技术领域
[0001] 本
发明涉及一种氮化
铝陶瓷
基板负载片及其制备方法，尤其涉及一种表贴式5G通讯用负载片及其制备方法，属于5G通讯用零部件技术领域。
背景技术
[0002] 氮化铝陶瓷基板负载片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向输入的功率，如果不能承受要求的功率，负载就会被烧坏，从而导致整个设备被烧坏。目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，要求基本的尺寸越来越小，而需要吸收的功率越来越大，产品的特性如
驻波比也要求越小越好。
[0003] 随着通讯时代的进步，5G基站已经进入到实质性的布站阶段，而5G基站大多数是采用64通道设计，通过多通道设计可以大大提高网络的传输速度。而每一个通道上，在环形器的多端口都需要有一个功率吸收负载。之前和目前的大多数终端客户在功放板上大多采用国外的功率吸收负载，有些与国内5G通信系统的软
硬件较难匹配；而目前国内的负载片在小型化和高频负载上仍有较大的欠缺。因此提供一种小型化、高频负载的负载片来满足5G基站的使用，及提供一种优化的5G通讯用负载片的制备方法，成为当前亟待解决的技术问题。
发明内容
[0004] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种表贴式5G通讯用负载片及其制备方法。
[0005] 本发明的技术方案是：
[0006] 本发明公开了一种表贴式5G通讯用负载片，该负载片包括一尺寸为1.5×3.0×0.385mm的氮化铝陶瓷基板，以该氮化铝陶瓷基板的长度方向两端分别为前端和后端，[0007] 所述氮化铝陶瓷基板的
正面的前端处印制有呈方框状的正面
电路，该氮化铝陶瓷基板的正面上印制有
电阻，且该电阻与所述正面电路连接形成负载电路；所述氮化铝陶瓷基板的正面的后端处印制有呈方框状的接地线，该接地线与所述电阻连接形成负载电路的接地端；
[0008] 所述氮化铝陶瓷基板的正面上设有第一黑色保护膜，该第一黑色保护膜
覆盖于局部所述正面电路、整个电阻和局部接地线上，且该第一黑色保护膜的前后两端相对氮化铝陶瓷基板正面的前后两端均分别内缩0.1-0.2mm以露出局部正面电路和局部接地线；所述第一黑色保护膜的上表
面层上设有标识点；所述第一黑色保护膜的上表层上设有第二黑色保护膜，该第二黑色保护膜对应所述标识点处开孔使所述标识点露出，且该第二黑色保护膜的前后两端相对第一黑色保护膜的前后两端均分别内缩0.1-0.2mm以露出局部第一黑色保护膜；
[0009] 所述氮化铝陶瓷基板的背面的前端处印制有输入焊盘，且该氮化铝陶瓷基板的背面的后端处以SMT贴片方式贴装有背面接地导体；
[0010] 所述氮化铝陶瓷基板的前端和后端通过双面
真空溅射工艺分别形成有端接地，其中前端的端接地连通正面电路和输入焊盘，后端的端接地连通接地线和背面接地导体。
[0011] 其进一步的技术方案是：
[0012] 所述第一黑色保护膜的前后两端相对氮化铝陶瓷基板正面的前后两端均分别内缩0.1mm；且所述第二黑色保护膜的前后两端相对第一黑色保护膜的前后两端均分别内缩0.1mm。
[0013] 其进一步的技术方案是：
[0014] 所述电阻的阻值为50±1欧姆。
[0015] 其进一步的技术方案是：
[0017] 其进一步的技术方案是：
[0018] 所述第二黑色保护膜和厚度和所述标识点的厚度一致。
[0019] 其进一步的技术方案是：
[0020] 所述表贴式5G通讯用负载片的吸收负载功率为8W，且
频率覆盖DC-6GHz，其驻波特性在上述频率内达到-20.83dB max。
[0021] 本发明还公开了一种上述表贴式5G通讯用负载片的制备方法，该制备方法主要包括下述步骤：
[0022] S1，清洗基板：选取尺寸为1.5×3.0×0.385mm的氮化铝陶瓷基板，并采用95vol.％以上的酒精清洗该氮化铝陶瓷基板的表面，待酒精挥发完毕后，于2h内进行导体的印刷；
