显示器件、显示器件的制造方法、显示器件的制造装置
阅读：301发布：2021-04-13
专利汇可以提供显示器件、显示器件的制造方法、显示器件的制造装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种显示器件，其是具备 树脂 层(12)、及所述树脂层的上层的TFT层(4)，且在周缘设有弯曲部(CL)的显示器件，其具有与所述TFT层的 端子 连接、且穿过所述弯曲部的端子配线(TW)，所述端子配线包含：第一配线(WS1)及第二配线(WS2)，位于所述弯曲部的两侧；第三配线(WS3)，穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接；第四配线(WS4)，配置于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。，下面是显示器件、显示器件的制造方法、显示器件的制造装置专利的具体信息内容。
1.一种显示器件，其是具备树脂层、所述树脂层的上层的TFT层及所述TFT层的上层的发光元件层，且在周缘设有弯曲部的显示器件，其特征在于：
所述种显示器件具有与所述TFT层的端子连接且穿过所述弯曲部的端子配线，所述端子配线包含：第一配线及第二配线，位于所述弯曲部的两侧；第三配线，穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接；第四配线，形成于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，
所述第四配线介隔柔性绝缘膜而与所述第三配线重叠。
3.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，
所述TFT层包含多个无机绝缘膜，
在所述弯曲部中，所述多个无机绝缘膜被贯通。
4.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于，
在所述树脂层与所述TFT层之间具备阻挡层，
在所述弯曲部设有贯通所述阻挡层而形成的第一狭缝。
5.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，
在所述弯曲部，以与所述第一狭缝重叠的方式设有贯通所述多个无机绝缘膜而形成的第二狭缝，
以填埋所述第一狭缝及所述第二狭缝的方式形成有增强膜。
6.根据权利要求5所述的显示器件，其特征在于，
在所述弯曲部中，所述第三配线被所述增强膜和成为所述发光元件层的基底的平坦化膜夹着。
7.根据权利要求6所述的显示器件，其特征在于，
所述增强膜及所述平坦化膜由同一有机材料构成。
8.根据权利要求6所述的显示器件，其特征在于，
所述第三配线与所述端子形成于同层。
9.根据权利要求8所述的显示器件，其特征在于，
所述第一配线及所述第二配线与所述TFT层中所含的栅电极形成于同层。
10.根据权利要求9所述的显示器件，其特征在于，
所述第四配线形成于所述TFT层的栅电极的上层且所述端子的下层。
11.根据权利要求10所述的显示器件，其特征在于，
所述第四配线穿过所述第一狭缝及所述第二狭缝。
12.根据权利要求11所述的显示器件，其特征在于，
在所述第一狭缝中，所述第四配线与所述树脂层相接。
13.根据权利要求12所述的显示器件，其特征在于，
在所述弯曲部中，所述第四配线被所述树脂层和所述增强膜夹着。
14.根据权利要求11所述的显示器件，其特征在于，
在俯视下，在所述第二狭缝的开口内侧配置所述第一狭缝的开口，
在所述第二狭缝中，所述第四配线与所述阻挡层相接。
15.根据权利要求11所述的显示器件，其特征在于，
所述多个无机绝缘膜为第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜，
所述第三配线与所述TFT层的源电极形成于同层，
所述第一绝缘膜形成于所述阻挡层的上层且所述第一配线及第二配线的下层，所述第二绝缘膜形成于所述第一配线及第二配线的上层且所述第四配线的下层，所述第三绝缘膜形成于所述第四配线的上层且所述第三配线的下层，
在所述弯曲部的两侧，通过形成于所述第二绝缘膜的两个接触孔的一个使所述第一配线和所述第四配线接触，通过另一个使所述第二配线和所述第四配线接触，在所述弯曲部的两侧，通过形成于所述第三绝缘膜的两个接触孔的各个使所述第三配线和所述第四配线接触。
