一种显示面板和显示装置
阅读：224发布：2020-05-08
专利汇可以提供一种显示面板和显示装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 显示面板 和显示装置。显示面板的扇区走线通过多路复用器连接数据线，多路复用器包括多个晶体管，其中，第一扇区走线通过第一晶体管连接于第一数据线，第二扇区走线通过第二晶体管连接于第二数据线，晶体管与数据线一一对应；第一扇区走线的 电阻 大于第二扇区走线的电阻，第一晶体管为低温多晶 硅 薄膜 晶体管，第二晶体管为 氧 化物 薄膜晶体管 。本发明能够平衡不同 位置 扇区走线的电阻，均衡不同扇区走线对应连接的数据线的负载差异性，缓解不同数据线充 电能 力 的差异，从而获得更好的显示效果。，下面是一种显示面板和显示装置专利的具体信息内容。
1.一种显示面板，其特征在于，包括，
显示区和围绕所述显示区的非显示区；
所述显示区包括多条数据线，所述数据线沿第一方向延伸、第二方向排布，所述第一方向与所述第二方向相交；
所述非显示区包括多路复用器和多条扇区走线，所述扇区走线通过所述多路复用器连接所述数据线；
所述数据线包括第一数据线和第二数据线，所述扇区走线包括第一扇区走线和第二扇区走线，所述多路复用器包括多个晶体管，所述晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一扇区走线通过所述第一晶体管连接于所述第一数据线，所述第二扇区走线通过所述第二晶体管连接于所述第二数据线，所述晶体管与所述数据线一一对应；
所述第一扇区走线的电阻大于所述第二扇区走线的电阻，所述第一晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第二晶体管为氧化物薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括驱动芯片，所述扇区走线包括相对设置的第一端和第二端，所述扇区走线的第一端为连接所述驱动芯片的一端，所述扇区走线的第二端为电连接所述晶体管的源极的一端，所述晶体管的漏极连接所述数据线，通过所述晶体管的控制端控制所述晶体管的开启与截止。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一扇区走线与所述第二扇区走线同层同材料设置，所述第一扇区走线的长度大于所述第二扇区走线的长度。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述多路复用器包括至少两个第一区域和至少一个第二区域，沿所述第二方向，所述第二区域位于两个所述第一区域之间，所述第一晶体管位于所述第一区域，所述第二晶体管位于所述第二区域。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述第一扇区走线包括第一子走线和第二子走线，所述第一子走线的第一端到所述第一子走线的第二端的直线距离为L1，所述第二子走线的第一端到所述第二子走线的第二端的直接距离为L2，其中，L2＜L1，所述第一子走线与所述第二子走线的总长度相等，所述第二子走线为蛇形走线。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述第二扇区走线包括第三子走线和第四子走线，所述第三子走线的第一端到所述第三子走线的第二端的直线距离为L3，所述第四子走线的第一端到所述第四子走线的第二端的直接距离为L4，其中，L4＜L3，所述第三子走线与所述第四子走线的总长度相等，所述第四子走线为蛇形走线。
7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述多路复用器包括两个第一区域和三个第二区域，沿所述第二方向，所述第一区域与所述第二区域相间排列，所述第一晶体管位于所述第一区域，所述第二晶体管位于所述第二区域。
8.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一扇区走线与所述第二扇区走线异层设置，所述第一扇区走线的材料电阻率大于所述第二走线的材料电阻率。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括衬底基板、阵列层和发光器件层，所述阵列层包括有源层、第一金属层、第二金属层、电容金属层，所述第一扇区走线与所述有源层同层同材料。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
沿所述第二方向，所述第一扇区走线在所述显示面板所在平面的正投影与所述第二扇区走线在所述显示面板所在平面的正投影交替排布。
