具有良好气密性的抛光垫
阅读：85发布：2020-05-08
专利汇可以提供具有良好气密性的抛光垫专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且实施例 涉及在化学机械平坦化(CMP)工艺中使用且具有良好气密性的 抛光 垫 ，其中抛光垫在窗口开口的气密性是良好的，并且因此可防止在CMP工艺期间可能发生的 水 泄漏 。，下面是具有良好气密性的抛光垫专利的具体信息内容。
1.一种抛光垫，其包括：
抛光层，其中形成有第一贯穿孔；
支撑层，在形成所述第一贯穿孔的区域中形成有第二贯穿孔；
第一粘合剂层，插设在所述抛光层和所述支撑层之间且在形成所述第一贯穿孔的区域中形成有第三贯穿孔；以及
窗口，插入所述第一贯穿孔中且具有粘合到所述窗口的一侧的第二粘合剂层，其中所述第二贯穿孔和所述第三贯穿孔彼此对齐，并且
所述第二粘合剂层的边缘区域的一部分和所述第一粘合剂层彼此粘合。
2.如权利要求1所述的抛光垫，其中，当所述第二粘合剂层的厚度为20至50μm时，所述第二粘合剂层的透光率为90％至99％，且其折射率为1.4至1.6。
3.如权利要求1所述的抛光垫，其中，当所述窗口的厚度与所述第二粘合剂层的厚度比为100:1时，所述窗口和所述第二粘合剂层之间的透光率之差为1％至10％，并且它们之间的折射率之差为0.01至0.1。
4.如权利要求1所述的抛光垫，其中所述第一粘合剂层和所述第二粘合剂层由熔点为
90至130℃的热熔粘合剂形成。
5.如权利要求1所述的抛光垫，其中，当所述抛光垫中形成所述第一至第三贯穿孔的区域加压1至5kgf/cm2的压力，并且在5分钟内测量压力，加压5分钟后的压力变化为35％或更小。
6.如权利要求1所述的抛光垫，其中，当所述抛光垫中形成所述第一至第三贯穿孔的区域加压0.001至0.1kgf/cm2的压力，并且在5分钟内测量压力，5分钟后的压力为1kgf/cm2或更小。
7.如权利要求1所述的抛光垫，其中所述窗口的另一侧被表面处理，并且被表面处理的一侧具有2.0至4.0μm的表面粗糙度(Ra)。
8.一种用于制备抛光垫的工艺，包括：
(1)提供其中形成有第一贯穿孔的抛光层；
(2)提供与所述抛光层相对的支撑层；
(3)在所述抛光层和所述支撑层之间插设第一粘合剂层，并且用所述第一粘合剂层将所述抛光层和所述支撑层彼此粘合；
(4)根据所述第一贯穿孔，在所述第一粘合剂层的预定区域中形成穿过所述第一粘合剂层的第三贯穿孔，并且在所述支撑层的预定区域中形成穿过所述支撑层的第二贯穿孔；
以及
(5)在所述第一贯穿孔中插入窗口，所述窗口具有粘合到所述窗口的一侧的第二粘合剂层，并且将所述第二粘合剂层的边缘区域的一部分与所述第一粘合剂层粘合。
9.如权利要求8所述的用于制备抛光垫的工艺，其中所述第三贯穿孔形成在其中形成所述第一贯穿孔的区域中，
所述第三贯穿孔的平面面积小于所述第一贯穿孔的平面面积，
所述第二贯穿孔形成在其中形成所述第一贯穿孔的区域中，并且
所述第二贯穿孔的平面面积小于所述第一贯穿孔的平面面积。
10.如权利要求8所述的用于制备抛光垫的工艺，其中所述第二贯穿孔和所述第三贯穿孔同时形成，使得所述第二贯穿孔和所述第三贯穿孔彼此对应。
11.如权利要求8所述的用于制备抛光垫的工艺，其中上述步骤(5)中的粘合通过熔合且彼此粘合的所述第一粘合剂层和所述第二粘合剂层的一部分或全部执行。
12.如权利要求11所述的用于制备抛光垫的工艺，其中所述第一粘合剂层和所述第二粘合剂层由熔点为90至130℃的热熔粘合剂形成，并且
上述步骤(5)中的粘合在100至120℃下执行。
具有良好气密性的抛光垫
技术领域