16.根据权利要求9所述的显示器件，其特征在于，
所述第四配线与所述发光元件层中所含的下侧电极形成于同层。
17.根据权利要求16所述的显示器件，其特征在于，
在所述弯曲部中，所述第四配线被所述平坦化膜和与所述发光元件层的阳极边缘罩为同层的绝缘膜夹着。
18.根据权利要求9所述的显示器件，其特征在于，
所述第四配线与所述第一配线及所述第二配线形成于同层。
19.根据权利要求1至18中任一项所述的显示器件，其特征在于，
所述发光元件层为顶部发光型，
通过在所述弯曲部弯曲而将配置于下表面侧的所述端子与电子电路基板连接。
20.一种显示器件的制造方法，其是具备树脂层、所述树脂层的上层的TFT层及所述TFT层的上层的发光元件层，且在周缘设有弯曲部的显示器件的制造方法，其特征在于包含如下工序：
形成第一配线及第二配线的工序，所述第一配线及第二配线位于所述弯曲部的两侧；
形成第三配线的工序，所述第三配线穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接；以及
形成第四配线的工序，所述第四配线形成于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。
21.一种显示器件的制造装置，其是具备树脂层、所述树脂层的上层的TFT层及所述TFT层的上层的发光元件层，且在周缘设有弯曲部的显示器件的制造装置，其特征在于进行如下工序：
形成第一配线及第二配线的工序，所述第一配线及第二配线位于所述弯曲部的两侧；
形成第三配线的工序，所述第三配线穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接；以及
形成第四配线的工序，所述第四配线形成于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。
显示器件、显示器件的制造方法、显示器件的制造装置
技术领域
[0001] 本发明涉及一种显示器件。
背景技术
[0003] 专利文献1：日本专利特开2016-170266号公报(2016年9月23日公开)发明内容本发明所要解决的技术问题
[0004] 在显示器件的周缘形成弯曲部的情况下，存在穿过弯曲部的端子配线断线的可能性。解决问题的方案
[0005] 本发明的一形态的显示器件是具有树脂层、及所述树脂层的上层的TFT层，且在周缘设有弯曲部的显示器件，其具有与所述TF T层的端子连接、且穿过所述弯曲部的端子配线，所述端子配线包含：第一配线及第二配线，位于所述弯曲部的两侧；第三配线，穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线的电连接；第四配线，形成于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。发明效果
[0007] 图1是示出显示器件的制造方法的一例的流程图。图2是示出显示器件的显示部的结构例的剖视图。
图3是示出显示器件的结构例的平面图。
图4示出第一实施方式的无源区域的结构，(a)为俯视图、(b)为A-A'线的剖视图、(c)为B-B'线的剖视图。
图5是示出显示器件的非显示区域的弯曲结构的剖视图。
图6是示出第一实施方式中的TFT层的形成例的流程图。
图7是示出显示器件制造装置的结构的框图。
图8示出第二实施方式中的非显示区域的结构，(a)为俯视图、(b)为A-A'线的剖视图、(c)为B-B'线的剖视图。
图9是示出显示器件的非显示区域的弯曲结构的剖视图。
图10是示出第二实施方式中的TFT层的形成例的流程图。
图11是示出第三实施方式中的非显示区域的结构的剖视图。
图12是示出第三实施方式中的TFT层的形成例的流程图。
图3是示出显示器件的结构例的平面图。
图4示出第一实施方式的无源区域的结构，(a)为俯视图、(b)为A-A'线的剖视图、(c)为B-B'线的剖视图。
图5是示出显示器件的非显示区域的弯曲结构的剖视图。
图6是示出第一实施方式中的TFT层的形成例的流程图。
图7是示出显示器件制造装置的结构的框图。
图8示出第二实施方式中的非显示区域的结构，(a)为俯视图、(b)为A-A'线的剖视图、(c)为B-B'线的剖视图。