11.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述多路复用器还包括多条时钟控制信号线，所述低温多晶硅薄膜晶体管的源极与对应的所述第一扇区走线电连接，所述低温多晶硅薄膜晶体管的漏极与所述第一数据线电连接，所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅极连接所述时钟控制信号线；所述氧化物薄膜晶体管的源极与对应的所述第二扇区走线电连接，所述氧化物薄膜晶体管的漏极与所述第二数据线电连接，所述氧化物薄膜晶体管的栅极连接所述时钟控制信号线。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，
所述低温多晶硅薄膜晶体管的有源层与所述氧化物薄膜晶体管有源层在所述显示面板所在平面的正投影至少部分交叠，所述低温多晶硅薄膜晶体管与所述氧化物薄膜晶体管共用栅极。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，
所述氧化物薄膜晶体管为N型氧化物薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管为P型多晶硅薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管栅极和所述氧化物薄膜晶体管的栅极分别连接不同的所述时钟控制信号线。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
所述低温多晶硅薄膜晶体管的有源层与所述氧化物薄膜晶体管有源层在所述显示面板所在平面的正投影至少部分交叠，所述低温多晶硅薄膜晶体管与所述氧化物薄膜晶体管为顶栅结构。
15.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括，设置于所述非显示区的柔性电路板，所述柔性电路板位于所述驱动芯片远离所述显示区一侧，其中，所述驱动芯片的一端与所述扇区走线电连接，所述驱动芯片的另一端与所述柔性电路板电连接。
16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-15任一项所述的显示面板。
一种显示面板和显示装置
技术领域
[0001] 本发明涉及显示领域，更具体地，涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
[0002] 有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。
[0003] OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
[0004] 为了提高显示装置的显示效果，以及提供用户体验舒适度，越来越多的人开始将注意将投向显示装置的窄边框设计，显著提高整体的显示效果。为了缩小显示屏幕下边框的宽度，会在显示装置下边框的非显示区内设置多路复用器，多路复用器电路可以控制不同数据信号线的充电，同时减小扇出走线的数量，由此可以减小扇出走线所占用的下台阶空间，以缩小显示装置的下边框，实现更高的屏占有比。
[0005] 但是，由于下边框电路的密集，会使得非显示区的走线线宽压缩的很小，使得走线的电阻增大，导致该区域连接不同数据线的走线的电阻差异巨大，不利于信号控制，更严重的会影响显示。
[0006] 因此，如何在保持原有的下边框处各元件性能和尺寸的情况下，保证显示面板正常区域的数据信号线的正常充电，是本领域亟需解决的技术问题。
发明内容
[0007] 有鉴于此，本发明提供一种显示面板和显示装置，该显示面板和显示装置解决了现有技术中对显示面板中数据线充电不均衡的问题。
[0008] 第一方面，本发明提供了一种显示面板，包括：
[0009] 显示区和围绕显示区的非显示区；
[0010] 显示区包括多条数据线，多条数据线沿第一方向延伸、第二方向排布，第一方向与第二方向相交；
[0011] 非显示区包括多路复用器和多条扇区走线，扇区走线通过多路复用器连接数据线；
[0012] 数据线包括第一数据线和第二数据线，扇区走线包括第一扇区走线和第二扇区走线，多路复用器包括多个晶体管，晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，其中，第一扇区走线通过第一晶体管连接于所第一数据线，第二扇区走线通过第二晶体管连接于所述第二数据线，晶体管与所述数据线一一对应；
[0014] 基于同一发明构思，第二方面，本发明还提供了一种显示装置，包括本发明提供的任意一种显示面板。
[0015] 与现有技术相比，本发明提供的显示面板和显示装置，至少实现了如下有益效果：