[0001] 实施例涉及在化学机械平坦化(CMP)工艺中使用的抛光垫，其具有良好的气密性。
背景技术
[0002] 用于化学机械平坦化(CMP)的抛光垫是在制造半导体的CMP工艺中扮演重要角色的基本元件。它在实现CMP工艺的性能上扮演着重要角色。用于CMP工艺的抛光垫用于去除晶片上不必要的部分，并且在CMP工艺期间通过一致的抛光操作而使晶片的表面光滑。
[0003] 近年来，已经提出了各种方法来测量晶片的厚度且检测CMP工艺的终止点。例如，为了原位确定晶片的表面平整度，已经提出了窗口安装在抛光垫中的方法，并且晶片的厚度通过由通过窗口的激光干扰产生的反射光束测量。已经提出了在抛光垫中安装窗口的几种方法。例如，已经提出了在形成抛光层的步骤中插入且集成窗口块的方法(在下文，“窗口集成抛光垫”)(见韩国专利No.10-0646887)以及在抛光层中打穿孔和分开制备的窗口块插入穿孔中的方法(在下文，“窗口插入抛光垫”)(见韩国专利No.10-0903473)。
[0005] 技术问题
[0006] 因此，实施例的目标是提供具有良好气密性的抛光垫，从而产生在CMP工艺中防止可能发生泄漏的效果。
[0007] 解决问题
[0008] 为了实现上述目标，实施例提供一种抛光垫，抛光垫包括：抛光层，其中形成有第一贯穿孔；
[0009] 支撑层，在形成第一贯穿孔的区域中形成有第二贯穿孔；
[0011] 窗口，插入第一贯穿孔中且具有粘合到窗口的一侧的第二粘合剂层，[0012] 其中第二贯穿孔和第三贯穿孔彼此对齐，并且
[0013] 第二粘合剂层的边缘区域的一部分和第一粘合剂层彼此粘合。
[0014] 另一个实施例提供用于制备抛光垫的工艺，其包括：(1)提供其中形成有第一贯穿孔的抛光层；
[0015] (2)提供与抛光层相对的支撑层；
[0016] (3)在抛光层和支撑层之间插设第一粘合剂层，并且用粘合剂层将抛光层和支撑层彼此粘合；
[0017] (4)根据第一贯穿孔，在第一粘合剂层的预定区域中形成穿过第一粘合剂层的第三贯穿孔，并且在支撑层的预定区域中形成穿过支撑层的第二贯穿孔；以及
[0018] (5)在第一贯穿孔中插入窗口，窗口具有粘合到窗口的一侧的第二粘合剂层，并且将粘合第二粘合剂层的边缘区域的一部分与第一粘合剂层粘合。
[0019] 本发明的有益效果
[0021] 图1和2是实施例的抛光垫的截面图。
[0022] 图3和4示意性地示出了根据实施例的形成第二贯穿孔和第三贯穿孔的方法。
具体实施方式
[0023] 实施例提供抛光垫，抛光垫包括：抛光层，其中形成有第一贯穿孔；
[0024] 支撑层，在形成第一贯穿孔的区域中形成有第二贯穿孔；
[0025] 第一粘合剂层，插设在抛光层和支撑层之间，并且在形成第一贯穿孔的区域中形成有第三贯穿孔；以及
[0026] 窗口，插入第一贯穿孔中且具有粘合到窗口的一侧的第二粘合剂层，[0027] 其中第二贯穿孔和第三贯穿孔彼此对齐，并且
[0028] 第二粘合剂层的边缘区域的一部分和第一粘合剂层彼此粘合。
[0029] 参见图1和2，实施例的抛光垫包括：抛光层(101)，其中形成有第一贯穿孔(201)；支撑层(102)，其中形成有第二贯穿孔(202)；第一粘合剂层(103)，插设在抛光层和支撑层之间，并且其中形成有第三贯穿孔(203)；以及窗口(104)，插入第一贯穿孔(201)中且具有粘合到窗口的一侧的第二粘合剂层(105)。
[0030] 抛光层
[0031] 抛光层具有形成在其中的第一贯穿孔。
[0032] 抛光层可由抛光层成分形成，抛光层成分包括第一聚氨酯基预聚物、硬化剂和发泡剂。
