技术领域
[0001] 本
申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法。
背景技术
[0002] 有机电致发光(Organic Light Emitting Display，OLED)器件具有自发光、全固态、驱动
电压低、
发光效率高、响应时间短、清晰度与
对比度高、近180°视
角以及使用
温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全彩显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜
力的显示装置。
[0003] 目前，小尺寸OLED在移动智能终端和车载领域的应用已经全面超越
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)，未来大尺寸顶发光型且高解析度的OLED显示面板也会全面应用并取代液晶显示装置。OLED显示器件的发光原理为
半导体材料和有机发光材料在
电场驱动下，通过载流子注入和复合导致有机发光材料发光。现有OLED显示面板通常包括：TFT
基板，设于TFT基板上的
阳极、设于阳极上的有机
发光层及设于有机发光层上的
阴极。由于顶发光OLED显示面板是共阴极的结构，且共阴极一般采用透过率高的金属或者透明
氧化物，金属阴极会存在面
电阻高的问题，对于大尺寸OLED显示面板共阴极面电阻高，会存在严重的
电源电压降(IR-drop)，导致大尺寸OLED显示面板不同
位置亮度均一性差。
发明内容
[0004] 本申请的目的在于提供一种显示面板及其制造方法，以解决大尺寸OLED显示面板存在共阴极电阻压降大而导致OLED显示面板不同位置亮度均一性差的问题。
[0005] 为实现上述目的，技术方案如下：本申请提供一种显示面板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：
[0006] 提供一基板，所述基板具有
像素区和位于所述像素区外的非像素区，所述基板包括设置于所述像素区和所述非像素区的公共
电极；
[0007] 于所述像素区和所述非像素区的所述公共电极上形成成核抑制层，所述成核抑制层用于抑制导电层形成于所述成核抑制层的表面；
[0008] 采用
激光烧蚀去除所述非像素区的所述成核抑制层以形成图案
化成核抑制层；
[0009] 于所述非像素区的所述公共电极上形成所述导电层。
[0010] 在上述显示面板的制造方法中，所述采用激光烧蚀去除所述非像素区的所述成核抑制层包括如下步骤：
[0011]
激光器输出
波长为340纳米-370纳米的光，且以1.5瓦特-2.2瓦特的输出功率以及500kHz-2000kHz的输出
频率工作，烧蚀所述非像素区的所述成核抑制层以形成所述
图案化成核抑制层。
[0012] 在上述显示面板的制造方法中，所述成核抑制层的厚度为25纳米-80纳米。
[0013] 在上述显示面板的制造方法中，所述制造方法还包括如下步骤：
[0014] 于所述图案化成核抑制层远离所述基板的表面形成盖封层，所述盖封层的厚度大于所述图案化成核抑制层的厚度。
[0015] 在上述显示面板的制造方法中，所述盖封层和所述图案化成核抑制层的厚度之和的取值范围为400纳米-600纳米。
[0016] 在上述显示面板的制造方法中，所述制造方法还包括如下步骤：
[0017] 形成
覆盖所述盖封层和所述导电层的封装层，所述公共电极的折射率大于所述图案化成核抑制层的折射率，所述图案化成核抑制层的折射率大于或等于所述盖封层的折射率，所述盖封层的折射率大于所述封装层的折射率。
[0018] 在上述显示面板的制造方法中，所述公共电极的制备材料为金属或者金属氧化物。
[0019] 在上述显示面板的制造方法中，所述导电层的厚度大于所述图案化成核抑制层的厚度。
[0020] 在上述显示面板的制造方法中，所述导电层的制备材料包括镁，所述成核抑制层的制备材料选自3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑、双(2-甲基-8-羟基喹啉对羟基)-4-联
苯酚铝、N(联苯-4-基)9，9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺中的至少一种。
[0021] 一种显示面板，所述显示面板由上述制造方法制得。
[0022] 有益效果：本申请提供一种显示面板及其制造方法，通过采用激光烧蚀以形成网格连续性好以及
精度高的图案化成核抑制层，利用成核抑制层抑制导电层形成于成核抑制层的表面以于非像素区的公共电极上形成连续性好的导电层，以改善公共电极和导电层构成的阴极的电阻压降，提高显示面板显示画面的亮度均一性。
附图说明
[0023] 图1为本申请
实施例显示面板的制造方法的