[0016] 本发明提供的显示面板中，在显示区中的数据线包括第一数据线和第二数据线，非显示区包括多路复用器和多条扇区走线，扇区走线通过多路复用器连接数据线；数据线包括第一数据线和第二数据线，扇区走线包括第一扇区走线和第二扇区走线，多路复用器包括多个晶体管，晶体管包括第一晶体管和第二晶体管；其中，第一扇区走线通过第一晶体管连接于第一数据线，第二扇区走线通过第二晶体管连接于第二数据线，晶体管与数据线一一对应；第一扇区走线的电阻大于第二扇区走线的电阻，第一晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，第二晶体管为氧化物薄膜晶体管。第一方面，本发明能够平衡不同位置扇区走线的电阻，均衡不同扇区走线对应连接的数据线的负载差异性，缓解不同数据线充电能力的差异，从而获得更好的显示效果；另一方向，本发明中的对非显示区的电路设置没有过分压缩的情况，不会对非显示区的扇区走线线宽过度压缩，故不会扩大的扇区走线电阻差异也不会增加由于扇区走线过度密集产生电容耦合，另外，非显示区的扇区走线设置不需要额外非显示区空间对扇区走线进行特殊绕线处理，保证了非显示区的边框宽度，有利于实现窄边框。附图说明
[0017] 图1为本发明实施例提供的显示面板一种可选实施方式示意图；
[0018] 图2为图1所示显示面板的区域A的放大图；
[0019] 图3为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式示意图；
[0020] 图4为图2所示显示面板的扇区走线区域放大图；
[0021] 图5为图2提供的显示面板在CC-CC’的截面与该显示面板在显示区的截面的对比图；
[0022] 图6为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式示意图；
[0023] 图7为图6中提供的显示面板中区域NN的放大图；
[0024] 图8为图6中提供的显示面板中区域MM的放大图；
[0025] 图9为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式示意图；
[0026] 图10为图2提供的显示面板在CC-CC’的截面与该显示面板在显示区的截面的另一种可选的对比图；
[0027] 图11为图2提供的显示面板在DD-DD’的一种可选的截面示意图；
[0028] 图12为图2提供的显示面板在DD-DD’的一种可选的截面示意图；
[0029] 图13为本发明实施例提供的显示装置示意图。
具体实施方式
[0030] 现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
[0031] 以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
[0033] 在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0034] 应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0035] 发明人经过研究发现，显示面板中数据信号由驱动芯片(Driving Chip,IC)输出，但是由于驱动IC的引脚数量较大对驱动IC是一个很大的挑战，也会影响生产成本。多路复用器(Demux)是一种用于显示面板阵列制程中减少驱动芯片(Driving Chip,IC)输出引脚(Pin)数量的电路，一般地，所述多路复用器包括：一个输入端、多个输出端、以及分别电性连接所述输入端与多个输出端的多个开关元件，所述输入端用于从所述驱动IC接收输入信号，所述多个输出端用于将所述输入信号分别输入到多条数据线中，所述开关元件开启或关闭所述输出端，为了控制所述输出端的开启或关闭，需要从所述驱动IC中获取多个控制信号对所述开关元件进行控制，以通过所述开关元件的通断实现所述输出端的开启或关闭。但是显示面板中在显示面板与多路复用器进行连接时，连接二者的扇区走线由于驱动IC的尺寸大小以及设置位置必然会导致扇区走线之间的差异性，相关技术中平衡这种差异性需要大量的非显示区的位置进行补偿设计缩小差异，这种设置方式与时下追求的窄边框的显示面板是相冲突的，为了保持在原有的边框设置的元件性能和尺寸的情况下，同时保证显示面板的数据线的正常充电，本发明对此作了一系列改进。
[0036] 图1为本发明实施例提供的显示面板一种可选实施方式示意图。图2为图1所示显示面板的区域A的放大图。结合图1和图2所示，显示面板00包括显示区02和围绕显示区02的非显示区01，显示区02包括多条数据线03，数据线03沿第一方向X延伸、第二方向Y排布，其中，第一方向X与第二方向Y相交。显示面板00中显示区02还包括多个像素(图中未示出)，数据线03将数据信号传输至各个像素进行显示以实现显示面板00的正常显示。
