一种防伪商标及其制造方法
专利汇可以提供一种防伪商标及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提出一种防伪商标及其制造方法，其中该防伪商标包括：基 片层 ，其中，基片层为掺杂的 半导体 材料；形成在基片层之上的背景层；形成在基片层之上、背景层之中的商标图形化的电性防伪层，其中，电性防伪层为势垒金属材料；形成在电性防伪层之上的图案防伪层；以及形成在图案防伪层之上的保护层。本发明的防伪商标及其制造方法，利用了半导体工艺来实现防伪商标的加工，具有图案精细程度高， 质量 稳定、可规模化生产的优点。，下面是一种防伪商标及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种防伪商标，其特征在于，包括：
基片层，其中，所述基片层为掺杂的半导体材料；
形成在所述基片层之上的背景层；
形成在所述基片层之上、背景层之中的商标图形化的电性防伪层，其中，所述电性防伪层为势垒金属材料；
形成在所述电性防伪层之上、背景层之中的图案防伪层；以及
形成在所述图案防伪层之上、背景层之外的保护层。
2.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述基片层与所述电性防伪层在界面形成肖特基二极管结构。
3.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，当所述基片层为N型掺杂时，所述电性防伪层的功函数大于所述基片层的功函数；当所述基片层为P型掺杂时，所述电性防伪层的功函数小于所述基片层的功函数。
4.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述基片层为硅、砷化镓、氮化镓或碳化硅中的一种或多种的组合。
5.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述电性防伪层为金、铂、银、钛、镍、铬、铝中的一种或多种的合金。
6.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述背景层通过热氧化或沉积方式得到，所述背景层的厚度为0.005-10μm。
7.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述图案防伪层的材料为金、银、铝、铂、铜、钛或钯中的一种或多种的合金。
8.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述保护层的材料为聚酰亚胺、氮化硅、磷硅玻璃或二氧化硅。
9.一种防伪商标的制造方法，其特征在于，包括：
A.设计商标图案并准备对应的掩膜版；
B.提供基片层，其中，所述基片层为掺杂的半导体材料；
C.在所述基片层上形成背景层；
D.利用所述掩膜版，光刻、腐蚀所述背景层以形成商标图形，随后通过溅射、蒸镀或电镀方式形成商标图形化的电性防伪层，其中，所述电性防伪层为势垒金属材料；
E.在所述电性防伪层之上、背景层之中形成图案防伪层；以及
F.在所述图案防伪层之上、背景层之外形成保护层。
10.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述基片层与所述电性防伪层在界面形成肖特基二极管结构。
11.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，当所述基片层为N型掺杂时，所述电性防伪层的功函数大于所述基片层的功函数；当所述基片层为P型掺杂时，所述电性防伪层的功函数小于所述基片层的功函数。
12.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述基片层为硅、砷化镓、氮化镓或碳化硅中的一种或多种的组合。
13.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述电性防伪层为金、铂、银、钛、镍、铬、铝中的一种或多种的合金。
14.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述背景层通过热氧化或沉积方式得到，所述背景层的厚度为0.005-10μm。
15.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述图案防伪层的材料为金、银、铝、铂、铜、钛或钯中的一种或多种的合金。
16.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为聚酰亚胺、氮化硅、磷硅玻璃或二氧化硅。
一种防伪商标及其制造方法
技术领域
背景技术
识。防伪商标的防伪特征以及识别的方法是防伪商标的灵魂。主要种类有全息防伪标识（又
名激光防伪商标，或叫镭射防伪商标）、双卡防伪标识、图形输出激光防伪标识、微孔防伪标
识、印刷防伪标识、隐形图文回归防伪标识、图文揭露防伪标识、磁码防伪标识、覆盖层防伪
标识、标记分布特性防伪标识等。传统的防伪标识一般使用印刷设备进行生产，随着一些进
口的高分辨率扫描仪越来越容易为人们所得到，用来扫描一些精细的商标，把扫描的图像
进行各种特种印刷，以至出现了各种高仿假冒的商标。扰乱了正常的市场秩序，给企业商家
带来了负面影响。另外，对于近年来新出现的微米级防伪标识，防伪方式比较单一，主要为