流程图；
[0024] 图2A-2F为制造本申请实施例显示面板过程中的结构示意图。
具体实施方式
[0025] 下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0026] 请参阅图1，其为本申请实施例显示面板的制造方法的流程图。显示面板的制造方法包括如下步骤：
[0027] S10:提供一基板。
[0028] 具体地，如图2A所示，基板10为
有机发光二极管阵列基板。基板10具有像素区10a和位于像素区10a外的非像素区10b。基板10包括衬底100、
薄膜晶体管阵列层101以及有机
发光二极管阵列层。
[0029] 衬底100为玻璃基板或者柔性
聚合物层，柔性聚合物层包括聚酰亚胺层。
[0030]
薄膜晶体管阵列层101包括多个阵列排布的薄膜晶体管，薄膜晶体管用于控制
有机发光二极管阵列层中的有机发光二极管的工作状态。薄膜晶体管可以为金属氧化物薄膜晶体管或多晶
硅薄膜晶体管等。
[0031] 有机发光二极管阵列层包括多个阵列排布的有机发光二极管，有机发光二极管可以包括红光有机发光二极管、蓝光有机发光二极管以及绿光有机发光二极管。有机发光二极管为顶发光型有机发光二极管，即基板10包括多个独立的像素电极1021、多个独立且位于像素区10a的有机发光层1022以及设置于像素区10a和非像素区10b的公共电极1023。多个独立的像素电极1021分别与薄膜晶体管中的漏电极电性连接。像素电极1021为不透明电极或者透明电极。像素电极1021的制备材料为Ag、Mg等金属，或为氧化铟锌、氧化铟
锡等透明金属氧化物与金属层的组合。公共电极1023的制备材料为金属或金属氧化物，例如公共电极1023为10纳米-100纳米的Ag，或者公共电极为氧化铟锡层或氧化铟锌层。有机发光二极管还可以包括空穴传输层、空穴注入层、
电子传输层以及电子注入层等，以进一步地提高有机发光二极管的发光效果。
[0032] 在有机发光二极管阵列层和薄膜晶体管阵列层之间设置有平坦化层、
钝化层以及像素定义层。
钝化层形成薄膜晶体管阵列层的表面，用于阻止平坦化层等有机层中的离子进入至薄膜晶体管阵列层中而影响薄膜晶体管的电性能。平坦化层用于使形成有薄膜晶体管阵列层的表面更加平整，平坦化层设置于钝化层远离薄膜晶体管阵列层的表面。像素定义层用于定义基板100的像素区10a和非像素区10b，像素定义层设置于钝化层远离平坦化层的表面。
[0033] S11:于像素区和非像素区的公共电极上形成成核抑制层。
[0034] 具体地，如图2B所示，采用
旋涂、
真空蒸
镀以及印刷等在像素区10a和非像素区10b的公共电极1023上形成整面的成核抑制层103。成核抑制层103用于抑制导电层104形成于成核抑制层103的表面。成核抑制层103与导电层104之间具有低的初始粘着概率，使得导电层104不会附着于成核抑制层103的表面。成核抑制层103的制备材料选自3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑、双(2-甲基-8-羟基喹啉对羟基)-4-联苯酚铝、N(联苯-4-基)9，9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺中的至少一种。
[0035] 成核抑制层103的厚度为25纳米-80纳米。例如成核抑制层103的厚度为30纳米、40纳米或者50纳米。成核抑制层103的厚度大于或等于25纳米，有利于避免烧蚀非像素区10b的成核抑制层103时导致非像素区10b的公共电极1023被过度烧蚀而影响公共电极1023的正常工作性能。成核抑制层103的厚度小于或等于80纳米，有利于避免像素区10a的成核抑制层103的厚度太大而降低有机发光二极管的出光率。
[0036] S12:采用激光烧蚀去除非像素区的成核抑制层以形成图案化成核抑制层。
[0037] 具体地，如图2C所示，激光器输出波长为340纳米-370纳米的光，且以1.5瓦特-2.2瓦特的输出功率以及500kHz-2000kHz的输出频率工作，烧蚀非像素区10b的成核抑制层103以形成图案化成核抑制层103a。激光波长为340纳米-370纳米有利于避免激光波长太小导致烧蚀成核抑制层103时导致公共电极1023烧蚀厚度超过允许值，也有利于避免激光波长太大导致非像素区10b的成核抑制层103无法去除完全导致导电层104无法形成于非像素区10b的公共电极1023上。优选地，激光器输出波长为355纳米的光。激光器的输出功率为1.5瓦特-2.2瓦特，避免激光器输出的光
能量过高导致去除非像素区10b成核抑制层103时导致公共电极1023烧蚀厚度超过允许值，也避免激光器输出的光能量过低而无法去除非像素区