[0037] 继续参考图1和图2，非显示区01包括多路复用器04和多条扇区走线05，扇区走线05通过多路复用器04电连接数据线03；数据线03包括第一数据线031和第二数据线032，扇区走线05包括第一扇区走线051和第二扇区走线052；多路复用器05包括多个晶体管，晶体管包括第一晶体管041和第二晶体管042；其中，第一扇区走线051通过第一晶体管041电连接于第一数据线031，第二扇区走线052通过第二晶体管042电连接于第二数据线032，晶体管与数据线03一一对应，即一个晶体管对应电连接一条数据线并提供数据信号至该数据线，准确来说，多路复用器中的一个晶体管的输出端连接一条数据线，该晶体管控制该条数据信号的写入与控制该数据线的充电时间。第一扇区走线051的电阻大于第二扇区走线052的电阻，相应地，第一晶体管041为低温多晶硅薄膜晶体管(Low temperature polysilicon thin film transistor,LTPS-TFT)，第二晶体管042为氧化物薄膜晶体管(Oxide thin film transistor)。可选的，氧化物薄膜晶体管的半导体层为氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,IGZO)，氧化物薄膜晶体管为IGZO-TFT。具体地，第一扇区走线051的电阻大于第二扇区走线052的电阻，电阻相对较大的第一扇区走线051通过低温多晶硅薄膜晶体管LTPS-TFT将数据信号传输至第一数据线031，电阻相对较小的第二扇区走线052通过氧化物薄膜晶体管IGZO-TFT将数据信号传输至第二数据信号032。
[0038] 由于扇区走线在不同的位置或者其制备工艺、制备材料会产生电阻的差异，而该电阻差异会导致与扇区走线间接电连接的数据线充电能力受到影响，电阻大的扇区走线连接的数据线在信号传输的时候传输电阻大充电能力弱，电阻小的扇区走线连接的数据线在信号传输的时候传输电阻较小、充电能力强，对于同一显示面板不同数据线对像素的充电能力差异过大则会影响显示。通过实际模拟实验，低温多晶硅薄膜晶体管的电子迁移率高，导通电阻小；氧化物薄膜晶体管的电子迁移率低，导通电阻大，IGZO-TFT的导通电阻是LTPS-TFT的近10倍。本发明在多路复用器中设置不同类型的晶体管，第一方面，本发明能够平衡不同位置扇区走线的电阻，均衡不同扇区走线对应连接的数据线的负载差异性，缓解不同数据线充电能力的差异，从而获得更好的显示效果；另一方向，本发明中的对非显示区的电路设置没有过分压缩的情况，不会对非显示区的扇区走线线宽过度压缩，故不会扩大的扇区走线电阻差异也不会增加由于扇区走线过度密集产生电容耦合，另外，相关技术中对非显示区的部分扇区走线进行绕线处理，此方式会导致非显示区需要更大的面积区迎合这种绕线处理，本发明中非显示区的扇区走线设置不需要额外非显示区空间对扇区走线进行特殊绕线处理，保证了非显示区的边框宽度，有利于实现窄边框。平衡了数据线负载不均等，也保证了显示面板的窄边框设计，很好的解决了窄边框与负载不均等不兼容的问题。
[0039] 可选的，多路复用器还包括多条时钟控制信号线，低温多晶硅薄膜晶体管的源极与对应的所述第一扇区走线电连接，低温多晶硅薄膜晶体管的漏极与第一数据线电连接，低温多晶硅薄膜晶体管的栅极连接时钟控制信号线；氧化物薄膜晶体管的源极与对应的二扇区走线电连接，氧化物薄膜晶体管的漏极与第二数据线电连接，氧化物薄膜晶体管的栅极连接时钟控制信号线。多路复用器中还包括多条时钟控制信号线043，多路复用器中的晶体管的控制端(栅极)电连接于时钟控制信号线043，将驱动芯片06的信号传递给数据线，通过控制晶体管以控制数据信号的写入与关断。
[0040] 本发明提供的显示面板中，在显示区中的数据线包括第一数据线和第二数据线，非显示区包括多路复用器和多条扇区走线，扇区走线通过多路复用器连接数据线；数据线包括第一数据线和第二数据线，扇区走线包括第一扇区走线和第二扇区走线，多路复用器包括多个晶体管，晶体管包括第一晶体管和第二晶体管；其中，第一扇区走线通过第一晶体管连接于第一数据线，第二扇区走线通过第二晶体管连接于第二数据线，晶体管与数据线一一对应；第一扇区走线的电阻大于第二扇区走线的电阻，第一晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，第二晶体管为氧化物薄膜晶体管。第一方面，本发明能够平衡不同位置扇区走线的电阻，均衡不同扇区走线对应连接的数据线的负载差异性，缓解不同数据线充电能力的差异，从而获得更好的显示效果；另一方向，本发明中的对非显示区的电路设置没有过分压缩的情况，不会对非显示区的扇区走线线宽过度压缩，故不会扩大的扇区走线电阻差异也不会增加由于扇区走线过度密集产生电容耦合，另外，非显示区的扇区走线设置不需要额外非显示区空间对扇区走线进行特殊绕线处理，保证了非显示区的边框宽度，有利于实现窄边框。