图9是示出显示器件的非显示区域的弯曲结构的剖视图。
图10是示出第二实施方式中的TFT层的形成例的流程图。
图11是示出第三实施方式中的非显示区域的结构的剖视图。
图12是示出第三实施方式中的TFT层的形成例的流程图。
具体实施方式
[0008] 图1是示出显示器件的制造方法的一例的流程图。图2是示出显示器件的显示部的结构例的剖视图。图3是示出显示器件的结构例的平面图。于下文中，所谓“同层”是表示通过同一工艺流程以相同材料形成者，所谓“下层”是表示通过早于比较对象层的工艺流程形成者，所谓“上层”是表示通过晚于比较对象层的工艺流程形成者。
[0009] 在制造柔性显示器件的情况下，如图1～图3所示，首先，在透光性的支撑基板(例如母玻璃基板)上形成树脂层12(步骤S1)。其次，形成阻挡层3(步骤S2)。其次，形成包含端子TM及端子配线TW的TFT层4(步骤S3)。其次，形成顶部发光型的发光元件层(例如OLED元件层)5(步骤S4)。其次，形成密封层6(步骤S5)。其次，于密封层6上贴附上表面膜(步骤S6)。
[0010] 其次，透过支撑基板对树脂层12的下表面照射激光而使支撑基板和树脂层12之间的结合力降低，自树脂层12剥离支撑基板(步骤S7)。其次，于树脂层12的下表面贴附下表面膜10(步骤S8)。其次，对包含下表面膜10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6的层叠体进行分割，获得多个单片(步骤S9)。其次，在所获得的单片上贴附功能膜39(步骤S10)。其次，将电子电路基板(例如IC芯片)安装到外部连接用端子上(步骤S11)。其次，实施边缘弯折加工(使图3的弯曲部CL弯曲180度的加工)，制成显示器件2(步骤S12)。其次，进行断线检查，如果存在断线则进行修正(步骤S13)。另外，所述各步骤由后述的显示器件制造装置进行。
[0013] TFT层4包含：半导体膜15、半导体膜15的上层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、无机绝缘膜16的上层的栅电极GE、栅电极GE的上层的无机绝缘膜18、无机绝缘膜18的上层的电容配线CE、电容配线CE的上层的无机绝缘膜20、无机绝缘膜20的上层的源极配线SH及端子TM、源极配线SH及端子TM的上层的平坦化膜21。
[0014] 以包含半导体膜15、无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、及栅电极GE的方式构成薄层晶体管Tr(TFT)。
[0015] 在TFT层4的无源区域NA形成用以与IC芯片、FPC等电子电路基板连接的端子TM、及将端子TM与有源区域DA的配线等连接的端子配线TW(于后文中详述)。
[0017] 栅电极GE、电容电极CE、源极配线SH、端子配线TW、及端子TM例如由金属的单层膜或层叠膜构成，所述金属包含铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)的至少一种。
[0018] 无机绝缘膜16、18、20例如可以由利用CVD法而形成的氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或者它们的层叠膜构成。
[0019] 平坦化膜(层间绝缘膜)21例如可以由聚酰亚胺、亚克力等可涂布的感光性有机材料构成。
[0020] 发光元件层5(例如有机发光二极管层)包含：平坦化膜21的上层的阳极22、覆盖阳极22的边缘的堤23、阳极22的上层的EL(电致发光)层24、EL层24的上层的阴极25，且在每个子像素设有：岛状的包含阳极22、EL层24、及阴极25的发光元件(例如OLED：有机发光二极管)和对其进行驱动的子像素电路。堤23(阳极边缘罩)例如可以由聚酰亚胺、亚克力等可涂布的感光性有机材料构成。
[0021] EL层24例如通过如下方式构成：自下层侧起顺次层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。发光层通过蒸镀法或喷墨法而每个子像素地形成为岛状，但其他层也可以设为整体状的共用层。而且，也可以是并未形成空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的一个以上层的结构。
