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用于制造显示装置的方法

阅读：167发布：2020-05-08

专利汇可以提供用于制造显示装置的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供一种用于制造显示装置的方法。所述方法可以包括：提供基底；提供第一有机溶液，第一有机溶液包括包含具有第一沸点的第一溶剂和具有第二沸点的第二溶剂的混合溶剂以及溶解在混合溶剂中的有机溶质；进行第一减压干燥以形成第二有机溶液；以及进行第二减压干燥以形成初步有机层。，下面是用于制造显示装置的方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
提供基底，在所述基底上设置有多个像素限定层；
在所述像素限定层之间提供第一有机溶液，所述第一有机溶液包括：混合溶剂，包含具有第一沸点的第一溶剂和具有第二沸点的第二溶剂；以及有机溶质，溶解在所述混合溶剂中；
通过向所述第一有机溶液施加0.01托至1托的压力来进行第一减压干燥，以形成第二有机溶液；以及
通过向所述第二有机溶液施加0.0001托至0.001托的压力来进行第二减压干燥，以形成初步有机层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一沸点与所述第二沸点之间的差为20℃至
220℃。
3.根据权利要求2所述的方法，其中：
所述第一沸点在160℃至290℃的范围内，并且
所述第二沸点在290℃至380℃的范围内且不包括290℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基底与所述第二有机溶液的上表面之间的第一距离是所述基底与所述像素限定层的上表面之间的第二距离的0.8倍至1.2倍。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二有机溶液中的所述第一溶剂相对于全部所述第二有机溶液的比率小于所述第一有机溶液中的所述第一溶剂相对于全部所述第一有机溶液的比率。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述初步有机层中的所述第二溶剂的重量相对于所述初步有机层的总重量的比率小于所述第二有机溶液中的所述第二溶剂的重量相对于所述第二有机溶液的总重量的比率。
7.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在所述第一减压干燥与所述第二减压干燥之间的中间减压干燥，
所述中间减压干燥包括向所述第二有机溶液施加0.001托至0.01托的压力。
8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在所述第一减压干燥与所述第二减压干燥之间的加压干燥，
所述加压干燥包括向所述第二有机溶液施加750托至1000托的压力。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，相对于所述混合溶剂的总重量，所述第一溶剂的量为55wt％至70wt％，并且所述第二溶剂的量为30wt％至45wt％。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一溶剂包括苯甲酸异丁酯、环己基苯、3-苯氧基甲苯、三甘醇二甲醚和二苯醚中的至少一种，并且
所述第二溶剂包括二异丙基萘、乙基己基水杨酸酯、邻苯二甲酸二异丁酯和苯甲酸苄酯中的至少一种。
11.一种用于制造显示装置的方法，所述显示装置包括基体基底、设置在所述基体基底上的第一电极以及设置在所述第一电极上的多个有机层，所述方法包括以下步骤：
将第一有机溶液提供到所述第一电极上，所述第一有机溶液包括：混合溶剂，包含具有第一沸点的第一溶剂和具有第二沸点的第二溶剂，所述第二沸点比所述第一沸点高20℃至
220℃；以及有机溶质，溶解在所述混合溶剂中；
通过在0.01托至1托的压力下干燥所述第一有机溶液来进行第一减压干燥，以形成第二有机溶液；
通过在0.0001托至0.001托的压力下干燥所述第二有机溶液来进行第二减压干燥，以形成初步有机层；以及
通过向所述初步有机层供应热来烘焙所述初步有机层，以形成所述多个有机层中的至少一个有机层。
12.根据权利要求11所述的方法，其中：
所述显示装置还包括设置在所述基体基底上的多个像素限定层，并且
所述基体基底与所述第二有机溶液的上表面之间的第一距离是所述基体基底与所述像素限定层的上表面之间的第二距离的0.8倍至1.2倍。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一沸点为160℃至290℃，并且所述第二沸点为290℃至380℃且不包括290℃。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，相对于所述混合溶剂的总重量，所述第一溶剂的量为55wt％至70wt％，并且所述第二溶剂的量为30wt％至45wt％。

说明书全文

用于制造显示装置的方法

[0001] 于2018年10月18日在韩国知识产权局提交的且名称为“Method for Manufacturing Display Device”的第10-2018-0124542号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