[0033] 预聚物通常是指具有相对低分子量的聚合物，其中聚合度调整到中等水平，以方便地将模塑制品在制作过程中最终生产出来。预聚体可自行成型，也可与另一种可聚合化合物反应后成型。具体而言，第一聚氨酯基预聚物可通过异氰酸酯化合物与多元醇反应制备，并且可包括未反应的异氰酸酯基(NCO)。
[0034] 硬化剂可为胺类化合物和酒精化合物中的至少一种。具体而言，硬化剂可包括选自芳香胺、脂肪胺、芳族醇和脂肪族醇中的至少一种化合物。
[0035] 发泡剂没有特别限制，只要它通常用于在抛光垫中形成空隙。例如，发泡剂可选自具有空隙的固体发泡剂、填充有挥发液体的液体发泡剂和惰性气体中的一种或多种。
[0036] 抛光层的厚度没有特别限制。例如，它可为0.8至5.0mm、1.0至4.0mm或1.0至3.0mm。
[0037] 抛光层的表面可具有凹凸结构，以便保持和更换浆体。另外，凹凸结构通常具有规则性；然而，为了保持和更换浆体的目的，在特定位置上能改变槽间隔、槽宽度、槽深度等。
[0038] 第一贯穿孔的宽度(或直径)可为10至100mm。
[0039] 支撑层
[0040] 支撑层在形成第一贯穿孔的区域中形成有第二贯穿孔。
[0042] 支撑层的厚度没有特别限制，例如，它可为0.1至3.0mm或0.4至1.5mm。
[0043] 第二贯穿孔形成在其中形成第一贯穿孔的区域中。第二贯穿孔的平面面积可小于第一贯穿孔的平面面积。如果第二贯穿孔的平面面积小于第一贯穿孔的平面面积，因为可支撑窗口的支撑层存在于第一贯穿孔的底端，所以能有效地将窗口固定在第一贯穿孔中。
[0044] 具体而言，第二贯穿孔的宽度(或直径)可小于第一贯穿孔的宽度(或直径)。更具体而言，第二贯穿孔的宽度(或直径)可为5至95mm。
[0045] 第一粘合剂层
[0046] 第一粘合剂层在其中形成第一贯穿孔的区域中具有第三贯穿孔，并且插设在抛光层和支撑层之间。
[0047] 第一粘合剂层可由熔点为90至130℃的热熔粘合剂形成。具体而言，第一粘合剂层可由熔点为110至130℃的热熔粘合剂形成。
[0049] 如果第一粘合剂层的熔点在上述范围内，则第一粘合剂层的粘合强度良好，从而它能防止抛光层和支撑层容易彼此脱离，并且防止抛光层或支撑层变形或变坏。
[0050] 第一粘合剂层的厚度可为10至400μm，具体地20至250μm。如果第一粘合剂层的厚度在上述范围内，能使粘合剂层在低温下熔化以使抛光层和支撑层彼此结合，并且有利于粘合剂强度强。
[0051] 第三贯穿孔形成在其中形成第一贯穿孔的区域中。第三贯穿孔的平面面积可小于第一贯穿孔的平面面积。如果第三贯穿孔的平面面积小于第一贯穿孔的平面面积，因为可支撑窗口的第一粘合剂层存在于第一贯穿孔的底端，所以能有效地将窗口固定在第一贯穿孔中。
[0052] 具体而言，第三贯穿孔的宽度(或直径)可小于第一贯穿孔的宽度(或直径)。更具体而言，第三贯穿孔的宽度(或直径)可为5至95mm。
[0053] 另外，第三贯穿孔的宽度(或直径)可小于第一贯穿孔的宽度(或直径)。它可以与第二贯穿孔的宽度(或直径)相同。具体而言，第二贯穿孔的宽度(或直径)可与第三贯穿孔的宽度(或直径)相同，可为第一贯穿孔的宽度(或直径)的10％至95％或17％至95％。
[0054] 第二贯穿孔和第三贯穿孔彼此对齐。第二贯穿孔和第三贯穿孔可同时形成，使得第二贯穿孔和第三贯穿孔彼此对应。
[0055] 窗口
[0056] 窗口插入第一贯穿孔中且具有形成在窗口的一侧的第二粘合剂层。
[0057] 窗口可由窗口成分形成，窗口成分包括第二聚氨酯基预聚物和硬化剂。第二聚氨酯基预聚物可通过反应异氰酸盐化合物与多羟基化合物而制备，并且可包括未反应的异氰酸酯基(NCO)。
