器单元串；以及
用于所述存储器单元阵列的存取的控制器，其中所述控制器配置成使所述存储器进行以下操作：
将第一电压电平施加到第一数据线和第二数据线，同时将低于所述第一电压电平的第二电压电平施加到连接在所述第一数据线与所述多个经串联连接存储器单元串中的第一经串联连接存储器单元串之间的第一选择栅极和连接在所述第二数据线与所述多个经串联连接存储器单元串中的第二经串联连接存储器单元串之间的第二选择栅极；
将低于所述第一电压电平的第三电压电平施加到所述第一数据线，同时继续将所述第一电压电平施加到所述第二数据线，并且同时继续将所述第二电压电平施加到所述第一选择栅极和所述第二选择栅极；
将高于所述第三电压电平的第四电压电平施加到所述第一选择栅极，同时继续将所述第二电压电平施加到所述第二选择栅极；
将高于所述第一电压电平的第五电压电平施加到第一存取线和第二存取线，同时继续将所述第四电压电平施加到所述第一选择栅极，并且同时继续将所述第二电压电平施加到所述第二选择栅极，其中所述第一存取线和所述第二存取线分别耦合到所述第一经串联连接存储器单元串中的相应存储器单元和所述第二经串联连接存储器单元串中的相应存储器单元；以及
将高于所述第五电压电平的第六电压电平施加到所述第一存取线，同时继续将所述第五电压电平施加到所述第二存取线。
22.根据权利要求21所述的存储器，其中所述控制器配置成使所述存储器施加所述第二电压电平包括所述控制器配置成使所述存储器施加具有与所述第三电压电平相同的电压电平的所述第二电压电平。
23.根据权利要求21所述的存储器，其中所述控制器配置成使所述存储器将所述第四电压电平施加到所述第一选择栅极包括所述控制器配置成使所述存储器施加配置成启动所述第一选择栅极的电压电平。
24.根据权利要求23所述的存储器，其中所述控制器配置成使所述存储器将所述第二电压电平施加到所述第二选择栅极包括所述控制器配置成使所述存储器施加配置成停用所述第二选择栅极的电压电平。
25.根据权利要求21所述的存储器，其中所述控制器配置成使所述存储器将所述第五电压电平施加到所述第一存取线和所述第二存取线包括所述控制器配置成使所述存储器施加配置成将所述第二经串联连接存储器单元串的沟道区的电压电平增加到配置成禁止耦合到所述第一存取线的所述第二经串联连接存储器单元串中的第一存储器单元编程且禁止耦合到所述第二存取线的所述第二经串联连接存储器单元串中的第二存储器单元编程的值的电压电平。
26.根据权利要求25所述的存储器，进一步包括所述控制器配置成使所述存储器将所述第五电压电平施加到耦合到所述第二经串联连接存储器单元串中的相应存储器单元的其余每一存取线，同时将所述第五电压电平施加到所述第一存取线和所述第二存取线。
27.根据权利要求26所述的存储器，其中所述控制器配置成使所述存储器施加所述第五电压电平包括所述控制器配置成使所述存储器施加配置成将所述第二经串联连接存储器单元串的所述沟道区的所述电压电平增加到配置成禁止所述第二经串联连接存储器单元串中的每一存储器单元编程的值的电压电平。
28.一种存储器，包括：
存储器单元阵列，其包括多个经串联连接存储器单元串；以及
用于所述存储器单元阵列的存取的控制器，其中所述控制器配置成使所述存储器进行以下操作：
将第一电压电平施加到多个数据线中的每一数据线，同时将低于所述第一电压电平的第二电压电平施加到多个选择栅极中的每一选择栅极，每个选择栅极连接在所述多个数据线中的相应数据线与所述多个经串联连接存储器单元串中的相应经串联连接存储器单元串之间；
将低于所述第一电压电平的第三电压电平施加到所述多个数据线中的特定数据线，同时继续将所述第一电压电平施加到所述多个数据线中的不同数据线，并且同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述多个选择栅极中的每一选择栅极；
将高于所述第三电压电平的第四电压电平施加到所述多个选择栅极中连接在所述特定数据线与所述多个经串联连接存储器单元串中的特定经串联连接存储器单元串之间的特定选择栅极，同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述多个选择栅极中连接在所述不同数据线与所述多个经串联连接存储器单元串中的不同经串联连接存储器单元串之间的不同选择栅极；
将高于所述第一电压电平的第五电压电平施加到多个存取线中的每一存取线，同时继续将高于所述第三电压电平的电压电平施加到所述特定选择栅极，并且同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述不同选择栅极；以及
将高于所述第五电压电平的第六电压电平施加到所述多个存取线中的特定存取线，同时继续将所述第五电压电平施加到所述多个存取线中的不同存取线。
29.根据权利要求28所述的存储器，其中所述控制器配置成使所述存储器将所述第三电压电平施加到所述特定数据线同时继续将所述第一电压电平施加到所述不同数据线包括所述控制器配置成使所述存储器将所述第三电压电平施加到所述特定数据线同时继续将所述第一电压电平施加到所述多个数据线中除所述特定数据线以外的每一数据线。
30.根据权利要求28所述的存储器，其中所述控制器配置成使所述存储器将所述第四电压电平施加到所述特定选择栅极同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述不同选择栅极包括所述控制器配置成使所述存储器将所述第四电压电平施加到所述特定选择栅极同时继续将低于所述第一电压电平的电压电平施加到所述多个选择栅极中除所述特定选择栅极以外的每一选择栅极。
31.根据权利要求28所述的存储器，其中所述控制器配置成使所述存储器将所述第一电压电平施加到所述多个数据线中的每一数据线同时将所述第二电压电平施加到所述多个选择栅极中的每一选择栅极包括所述控制器配置成使所述存储器将配置成通过所述多个选择栅极中的相应选择栅极诱发来自所述多个数据线中的每一数据线的栅致漏极泄漏GIDL电流的电压电平施加到所述多个数据线中的每一数据线。