[0022] 阳极(anode)22例如由ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)与包含Ag的合金的层叠构成，具有光反射性(于后文加以详述)。阴极25可以由ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)、IZO(Indium Zincum Oxide，氧化铟锌)等透光性导电材料构成。
[0023] 在发光元件层5为OLED层的情况下，由于阳极22及阴极25之间的驱动电流，空穴与电子在EL层24内再结合，由此而生成的激子下降至基态，由此放出光。阴极25是透光性的，阳极22是光反射性的，因此自EL层24放出的光朝向上方，成为顶部发光。
[0024] 发光元件层5并不限定于构成OLED元件的情况，还可以构成无机发光二极管或量子点发光二极管。
[0025] 密封层6是透光性的，包含：覆盖阴极25的第一无机密封膜26、形成于第一无机密封膜26的上侧的有机密封膜27、覆盖有机密封膜27的第二无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封层6防止水、氧等异物向发光元件层5渗透。
[0026] 第一无机密封膜26及第二无机密封膜28分别由例如利用CVD而形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜、或者它们的层叠膜构成。有机密封膜27是比第一无机密封膜26及第二无机密封膜28厚的透光性有机膜，可以由聚酰亚胺、亚克力等可涂布的感光性有机材料构成。
[0028] 以上，关于制造柔性显示器件的情况进行了说明，但在制造非柔性显示器件的情况下，由于不需要更换基板等，因此例如自图1的步骤S5进入到步骤S9。
[0029] [第一实施方式]图4示出第一实施方式的显示器件的周缘，(a)为俯视图、(b)为A-A'线的剖视图、(c)为B-B'线的剖视图。图5是示出显示器件的无源区域的弯曲例的剖视图。
[0030] 如图4、图5所示，显示器件2的周缘(非显示区域)NA包含下表面膜10、树脂层12、阻挡层3、无机绝缘膜16、18、20、增强膜EZ、成为发光元件层5的基底的平坦化膜21、端子配线TW、及端子TM，且于该周缘NA设有弯曲部CL。端子TM经由穿过弯曲部CL的端子配线TW而与显示区域DA连接。增强膜EZ例如由聚酰亚胺、亚克力等可涂布的感光性有机材料构成，形成于无机绝缘膜20的上层且平坦化膜21的下层。如图5所示，显示器件2在弯曲部CL弯曲180度，由此将配置在下表面侧的端子TM与电子电路基板50(IC芯片或柔性印刷基板)连接。
[0031] 如图4所示，在弯曲部CL中，下表面膜10、阻挡层3、无机绝缘膜16、18、20贯通。具体而言，在下表面膜10形成有贯穿部N x，在阻挡层3形成有贯穿部Na，在无机绝缘膜16(第一绝缘膜)形成有贯穿部Nb，在无机绝缘膜18(第二绝缘膜)形成有贯穿部Nc，在无机绝缘膜20(第三绝缘膜)形成有贯穿部Nd，且在俯视下，贯穿部Nx、Nb、Nc、Nd对准，在弯曲部CL对准的贯穿部Na位于贯穿部Nx、Nb、Nc、Nd的内侧。第四配线WS4穿过贯穿部Na(第一狭缝)及贯穿部Nb、Nc、Nd(第二狭缝SS)，增强膜EZ设在由于贯穿部Na(第一狭缝)和贯穿部Nb、Nc、Nd(第二狭缝SS)而产生的空间。
[0032] 端子配线TW包含：第一配线WS1及第二配线WS2，位于弯曲部CL的两侧；第三配线WS3，穿过弯曲部CL，且分别与第一配线WS1及第二配线WS2电连接；第四配线WS4，介隔增强膜EZ(柔性绝缘膜)而与第三配线WS3重叠，且分别与第一配线WS1及第二配线WS2电连接。
[0033] 具体而言，第一配线WS1及第二配线WS2与TFT层4中所含的栅电极GE(参照图2)形成于同层，第三配线WS3与TFT层4中所含的源极配线SH(参照图2)及端子TM形成于同层，第四配线WS4与TFT层4中所含的电容电极CE(参照图2)形成于同层(端子TM的下层且栅电极GE的上层)。第三配线WS3比第四配线WS4宽，在俯视下，第四配线WS4位于第三配线WS3的边缘内。