[0041] 需要说明的是，为清除了描述本发明的内容，在图1、图2或者其他附图中仅示出了部分数据线和部分扇出走线，并不表示本发明的显示面板中走线的全部数量。
[0042] 可选的，显示面板00显示区02包括多个阵列排布的像素，对于像素的具体排布本发明不限定于此。
[0043] 图3为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式示意图。为清楚的阐述本发明的特征，本发明提供的显示面板的部分特征在附图3中并未示出，其他显示面板的结构或者部分相同特征可参考图1和图2的描述。如图3所示，图3示出了另外一种可选实施方式的多路复用器结构，多路复用器04为3:9的多路复用器，并且相邻两条数据线03接收不同的像素电压，并将像素电压传输至不同的像素PIXEL，不同的像素PIXEL连接的不同的扇区走线。需要说明的是，图3中部分走线是以不同的类型的线(虚线或者实线)代表，并不代表走线出现断裂等，只是为了清楚描述本发明的结构。可见在数据线数量不改变的情况下，减小扇区走线05的数量以及驱动芯片06引脚数量，这样可以减小驱动芯片的尺寸，有利于减小显示面板的边框。并且第一扇区走线051的电阻大于第二扇区走线052的电阻，电阻相对较大的第一扇区走线051通过低温多晶硅薄膜晶体管LTPS-TFT将数据信号传输至第一数据线031，电阻相对较小的第二扇区走线052通过氧化物薄膜晶体管IGZO-TFT将数据信号传输至第二数据信号032，本实施例中可以兼顾显示过程中充电能力差异性，也可以保证了非显示区的边框宽度。
[0044] 可选的，显示面板还包括驱动芯片，扇区走线包括相对设置的第一端和第二端，扇区走线的第一端为连接所述驱动芯片的一端，扇区走线的第二端为电连接晶体管的源极的一端，晶体管的漏极连接数据线，通过晶体管的控制端控制晶体管的开启与截止。
[0045] 继续参考图2，显示面板还包括驱动芯片06，扇区走线包括相对设置的第一端B1和第二端B2，扇区走线的第一端B1为连接驱动芯片06的一端，扇区走线的第二端B2为电连接晶体管的源极S的一端，晶体管的漏极D连接数据线，通过晶体管的控制端G控制晶体管的开启与截止，其开启信号由开启信号线043提供。晶体管设置于扇区走线与数据线之间，可以有效控制显示区信号线的充电时间，同时多路复用器的设置有效的减小扇区走线的数量，减小驱动IC的引脚数量，减小驱动IC的尺寸。
[0046] 可选的，第一扇区走线与第二扇区走线同层同材料设置，所述第一扇区走线的长度大于第二扇区走线的长度。
[0047] 图4为图2所示显示面板的扇区走线区域放大图。图5为图2提供的显示面板在CC-CC’的截面与该显示面板在显示区的截面的对比图。结合图2、图4和图5，第一扇区走线051与第二扇区走线052同层同材料设置，扇区走线05采用同一工艺制备，可以简化工艺，节省制作成本；第一扇区走线051长度第二扇区走线052长度；可以理解的是，长度指的是扇区走线本身具有的长度，当扇区走线为直线时候，其长度可以理解为扇区走线的第一端到第二端的直线距离即延伸距离，当走线为非直线的时候，其长度可以理解为扇区走线被拉直后的第一端到第二端的距离。如图4所示，第一扇区走线051的长度为d1，第二扇区走线052的长度为d2，d1＞d2；根据电阻计算公式，R＝(ρ·d)/S，R为走线电阻，ρ为走线的电阻率，电阻率取决于走线的材料，d为走线的长度；根据d1＞d2，故而第一扇区走线051的电阻R1大于第二扇区走线052的电阻R2，本实施例中第一扇区走线与第二扇区走线进行同层制备，简化工艺，通过在驱动IC与多路复用器之间设置不同长度的扇区走线就能够配合LTPS-TFT和IGZO-TFT消除显示区数据线负载的差异、优化显示，而且这种设置方式不会受到驱动IC的尺寸和位置的影响，稳定性高。
[0048] 可选的，继续参考图1，显示面板的显示区02还可以包括衬底基板021、缓冲层022、阵列层023和发光器件层024；阵列层023包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层023A、栅极层023G、电容金属层(图中未示出)、源极023S和漏极023D；发光器件层024包括阳极024A、发光层024B和阴极024C，其中扇区走线可以与阵列层023中的有源层023A、栅极层
023G、电容金属层(图中未示出)、源极023S和漏极023D的至少一层同层制备，也省去了扇区走线的单独制备工艺，节省了制作成本，图5中仅示出了扇区走线与栅极层023G同层制备，但本发明并不限定与此。可选的，显示面板在发光器件层024远离衬底基板一侧，还包括封装层，封装层可以为柔性封装也可以为刚性封装，柔性封装至少包括一层无机封装层和有机封装层。
