OLED器件及其封装方法
阅读：287发布：2024-02-02
专利汇可以提供OLED器件及其封装方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 申请 公开了一种OLED器件的封装方法，包括：提供一衬底 基板 ，在衬底基板上制备OLED器件，在衬底基板上沉积第一阻挡层，第一阻挡层完全 覆盖 衬底基板及OLED器件；在第一阻挡层上对应OLED器件的 位置 形成第一 缓冲层 ；在第一缓冲层及第一阻挡层上形成包覆第一缓冲层的第二阻挡层；在第二阻挡层上对应OLED器件的位置形成第二缓冲层； 刻蚀 第一阻挡层及第二阻挡层上未被第二缓冲层包覆的部分，从而完成OLED器件的封装。本申请能够减少由掩模板带来的制作偏差、提升制作 精度 、减少由掩模板引入的粒子带来的对掩模板的划伤等问题，提升产品良率以及节省耗材。，下面是OLED器件及其封装方法专利的具体信息内容。
1.一种OLED器件的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：
提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备OLED器件，以得到OLED基板；
在所述衬底基板上沉积第一阻挡层，所述第一阻挡层完全覆盖所述衬底基板及所述OLED器件；
在所述第一阻挡层上对应所述OLED器件的位置形成第一缓冲层；
在所述第一缓冲层及所述第一阻挡层上形成包覆所述第一缓冲层的第二阻挡层；
在所述第二阻挡层上对应所述OLED器件的位置形成第二缓冲层；
刻蚀所述第一阻挡层及所述第二阻挡层上未被所述第二缓冲层包覆的部分，从而完成所述OLED器件的封装。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一缓冲层及所述第二缓冲层的面积大于所述OLED器件在所述衬底基板上的投影面积。
3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述第二缓冲层的面积大于所述第一缓冲层的面积。
4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一阻挡层及所述第二阻挡层的材料为三氧化二铝、二氧化钛、氮化硅、碳氮化硅以及氧化硅中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一缓冲层及所述第二缓冲层为有机材料。
6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一阻挡层及所述第二阻挡层的沉积采用等离子体增强化学的气相沉积工艺、原子层沉积工艺、脉冲激光沉积工艺及溅镀工艺中的一种。
7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一缓冲层及所述第二缓冲层的形成采用喷墨打印算法、丝网打印法或狭缝涂布法中的一种。
8.一种如权利要求1-7中任一项所述OLED器件的封装方法所制备的OLED，其特征在于，所述OLED器件包括：
OLED基板，包括衬底基板及形成于所述衬底基板上的OLED器件；
第一阻挡层，形成于所述衬底基板上且包覆所述OLED器件；
第一缓冲层，形成于所述第一阻挡层上对应所述OLED器件的位置；
第二阻挡层，形成于所述第一缓冲层上且包覆所述第一缓冲层；
第二缓冲层，形成于所述第二阻挡层上对应所述OLED器件的位置。
9.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述第一缓冲层及所述第二缓冲层的面积大于所述OLED器件在所述衬底基板上的投影面积。
10.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述第二缓冲层的面积大于所述第一缓冲层的面积。
OLED器件及其封装方法
技术领域
[0001] 本申请涉及显示器件技术领域，特别是涉及一种OLED器件及其封装方法。
背景技术
[0002] 有机电致发光二极管(Organic Light Emission Display，OLED)器件，因具有主动发光、亮度高、对比度高、低功耗、宽视角、响应速度快、工作温度范围宽以及轻薄等诸多优点被业界公认为最具有发展潜力的显示装置。