[0034] 第三配线WS3从弯曲部CL的一侧，穿过增强膜EZ上方而到达弯曲部CL的另一侧，在弯曲部CL中被增强膜EZ和平坦化膜21夹着。第四配线WS4从弯曲部CL的一侧，穿过贯穿部Na、Nb、N c而到达弯曲部CL的另一侧，在弯曲部CL中被树脂层12和增强膜EZ夹着。增强膜EZ及平坦化膜21可以由同一有机材料(例如聚酰亚胺)构成。
[0035] 至于第四配线WS4，其一端通过形成于无机绝缘膜18的接触孔Hc1而与第一配线WS1连接，且通过形成于无机绝缘膜20的接触孔Hd1而与第三配线WS3的一端连接。第四配线WS4的另一端通过形成于无机绝缘膜18的接触孔Hc2而与第二配线WS2连接，且通过形成于无机绝缘膜20的接触孔Hd2而与第三配线WS3的另一端连接。
[0036] 在俯视下，在由贯穿部Nb、Nc、Nd构成的第二狭缝SS的开口内侧配置贯穿部Na(第一狭缝)的开口，在第二狭缝SS中，第四配线WS4与阻挡层3相接。
[0037] 图6是示出第一实施方式中的TFT层的形成例的流程图。在图1的步骤S1之后的步骤S2中形成阻挡层3。在其次的步骤S3a中形成半导体膜15(参照图2)。在其次的步骤S3b中形成无机绝缘膜16。在其次的步骤S3c中形成栅电极、第一配线WS1及第二配线WS2。在其次的步骤S3d中形成无机绝缘膜18。在其次的步骤S3e中形成电容电极CE(参照图2)及第四配线WS4。在其次的步骤S3f中形成无机绝缘膜20。在其次的步骤S3g中形成增强膜EZ。在其次的步骤S3h中形成源极配线SH(参照图2)、第三配线WS3及端子T M。在其次的步骤S3i中形成平坦化膜21(其后的工序请参照图1)。另外，贯穿部Nb、Nc的形成(图案化)可以通过连续的工艺流程来进行。
[0038] 图7是示出显示器件制造装置的结构的框图。如图7所示，显示器件制造装置70包含成膜装置76、弯曲装置77、安装装置80和控制这些装置的控制器72，成膜装置76进行图6的步骤S3a～S3i，弯曲装置77进行图1的步骤S10，安装装置80进行图1的步骤S12。
[0039] 在第一实施方式中，端子配线TW包含穿过弯曲部CL的第三配线WS3及第四配线WS4，因此即便假设第三配线WS3破断，也可以经由第四配线WS4而维持从第一配线WS1到第二配线WS2的电气路径，降低了端子配线TW在弯曲部CL断线的可能性。
[0040] 而且，通过CVD法形成的(致密且较硬的)阻挡层3及无机绝缘膜16、18、20在弯曲部CL中贯穿，因此降低弯曲时的应力，第三配线WS3及第四配线WS4难以产生破断。
[0041] 而且，弯曲部CL的第三配线WS3及第四配线WS4分别被通过涂敷而形成的有机材料夹着，所述有机材料的柔性比通过CVD而形成的无机材料高，因此第三配线WS3及第四配线WS4难以产生破断。
[0042] [第二实施方式]在第一实施方式中，将第四配线WS4与电容电极设于同层，但并不限定于此。图8示出第二实施方式的显示器件的周缘，(a)为俯视图、(b)为A-A'线的剖视图、(c)为B-B'线的剖视图。图9是示出显示器件的无源区域的弯曲例的剖视图。
[0043] 如图8、图9所示那样，第二实施方式的端子配线TW包含：第一配线WS1及第二配线WS2，位于弯曲部CL的两侧；第三配线WS3，穿过弯曲部CL，且分别与第一配线WS1及第二配线WS2电连接；第四配线WS4，介隔平坦化膜21(柔性绝缘膜)而与第三配线WS3重叠，且分别与第一配线WS1及第二配线WS2电连接。
[0044] 具体而言，第一配线WS1及第二配线WS2与TFT层4中所含的栅电极GE(参照图2)形成于同层，第三配线WS3与TFT层4中所含的源极配线SH(参照图2)及端子TM形成于同层，第四配线WS4与发光元件层5的阳极22以同一材料形成于同层。第三配线WS3比第四配线WS4宽，在俯视下，第四配线WS4位于第三配线WS3的边缘内。
[0045] 第三配线WS3从弯曲部CL的一侧，穿过增强膜EZ上方而到达弯曲部CL的另一侧，在弯曲部CL中被增强膜EZ和平坦化膜21夹着。第四配线WS4从弯曲部CL的一侧，穿过平坦化膜21上而到达弯曲部CL的另一侧，在弯曲部CL中被树脂层12和有机绝缘膜23z夹着，上述有机绝缘膜23z与堤(阳极边缘罩)23(参照图2)为同层。增强膜EZ、平坦化膜21及有机绝缘膜23z可以由同一有机材料(例如聚酰亚胺)构成。