[0058] 硬化剂可为胺类化合物和醇类化合物中的至少一种。具体而言，硬化剂可包括选自芳香胺、脂肪胺、芳族醇和脂肪族醇中的至少一种化合物。
[0059] 窗口与抛光层中的第一贯穿孔可具有相同的尺寸。另外，窗口的厚度可与抛光层的厚度相同或小于抛光层的厚度。具体而言，窗口的厚度可小于抛光层的厚度。
[0061] 窗口的磨损率与抛光层的磨损率可相同或略高于抛光层的磨损率。在此情况下，能防止在抛光执行一定的时间段后仅窗口部分突出的问题，由此在被抛光的晶片上产生划痕。
[0062] 窗口的另一侧(即，其上没有形成第二粘合剂层的另一侧)是处理表面。要处理的另一侧表面可具有2.0至4.0μm的表面粗糙度(Ra)。
[0063] 表面处理旨在防止在CMP工艺期间由于窗口的磨损在检测终止点中可能发生的错误。表面处理的方法没有特别限定，只要能满足表面粗糙度范围。例如，表面处理可用砂纸以100至1,000rpm的速度和0.1至3.0psi的压力执行10至60秒。
[0064] 当窗口的厚度为2.3至2.5mm时，窗口的透光率可为60％至80％，并且其折射率可为1.45至1.60。具体而言，当窗口的厚度为2.4mm时，窗口的透光率可为65％至75％，并且其折射率可为1.53至1.57。
[0065] 第二粘合剂层
[0066] 第二粘合剂层形成在窗口的一侧上。第二粘合剂层的边缘区域的一部分和第一粘合剂层彼此粘合。
[0067] 第二粘合剂层可由熔点为90至130℃或110至130℃的热熔粘合剂形成。如果第二粘合剂层的熔点在上述范围内，则第二粘合剂层的粘合力是良好的，从而能防止窗口和第一粘合剂层彼此分层，窗口和第一粘合剂层彼此分层可能导致在CMP工艺中泄漏。
[0068] 热熔粘合剂如上面关于第一粘合剂层的描述。
[0069] 第二粘合剂层的厚度可为20至50μm，具体地23至40μm。如果第二粘合剂层的厚度在上述范围内，则能防止在CMP工艺中浆体在窗口的泄漏，并且粘合到窗口下侧的第二粘合剂层减小窗口的表面粗糙度，从而减少反射的不规则性，这产生了提高窗口透光率的效果。
[0070] 当第二粘合剂层的厚度为20至50μm时，第二粘合剂层的透光率可为90％至99％，并且其折射率可为1.4至1.6。具体而言，当第二粘合剂层的厚度为30至40μm时，第二粘合剂层的透光率可为92％至95％，并且其折射率可为1.50至1.55。
[0071] 如果第二粘合剂层的透光率和折射率在上述范围内，则能防止可能由窗口下侧的粗糙表面引起的不规则反射。
[0072] 当窗口的厚度与第二粘合剂层的厚度比为100:1时，窗口和第二粘合剂层之间的透光率之差可为1％至10％，并且它们之间的折射率之差可为0.01至0.1。具体而言，当窗口的厚度与第二粘合剂层的厚度比为100:1时，窗口和第二粘合剂层之间的透光率之差可为5％至10％，并且它们之间的折射率之差可为0.05至0.1。
[0073] 抛光垫还可包括在支撑层的另一侧上的胶带。在此情况下，胶带粘合到支撑层中上面形成第一粘合剂层的那一侧的相对侧。
[0074] 胶带可为双面胶带。胶带用于将抛光垫粘合到压板。
[0075] 当抛光垫中形成第一至第三贯穿孔的区域加压到1至5kgf/cm2的压力且该压力保持5分钟时，5分钟后相对于加压压力的压力变化可为35％或更小。具体而言，抛光垫5分钟后相对于加压压力的压力变化可为10％至35％。
[0076] 如果压力变化在上述范围内，则能防止窗口部分在CMP工艺中的泄漏。
[0077] 当抛光垫中形成第一至第三贯穿孔的区域加压到0.001至0.1kgf/cm2的压力且持续压力5分钟，5分钟后的压力可为1kgf/cm2或更小。具体而言，当抛光垫中形成第一至第三2