[0003] OLED器件中用于形成金属阴极的活泼金属对空气中的水汽和氧气非常敏感，非常容易与渗透进来的水汽发生反应，影响电荷的注入。此外，渗透进来的水汽和氧气还会与有机材料发生化学反应，从而影响器件的发光效率及降低器件的发光寿命。因此，封装技术对OLED器件非常重要。现有技术中OLED器件有多种封装方式，例如薄膜封装(TFE)、玻盖(Glass)封装方式和玻璃粉(Frit)封装方式。其中，最常用的是薄膜封装方式，即采用CVD(化学气相沉积)和IJP(等离子打印)技术对OLED器件进行封装，该封装方式具有工艺简单，能保持封装对象的轻、薄结构特性。
[0004] 但是，现有OLED TFE封装中无机膜大都采用PECVD(等离子体增强化学的气相沉积法)加Mask(掩模板)制备，其中Mask成本较贵，且本身存在制作偏差、对位偏差、阴影效应及热形变问题，导致成膜位置与设计偏差较大等问题。发明内容
[0005] 本申请提供一种OLED器件及其封装方法，能够解决现有技术中OLED TFE封装中无机膜大都采用PECV和Mask(掩模板)制备带来的成本高、制作偏差、对位偏差、阴影效应及热形变等问题。
[0006] 为解决上述技术问题，本申请采用的另一种技术方案是：提供一种OLED器件的封装方法，所述封装方法包括：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备OLED器件，以得到OLED基板；在所述衬底基板上沉积第一阻挡层，所述第一阻挡层完全覆盖所述衬底基板及所述OLED器件；在所述第一阻挡层上对应所述OLED器件的位置形成第一缓冲层；在所述第一缓冲层及所述第一阻挡层上形成包覆所述第一缓冲层的第二阻挡层；在所述第二阻挡层上对应所述OLED器件的位置形成第二缓冲层；刻蚀所述第一阻挡层及所述第二阻挡层上未被所述第二缓冲层包覆的部分，从而完成所述OLED器件的封装。
[0007] 其中，所述第一缓冲层及所述第二缓冲层的面积大于所述OLED器件在所述衬底基板上的投影面积。
[0008] 其中，所述第二缓冲层的面积大于所述第一缓冲层的面积。
[0010] 其中，所述第一缓冲层及所述第二缓冲层为有机材料。
[0013] 为解决上述技术问题，本申请采用的另一种技术方案是：提供一种一种如上述任一项所述OLED器件的封装方法所制备的OLED，所述OLED器件包括：OLED基板，包括衬底基板及形成于所述衬底基板上的OLED器件；第一阻挡层，形成于所述衬底基板上且包覆所述OLED器件；第一缓冲层，形成于所述第一阻挡层上对应所述OLED器件的位置；第二阻挡层，形成于所述第一缓冲层上且包覆所述第一缓冲层；第二缓冲层，形成于所述第二阻挡层上对应所述OLED器件的位置。
[0014] 其中，所述第一缓冲层及所述第二缓冲层的面积大于所述OLED器件在所述衬底基板上的投影面积。
[0015] 其中，所述第二缓冲层的面积大于所述第一缓冲层的面积。
[0016] 本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请提供一种OLED器件及其封装方法，其中第一阻挡层及第二阻挡层(无机膜层)的形成无需采用单独掩模板进行图案化处理，能够减少由掩模板带来的制作偏差、减少基板和掩模板之间的对位偏差以及减少掩模板热变形造成的偏差，提升制作精度，此外还可以减少由掩模板引入的粒子带来的对掩模板的划伤等问题，提升产品良率以及节省耗材。附图说明
[0017] 为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
[0018] 图1是本申请OLED器件的封装方法一实施方式的流程示意图；
[0019] 图2是本申请OLED器件一实施方式的封装制备示意图；
[0020] 图3是本申请OLED器件一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
[0021] 下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0022] 请参阅图1，图1为本申请OLED器件的封装方法一实施方式的流程示意图，如图1本申请中提供的OLED器件的封装方法包括如下步骤：
[0023] S100，提供一衬底基板，在衬底基板上制备OLED器件，以得到OLED基板。
[0024] 请一并结合图2，图2为本申请OLED器件一实施方式的封装制备示意图，如图2，首先提供一衬底基板100，本申请所述衬底基板100可以为透明材质，具体可以是玻璃、陶瓷基板、透明塑料以及聚酰亚胺柔性衬底等任意形式的基板，此处本申请不做具体限定。可选地，可以采用蒸镀方法在衬底基板100上形成OLED器件200，以得到OLED基板。
[0025] S200，在衬底基板上沉积第一阻挡层，第一阻挡层完全覆盖衬底基板及OLED器件。