[0023] S2，印制正面电路和接地线：采用厚膜印刷工艺，使用
银浆料通过网版印刷在经S1步骤处理后的氮化铝陶瓷基板的正面印刷正面电路和接地线，印刷结束后依次进行静置、预烘和高温
烧结；
[0024] S3，印制电阻：采用丝网印刷工艺，使用电阻浆料通过丝网在经S2步骤处理后的正面电路和接地线上进一步印刷电阻，印刷结束后依次进行静置、预烘和高温烧结；
[0025] S4，调阻：对经S3步骤烧结形成的电阻采用激光阻值调试的方式，使该电阻的阻值达到50±1欧姆；
[0026] S5，印制第一黑色保护膜：采用厚膜印刷工艺，在经S4步骤处理后的氮化铝陶瓷基板正面的局部正面电路、整个电阻和局部接地线上印刷第一黑色保护膜，该第一黑色保护膜的前后两端相对氮化铝陶瓷基板正面的前后两端均分别内缩0.1mm，以露出局部正面电路和局部接地线，印刷结束后依次进行放置留平和烘干，形成干燥的第一黑色保护膜；
[0027] S6，印制标识点：采用厚膜印刷工艺，在上述S5步骤中形成的第一黑色保护膜上表层上印刷标识点，印刷结束后依次进行放置留平和烘干，形成干燥的标识点；
[0028] S7，印制第二黑色保护膜：采用厚膜印刷工艺，在上述S5步骤中形成的第一黑色保护膜上表层上印刷第二黑色保护膜，该第二黑色保护膜对应所述标识点处开孔使所述标识点露出，且该第二黑色保护膜的前后两端相对第一黑色保护膜的前后两端均分别内缩0.1mm，以露出局部第一黑色保护膜，印刷结束后依次进行放置留平和烘干，则形成
固化的第一黑色保护膜、标识点和第二黑色保护膜；
[0029] S8，输入焊盘和背面接地导体的成型：在清洗干净的氮化铝陶瓷基板的背面使用银浆料采用厚膜印刷工艺印刷输入焊盘，印刷结束后依次进行静置、预烘和高温烧结；并采用SMT贴片方式进行背面接地导体的贴装；
[0030] S9，端接地的成型：采用双面真空溅射工艺，在经S8步骤处理后的氮化铝陶瓷基板的前后两端同步一次性溅射
镀膜形成端接地，前端的端接地连通正面电路和输入焊盘，后端的端接地连通接地线和背面接地导体。
[0031] 其进一步的技术方案是：
[0032] 步骤S2和步骤S8中所述正面电路、接地线和输入焊盘所采用的银浆料主要包括下述按银浆料总
质量百分比计的各组分：直径为800-1000nm的银粉70-80wt.％、玻璃粉4-5wt.％、粘结剂5-10wt.％、烧结促进剂0.05-0.08wt.％和余量
有机溶剂。
[0033] 上述玻璃粉可选用直径为1-2μm的玻璃粉，且该玻璃粉中所含的主要组分含量如下所述：
氧化铝30-40wt.％、
氧化钙1-2wt.％、氧化铋0.5-1.0wt.％和余量氧化
硅，且该玻璃粉各组分的重量百分数之和为100wt.％。
[0034] 上述粘结剂为有机
纤维素类粘结剂，可选用本领域常规的有机
纤维素类粘结剂，如乙基纤维素、硝化纤维素、羟甲基纤维素中的至少一种。
[0035] 上述烧结促进剂选用含钌化合物或含铱化合物。
[0036] 上述
有机溶剂选用醇类有机溶剂和酯类有机溶剂中的至少一种，如松油醇、丁基卡卞醇、
磷酸三丁酯等。
[0037] 其进一步的技术方案是：
[0038] 步骤S2和步骤S8中所述正面电路、接地线和输入焊盘在印刷时均选用张
力为24-26N的网版且使用网版印刷时的
温度为23-27℃；印刷结束后依次进行静置15-20min、165-
170℃下预烘15-20min和850-900℃下高温烧结15-20min。
[0039] 其进一步的技术方案是：
[0040] 步骤S3中所述电阻所采用的电阻浆料为
粘度50000-55000cps的触变型浆料，该触变型浆料主要包括下述按该触变型浆料总质量百分比计的各组分：直径为300-500nm银粉55-60wt.％、直径为200-300nm的玻璃微粉3-6wt.％、有机纤维素类粘结剂5-10wt.％、气相
二氧化硅触变剂0.5-1.0wt.％和余量有机溶剂，其中所述玻璃微粉包括30-50wt.％的氧化硅和50-70wt.％的氧化铝。
[0041] 上述有机纤维素类粘结剂可选用常规有机纤维素，如乙基纤维素、硝化纤维素、羟甲基纤维素中的至少一种。