023G、电容金属层(图中未示出)、源极023S和漏极023D的至少一层同层制备，也省去了扇区走线的单独制备工艺，节省了制作成本，图5中仅示出了扇区走线与栅极层023G同层制备，但本发明并不限定与此。可选的，显示面板在发光器件层024远离衬底基板一侧，还包括封装层，封装层可以为柔性封装也可以为刚性封装，柔性封装至少包括一层无机封装层和有机封装层。
[0049] 可选的，多路复用器包括至少两个第一区域和至少一个第二区域，沿第二方向，第二区域位于两个第一区域之间，第一晶体管位于第一区域，第二晶体管位于第二区域。
[0050] 图6为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式示意图。如图6所示，多路复用器包括至少两个第一区域04A和至少一个第二区域04B，沿第二方向Y，第二区域04B位于两个第一区域04A之间，第一晶体管位于第一区域04A，第二晶体管位于第二区域
04B。将多路复用器的采用分区设置，不同区域的多路复用器采用不同的晶体管类型，对于不同类型的晶体管位置集中、集成度高，制备过程中可控度高，工艺误差小。同时，将多路复用器进行分区设置，可以将距离驱动IC距离较近的区域设置IGZO-TFT多路复用器，将距离驱动IC距离较远的区域设置LTPS-TFT，距离驱动IC距离较近的区域对应的扇区走线延伸长度短，扇区走线电阻低，而IGZO-TFT的导通电阻大，如此设置正好可以平衡由于IC位置及尺寸，导致的扇区走线电阻差异和数据线负载差异。
04B。将多路复用器的采用分区设置，不同区域的多路复用器采用不同的晶体管类型，对于不同类型的晶体管位置集中、集成度高，制备过程中可控度高，工艺误差小。同时，将多路复用器进行分区设置，可以将距离驱动IC距离较近的区域设置IGZO-TFT多路复用器，将距离驱动IC距离较远的区域设置LTPS-TFT，距离驱动IC距离较近的区域对应的扇区走线延伸长度短，扇区走线电阻低，而IGZO-TFT的导通电阻大，如此设置正好可以平衡由于IC位置及尺寸，导致的扇区走线电阻差异和数据线负载差异。
[0051] 可选的，第一扇区走线包括第一子走线和第二子走线，第一子走线的第一端到所述第一子走线的第二端的直线距离为L1，第二子走线的第一端到第二子走线的第二端的直接距离为L2，其中，L2＜L1，第一子走线与第二子走线的总长度相等，第二子走线为蛇形走线。
[0052] 图7为图6中提供的显示面板中区域NN的放大图。如图7所示，第一扇区走线051包括第一子走线0511和第二子走线0512，第一子走线0511的第一端到第一子走线0511的第二端的直线距离为L1，第二子走线0512的第一端到第二子走线0512的第二端的直接距离为L2，其中，L2＜L1，第一子走线0511与第二子走线0512的总长度相等，需要说明的是，总长度可以理解为扇区走线的总的延伸距离，第二子走线0512为蛇形走线。如图7所示，第二子走线0512为蛇形走线，所谓的蛇形走线可以理解为，在第二子走线的总长度大于第二子走线0512的第一端到第二子走线0512的第二端的直接距离，第二子走线0512通过蛇形走线设置，以保证第一子走线0511和第二子走线0512的电阻相等，由于第一扇区走线对应连接的多路复用器中均为LTPS-TFT，具有大致相等的导通电阻，所以对连接多路复用器中LTPS-TFT的所有第一扇区走线进行同一类型扇区走线细微化的电阻调整，进一步地可以提高显示区数据线负载差异性，提高显示效果。
[0053] 具体地，继续参考图6和图7，当驱动IC位于非显示区，显示面板的对称轴穿过驱动IC，也就是驱动IC与显示面板具有相同对称轴时，第一子走线0511的延伸方向与所述驱动IC靠近显示区一侧的表面夹角为a1，第二子走线0512的延伸方向与驱动IC靠近显示区一侧表面的夹角为a2，其中a1＜a2，驱动IC到多路复用器在第一方向X的距离是一定的，但是由于驱动IC的尺寸较小，那么驱动IC到多路复用器的多条扇区走线形成类似于扇形的结构，当扇区走线为直线延伸时，应扇区走线的倾斜角度越大的其对应的扇区走线电阻越大，倾斜角度大的第二子走线为蛇形走形，补偿由于多路复用器和驱动IC相对位置和尺寸引起的扇区走线差异化，优化数据线的充电能力。
[0054] 可选的，第二扇区走线包括第三子走线和第四子走线，第三子走线的第一端到第三子走线的第二端的直线距离为L3，第四子走线的第一端到第四子走线的第二端的直接距离为L4，其中，L4＜L3，第三子走线与第四子走线的总长度相等，第四子走线为蛇形走线。