视觉上的防伪特征，无法结合微观图形特性和电学特性进行深度防伪。
发明内容
明的另一个目的在于提出一种加工精度高、适合规模化生产的防伪商标制造方法。
的电性防伪层，其中，所述电性防伪层为势垒金属材料；形成在所述电性防伪层之上的图案
防伪层；以及形成在所述图案防伪层之上的保护层。
成背景层；D.利用所述掩膜版，光刻、腐蚀所述背景层以形成商标图形，随后通过溅射、蒸镀
或电镀方式形成商标图形化的电性防伪层，其中，所述电性防伪层为势垒金属材料；E.在所
述电性防伪层之上形成图案防伪层；以及F.在所述图案防伪层之上形成保护层。
以被其他竞争者仿冒。此外，通过在商标图案里面嵌套超小尺寸商标的方式实现防伪，肉眼
无法识别出图案里面嵌套的超小尺寸商标，需要使用显微镜等专用工具才能发现。
观上无法发现其中的区别，而检测人员能够通过测试工具识别该商标的真伪。
具体实施方式
图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，
除非另有明确具体的限定。
件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发
明中的具体含义。
们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特
征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在
第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示
第一特征水平高度小于第二特征。
最小线条可以精确至0.18um，一般防伪商标很难达到该效果，并且适宜批量生产。
形化的电性防伪层3，其中，电性防伪层3为势垒金属材料；形成在电性防伪层3之上的图案
防伪层4；以及形成在图案防伪层4之上的保护层5。其中，基片层1与电性防伪层3在界面形
成肖特基二极管结构。
及提供防伪商标的衬底和底座。
垒金属通过高温合金的方式与基片掺杂界面形成肖特基二极管结构，其合金温度范围：250
℃~1200℃。形成电性防伪层3有以下条件：当基片层1为N型掺杂时，电性防伪层3的功函数
大于基片层1的功函数；当基片层1为P型掺杂时，电性防伪层3的功函数小于基片层1的功函
数。势垒金属功函数由选择的金属种类决定，基片材料功函数由防伪基片材料和界面掺杂
浓度决定。
本发明的防伪商标原本被保护层覆盖对外绝缘，但在后期通常会被切割划片，在边缘露出
二极管部分，可供检测人员可以方便地进行测试；或者在某些不被切割划片的整个防伪商
标中，预留若干个通孔供测试使用。
色、蓝色、紫色以及其组合颜色。
觉防伪。通过对图案防伪层4金属的选择和对背景层2氧化层厚度的控制，可以实现任意形
状和颜色的组合。并可通过不同点阵组合，实现图案防伪层的多种灰度，使其具有丰富的层
次。
以被其他竞争者仿冒。此外，通过在商标图案里面嵌套超小尺寸商标的方式实现防伪，肉眼
无法识别出图案里面嵌套的超小尺寸商标，需要使用显微镜等专用工具才能发现。
观上无法发现其中的区别，而检测人员能够通过测试工具可以方便地检测该肖特基二极管
的整流曲线，识别该商标的真伪。
座。
色、紫色以及其组合颜色，底色色彩可以通过调节该背景层2的材料和/或厚度来实现。
合金的方式（其合金温度范围：250℃~1200℃）使金属与基片接触区域形成势垒层，该势垒
层即为肖特基二极管结构。通过腐蚀的方法去除未形成势垒层的金属，该势垒层所形成的
肖特基二极管即为电性防伪层3。其中，电性防伪层3为势垒金属与基片形成的势垒层，势垒
金属主要包括通过溅射、蒸镀或电镀等方法形成的金、铂、银、钛、镍、铬、铝等金属以及金属
合金，该势垒层为势垒金属通过高温合金的方式与基片掺杂界面形成肖特基二极管结构，
形成电性防伪层3有以下条件：当基片层1为N型掺杂时，电性防伪层3的功函数大于基片层1
的功函数；当基片层1为P型掺杂时，电性防伪层3的功函数小于基片层1的功函数。势垒金属
功函数由选择的金属种类决定，基片材料功函数由防伪基片材料和界面掺杂浓度决定。
用金属为溅射、蒸镀或电镀等方法形成的金、银、铝、铂、铜、钛、钯等不易氧化金属及合金，
其主要功能为形成防伪商标主体结构、形状和层次并实现视觉防伪。通过对图案防伪层4金
属的选择和对背景层2氧化层厚度的控制，可以实现任意形状和颜色的组合。并可通过不同
点阵组合，实现图案防伪层4的多种灰度，使其具有丰富的层次。
以被其他竞争者仿冒。此外，通过在商标图案里面嵌套超小尺寸商标的方式实现防伪，肉眼
无法识别出图案里面嵌套的超小尺寸商标，需要使用显微镜等专用工具才能发现。
观上无法发现其中的区别，而检测人员能够通过测试工具识别该商标的真伪。
分，并且本发明的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺
序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本发明
的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不
一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何
的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
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