贯穿孔的区域加压到0.001to 0.1kgf/cm的压力且压力保持5分钟时，5分钟后的压力可为
0.1至0.9kgf/cm2。
贯穿孔的区域加压到0.001to 0.1kgf/cm的压力且压力保持5分钟时，5分钟后的压力可为
0.1至0.9kgf/cm2。
[0078] 如果加压后5分钟的压力在上述范围内，则能防止窗口部分在CMP工艺中的泄漏。
[0079] 另外，通过反复检查加压后压力的变化和降压后压力的变化，可以证实在实际CMP过程中没有发生泄漏。
[0080] 用于制备抛光垫的工艺
[0081] 另一个实施例提供用于制备抛光垫的工艺，其包括：
[0082] (1)提供其中形成有第一贯穿孔的抛光层；
[0083] (2)提供与抛光层相对的支撑层；
[0084] (3)在抛光层和支撑层之间插设第一粘合剂层，并且用第一粘合剂层使抛光层和支撑层彼此粘合；
[0085] (4)根据第一贯穿孔，在第一粘合剂层的预定区域中形成穿过第一粘合剂层的第三贯穿孔，并且在支撑层的预定区域中形成穿过支撑层的第二贯穿孔；以及
[0086] (5)将窗口插入第一贯穿孔中，窗口具有粘合到窗口的一侧的第二粘合剂层，并且将第二粘合剂层的边缘区域的一部分与第一粘合剂层粘合。
[0087] 步骤(1)
[0088] 在该步骤中，提供其中形成有第一贯穿孔的抛光层。
[0089] 第一贯穿孔穿过抛光层。形成穿过抛光层的第一贯穿孔的方法包括：用刀具压制或磨削的方法、使用像碳酸激光这样的激光的方法、将原材料注入形状符合第一贯穿孔的模具中且将其硬化的方法等，但不限于此。
[0090] 抛光层如上面关于抛光垫的描述。
[0091] 步骤(2)
[0092] 在该步骤中，提供与抛光层相对的支撑层。
[0093] 支撑层如上面关于抛光层的描述。
[0094] 步骤(3)
[0095] 在该步骤中，第一粘合剂层插设在抛光层和支撑层之间，并且用第一粘合剂层将抛光层和支撑层彼此粘合。
[0096] 粘合可以第一粘合剂层的熔点之上的温度执行。具体而言，粘合可在90至130℃下执行。
[0097] 步骤(4)
[0098] 在该步骤中，根据第一贯穿孔形成在第一粘合剂层的预定区域中穿过第一粘合剂层的第三贯穿孔和在支撑层的预定区域中穿过支撑层的第二贯穿孔。
[0099] 第三贯穿孔形成在其中形成第一贯穿孔的区域中。第三贯穿孔的平面面积可小于第一贯穿孔的平面面积。
[0100] 第二贯穿孔形成在其中形成第一贯穿孔的区域中。第二贯穿孔的平面面积可小于第一贯穿孔的平面面积。
[0101] 第一贯穿孔至第三贯穿孔的宽度(或直径)可具有如上面关于抛光垫描述的关系。
[0102] 第三贯穿孔和第二贯穿孔可同时形成，使得第三贯穿孔和第二贯穿孔彼此对应。如果第三贯穿孔和第二贯穿孔同时形成，则工艺简单，因为能容易形成在预定位置的透光区域，而不像传统方法那样形成凹口，传统方法中贯穿孔分别形成在抛光层中、第一粘合剂层中和支撑层中，然后各层彼此粘合。另外，如果第三贯穿孔和第二贯穿孔同时形成使它们彼此对应，则第一粘合剂层在透光区域中不存在，因此能制造具有良好光检测精度的抛光垫。
[0103] 第三贯穿孔和第二贯穿孔可通过采用引导构件对其切割而形成。具体而言，该方法可包括将引导构件插入第一贯穿孔中；通过引导构件将切割构件在预定的位置对齐；以及通过切割构件切割第一粘合剂层的一部分和支撑层的一部分。
[0104] 参见图3和4，为了形成第三贯穿孔和第二贯穿孔，可使用已经固定有切割构件(303)的引导构件(301)，或者切割构件(304)可由引导构件(302)引导。
[0105] 切割构件可固定到引导构件或由引导构件引导。另外，引导构件可与第一贯穿孔的内侧接触以引导切割构件。此外，切割构件可同时切割第一粘合剂层和支撑层。