[0055] 图8为图6中提供的显示面板中区域MM的放大图。如图8所示，第二扇区走线052包括第三子走线0523和第四子走线0524，第三子走线0523的第一端到第三子走线0523的第二端的直线距离为L3，第四子走线0524的第一端到第四子走线0524的第二端的直接距离为L4，其中，L4＜L3，第三子走线与第四子走线的总长度相等，第四子走线为蛇形走线。由于第二扇区走线对应连接的多路复用器中均为IGZO-TFT，具有大致相等的导通电阻，所以对连接多路复用器中IGZO-TFT的所有第二扇区走线进行同一类型扇区走线细微化的电阻调整，进一步地可以提高显示区数据线负载差异性，提高显示效果。
[0056] 具体地，继续参考图6和图8，当驱动IC位于非显示区，显示面板的对称轴穿过驱动IC，也就是驱动IC与显示面板具有相同对称轴时，第三子走线0523的延伸方向与驱动IC06靠近显示区一侧的表面夹角为a3，第四子走线0524的延伸方向与驱动IC靠近显示区一侧表面的夹角为a4，其中a3＜a4，驱动IC到多路复用器在第一方向X的距离是一定的，但是由于驱动IC的尺寸较小，那么驱动IC到多路复用器的多条扇区走线形成类似于扇形的结构，当扇区走线为直线延伸时，应扇区走线的倾斜角度越大的其对应的扇区走线电阻越大，倾斜角度大的第四子走线为蛇形走形，补偿由于多路复用器和驱动IC相对位置和尺寸引起的扇区走线差异化，优化数据线的充电能力。
[0057] 可选的，多路复用器包括三个第一区域和两个第二区域，沿所述第二方向，第二区域与第一区域相间排列，第一晶体管位于所述第一区域，第二晶体管位于第二区域。
[0058] 图9为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式示意图。多路复用器04包括三个第一区域04A和两个第二区域04B，沿所述第二方向Y，第二区域04B与第一区域
04A相间排列，第一晶体管位于第一区域，第二晶体管位于第二区域。将多路复用器进行多区域的划分，第一区域04A分别位于多路复用器靠近显示面板边框的两侧，由于连接该区域的扇区走线延伸的距离大扇区走线电阻大，电阻大的扇区走线连接多路复用器的LTPS-TFT；位于两个第二区域04B之间的第一区域04A，连接该区域的扇出走线位于整个扇区走线区域的最内部，该区域的刻蚀液流动性小扇区走线刻蚀精度高、可控度高，方便制备蛇形走形进行电阻差异化处理。本实施例中以此方式进行划分一方面从解决问题提升显示的角度具有进一步的优化，另一方面结合考虑到工艺实际问题，优化整个显示面板。
04A相间排列，第一晶体管位于第一区域，第二晶体管位于第二区域。将多路复用器进行多区域的划分，第一区域04A分别位于多路复用器靠近显示面板边框的两侧，由于连接该区域的扇区走线延伸的距离大扇区走线电阻大，电阻大的扇区走线连接多路复用器的LTPS-TFT；位于两个第二区域04B之间的第一区域04A，连接该区域的扇出走线位于整个扇区走线区域的最内部，该区域的刻蚀液流动性小扇区走线刻蚀精度高、可控度高，方便制备蛇形走形进行电阻差异化处理。本实施例中以此方式进行划分一方面从解决问题提升显示的角度具有进一步的优化，另一方面结合考虑到工艺实际问题，优化整个显示面板。
[0059] 可选的，第一扇区走线与第二扇区走线异层设置，第一扇区走线的材料电阻率大于第二走线的材料电阻率。
[0060] 图10为图2提供的显示面板在CC-CC’的截面与该显示面板在显示区的截面的另一种可选的对比图。如图10所示，第一扇区走线051的材料电阻率大于第二走线052的材料电阻率。根据电阻计算公式，R＝(ρ·d)/S，R为走线电阻，ρ为走线的电阻率，电阻率取决于走线的材料，d为走线的长度，第一扇区走线051的电阻率大于第二走线的052的电阻率。通过调节扇区走线材料的电阻率也就是对扇区走线采用不同的材料进行制备，以此来匹配多路复用器中的LTPS-TFT和IGZO-TFT的导通特性。可选的，显示面板还包括衬底基板、阵列层和发光器件层，阵列层包括有源层、第一金属层、第二金属层、电容金属层，第一扇区走线与有源层同层同材料。继续参考图10，第一扇区走线051与有源层023A同层同材料，第二扇区走线052与栅极金属层同层同材料，不同的电阻率的扇区走线通过与显示区不同的膜层同一工艺制备，简化制备工艺，节约成本。需要说明的是，栅极金属层位于第一金属层，源漏极层位于第二金属层。
[0061] 可选的，低温多晶硅薄膜晶体管的有源层与氧化物薄膜晶体管有源层在显示面板所在平面的正投影至少部分交叠，低温多晶硅薄膜晶体管与氧化物薄膜晶体管共用栅极。
[0062] 图11为图2提供的显示面板在DD-DD’的一种可选的截面示意图。结合图2和图11所示，低温多晶硅薄膜晶体管041的有源层041A与氧化物薄膜晶体管042有源层042A在显示面板所在平面的正投影至少部分交叠，低温多晶硅薄膜晶体管041与氧化物薄膜晶体管042共用栅极，温多晶硅薄膜晶体管041的有源层041A与氧化物薄膜晶体管042有源层042A在显示面板所在平面的正投影至少部分交叠也就是在垂直于显示面板所在平面方向上，IGZO-TFT与LTPS-TFT在空间上存在交叠，这种设置能够减小非显示区的面积，节约空间，而且不会影响现有的显示面板的设计。低温多晶硅薄膜晶体管041与氧化物薄膜晶体管042共用栅极041G/042G，从膜层结构上对显示面板有一个减薄处理，当显示面板为柔性显示面板时利于显示面板的柔性功能增加稳定性。在IGZO-TFT与LTPS-TFT两种类型的晶体管制备工程中，保证二者不同类型的晶体管的各自功能，整个中交叠式设计还减小非显示区面积，利于实现窄边框。