[0046] 至于第三配线WS3，其一端通过形成于无机绝缘膜18的接触孔Hc1、和形成于无机绝缘膜20且与接触孔Hc1连通的接触孔Hd1而与第一配线WS1连接，且通过形成于平坦化膜21的接触孔He1而与第四配线WS4的一端连接；第三配线WS3的另一端通过形成于无机绝缘膜18的接触孔Hc2、和形成于无机绝缘膜20且与接触孔H c2连通的接触孔Hd2而与第二配线WS2连接，且通过形成于平坦化膜21的接触孔He2而与第四配线WS4的另一端连接。
[0047] 图10是示出第二实施方式中的TFT层的形成例的流程图。在图1的步骤S1之后的步骤S2中形成阻挡层3。在其次的步骤S3a中形成半导体膜15(参照图2)。在其次的步骤S3b中形成无机绝缘膜16。在其次的步骤S3c中形成栅电极、第一配线WS1及第二配线W S2。在其次的步骤S3d中形成无机绝缘膜18。在其次的步骤S3e中形成电容电极CE(参照图2)。在其次的步骤S3f中形成无机绝缘膜20。在其次的步骤S3g中形成增强膜EZ。在其次的步骤S3h中形成源极配线SH(参照图2)、第三配线WS3及端子TM。在其次的步骤S3i中形成平坦化膜21。在其次的步骤S3j中形成阳极22(参照图2)及第四配线WS4。在其次的步骤S3k中形成与堤23为同层的有机绝缘膜23z(其后的工序请参照图1)。另外，贯穿部Nb、Nc、N d的形成(图案化)可以通过连续的工艺流程来进行。
[0048] [第三实施方式]也可以将第四配线WS4与第一配线WS1及第二配线WS2设于同层。图11是示出第三实施方式的显示器件的周缘的剖视图。
[0049] 如图11所示，第三实施方式的端子配线TW包含：第一配线WS1及第二配线WS2，位于弯曲部CL的两侧；第三配线WS3，穿过弯曲部CL，且分别与第一配线WS1及第二配线WS2电连接；第四配线WS4，介隔增强膜EZ(柔性绝缘膜)而与第三配线WS3重叠，且分别与第一配线WS1及第二配线WS2电连接。
[0050] 具体而言，第一配线WS1、第二配线WS2及第四配线WS4与TFT层4中所含的栅电极GE(参照图2)形成于同层，第三配线WS3与TFT层4中所含的源极配线SH(参照图2)及端子TM形成于同层。
[0051] 第三配线WS3从弯曲部CL的一侧，穿过增强膜EZ上方而到达弯曲部CL的另一侧，在弯曲部CL中被增强膜EZ和平坦化膜21夹着。第四配线WS4从弯曲部CL的一侧，穿过贯穿部Na、Nb而到达弯曲部CL的另一侧，在弯曲部CL中被树脂层12和增强膜EZ夹着。增强膜EZ及平坦化膜21可以由同一有机材料(例如聚酰亚胺)构成。
[0052] 至于第三配线WS3，其一端通过形成于无机绝缘膜18的接触孔Hc1、和形成于无机绝缘膜20的与接触孔Hc1连通的接触孔Hd1而与第一配线WS1及第四配线WS4的一端连接，第三配线WS3的另一端通过形成于无机绝缘膜18的接触孔Hc2、和形成于无机绝缘膜20的与接触孔Hc2连通的接触孔Hd2而与第二配线WS2及第四配线WS4的另一端连接。
[0053] 图12是示出第三实施方式中的TFT层的形成例的流程图。在图1的步骤S1之后的步骤S2中形成阻挡层3。在其次的步骤S3a中形成半导体膜15(参照图2)。在其次的步骤S3b中形成无机绝缘膜16。在其次的步骤S3c中形成栅电极、第一配线WS1、第二配线WS2及第四配线WS4。在其次的步骤S3d中形成无机绝缘膜18。在其次的步骤S3e中形成电容电极CE(参照图2)。在其次的步骤S3f中形成无机绝缘膜20。在其次的步骤S3g中形成增强膜EZ。在其次的步骤S3h中形成源极配线SH(参照图2)、第三配线WS3及端子TM。在其次的步骤S3i中形成平坦化膜21(其后的工序请参照图1)。另外，贯穿部Nc、Nd的形成(图案化)可以通过连续的工艺流程来进行。
[0054] [总结]本实施方式的显示器件所具备的光电元件(通过电流控制亮度或透射率的光电元件)并无特别限定。作为本实施方式的显示装置，例如可列举具备OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)作为光电元件的有机EL(Electro Luminescence，电致发光)显示器、具备无机发光二极管作为光电元件的无机EL显示器、具备Q LED(Quantum dot Light Emitting Diode，量子点发光二极管)作为光电元件的QLED显示器等。