[0106] 步骤(5)
[0107] 在该步骤中，将具有第二粘合剂层粘合到其一侧的窗口插入第一贯穿孔中，并且将第二粘合剂层的边缘区域的一部分与第一粘合剂层粘合。
[0108] 窗口为如上面关于抛光层的描述。
[0109] 粘合可由熔化且彼此粘合的第一粘合剂层和第二粘合剂层的一部分或全部实现。具体而言，第一粘合剂层和第二粘合剂层可由熔点为90至130℃的热熔粘合剂形成。粘合可在100至120℃下执行。
[0111] 同时，根据另一个实施例的用于制备抛光垫的工艺还可包括将胶带粘合到抛光垫的支撑层粘合第二粘合剂层和第一粘合剂层的一侧。
[0112] 胶带用于将通过如上所述的工艺制备的抛光垫粘合到压板。胶带可为双面胶带。另外，胶带可包括对应于第二和第三贯穿孔的第四贯穿孔。
[0113] 本发明的模式
[0114] 在下文，通过下面的示例更加详细地说明本发明。然而，阐述这些示例以说明本发明，而本发明的范围不受其限制。
[0115] 示例1：抛光垫的制备
[0116] 1-1：抛光层的制备
[0117] 在配备有聚氨酯基预聚物、硬化剂、惰性气体和反应率控制剂的供给线的浇注机中，具有未反应NCO含量8.0％重量的PUGL-450D(SKC)装载到预聚物罐，并且二(4-氨基-3-氯苯基)甲烷(石原)加载到硬化剂罐。制备作为反应率控制剂的A1(空气产品)和作为惰性气体的氩(Ar)。
[0118] 搅拌聚氨酯基预聚物、硬化剂、反应率控制剂和惰性气体，同时通过各自的供给线以不变的速率供给到混合头。在此情况下，聚氨酯基预聚物中NCO组与硬化剂中反应组的摩尔当量比调整到1:1，并且总供给量保持在10kg/min的速率。另外，反应率控制剂根据聚氨酯基预聚物的100重量份供给0.5重量份。氩气根据聚氨酯基预聚物的总体积供给20％的体积。混合的原材料注入模具(具有宽度1,000mm、长度1,000mm和高度3mm)中，并且固化以获得片状形式的抛光层。
[0120] 1-2：窗口的制备
[0121] 形式为块状物的窗口除了下述外以与示例1-1相同的方式获得，未反应NCO含量8.5％重量的PUGL-500D(SKC)用作聚氨酯基预聚物，惰性气体在原材料的混合步骤中不供给，并且混合的原材料注入模具(具有宽度1,000mm、长度1,000mm和高度50mm)中。
[0122] 然后，切割且研磨块状物以生产片状形式的平均厚度1.9mm的二十个窗口。对片状形式的窗口打穿孔以获得宽度为20mm、长度60mm和厚度1.9mm的窗口(折射率：1.55)。
[0123] 然后，窗口和1,000-细砂砂纸的砂纸安装在设置有缓冲层的研磨机上。窗口的一侧用砂纸以300rpm的旋转速度和3.0psi的压力进行表面处理30秒，以获得表面粗糙度(Ra)为2.07μm的窗口。
[0124] 其后，热熔膜(制造商：SKC，产品名称：TF-00，平均厚度：40μm，折射率：1.5)采用层压机在120℃下层压在窗口的没有进行表面处理的另一侧上。
[0125] 1-3：支撑层的制备
[0126] 将支撑层(制造商：PTS，产品名称：ND-5400H，厚度：1.1mm)切割到宽度1,000mm和宽度1,000mm。
[0127] 1-4：抛光垫的制备
[0128] 上面示例1-1的抛光层以宽度20mm和长度60mm进行打穿孔，以形成第一贯穿孔，并且上面的示例1-3的支撑层以宽度16mm和长度56mm进行打穿孔，以形成第二贯穿孔。然后，支撑层和抛光层在120℃下且以与热熔膜(制造商：SKC，产品名称：TF-00，平均厚度：40μm，折射率：1.5)1.5mm的间隙层压和熔接。将双面胶带(制造商：3M，产品名称：442JS)粘合到支撑层的另一侧。切割且去除对应于第二贯穿孔的双面胶带。然后，将上面示例1-2的窗口插入第一贯穿孔中，将进行表面处理一侧暴露到抛光层。在130℃和0.5MPa下热熔接3分钟以制备抛光垫(见图2)。