[0002] 诸如移动通信终端、数码相机、膝上型计算机、监视器和TV的电子设备包括用于显示图像的显示装置。

背景技术

[0003] 已经积极地进行对作为显示装置的有机电致发光显示装置的开发。发明内容

[0004] 实施例涉及一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：提供其上设置有多个像素限定层的基底；在像素限定层之间提供第一有机溶液，第一有机溶液包括包含具有第一沸点的第一溶剂和具有第二沸点的第二溶剂的混合溶剂以及溶解在混合溶剂中的有机溶质；通过向第一有机溶液施加0.01托至1托的压力来进行第一减压干燥，以形成第二有机溶液；以及通过向第二有机溶液施加0.0001托至0.001托的压力来进行第二减压干燥，以形成初步有机层。

[0005] 第一沸点与第二沸点之间的差可以为20℃至220℃。

[0006] 第一沸点可以在160℃至290℃的范围内。第二沸点可以在290℃至380℃的范围内且不包括290℃。

[0007] 基底与第二有机溶液的上表面之间的第一距离可以是基底与像素限定层的上表面之间的第二距离的0.8倍至1.2倍。

[0008] 可以在10℃至23℃下执行第一减压干燥。

[0009] 第二有机溶液中的第一溶剂相对于全部第二有机溶液的比率可以小于第一有机溶液中的第一溶剂相对于全部第一有机溶液的比率。

[0010] 初步有机层中的第二溶剂的重量相对于初步有机层的总重量的比率可以小于第二有机溶液中的第二溶剂的重量相对于第二有机溶液的总重量的比率。

[0011] 所述方法还可以包括在第一减压干燥与第二减压干燥之间的中间减压干燥。中间减压干燥可以包括向第二有机溶液施加0.001托至0.01托的压力。

[0012] 所述方法还可以包括在第一减压干燥与第二减压干燥之间的加压干燥。加压干燥可以包括向第二有机溶液施加750托至1000托的压力。

[0013] 相对于混合溶剂的总重量，第一溶剂的量可以为55wt％至70wt％，第二溶剂的量为30wt％至45wt％。

[0014] 第一溶剂可以包括两种或更多种不同的溶剂。

[0015] 第一溶剂可以包括苯甲酸异丁酯、环己基苯、3-苯氧基甲苯、三甘醇二甲醚和二苯醚中的至少一种。第二溶剂可以包括二异丙基萘、乙基己基水杨酸酯、邻苯二甲酸二异丁酯和苯甲酸苄酯中的至少一种。

[0016] 第一溶剂可以包括三甘醇二甲醚和二苯醚。第二溶剂可以是苯甲酸苄酯。

[0017] 相对于第一有机溶液的总重量，有机溶质的含量可以为2wt％至5wt％。

[0018] 所述方法还可以包括通过向初步有机层供应热来烘焙初步有机层，以形成有机层。

[0019] 实施例还涉及一种用于制造显示装置的方法，所述显示装置包括基体基底、设置在基体基底上的第一电极以及设置在第一电极上的多个有机层，所述方法包括：将第一有机溶液提供到第一电极上，第一有机溶液包括包含第一溶剂和第二溶剂的混合溶剂以及溶解在混合溶剂中的有机溶质，第一溶剂具有第一沸点，第二溶剂具有比第一沸点高20℃至220℃的第二沸点；通过在0.01托至1托的压力下干燥第一有机溶液来进行第一减压干燥，以形成第二有机溶液；通过在0.0001托至0.001托的压力下干燥第二有机溶液来进行第二减压干燥，以形成初步有机层；以及通过向初步有机层供应热来烘焙初步有机层，以形成所述多个有机层中的至少一个有机层。

[0020] 显示装置还可以包括设置在基体基底上的多个像素限定层。基体基底与第二有机溶液的上表面之间的第一距离可以是基体基底与像素限定层的上表面之间的第二距离的0.8倍至1.2倍。