[0055] 本发明并不限定于上述实施方式，关于将在不同实施方式中分别揭示出的技术手段适宜组合而获得的实施方式，也包含于本发明的技术范围内。另外，通过将各实施方式中分别揭示的技术手段组合，可形成新的技术特征。
[0056] [第一形态]一种显示器件，其是具备树脂层、所述树脂层的上层的TFT层、及所述TFT层的上层的发光元件层，且在周缘设有弯曲部的显示器件，
其具有与所述TFT层的端子连接、且穿过所述弯曲部的端子配线，
所述端子配线包含：第一配线及第二配线，位于所述弯曲部的两侧；第三配线，穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接；第四配线，形成于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。
其具有与所述TFT层的端子连接、且穿过所述弯曲部的端子配线，
所述端子配线包含：第一配线及第二配线，位于所述弯曲部的两侧；第三配线，穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接；第四配线，形成于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。
[0057] [第二形态]在第一形态所述的显示器件的基础上，所述第四配线介隔柔性绝缘膜而与所述第三配线重叠。
[0058] [第三形态]在第二形态所述的显示器件的基础上，所述TFT层包含多个无机绝缘膜，
在所述弯曲部中，所述多个无机绝缘膜贯通。
在所述弯曲部中，所述多个无机绝缘膜贯通。
[0059] [第四形态]在第三形态所述的显示器件的基础上，在所述树脂层与所述T FT层之间具备阻挡层，在所述弯曲部设有贯通所述阻挡层而形成的第一狭缝。
[0060] [第五形态]在第四形态所述的显示器件的基础上，在所述弯曲部，以与所述第一狭缝重叠的方式设有贯通所述多个无机绝缘膜而形成的第二狭缝，
以填埋所述第一狭缝及所述第二狭缝的方式形成有增强膜。
以填埋所述第一狭缝及所述第二狭缝的方式形成有增强膜。
[0061] [第六形态]在第五形态所述的显示器件的基础上，在所述弯曲部中，所述第三配线被所述增强膜和成为所述发光元件层的基底的平坦化膜夹着。
[0062] [第七形态]在第六形态所述的显示器件的基础上，所述增强膜及所述平坦化膜由同一有机材料构成。
[0063] [第八形态]在第六形态所述的显示器件的基础上，所述第三配线与所述端子形成于同层。
[0064] [第九形态]在第八形态所述的显示器件的基础上，所述第一配线及所述第二配线与所述TFT层中所含的栅电极形成于同层。
[0065] [第十形态]在第九形态所述的显示器件的基础上，所述第四配线形成于所述TFT层的栅电极的上层且所述端子的下层。
[0066] [第十一形态]在第十形态所述的显示器件的基础上，所述第四配线穿过所述第一狭缝及所述第二狭缝。
[0067] [第十二形态]在第十一形态所述的显示器件的基础上，在所述第一狭缝中，所述第四配线与所述树脂层相接。
[0068] [第十三形态]在第十二形态所述的显示器件的基础上，在所述弯曲部中，所述第四配线被所述树脂层和所述增强膜夹着。
[0069] [第十四形态]在第十一形态所述的显示器件的基础上，在俯视下，在所述第二狭缝的开口内侧配置所述第一狭缝的开口，
在所述第二狭缝中，所述第四配线与所述阻挡层相接。
在所述第二狭缝中，所述第四配线与所述阻挡层相接。
[0070] [第十五形态]在第十一形态所述的显示器件的基础上，所述多个无机绝缘膜为第一绝缘膜、第二绝缘膜、及第三绝缘膜，
所述第三配线与所述TFT层的源电极形成于同层，
所述第一绝缘膜形成于所述阻挡层的上层且所述第一配线及第二配线的下层，所述第二绝缘膜形成于所述第一配线及第二配线的上层且所述第四配线的下层，所述第三绝缘膜形成于所述第四配线的上层且所述第三配线的下层，
在所述弯曲部的两侧，通过形成于所述第二绝缘膜的两个接触孔的一个使所述第一配线和所述第四配线接触，通过另一个使所述第二配线和所述第四配线接触，在所述弯曲部的两侧，通过形成于所述第三绝缘膜的两个接触孔的各个使所述第三配线和所述第四配线接触。