[0042] 上述有机溶剂可选用醇类有机溶剂和酯类有机溶剂中的至少一种，如松油醇、丁基卡卞醇、磷酸三丁酯等。
[0043] 其进一步的技术方案是：
[0044] 步骤S3中所述电阻在印刷时采用400-420目
钢丝网版且使用该钢丝网版印刷时的温度为23-27℃，印刷结束后依次进行静置10-15min、170-175℃下预烘15-20min和800-850℃下高温烧结15-20min。
[0045] 其进一步的技术方案是：
[0046] 步骤S5中第一黑色保护膜、步骤S6中标识点和步骤S7中第二黑色保护膜在印刷时采用
张力为24-26N的网版且使用网版印刷时的温度为23-27℃，印刷结束后依次进行静置20-23min后，先在100-105℃预烘20-25min至表干，然后在200-210℃下高温
烘烤50-60min至实干。
[0047] 上述标识点的作用是区分产品的
电极方向，本发明中为与黑色保护膜的
颜色形成反差，该标识点使用白色浆料进行印制。上述第一黑色保护膜、第二黑色保护膜和标识点所使用的浆料为本领域常规的用于制作保护膜和标识点的浆料，可选用市售产品，其均为本领域技术人员所熟知的技术方案，本
申请中不再赘述。
[0048] 本发明的有益技术效果是：
[0049] (1)本发明中采用的氮化铝陶瓷基板尺寸为1.5×3.0×0.385mm，较常规使用的负载片用氮化铝陶瓷基板的尺寸小，能够实现负载片小型化的需求；
[0050] (2)本发明中正面电路采用无导线设计，能够增加正面焊盘部位的电容，从而提高射频性能；
[0051] (3)本发明中在印制保护膜和标识点中，存在以下几点优势：
[0052] a.本发明中采用印制两层黑色保护膜的方式；不同于传统的仅印制一层黑色保护膜；
[0053] b.本发明中在印制过程中先印制第一层黑色保护膜，待其干燥后在第一层黑色保护膜上印制标识点，然后在第一层黑色保护膜上印制第二层黑色保护膜，且开孔将标识点露出；而传统的标识点是直接印制在仅有的一层黑色保护膜上的；本发明所述印制方法能够保证后续进行真空溅射时，产品在治具中叠放时不会因为标识点的高度而不平，从而能够保证每一条产品之间具有相同的间距；
[0054] c.本发明中第一层黑色保护膜前后两端相对氮化铝陶瓷基板正面的前后两端均分别内缩一定距离，且第二黑色保护膜前后两端相对第一黑色保护膜的前后两端均分别内缩一定距离，尤其是第二黑色保护膜前后两端的内缩设计为本申请的创新点；这是为了在第二黑色保护膜和第一黑色保护膜之间形成一个高度差，这样在后续真空溅射时，能够保证溅射层可以溅射到电极和第一黑色保护膜上，而同时又会被第二黑色保护膜阻挡，能够保证溅射的一致性。
[0055] 上述三点设计能够对真空溅射的一致性和外观良率有15％的良率提高；
[0056] (4)本发明中背面导体均采用分离方式并配合SMT贴片方式贴装，便于客户直接贴装，以满足客户的自动化生产；
[0057] (5)本发明中端接地采用双面真空溅射工艺，一次性完成两面端头的溅射，能够提高生产效率；且因为背面采用表面贴装工艺，其在自动化生产中会有一定的压力，使用真空溅射能够保证产品的平整性，不会因为自动化生产过程中产生的压力将产品压裂。
附图说明
[0058] 图1是本发明的正面结构示意图；
[0059] 图2是本发明的背面结构示意图；
[0060] 图3是本发明图1中A-A剖面结构示意图；
[0061] 其中：
[0062] 1-氮化铝陶瓷基板； 2-正面电路；
[0063] 3-接地线； 4-电阻；
[0064] 5-第一黑色保护膜； 6-第二黑色保护膜；
[0065] 7-标识点； 8-背面接地导体；
[0066] 9-输入焊盘； 10-端接地。
具体实施方式
[0067] 为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照
说明书的内容予以实施，下面结合附图和
