一种配向膜的制作方法、显示面板及显示装置
阅读：244发布：2024-01-13
专利汇可以提供一种配向膜的制作方法、显示面板及显示装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 配向 膜的制作方法、 显示面板 及显示装置，该 配向膜 的制作方法，包括：将聚酰亚胺的嵌段共聚物溶液涂布于显示 基板 上，嵌段共聚物由至少两种极性不同的 聚合物 聚合而成；控制嵌段共聚物在显示基板上依次自组装形成按各聚合物分层的多层 配向层 ，各层配向层的极性按照与显示基板的距离由近到远的顺序依次递减。本发明 实施例 提供的配向膜的制作方法，可以通过一步涂覆法得到分层界面明显的多层配向膜，制作工艺简单，避免了使用逐层制作多层配向层带来的工艺复杂以及容易引入离子不纯物的问题。此外，各层配向层的极性按照与显示基板的距离由近到远的顺序依次递减，能够阻挡显示基板中的离子不纯物进入到 液晶 层中。，下面是一种配向膜的制作方法、显示面板及显示装置专利的具体信息内容。
1.一种配向膜的制作方法，其特征在于，包括：
将聚酰亚胺的嵌段共聚物溶液涂布于显示基板上，所述嵌段共聚物由至少两种极性不同的聚合物聚合而成；
控制所述嵌段共聚物在所述显示基板上依次自组装形成按各聚合物分层的多层配向层，各层所述配向层的极性按照与所述显示基板的距离由近到远的顺序依次递减。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述嵌段共聚物中各所述聚合物的溶解度不同；所述控制所述嵌段共聚物在所述显示基板上依次自组装形成按各聚合物分层的多层配向层，具体包括：
控制所述嵌段共聚物溶液的溶剂进行挥发，以使各所述聚合物按照溶解度由低到高的顺序在所述显示基板上依次自组装形成按各聚合物分层的多层配向层。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，控制所述嵌段共聚物溶液的溶剂进行挥发的温度在50℃-100℃之间。
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述嵌段共聚物由两种聚合物聚合而成；
其中，极性高的所述聚合物中包括以下极性基团：
含羟基、羧基或氨基取代的均苯四甲酸二酐；以及，
含羟基、羧基或氨基的双-4-氨基苯基-醚结构；或，含羟基、羧基或氨基的联苯二胺结构；
极性低的所述聚合物中包括以下扭曲结构或非对称结构的基团：
三氟甲氧基、苯基或三氟甲基取代的均苯四甲酸二酐；或，含叔丁基的多羰基芳香四酸二酐；或，含砜基的芳香四酸二酐；或，含醚键的芳香四酸二酐；或，含叔丁基的联苯四酸二酐；以及，
3,4位取代的双-4-氨基苯氧基-萘结构；或，1,4位取代的双-4-氨基苯氧基-2-叔丁基苯结构；或，叔丁基取代的联苯二胺结构；或，3,8位取代的双-4-氨基苯氧基-萘结构。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述嵌段共聚物中各所述聚合物的热固化速率不同；所述控制所述嵌段共聚物在所述显示基板上依次自组装形成按各聚合物分层的多层配向层，具体包括：
控制所述嵌段共聚物溶液进行热固化反应，以使各所述聚合物按照热固化速率由高到低的顺序在所述基板上依次完成热亚胺化反应并自组装形成按各聚合物分层的多层配向层。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，控制所述嵌段共聚物的溶液进行固化反应的温度在250℃-300℃之间。
7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述嵌段共聚物由两种聚合物聚合而成；
其中，极性高的所述聚合物中包括以下极性基团：
含羟基、羧基或氨基取代的均苯四甲酸二酐；以及，
含羟基、羧基或氨基的双-4-氨基苯基-醚结构；或，含羟基、羧基或氨基的联苯二胺结构；