所述第三配线与所述TFT层的源电极形成于同层，
所述第一绝缘膜形成于所述阻挡层的上层且所述第一配线及第二配线的下层，所述第二绝缘膜形成于所述第一配线及第二配线的上层且所述第四配线的下层，所述第三绝缘膜形成于所述第四配线的上层且所述第三配线的下层，
在所述弯曲部的两侧，通过形成于所述第二绝缘膜的两个接触孔的一个使所述第一配线和所述第四配线接触，通过另一个使所述第二配线和所述第四配线接触，在所述弯曲部的两侧，通过形成于所述第三绝缘膜的两个接触孔的各个使所述第三配线和所述第四配线接触。
[0071] [第十六形态]在第九形态所述的显示器件的基础上，所述第四配线与所述发光元件层中所含的下侧电极形成于同层。
[0072] [第十七形态]在第十六形态所述的显示器件的基础上，在所述弯曲部中，所述第四配线被所述平坦化膜和与所述发光元件层的阳极边缘罩为同层的绝缘膜夹着。
[0073] [第十八形态]在第九形态所述的显示器件的基础上，所述第四配线与所述第一配线及所述第二配线形成于同层。
[0074] [第十九形态]在第一形态至第十八形态中任一项所述的显示器件的基础上，所述发光元件层为顶部发光型，
通过在所述弯曲部弯曲而将配置于下表面侧的所述端子与电子电路基板连接。
通过在所述弯曲部弯曲而将配置于下表面侧的所述端子与电子电路基板连接。
[0075] [第二十形态]一种显示器件的制造方法，其是具备树脂层、所述树脂层的上层的TFT层、及所述TFT层的上层的发光元件层，且在周缘设有弯曲部的显示器件的制造方法，其包含如下工序：
形成第一配线及第二配线的工序，所述第一配线及第二配线位于所述弯曲部的两侧；
形成第三配线的工序，所述第三配线穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接；形成第四配线的工序，所述第四配线形成于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。
形成第一配线及第二配线的工序，所述第一配线及第二配线位于所述弯曲部的两侧；
形成第三配线的工序，所述第三配线穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接；形成第四配线的工序，所述第四配线形成于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。
[0076] [第二十一形态]一种显示器件的制造装置，其是具备树脂层、所述树脂层的上层的TFT层、及所述TFT层的上层的发光元件层，且在周缘设有弯曲部的显示器件的制造装置，其进行如下工序：
形成第一配线及第二配线的工序，所述第一配线及第二配线位于所述弯曲部的两侧；
形成第三配线的工序，所述第三配线穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接；形成第四配线的工序，所述第四配线形成于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。
附图标记说明
形成第一配线及第二配线的工序，所述第一配线及第二配线位于所述弯曲部的两侧；
形成第三配线的工序，所述第三配线穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接；形成第四配线的工序，所述第四配线形成于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。
附图标记说明
[0077] 2：显示器件3：阻挡层
4：TFT层
5：发光元件层
6：密封层
12：树脂层
16、18、20：无机绝缘膜
21：平坦化膜
23：堤(阳极边缘罩)
23z：有机绝缘膜
24：EL层
70：显示器件制造装置
EZ：增强膜
TM：端子
TW：端子配线
WS1～WS4：第一配线～第四配线
4：TFT层
5：发光元件层
6：密封层
12：树脂层
16、18、20：无机绝缘膜
21：平坦化膜
23：堤(阳极边缘罩)
23z：有机绝缘膜
24：EL层
70：显示器件制造装置
EZ：增强膜
TM：端子
TW：端子配线
WS1～WS4：第一配线～第四配线
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