实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述，以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0068] 下述具体实施例详细记载了一种表贴式5G通讯用负载片，该负载片包括一尺寸为1.5×3.0×0.385mm的氮化铝陶瓷基板1，以该氮化铝陶瓷基板的长度方向两端分别为前端和后端进行描述。
[0069] 氮化铝陶瓷基板1的正面的前端处印制有呈方框状的正面电路2，该正面电路2采用无导线设计方式。该氮化铝陶瓷基板的正面上印制有电阻4，该电阻4烧结后经过激光阻值调试其阻值为50±1欧姆，且该电阻与正面电路连接形成负载电路。氮化铝陶瓷基板1的正面的后端处印制有呈方框状的接地线3，该接地线与所述电阻连接形成负载电路的接地端。
[0070] 氮化铝陶瓷基板1的正面上设有第一黑色保护膜5，该第一黑色保护膜覆盖于局部所述正面电路、整个电阻和局部接地线上，且该第一黑色保护膜的前后两端相对氮化铝陶瓷基板正面的前后两端均分别内缩0.1mm以露出局部正面电路和局部接地线；所述第一黑色保护膜的上表面层上设有标识点7，用于区分产品的电极方向；所述第一黑色保护膜的上表层上设有第二黑色保护膜6，该第二黑色保护膜对应标识点7处开孔使所述标识点露出，且该第二黑色保护膜的前后两端相对第一黑色保护膜的前后两端均分别内缩0.1mm以露出局部第一黑色保护膜，上述的第二黑色保护膜6和厚度和标识点7的厚度一致。
[0071] 氮化铝陶瓷基板1的背面的前端处印制有输入焊盘9，且该氮化铝陶瓷基板的背面的后端处以SMT贴片方式贴装有背面接地导体8。
[0072] 氮化铝陶瓷基板1的前端和后端通过双面真空溅射工艺分别形成有端接地10，其中前端的端接地连通正面电路和输入焊盘，后端的端接地连通接地线和背面接地导体。
[0073] 本申请所述的表贴式5G通讯用负载片的尺寸大小为1.5×3.0×0.385mm，其吸收负载功率为8W，且频率覆盖DC-6GHz，其驻波特性在上述频率内达到-20.83dB max。
[0074] 下面以各具体实施例来说明本申请所述表贴式5G通讯用负载片的制备方法。
[0075] 银浆料1
[0076] 75wt.％平均直径为1μm的银粉、5wt.％平均直径为1.5μm的玻璃粉、10wt.％粘结剂(选用乙基纤维素和羟甲基纤维素按照质量比为1:1混合形成)、0.05wt.％二氧化钌和余量丁基卡卞醇，其中玻璃粉的主要组分含量如下所述：氧化铝30wt.％、氧化钙1wt.％、氧化铋0.5wt.％和余量氧化硅，且该玻璃粉各组分的重量百分数之和为100wt.％。采用本领域技术人员所熟知的技术方案进行制备，本具体实施例中不再赘述，经三辊
研磨机研磨后的浆料细度≤5μm。
[0077] 银浆料2
[0078] 80wt.％平均直径为800nm的银粉、4wt.％平均直径为1.0μm的玻璃粉、8wt.％粘结剂(选用乙基纤维素和羟甲基纤维素按照质量比为1:1混合形成)、0.06wt.％二氧化钌和余量松油醇，其中玻璃粉的主要组分含量如下所述：氧化铝35wt.％、氧化钙2wt.％、氧化铋0.8wt.％和余量氧化硅，且该玻璃粉各组分的重量百分数之和为100wt.％。采用本领域技术人员所熟知的技术方案进行制备，本具体实施例中不再赘述，经三辊研磨机研磨后的浆料细度≤5μm。
[0079] 电阻浆料1
[0080] 60wt.％平均直径为450nm的银粉、5wt.％直径为300nm的玻璃微粉、10wt.％有机纤维素类粘结剂(硝化纤维素)、0.5wt.％气相二氧化硅和余量松油醇，其中玻璃微粉包括40wt.％的氧化硅和60wt.％的氧化铝。采用本领域技术人员所熟知的技术方案进行制备，本具体实施例中不再赘述。该浆料黏度为黏度为51040cps，经三辊研磨机研磨后的浆料细度≤2μm。
[0081] 电阻浆料2
[0082] 55wt.％平均直径为500nm的银粉、6wt.％直径为200nm的玻璃微粉、8wt.％有机纤维素类粘结剂(乙基纤维素和硝化纤维素按照质量比为1:2混合形成)、0.8wt.％气相二氧化硅和余量丁基卡卞醇，其中玻璃微粉包括50wt.％的氧化硅和50wt.％的氧化铝。采用本领域技术人员所熟知的技术方案进行制备，本具体实施例中不再赘述。该浆料黏度为黏度为54130cps，经三辊研磨机研磨后的浆料细度≤2μm。