极性低的所述聚合物中包括以下扭曲结构或非对称结构的基团：
含醚键的芳香四酸二酐或含叔丁基的联苯四酸二酐；以及，
叔丁基取代的联苯二胺结构。
8.如权利要求1-7任一项所述的制作方法，其特征在于，所述嵌段共聚物中各所述聚合物的聚合度越大，形成的对应的配向层越厚。
9.一种显示基板，其特征在于，包括按照如权利要求1-8任一项所述的配向膜的制作方法形成的配向膜。
10.如权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为包含彩色滤光片的对向基板，或包含彩色滤光片的阵列基板。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9或10所述的显示基板。
一种配向膜的制作方法、显示面板及显示装置
技术领域
背景技术
[0002] 残像(Image sticking)问题一直以来都是影响液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)画面品质的重要问题之一。而引起残像的一个重要因素就是显示屏内存在离子型不纯物。显示屏中液晶、胶框(Seal)、彩膜(CF)的色层、配向膜等膜层容易混入离子型不纯物。在直流偏置电压(DC偏置)的作用下，色层与阵列基板侧的COM电极或像素电极形成纵向DC电场。该电场会将进入液晶层的各种离子不纯物吸附至配向膜，形成残留DC偏置，从而引起残像。
[0003] 彩膜基板是引入离子不纯物的主要对象之一。由于彩膜基板包括覆盖层(OC)、黑色矩阵(BM)、色层(RGB)等膜层结构都含有树脂成分，树脂成分容易引入离子型不纯物。对扭曲向列(Twisted Nematic，TN)模式的液晶显示屏而言，由于彩膜基板具有一层可以屏蔽有机层杂质进入液晶层的ITO薄膜，能够有效阻止离子不纯物向液晶层的扩散路径。然而，对于以平面转换(In-Plane Switching，IPS)、边缘场开关(Fringe Field Switching，FFS)、多维电场(Advanced Super Dimension Switch，AD-SDS，简称ADS)以及高级超维场转换(High Transmittance Advanced Super Dimension Switch，HADS)为代表的平面电场的LCD而言，彩膜基板上没有氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)薄膜，因而各膜层中的离子型不纯物更容易进入液晶层，最终造成更严重的残像。
[0004] 现有技术中，使用聚酰胺酸(Polyamic acid，PAA)和可溶性的聚酰亚胺(Soluble polyimide，SPI)为原料制作分层的配向膜。其中PAA层可以阻挡杂质离子，SPI层用于对液晶层中的液晶分子取向。在制作过程中，可以将PAA材料和SPI材料按一定比例组成混合溶液，利用PAA材料与SPI材料固化速率的差异，通过一步法涂覆成膜形成PAA层与SPI层，最后对SPI层摩擦取向，形成配向膜，但是使用该方法形成的配向膜无法确保混合材料的完全分层，PAA层与SPI层界面不分明。而逐层形成配向膜的技术手段又增加了配向膜制备的工艺流程，复杂的制备工艺会进一步增加离子不纯物引入的可能性。并且，现有的这种分层配向膜只能阻挡离子不纯物进入液晶层，不能防止液晶层中离子不纯物引起的残像。
发明内容
[0005] 本发明实施例提供了一种配向膜的制作方法、显示面板及显示装置，用以解决现有技术中存在的通过一步法涂覆成膜形成的分层配向膜不能完全分层，并且形成的配向膜不能防止液晶层中离子不纯物引起残像的问题。
[0006] 本发明实施例提供了一种配向膜的制作方法，包括：
[0007] 将聚酰亚胺的嵌段共聚物溶液涂布于显示基板上，所述嵌段共聚物由至少两种极性不同的聚合物聚合而成；
[0008] 控制所述嵌段共聚物在所述显示基板上依次自组装形成按各聚合物分层的多层配向层，各层所述配向层的极性按照与所述显示基板的距离由近到远的顺序依次递减。