[0129] 示例2
[0130] 抛光垫除了下述以与示例1相同的方式制备，插入窗口然后在130℃和0.6MPa下热熔接3分钟。
[0131] 示例3
[0132] 抛光垫除了下述外以与示例1相同的方式制备，插入窗口然后在130℃和0.7MPa下热熔接3分钟。
[0133] 比较示例1
[0134] 抛光垫除了下述外以与示例1相同的方式制备，热熔膜不层压在窗口的没有进行表面处理另一侧上，插入窗口然后在100℃和0.5MPa下热熔接3分钟。
[0135] 比较示例2
[0136] 抛光垫除了下述外以与示例1相同的方式制备，热熔膜不层压在窗口的没有进行表面处理另一侧上，并且插入窗口然后在130℃和0.4MPa下热熔接3分钟。
[0137] 比较示例3
[0138] 抛光垫除了下述外以与示例1相同的方式制备，热熔膜不层压在窗口的没有进行表面处理的另一侧上，并且插入窗口然后在100℃和0.7MPa下热熔接3分钟。
[0139] 试验示例：非破坏性泄漏试验
[0140] (1)加压无损泄漏试验
[0141] 示例1至3和比较示例1至3的抛光垫的每一个的窗口插入部分设置在支撑构件上。配备有直径为10cm边缘密封的圆形连接器的气密试验设备设置在形成第二贯穿孔的部分中。然后，通过气密试验设备将压力增加到3kgf/cm2，并且在5分钟内测量压力。结果示出在下面的表1中。随着5分钟后的压力变化，计算压力变化，与加压的初始压力进行比较。
[0142] (2)降压无损泄漏试验
[0143] 示例1至3和比较示例1至3的抛光垫的每一个的窗口插入部分设置在支撑构件上。配备有直径为10cm边缘密封的圆形连接器的气密试验设备设置在形成第二贯穿孔的部分
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中。然后，通过气密试验设备将压力减小到0.01kgf/cm ，并且在5分钟内测量压力。结果示出在下面的表1中。比较随着5分钟后的压力变化，计算压力变化，与加压的初始压力进行比较。
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中。然后，通过气密试验设备将压力减小到0.01kgf/cm ，并且在5分钟内测量压力。结果示出在下面的表1中。比较随着5分钟后的压力变化，计算压力变化，与加压的初始压力进行比较。
[0144] (3)破坏性泄漏试验
[0145] 示例1至3和比较示例1至3的抛光垫的每一个经受CMP工艺20小时。如果在抛光垫的非抛光表面上形成水滴，或如果支撑层是湿的，则确定为泄漏。
[0146] [表1]
[0147]
[0148] 如表1所证实，示例1至3包括第二粘合剂层的抛光垫由于加压和降压后压力变化较小，泄漏程度较低。还证实，即使在CMP工艺后的破坏性试验中，泄漏的程度也很低。相反，比较示例1至3的抛光垫加压和减压后的压力变化很大。在CMP过程后的破坏性试验中也观察到了泄漏。
[0149] 附图标记说明
[0150] 101:抛光层 102:支撑层
[0151] 103:第一粘合剂层 104:窗口
[0152] 105:第二粘合剂层 201:第一贯穿孔
[0153] 202:第二贯穿孔 203:第三贯穿孔
[0154] 301,302:引导构件 303,304:切割构件
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