[0026] 可选地，采用等离子体增强化学的气相沉积工艺(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)在衬底基板100上沉积一整面的第一阻挡层110，且第一阻挡层110完全覆盖衬底基板100及OLED器件200。其中，第一阻挡层110用于阻隔水氧，防止OLED器件200被腐蚀。在本申请实施方式中的第一阻挡层110的材料为无机材料，例如三氧化二铝、二氧化钛、氮化硅、碳氮化硅以及氧化硅中的至少一种。
[0027] 在其他实施方式中，也可以采用原子层沉积工艺(ALD)、脉冲激光沉积工艺(PLD)或溅镀工艺(Sputter)沉积第一阻挡层110，此处不做具体限定。
[0028] S300，在第一阻挡层上对应OLED器件的位置形成第一缓冲层。
[0029] 可选地，在第一阻挡层110上对应OLED器件200的位置形成第一缓冲层120，该第一缓冲层120用于进一步阻隔水氧，防止OLED器件200被腐蚀。在具体实施方式中，第一缓冲层120为有机材料，例如亚克力树脂或者含硅的有机材料，其中含硅的有机材料可以为氮化硅(SiNx)及二氧化硅中(SiO2)的一种。当然也可以采用其它材料，本申请不做具体限定。
[0030] 具体地，在第一阻挡层110上沉积一整面的第一缓冲层120，接着采用喷墨打印算法、丝网打印法或狭缝涂布法中的一种图案化所述第一缓冲层120，以使得第一阻挡层110上对应所述OLED器件200的部分保留，其余部分被去除。可选地，第一缓冲层120的面积大于所述OLED器件200在所述衬底基板100上的投影面积，如此可以进一步防止外界水汽的入侵造成OLED器件200被腐蚀。
[0031] S400，在第一缓冲层及第一阻挡层上形成包覆第一缓冲层的第二阻挡层。
[0032] 进一步，在第一缓冲层120及第一阻挡层110上形成第二阻挡层130，该第二阻挡层130包覆第一缓冲层120。和第一阻挡层110的制备和材料相同，本申请中第二阻挡层130用于进一步阻隔水氧，防止OLED器件200被腐蚀。其中，第二阻挡层130也采用等离子体增强化学的气相沉积工艺沉积，当然在其他实施方式中也可以采用原子层沉积工艺、脉冲激光沉积工艺或溅镀工艺形成。且第二阻挡层130也采用无机材料，例如三氧化二铝、二氧化钛、氮化硅、碳氮化硅以及氧化硅中的至少一种。
[0033] S500，在第二阻挡层上对应OLED器件的位置形成第二缓冲层。
[0034] 可选地，在第二阻挡层130上对应OLED器件200的位置形成第二缓冲层140，该第二缓冲层140用于进一步阻隔水氧，防止OLED器件200被腐蚀。和第一缓冲层120的制备和材料相同，本申请中第二缓冲层140也采用有机材料，例如亚克力树脂或者含硅的有机材料，其中含硅的有机材料可以为氮化硅(SiNx)及二氧化硅中(SiO2)的一种。当然也可以采用其它材料，本申请不做具体限定。
[0035] 具体地，在第二阻挡层130上沉积一整面的第二缓冲层140，接着采用喷墨打印算法、丝网打印法或狭缝涂布法中的一种图案化所述第二缓冲层140，以使得第二阻挡层130上对应所述OLED器件200的部分保留，其余部分被去除。可选地，第二缓冲层140的面积大于OLED器件200在所述衬底基板100上的投影面积，如此可以进一步防止外界水汽的入侵造成OLED器件200被腐蚀。
[0036] 可选地，本申请中设置第二缓冲层140的面积大于第一缓冲层120的面积，如此可以进一步实现对OLED器件的水痒阻隔。当然在其他实施方式中，第一缓冲层120及第二缓冲层140还可以选用有机聚合材料制成，能有效缓冲OLED器件200在弯曲、折叠时的应力以及防止颗粒污染物的覆盖。
[0037] S600，刻蚀第一阻挡层及第二阻挡层上未被第二缓冲层包覆的部分，从而完成OLED器件的封装。
[0038] 可选地，采用等离子刻蚀工艺(Plasma)刻蚀第一阻挡层110及第二阻挡层130上未被第二缓冲层140包覆的部分，从而完成对OLED器件200的封装。
[0039] 可以理解的是，现有技术中无机膜层的形成工艺需通过Coating mask完成图案化制程，且Mask为损耗品，且成本较贵，同时Mask本身存在制作偏差、对位偏差、Shadow effect及热形变问题，导致成膜位置与设计偏差较大等问题。而本申请中第一阻挡层及第二阻挡层(无机膜层)无需采用掩模板进行图案化处理，有如下优点：
[0040] 1、无需采用掩模板，节省耗材；
[0041] 2、减少由掩模板带来的制作偏差、基板和掩模板之间的对位偏差以及掩模板热变形造成的偏差，提升制作精度；