[0009] 在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述嵌段共聚物中各所述聚合物的溶解度不同；所述控制所述嵌段共聚物在所述显示基板上依次自组装形成按各聚合物分层的多层配向层，具体包括：
[0010] 控制所述嵌段共聚物溶液的溶剂进行挥发，以使各所述聚合物按照溶解度由低到高的顺序在所述显示基板上依次自组装形成按各聚合物分层的多层配向层。
[0011] 在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，控制所述嵌段共聚物溶液的溶剂进行挥发的温度在50℃-100℃之间。
[0012] 在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述嵌段共聚物由两种聚合物聚合而成；
[0013] 其中，极性高的所述聚合物中包括以下极性基团：
[0015] 含羟基、羧基或氨基的双-4-氨基苯基-醚结构；或，含羟基、羧基或氨基的联苯二胺结构；
[0016] 极性低的所述聚合物中包括以下扭曲结构或非对称结构的基团：
[0017] 三氟甲氧基、苯基或三氟甲基取代的均苯四甲酸二酐；或，含叔丁基的多羰基芳香四酸二酐；或，含砜基的芳香四酸二酐；或，含醚键的芳香四酸二酐；或，含叔丁基的联苯四酸二酐；以及，
[0018] 3,4位取代的双-4-氨基苯氧基-萘结构；或，1,4位取代的双-4-氨基苯氧基-2-叔丁基苯结构；或，叔丁基取代的联苯二胺结构；或，3,8位取代的双-4-氨基苯氧基-萘结构。
[0019] 在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述嵌段共聚物中各所述聚合物的热固化速率不同；所述控制所述嵌段共聚物在所述显示基板上依次自组装形成按各聚合物分层的多层配向层，具体包括：
[0020] 控制所述嵌段共聚物溶液进行热固化反应，以使各所述聚合物按照热固化速率由高到低的顺序在所述基板上依次完成热亚胺化反应并自组装形成按各聚合物分层的多层配向层。
[0021] 在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，控制所述嵌段共聚物的溶液进行固化反应的温度在250℃-300℃之间。
[0022] 在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述嵌段共聚物由两种聚合物聚合而成；
[0023] 其中，极性高的所述聚合物中包括以下极性基团：
[0024] 含羟基、羧基或氨基取代的均苯四甲酸二酐；以及，
[0025] 含羟基、羧基或氨基的双-4-氨基苯基-醚结构；或，含羟基、羧基或氨基的联苯二胺结构；
[0026] 极性低的所述聚合物中包括以下扭曲结构或非对称结构的基团：
[0027] 含醚键的芳香四酸二酐或含叔丁基的联苯四酸二酐；以及，
[0028] 叔丁基取代的联苯二胺结构。
[0029] 在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述嵌段共聚物中各所述聚合物的聚合度越大，形成的对应的配向层越厚。
[0030] 本发明实施例还提供了一种显示基板，包括按照上述配向膜的制作方法形成的配向膜。
[0031] 在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述显示基板为包含彩色滤光片的对向基板，或包含彩色滤光片的阵列基板。
[0032] 本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示基板。
[0033] 本发明有益效果如下：