[0083] 具体实施例1
[0084] 5G通讯用负载片1的制备方法包括下述步骤：
[0085] S1，清洗基板：选取尺寸为1.5×3.0×0.385mm的氮化铝陶瓷基板，并采用95vol.％以上的酒精清洗该氮化铝陶瓷基板的表面，待酒精挥发完毕后，于2h内进行导体的印刷；
[0086] S2，印制正面电路和接地线：采用厚膜印刷工艺，使用银浆料1通过张力为25±1N的网版在25±2℃环境下进行网版印刷，在经S1步骤处理后的氮化铝陶瓷基板的正面印刷正面电路和接地线，印刷结束后依次进行静置15min、165℃下预烘20min和850℃下高温烧结15min，形成固化的正面电路和接地线；
[0087] S3，印制电阻：采用丝网印刷工艺，选用400目钢丝网版，在25±2℃环境下使用电阻浆料1通过该钢丝网版在经S2步骤处理后的正面电路和接地线上进一步印刷电阻，印刷结束后依次进行静置15min、170℃下预烘20min和850℃下高温烧结15min，得到固化的电阻；
[0088] S4，调阻：对经S3步骤烧结形成的电阻采用激光阻值调试的方式，使该电阻的阻值达到50±1欧姆；
[0089] S5，印制第一黑色保护膜：采用厚膜印刷工艺，选用张力为25±1N的网版在25±2℃环境下进行网版印刷，在经S4步骤处理后的氮化铝陶瓷基板正面的局部正面电路、整个电阻和局部接地线上印刷第一黑色保护膜，该第一黑色保护膜的前后两端相对氮化铝陶瓷基板正面的前后两端均分别内缩0.1mm，以露出局部正面电路和局部接地线，印刷结束后依次进行放置留平20min后，先在100℃预烘25min至表干，然后在200℃下高温烘烤50min至实干，形成干燥的第一黑色保护膜；
[0090] S6，印制标识点：采用厚膜印刷工艺，选用张力为25±1N的网版在25±2℃环境下进行网版印刷，在上述S5步骤中形成的第一黑色保护膜上表层上印刷白色标识点，印刷结束后依次进行放置留平20min后，先在100℃预烘25min至表干，然后在200℃下高温烘烤50min至实干，形成干燥的白色标识点；
[0091] S7，印制第二黑色保护膜：采用厚膜印刷工艺，用张力为25±1N的网版在25±2℃环境下进行网版印刷，在上述S5步骤中形成的第一黑色保护膜上表层上印刷第二黑色保护膜，该第二黑色保护膜对应所述标识点处开孔使所述标识点露出，且该第二黑色保护膜的前后两端相对第一黑色保护膜的前后两端均分别内缩0.1mm，以露出局部第一黑色保护膜，印刷结束后依次进行放置留平20min后，先在100℃预烘25min至表干，然后在200℃下高温烘烤50min至实干，形成干燥的第二黑色保护膜；
[0092] S8，输入焊盘和背面接地导体的成型：在清洗干净的氮化铝陶瓷基板的背面使用银浆料1采用厚膜印刷工艺印刷输入焊盘，印刷时通过张力为25±1N的网版在25±2℃环境下进行，印刷结束后依次进行静置15min、165℃下预烘20min和850℃下高温烧结15min；并采用SMT贴片方式进行背面接地导体的贴装；
[0093] S9，端接地的成型：采用双面真空溅射工艺，在经S8步骤处理后的氮化铝陶瓷基板的前后两端同步一次性溅射镀膜形成端接地，前端的端接地连通正面电路和输入焊盘，后端的端接地连通接地线和背面接地导体。
[0094] 上述制备所得的5G通讯用负载片1的尺寸为1.5×3.0×0.385mm，其吸收负载功率能够达到8W，频率能够覆盖DC-6GHz，其驻波特性在上述频率内能够达到-20.83dB max。同时在真空溅射步骤中，产品在治具中叠放时不会产生高度不平的情况，能够每条产品之间具有相同的间距；此外真空溅射时还能保证溅射的一致性、平整性、良外观，不会出现产品压裂的情况，使得产品良率有15％的提高。
[0095] 具体实施例2
[0096] 5G通讯用负载片2的制备步骤的过程如具体实施例1中所述。不同之处在于：