[0042] 3、减少由掩模板引入的粒子带来的对掩模板的划伤等问题，提升产品良率；
[0043] 4、无阴影效应，且气相沉积的边界可由第二缓冲层决定，从而可以实现显示器的窄边框。
[0044] 上述实施方式中，第一阻挡层及第二阻挡层(无机膜层)的形成无需采用单独掩模板进行图案化处理，能够减少由掩模板带来的制作偏差、减少基板和掩模板之间的对位偏差以及减少掩模板热变形造成的偏差，提升制作精度，此外还可以减少由掩模板引入的粒子带来的对掩模板的划伤等问题，提升产品良率以及节省耗材。
[0045] 请参阅图3，图3为本申请OLED器件一实施方式的结构示意图，如图3，本申请提供的OLED器件包括OLED基板、第一阻挡层110、第一缓冲层120、第二阻挡层130以及第二缓冲层140。
[0046] 其中，OLED基板包括衬底基板100及形成于衬底基板100上的OLED器件200。衬底基板100可以为透明材质，具体可以是玻璃、陶瓷基板、透明塑料以及聚酰亚胺柔性衬底等任意形式的基板，此处本申请不做具体限定。OLED器件200可以采用蒸镀方法形成于衬底基板100上。
[0047] 第一阻挡层110形成于衬底基板100上且包覆所述OLED器件200。其中，第一阻挡层110用于阻隔水氧，防止OLED器件200被腐蚀。在本申请实施方式中的第一阻挡层110的材料为无机材料，例如三氧化二铝、二氧化钛、氮化硅、碳氮化硅以及氧化硅中的至少一种。第一阻挡层110可以采用采用等离子体增强化学的气相沉积工艺、原子层沉积工艺(ALD)、脉冲激光沉积工艺(PLD)或溅镀工艺(Sputter)形成，此处不做具体限定。
[0048] 第一缓冲层120形成于所述第一阻挡层110上对应所述OLED器件200的位置。第一缓冲层120用于进一步阻隔水氧，防止OLED器件200被腐蚀。在具体实施方式中，第一缓冲层120为有机材料，例如亚克力树脂或者含硅的有机材料，其中含硅的有机材料可以为氮化硅(SiNx)及二氧化硅中(SiO2)的一种。当然也可以采用其它材料，本申请不做具体限定。第一缓冲层120的图案化可以采用喷墨打印算法、丝网打印法或狭缝涂布法中的一种，从而保留第一阻挡层110上对应所述OLED器件200的部分。可选地，第一缓冲层120的面积大于所述OLED器件200在所述衬底基板100上的投影面积，如此可以进一步防止外界水汽的入侵造成OLED器件200被腐蚀。
[0049] 第二阻挡层130形成于第一缓冲层120上且包覆第一缓冲层120。第二阻挡层130和第一阻挡层110的制备和材料相同，本申请中第二阻挡层130用于进一步阻隔水氧，防止OLED器件200被腐蚀。其中，第二阻挡层130也采用等离子体增强化学的气相沉积工艺沉积，当然在其他实施方式中也可以采用原子层沉积工艺、脉冲激光沉积工艺或溅镀工艺形成。且第二阻挡层130也采用无机材料，例如三氧化二铝、二氧化钛、氮化硅、碳氮化硅以及氧化硅中的至少一种。
[0050] 第二缓冲层140用于进一步阻隔水氧，防止OLED器件200被腐蚀。和第一缓冲层120的制备和材料相同，本申请中第二缓冲层140也采用有机材料，例如亚克力树脂或者含硅的有机材料，其中含硅的有机材料可以为氮化硅(SiNx)及二氧化硅中(SiO2)的一种。当然也可以采用其它材料，本申请不做具体限定。
[0051] 具体地，在第二阻挡层130上沉积一整面的第二缓冲层140，接着采用喷墨打印算法、丝网打印法或狭缝涂布法中的一种图案化所述第二缓冲层140，以使得第二阻挡层130上对应所述OLED器件200的部分保留，其余部分被去除。可选地，第二缓冲层140的面积大于OLED器件200在所述衬底基板100上的投影面积，如此可以进一步防止外界水汽的入侵造成OLED器件200被腐蚀。
[0052] 可选地，本申请中设置第二缓冲层140的面积大于第一缓冲层120的面积，如此可以进一步实现对OLED器件的水痒阻隔。当然在其他实施方式中，第一缓冲层120及第二缓冲层140还可以选用有机聚合材料制成，能有效缓冲OLED器件200在弯曲、折叠时的应力以及防止颗粒污染物的覆盖。
[0053] 综上所述，本领域技术人员容易理解，本申请提供本申请提供一种OLED器件及其封装方法，其中第一阻挡层及第二阻挡层(无机膜层)的形成无需采用单独掩模板进行图案化处理，能够减少由掩模板带来的制作偏差、减少基板和掩模板之间的对位偏差以及减少掩模板热变形造成的偏差，提升制作精度，此外还可以减少由掩模板引入的粒子带来的对掩模板的划伤等问题，提升产品良率以及节省耗材。
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