[0034] 本发明实施例提供的了一种配向膜的制作方法、显示面板及显示装置，该配向膜的制作方法，包括：将聚酰亚胺的嵌段共聚物溶液涂布于显示基板上，嵌段共聚物由至少两种极性不同的聚合物聚合而成；控制嵌段共聚物在显示基板上依次自组装形成按各聚合物分层的多层配向层，各层配向层的极性按照与显示基板的距离由近到远的顺序依次递减。本发明实施例提供的配向膜的制作方法，通过使用聚酰亚胺的嵌段共聚物溶液涂布于显示基板上，根据各聚合物结构性能的差异化，可以控制该嵌段共聚物在显示基板上依次形成按各聚合物分层的多层配向膜，从而可以通过一步涂覆法得到分层界面明显的多层配向膜，制作工艺简单，避免了使用逐层制作多层配向层带来的工艺复杂以及容易引入离子不纯物的问题。此外，各层配向层的极性按照与显示基板的距离由近到远的顺序依次递减，靠近显示基板的配向层极性强，极性强的配向层能够起到吸附离子不纯物的作用，从而阻挡显示基板中的离子不纯物进入到液晶层中，远离显示基板的配向层极性弱，能够降低液晶层中的离子不纯物向配向膜的富集程度，从而避免形成残留DC偏置导致形成残像。
附图说明
附图说明
[0035] 图1为本发明实施例提供的一种配向膜的制作方法的流程图；
[0036] 图2为嵌段共聚物的分子结构式以及对应的分子链模型；
[0037] 图3a为本发明实施例提供的配向膜的制作方法形成的各层配向层的结构示意图；
[0038] 图3b为图3a中S区域的放大图；
[0039] 图4为嵌段共聚物发生热亚胺化反应的反应式。
具体实施方式
[0040] 针对现有技术中存在的通过一步法涂覆成膜形成的分层配向膜不能完全分层，并且形成的配向膜不能防止液晶层中离子不纯物引起残像的问题，本发明实施例提供了一种配向膜的制作方法、显示面板及显示装置。
[0041] 下面结合附图，对本发明实施例提供的配向膜的制作方法、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
[0042] 本发明实施例提供了一种配向膜的制作方法，如图1所示，包括：
[0043] S101、将聚酰亚胺的嵌段共聚物溶液涂布于显示基板上，嵌段共聚物由至少两种极性不同的聚合物聚合而成；
[0044] S102、控制嵌段共聚物在显示基板上依次自组装形成按各聚合物分层的多层配向层，各层配向层的极性按照与显示基板的距离由近到远的顺序依次递减。
[0045] 本发明实施例提供的配向膜的制作方法，通过使用聚酰亚胺的嵌段共聚物溶液涂布于显示基板上，根据各聚合物结构性能的差异化，可以控制该嵌段共聚物在显示基板上依次形成按各聚合物分层的多层配向膜，从而可以通过一步涂覆法得到分层界面明显的多层配向膜，制作工艺简单，避免了使用逐层制作多层配向层带来的工艺复杂以及容易引入离子不纯物的问题。此外，各层配向层的极性按照与显示基板的距离由近到远的顺序依次递减，靠近显示基板的配向层极性强，极性高的配向层能够起到吸附离子不纯物的作用，从而阻挡显示基板中的离子不纯物进入到液晶层中，极性低的配向层能够降低离子不纯物向配向膜的富集程度，从而避免形成残留DC偏置导致形成残像。
[0046] 在具体实施时，本发明实施例提供的上述制作方法可以应用于各种液晶显示装置中，例如TN模式的液晶显示屏，或IPS、FFS、ADS以及HADS等平面电场的液晶显示屏，尤其对于平面电场的液晶显示屏，该类液晶显示屏中彩膜基板上没有ITO薄膜，彩膜基板中的离子不纯物很容易进入到液晶层中，使用本发明实施例提供的上述制作方法制作平面电场的液晶显示屏中的配向膜，可以阻挡彩膜基板中的离子不纯物进入液晶层，并且可以缓解液晶层中离子不纯物引起的残像。
[0047] 根据嵌段共聚物结构性质的不同，本发明实施例提供的上述配向膜的制作方法具有多种实现方式，本发明实施例根据嵌段共聚物中各聚合物溶解度不同或热固化速率不同，给出了两种实现方式，下面结合具体实例进行说明：
[0048] 实现方式一：
[0049] 具体地，上述嵌段共聚物中各聚合物的溶解度不同；上述步骤S102，具体包括：
[0050] 控制嵌段共聚物溶液的溶剂进行挥发，以使各聚合物按照溶解度由低到高的顺序在显示基板上依次自组装形成按各聚合物分层的多层配向层。