10b的成核抑制层103。优选地，激光器的输出功率为1.7瓦特-2.0瓦特。500kHz-2000kHz的输出频率有利于形成网格连续性更好且精度更高的图案化成核抑制层103a。
[0038] 需要说明的是，由于技术原因，目前无法采用掩膜板形成大尺寸显示面板的图案化成核抑制层。而本实施例采用激光烧蚀技术以形成图案化成核抑制层103a，使得图案化成核抑制层103a具有网格连续性好、精度高以及制作效率高的优点。且通过优化激光烧蚀以形成图案化成核抑制层103a的工艺参数，使得图案化成核抑制层103a具有更好的网格连续性以及精度的同时，避免对非像素区10b的公共电极1023造成超过允许范围的损伤，从而避免影响非像素区10b公共电极1023的电阻，提高显示面板的显示效果。此外，相对于传统工艺，例如采用印刷导电
银浆等以形成导电层，由于形成的图案化成核抑制层103a具有良好的网格连续性以及高精度，也使得后续形成的导电层104具有良好的连续性以及高精度。
[0039] S13:于非像素区的公共电极上形成导电层。
[0040] 具体地，如图2D所示，采用真空蒸镀以于非像素区10b的公共电极1023上形成导电层104。由于导电层104和图案化成核抑制层103a之间存在自组装功能，使得形成有图案化成核抑制层103a的像素区10a无法形成导电层104，而去除成核抑制层103的非像素区10b的公共电极1023上形成有导电层104。导电层104与公共电极1023电性
接触，使得导电层104与公共电极1023构成的阴极的面电阻减小，改善公共电极1023和导电层104构成的阴极的电阻压降，避免大尺寸显示面板出现电阻压降不均一的问题，提高显示面板显示画面时的亮度均一性。
[0041] 导电层104的制备材料包括镁。镁与成核抑制层之间具有更小的初始粘着系数。导电层104的厚度大于图案化成核抑制层103a的厚度，使得导电层104厚度较大以进一步地改善大尺寸显示面板出现电阻压降不均一的问题。导电层104的厚度大于或等于150纳米且小于2微米。例如导电层的厚度为200纳米、300纳米、800纳米或者1微米。
[0042] 进一步地，如图2E所示，制造方法还包括如下步骤：
[0043] 于图案化成核抑制层103a远离基板10的表面形成盖封层105(Capping Layer，CPL)。盖封层105用于通过压制有机发光二极管发出的光在金属/介质界面处的表面等离子激元效应以提高有机发光二极管发出的光的出射光效率。盖封层105的制备材料为有机材料，例如盖封层105的制备材料为羟基喹啉铝(Alq3)。
[0044] 盖封层105的厚度大于图案化抑制层103a的厚度，以进一步地提高有机发光二极管发出的光穿过图案化抑制层103a以及盖封层105的透光率。盖封层105和图案化抑制层103a的厚度之和的取值范围为400纳米-600纳米，以实现显示面板的厚度薄化的同时，提高有机发光二极管发出的光穿过盖封层105以及图案化抑制层103a的穿过率。例如图案化抑制层的厚度为50纳米，盖封层的厚度为450纳米；或，图案化抑制层的厚度为80纳米，盖封层的厚度为420纳米。
[0045] 可以理解的是，盖封层105的制备材料也可以与图案化抑制层103a的制备材料相同。此时，盖封层105与图案化抑制层103a为同一膜层且通过同一制程形成。
[0046] 进一步地，如图2F所示，制造方法还包括如下步骤：
[0047] 形成覆盖盖封层105和导电层104的封装层106，公共电极1023的折射率大于图案化成核抑制层103a的折射率，图案化成核抑制层103a的折射率大于或等于盖封层105的折射率，盖封层105的折射率大于封装层106的折射率，以使得有机发光二极管发出的光经过折射率呈递减趋势的公共电极1023、图案化成核抑制层103a盖封层105以及封装层106后，有机发光二极管发出的光的透光率增加。
[0048] 封装层106至少包括两无机绝缘层以及位于两无机层之间的一有机绝缘层。无机绝缘层和有机绝缘层的折射率均小于图案化成核抑制层的折射率，例如无机绝缘层为氧化硅，有机绝缘层为聚
丙烯酸酯等。
[0049] 需要说明的是，上述描述的是显示面板为顶发光有机发光二极管显示面板，显示面板也可以为底发光有机发光二极管显示面板或者透明有机发光二极管显示面板。
[0050] 本申请还提供一种显示面板，显示面板通过上述制造方法制得。
[0051] 本申请显示面板通过采用激光烧蚀以形成网格连续性好以及精度高的图案化成核抑制层，利用成核抑制层抑制导电层形成于成核抑制层的表面以于非像素区的公共电极上形成连续性好的导电层，以改善公共电极和导电层构成的阴极的电阻压降，提高显示面板显示画面的亮度均一性。
[0052] 以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行
修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