[0063] 可选的，氧化物薄膜晶体管为N型氧化物薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管为P型多晶硅薄膜晶体管，氧化物薄膜晶体管栅极和所述氧化物薄膜晶体管的栅极分别连接不同的时钟控制信号线。IGZO-TFT的P型晶体管不能够批量制备，晶体管稳定性会不好，所以氧化物薄膜晶体管为N型氧化物薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管为P型多晶硅薄膜晶体管，氧化物薄膜晶体管栅极和所述氧化物薄膜晶体管的栅极分别连接不同的时钟控制信号线，IGZO-TFT与LTPS-TFT一个为N型晶体管一个为P型晶体管，其开启电压不同氧化物薄膜晶体管栅极和所述氧化物薄膜晶体管的栅极分别连接不同的时钟控制信号线，分别输入开启电压，可单独控制晶体管的导通与截止，随时控制数据线的充电时间、显示面板的可控度高。
[0064] 可选的，低温多晶硅薄膜晶体管的有源层与氧化物薄膜晶体管有源层在显示面板所在平面的正投影至少部分交叠，低温多晶硅薄膜晶体管与氧化物薄膜晶体管为顶栅结构。
[0065] 图12为图2提供的显示面板在DD-DD’的一种可选的截面示意图。结合图2和图12所示，低温多晶硅薄膜晶体管041的有源层041A与氧化物薄膜晶体管042有源层042A在显示面板所在平面的正投影至少部分交叠，低温多晶硅薄膜晶体管041与氧化物薄膜晶体管042为顶栅结构。温多晶硅薄膜晶体管041的有源层041A与氧化物薄膜晶体管042有源层042A在显示面板所在平面的正投影至少部分交叠也就是在垂直于显示面板所在平面方向上，IGZO-TFT与LTPS-TFT在空间上存在交叠，这种设置能够减小非显示区的面积，节约空间，而且不会影响现有的显示面板的设计。低温多晶硅薄膜晶体管041的栅极041G与氧化物薄膜晶体管042的栅极042G在显示面板所在平面的正投影至少部分交叠，低温多晶硅薄膜晶体管041和氧化物薄膜晶体管042为顶栅结构，实现对IGZO-TFT与LTPS-TFT的单独控制。
[0066] 可选的，显示面板还包括设置于所述非显示区01的柔性电路板，所述柔性电路板位于驱动芯片远离所述显示区一侧，其中，驱动芯片的一端与所述扇区走线电连接，驱动芯片的另一端与柔性电路板电连接。
[0067] 本发明还提供一种显示装置，图13为本发明实施例提供的显示装置示意图。如图13所示，显示装置包括本发明任意实施例提供的显示面板。本发明提供的显示面板包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、手机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等。
[0068] 通过上述实施例可知，本发明提供的显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：
[0069] 本发明提供的显示面板中，在显示区中的数据线包括第一数据线和第二数据线，非显示区包括多路复用器和多条扇区走线，扇区走线通过多路复用器连接数据线；数据线包括第一数据线和第二数据线，扇区走线包括第一扇区走线和第二扇区走线，多路复用器包括多个晶体管，晶体管包括第一晶体管和第二晶体管；其中，第一扇区走线通过第一晶体管连接于第一数据线，第二扇区走线通过第二晶体管连接于第二数据线，晶体管与数据线一一对应；第一扇区走线的电阻大于第二扇区走线的电阻，第一晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，第二晶体管为氧化物薄膜晶体管。第一方面，本发明能够平衡不同位置扇区走线的电阻，均衡不同扇区走线对应连接的数据线的负载差异性，缓解不同数据线充电能力的差异，从而获得更好的显示效果；另一方向，本发明中的对非显示区的电路设置没有过分压缩的情况，不会对非显示区的扇区走线线宽过度压缩，故不会扩大的扇区走线电阻差异也不会增加由于扇区走线过度密集产生电容耦合，另外，非显示区的扇区走线设置不需要额外非显示区空间对扇区走线进行特殊绕线处理，保证了非显示区的边框宽度，有利于实现窄边框。
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