[0051] 在实际应用中，由于聚酰亚胺的嵌段共聚物为聚合物，所以，上述嵌段共聚物中各聚合物的溶解度不同，一般指的是在N,N-二甲基甲酰胺(N,N-Dimethylformamide，DMF)、N-甲基吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone，NMP)等极性溶剂中的溶解度。
[0052] 在具体实施时，上述控制嵌段共聚物溶液的溶剂进行挥发的温度优选为在50℃-100℃之间。将涂有上述嵌段共聚物溶液的显示基板置于50℃-100℃常压环境中，控制极性溶剂(如NMP)的挥发速率，随着该极性溶剂的挥发，溶解度低的聚合物优先析出并自组装形成层配向层，随着该极性溶剂的不断挥发，各聚合物不断的析出并自组装形成各层配向层，从而形成按各聚合物分层的多层配向层。各层配向层的厚度由对应的聚合物的分子链的长度决定，因此可以通过控制各聚合物分子链的长度，即控制各聚合物的聚合度，来控制各层配向层的厚度。
[0053] 下面以嵌段共聚物由两种聚合物聚合而成(即该嵌段共聚物为二嵌段共聚物)为例进行说明，该嵌段共聚物的分子结构式以及对应的分子链模型如图2所示，为了便于说明以极性高的聚合物为B段，极性低的聚合物为A段进行说明，即图2中左侧的聚合物为B段，右侧的聚合物为A段，图中左侧为A段对应的分子链模型，右侧为B段对应的分子链模型。极性高的聚合物形成的配向层距离显示基板近，极性低的聚合物形成的配向层距离基板远，如图3a所示，图中202为B段形成的第一配向层，203为A段形成的第二配向层，第一配向层202极性高，可以吸附显示基板201中的离子不纯物，避免显示基板201中的离子不纯物通过配向膜进入液晶层，第二配向层203的极性低，可以降低液晶层中离子不纯物向配向膜富集的程度，从而避免形成残留DC偏置导致形成残像。图3b为图3a中区域S对应的放大图，从图3b可以看出，第一配向层202是由B段自组装形成的配向层，第二配向层203是由A段自组装形成的配向层。图3a中显示基板201可以为彩膜基板，该彩膜基板一般包含覆盖层(OC)、黑矩阵层(BM)、彩色滤光片等树脂成分的膜层，显示基板201也可以为阵列基板，此处不做限定。
[0054] 为了使上述嵌段共聚物中各聚合物的溶解度不同，并且使极性高的B段优先形成配向层，需要使B段的溶解度低于A段的溶解度，从而使B段在溶剂挥发时优先析出。在实际应用中，如图2所示，可以在上述嵌段共聚物中的A段中的R1与R2中引入醚键、三氟甲基或砜基等扭曲结构或非对称结构的基团，从而提高A段的溶解度，而B段中无需引入含有扭曲结构或非对称结构的基团，从而使A段的溶解度高于B段。为了保证B段的极性高于A段，则需要在B段的R3(甲酸二酐结构)和R4(二胺结构)中引入极性基团，例如羟基、羧基、氨基或其他含氢键的基团。各段的聚合物由其前驱体聚酰胺酸经化学亚胺化得到。
[0055] 具体地，本发明实施例提供的上述制作方法中，嵌段共聚物由两种聚合物聚合而成；
[0056] 其中，极性高的聚合物(例如B段)中包括以下极性基团：
[0057] 含羟基、羧基或氨基取代的均苯四甲酸二酐；以及，
[0058] 含羟基、羧基或氨基的双-4-氨基苯基-醚结构；或，含羟基、羧基或氨基的联苯二胺结构；
[0059] 更具体地，可以在B段的R3中引入含羟基、羧基或氨基取代的均苯四甲酸二酐：
[0060]
[0061] 该结构式中R＝H表示未被任何基团取代的意思；
[0062] 可以在B段的R4中引入含羟基、羧基或氨基的双-4-氨基苯基-醚结构：
[0063]
[0064] 或，含羟基、羧基或氨基的联苯二胺结构：
[0065]
[0066] 在具体实施时，上述极性基团既可以引入到R3中，可以引入到R4中，以上只是举例说明，并不对极性基团的在B段中的位置进行限定。
[0067] 极性低的聚合物(例如A段)中包括以下扭曲结构或非对称结构的基团：