[0097] 步骤S2和步骤S8中使用银浆料2，且在印刷结束后的工艺为：印刷结束后依次进行静置20min、170℃下预烘15min和860℃下高温烧结17min。
[0098] 步骤S3中使用电阻浆料2，选用的钢丝网版为420目，且在印刷结束后的工艺为：印刷结束后依次进行静置10min、175℃下预烘15min和800℃下高温烧结20min。
[0099] 步骤S5、步骤S6和步骤S7中，印刷结束后的工艺为：印刷结束后依次进行放置留平23min后，先在105℃预烘20min至表干，然后在210℃下高温烘烤60min至实干。
[0100] 上述制备所得的5G通讯用负载片2的尺寸为1.5×3.0×0.385mm，其吸收负载功率能够达到8W，频率能够覆盖DC-6GHz，其驻波特性在上述频率内能够达到-20.83dB max。同时在真空溅射步骤中，产品在治具中叠放时不会产生高度不平的情况，能够每条产品之间具有相同的间距；此外真空溅射时还能保证溅射的一致性、平整性、良外观，不会出现产品压裂的情况，使得产品良率有16％的提高。
[0101] 对比例1
[0102] 该对比例用负载片1的制备步骤主要包括下述步骤：
[0103] S1，同具体实施例1中S1步骤；
[0104] S2，同具体实施例1中S2步骤；
[0105] S3，同具体实施例1中S3步骤；
[0106] S4，同具体实施例1中S4步骤；
[0107] S5，仅印制一层黑色保护膜：采用厚膜印刷工艺，选用张力为25±1N的网版在25±2℃环境下进行网版印刷，在经S4步骤处理后的氮化铝陶瓷基板正面的局部正面电路、整个电阻和局部接地线上印刷第一黑色保护膜，印刷结束后依次进行放置留平20min后，先在
100℃预烘25min至表干，然后在200℃下高温烘烤50min至实干，形成干燥的黑色保护膜；
[0108] S6，印制标识点：同具体实施例1中S6步骤所述在S5步骤中的黑色保护膜上印制白色标识点；
[0109] S7，同具体实施例1中所述S8步骤进行输入焊盘和背面接地导体的成型；
[0110] S8，同具体实施例1中所述S9步骤中进行端接地的成型。
[0111] 上述制备所得的对比负载片1的尺寸为1.5×3.0×0.385mm，其吸收负载功率能够达到8W，频率能够覆盖DC-6GHz，其驻波特性在上述频率内能够达到-20.83dB max，性能均能达到要求；但在后续真空溅射步骤中，产品在治具中叠放时由于白色标识点突出于仅有的一层黑色保护膜上，会产生高度不平的情况，每条产品之间难以保持相同的间距；此外真空溅射时不能保证溅射的一致性和良外观，与本申请所得负载片的良率相比，不仅没有提高，良率在原有
基础上反而有下降2％。
[0112] 对比例2：
[0113] S1，同具体实施例1中S1步骤；
[0114] S2，同具体实施例1中S2步骤；
[0115] S3，同具体实施例1中S3步骤；
[0116] S4，同具体实施例1中S4步骤；
[0117] S5，印制第一黑色保护膜：印制过程中其他工艺步骤均如具体实施例1中S5步骤，仅第一黑色保护膜的前后两端没有内缩；
[0118] S6，印制标识点：同具体实施例1中S6步骤所述在S5步骤中的黑色保护膜上印制白色标识点；
[0119] S7，印制第二黑色保护膜：印制过程中其他工艺步骤均如具体实施例1中S7步骤，仅第二黑色保护膜的前后两端未相对第一黑色保护膜的前后两端均分别内缩0.1mm；
[0120] S8，同具体实施例1中所述S8步骤进行输入焊盘和背面接地导体的成型；
[0121] S9，同具体实施例1中所述S9步骤中进行端接地的成型。
[0122] 上述制备所得的对比负载片2的尺寸和基本性能均与具体实施例1持平；但在后续真空溅射步骤中，由于第一黑色保护膜和第二黑色保护膜之间没有产生高度落差，因此不能保证真空溅射时，溅射层可以溅射到电极和第一黑色保护膜上同时而又被第二黑色保护膜阻挡，不能保证溅射的一致性，从而使得产品良率在原有基础上下降了5％。
[0123] 以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