[0068] 三氟甲氧基、苯基或三氟甲基取代的均苯四甲酸二酐；或，含叔丁基的多羰基芳香四酸二酐；或，含砜基的芳香四酸二酐；或，含醚键的芳香四酸二酐；或，含叔丁基的联苯四酸二酐；以及，
[0069] 3,4位取代的双-4-氨基苯氧基-萘结构；或，1,4位取代的双-4-氨基苯氧基-2-叔丁基苯结构；或，叔丁基取代的联苯二胺结构；或，3,8位取代的双-4-氨基苯氧基-萘结构。
[0070] 更具体地，可以在A段的R1中引入三氟甲氧基、苯基或三氟甲基取代的均苯四甲酸二酐：
[0071]
[0072] 或，含叔丁基的多羰基芳香四酸二酐：
[0073]
[0074] 或，含砜基的芳香四酸二酐：
[0075]
[0076] 或，含醚键的芳香四酸二酐：
[0077]
[0078] 或，含叔丁基的联苯四酸二酐：
[0079]
[0080] 可以在A段的R2中引入3,4位取代的双-4-氨基苯氧基-萘结构：
[0081]
[0082] 或，1,4位取代的双-4-氨基苯氧基-2-叔丁基苯结构：
[0083]
[0084] 或，叔丁基取代的联苯二胺结构：
[0085]
[0086] 或，3,8位取代的双-4-氨基苯氧基-萘结构：
[0087]
[0088] 本发明实施例提供的上述制作方法中，上述嵌段共聚物的具体化学结构式只是本发明的优选实施方式，在具体实施时，极性高的聚合物中也可以包括除上述举例中的其他极性基团，极性低的聚合物中也可以包括除上述举例中的其他扭曲结构或非对称性结构的基团，或包括其他可以改变溶解度的基团，此处不做限定。
[0089] 实现方式二：
[0090] 具体地，上述嵌段共聚物中各聚合物的热固化速率不同；上述步骤S102，具体包括：
[0091] 控制嵌段共聚物溶液进行热固化反应，以使各聚合物按照热固化速率由高到低的顺序在基板上依次完成热亚胺化反应并自组装形成按各聚合物分层的多层配向层。
[0092] 在实际应用中，上述控制嵌段共聚物的溶液进行固化反应的温度在250℃-300℃之间。将涂有上述嵌段共聚物溶液的显示基板置于250℃-300℃之间的环境中，使嵌段共聚物中的各聚合物发生热固化反应，热固化速率高的聚合物优先完成热亚胺化反应并自组装形成配向层，随着固化时间的延长，各聚合物不断的完成热亚胺化反应并自组装形成各层配向层，从而形成按各聚合物分层的多层配向层。各层配向层的厚度由对应的聚合物的分子链的长度决定，因此可以通过控制各聚合物分子链的长度，即控制各聚合物的聚合度，来控制各层配向层的厚度。
[0093] 以实现方式一类似，同样以嵌段共聚物由两种聚合物聚合而成(即该嵌段共聚物为二嵌段共聚物)为例进行说明，与实施方式一不同的是，本实施方式是通过A′段和B′段分别发生热亚胺化反应形成图2中的A段和B段，并且自组装形成的各配向层，该嵌段共聚物发生热亚胺化反应的反应式如图4所示。
[0094] 为了使上述嵌段共聚物中各聚合物的热固化速率不同，并且极性高的B′段优选发生热亚胺化反应并自组装形成配向层，需要使B′段的热固化速率高于A′段的热固化速率。在实际应用中，可以向A′段中的R1与R1中引入扭曲结构或者非对称结构的基团，以增加A′段的基团空间位阻，从而降低A′段的热固化速率，例如，可以在A′段中的R1中引入含醚键的芳香四酸二酐或者带有叔丁基的联苯结构，R2中引入带有叔丁基的联苯结构，而B′段中无需引入含有扭曲结构或非对称结构的基团，从而使B′段的热固化速率高于A′段。为了保证B′段的极性高于A′段，则需要在B′段的R3和R4中引入极性基团，例如羟基、羧基、氨基或其他含氢键的基团。
[0095] 具体地，本发明实施例提供的上述制作方法中，嵌段共聚物由两种聚合物聚合而成；
[0096] 其中，极性高的聚合物(例如B′段)中包括以下极性基团：
[0097] 含羟基、羧基或氨基取代的均苯四甲酸二酐；以及，
[0098] 含羟基、羧基或氨基的双-4-氨基苯基-醚结构；或，含羟基、羧基或氨基的联苯二胺结构；
[0099] 更具体地，可以在B′段的R3中引入含羟基、羧基或氨基取代的均苯四甲酸二酐：
[0100]
[0101] 可以在B′段的R4中引入含羟基、羧基或氨基的双-4-氨基苯基-醚结构：
[0102]
[0103] 或，含羟基、羧基或氨基的联苯二胺结构：
[0104]
[0105] 在具体实施时，上述极性基团既可以引入到R3中，可以引入到R4中，以上只是举例说明，并不对极性基团的在B′段中的位置进行限定。
[0106] 极性低的聚合物(例如A′段)中包括以下扭曲结构或非对称结构的基团：
[0107] 含醚键的芳香四酸二酐或含叔丁基的联苯四酸二酐；以及，
[0108] 叔丁基取代的联苯二胺结构。
[0109] 更具体地，可以在A′段的R1中引入含醚键的芳香四酸二酐：
[0110]
[0111] 或，含叔丁基的联苯四酸二酐：
[0112]
[0113] 可以在A′段的R1中引入叔丁基取代的联苯二胺结构：
[0114]
[0115] 本发明实施例提供的上述制作方法中，上述嵌段共聚物的具体化学结构式只是本发明的优选实施方式，在具体实施时，极性高的聚合物中也可以包括除上述举例中的其他极性基团，极性低的聚合物中也可以包括除上述举例中的其他扭曲结构或非对称性结构的基团，或包括其他可以改变热固化速率的基团，此处不做限定。
[0116] 进一步地，本发明实施例提供的上述配向膜的制作方法中，嵌段共聚物中各聚合物的聚合度越大，形成的对应的配向层越厚。
[0117] 聚合物的聚合度越大，该聚合物的分子链长度越长，所以形成的配向层越厚。形成的配向膜的总厚度由各聚合物的聚合度决定，例如图2中嵌段共聚物的聚合度(m，n)决定形成的配向膜的总厚度，因此，可以通过控制嵌段共聚物中各聚合物的聚合度的大小，来精确控制对应配向层的厚度。
[0118] 在具体实施时，由于聚酰亚胺的嵌段共聚物中的结构性质的差别，嵌段共聚物中的各聚合物的溶解性的强弱差别，直接影响制作配向膜过程中的成膜性。因此，对于溶解性好的聚酰亚胺的嵌段共聚物，宜采用实现方式一利用溶解度的差异形成配向膜；对于溶解性差的聚酰亚胺的嵌段共聚物，采用实现方式二利用热固化速率的差异通过热亚胺化反应形成配向膜。
[0119] 基于同一发明构思，本发明实施例提供一种显示基板，包括按照上述配向膜的制作方法形成的配向膜。由于该显示基板解决问题的原理与上述配向膜的制作方法相似，因此该显示基板的实施可以参见上述制作方法的实施，重复之处不再赘述。
[0120] 具体地，本发明实施例提供的上述显示基板中，该显示基板为包含彩色滤光片的对向基板，或包含彩色滤光片的阵列基板。
[0121] 在具体实施时，根据液晶显示屏的模式不同，彩色滤光片可以设置在阵列基板也可以设置在彩膜基板。
[0122] 基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述显示基板，该显示装置可以应用于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示装置解决问题的原理与上述显示基板相似，因此该显示装置的实施可以参见上述基板的实施，重复之处不再赘述。
[0123] 本发明实施例提供的了一种配向膜的制作方法、显示面板及显示装置，通过使用聚酰亚胺的嵌段共聚物溶液涂布于显示基板上，根据各聚合物结构性能的差异化，可以控制该嵌段共聚物在显示基板上依次形成按各聚合物分层的多层配向膜，实现了该嵌段共聚物在垂直方向的微相分离，从而可以通过一步涂覆法得到分层界面明显的多层配向膜，制作工艺简单，避免了使用逐层制作多层配向层带来的工艺复杂以及容易引入离子不纯物的问题。此外，各层配向层的极性按照与显示基板的距离由近到远的顺序依次递减，靠近显示基板的配向层极性强，极性强的配向层能够起到吸附离子不纯物的作用，从而阻挡显示基板中的离子不纯物进入到液晶层中，远离显示基板的配向层极性弱，能够降低液晶层中的离子不纯物向配向膜的富集程度，从而避免形成残留DC偏置导致形成残像。
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