[0021] 第一沸点可以为160℃至290℃，第二沸点可以为290℃至380℃且不包括290℃。

[0022] 相对于混合溶剂的总重量，第一溶剂的量可以为55wt％至70wt％，第二溶剂的量为30wt％至45wt％。

[0023] 有机溶质可以包括空穴注入材料，所述至少一个有机层可以是设置在第一电极上的空穴注入层。附图说明

[0024] 通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：

[0025] 图1示出了根据实施例的显示装置的透视图；

[0026] 图2示出了沿图1中的线I-I'截取的剖面的一部分；

[0027] 图3A示出了根据实施例的用于制造显示装置的方法的流程图；

[0028] 图3B示出了示出根据图3A中的用于制造显示装置的方法的每个阶段的压力变化的图；

[0029] 图4示出了处于图3A中的其中提供基底的阶段的基底的剖视图；

[0030] 图5示出了处于图3A中的其中提供有机溶液的阶段的基底的剖视图；

[0031] 图6A和图6B示出了描绘处于图3A中的第一减压干燥阶段的基底的剖视图；

[0032] 图7A和图7B示出了描绘处于图3A中的第二减压干燥阶段的基底的剖视图；

[0033] 图8A和图8B示出了处于图3A中的烘焙阶段的基底的剖视图；

[0034] 图9A示出了根据示例1制备的空穴注入层和根据对比示例1制备的空穴注入层的放大平面图；

[0035] 图9B示出了示出沿图9A中的线II-II'截取的空穴注入层的剖面的厚度的图；

[0036] 图10A示出了根据示例1制备的空穴注入层和根据对比示例2制备的空穴注入层的放大平面图；

[0037] 图10B示出了示出沿图10A中的线III-III'截取的空穴注入层的剖面的厚度的图；

[0038] 图11A示出了根据实施例的用于制造显示装置的方法的流程图；

[0039] 图11B示出了示出根据图11A中的用于制造显示装置的方法中的每个阶段的压力变化的图；

[0040] 图12示出了处于图11A中的中间减压干燥阶段的基底的剖视图；

[0041] 图13A示出了根据实施例的用于制造显示装置的方法的流程图；

[0042] 图13B示出了示出图13A中的用于制造显示装置的方法中的每个阶段的压力变化的图；以及

[0043] 图14示出了处于图13A中的加压干燥阶段的基底的剖视图。

具体实施方式

[0044] 现在，将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。

[0045] 在绘制的图中，为了说明的清楚性，可以夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称为“在”另一层或元件“上”时，该层或元件可以直接在所述另一层或元件上，或者也可以存在中间层或中间元件。此外，将理解的是，当层被称为“在”另一层“下”时，该层可以直接在所述另一层下，或者也可以存在一个或更多个中间层。另外，还将理解的是，当层被称为“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间唯一的层，或者也可以存在一个或更多个中间层。同样的附图标记始终表示同样的元件。

[0046] 为了对技术内容的有效描述，可以夸大特征的厚度和比例以及尺寸。

[0047] 如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。

[0048] 将理解的是，尽管这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

[0049] 为了易于描述，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如附图中示出的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包含装置在使用或操作中的不同方位。

[0050] 除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于正式的含义来进行解释，除非这里明确地如此定义。

[0051] 还将理解的是，当术语“包括”和/或其变型用在本说明书中时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

[0052] 在下文中，将参照附图详细地描述示例性实施例。

[0053] 图1示出了根据实施例的显示装置DD的透视图。如图1中所示，显示装置DD可以通过显示表面IS来显示图像IM。显示表面IS可以与由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2定义的平面平行。第三方向轴DR3指示显示表面IS的法线方向，即，显示装置DD的厚度方向。

[0054] 根据第三方向轴DR3来定义下面描述的每个构件或单元的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)。然而，在实施例中示出的第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3仅是示例性方向，并且由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3指示的方向是相对概念，从而所述方向可以改变为其它方向。在下文中，第一方向、第二方向和第三方向分别指与由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3所指示的方向相同的附图标记。

[0055] 在实施例中，具有平面的显示表面的显示装置DD作为示例被示出。在一些实施方式中，显示装置DD可以包括弯曲的显示表面或立体的显示表面。立体的显示表面可以包括指示彼此不同方向的多个显示区域，并且还可以包括例如多边形柱状显示表面。

[0056] 根据实施例的显示装置DD可以是例如刚性显示装置DD。在一些实施方式中，显示装置DD可以是柔性显示装置DD。在实施例中，示例性地示出了可应用于便携式终端的显示装置DD。在一些实施方式中，安装在主板上的电子模块、相机模块和电源模块等可以容纳在壳体HS中以构成便携式终端。显示装置DD不仅可以应用于诸如电视机、监视器的大型电子设备，而且可以应用于诸如平板计算机、汽车导航系统、游戏机、智能手表等的小型或中型电子设备。

[0057] 如图1中所示，显示表面IS可以包括其中显示图像IM的显示区域DD-DA和与显示区域DD-DA相邻的非显示区域DD-NDA。非显示区域DD-NDA是其中不显示图像的区域。作为图像IM的示例，在图1中示出了图标图像。

[0058] 可以相对地设计显示区域DD-DA的形状和非显示区域DD-NDA的形状。例如，如图1中所示，显示区域DD-DA可以具有矩形形状。非显示区域DD-NDA可以围绕显示区域DD-DA。

[0059] 图2示出了沿图1中的线I-I'截取的剖面的一部分。图2是示出构成显示装置DD的组件之间的层叠关系的简单视图。

[0060] 显示装置DD可以包括基体基底BP、设置在基体基底BP上的第一电极EL1、设置在第一电极EL1上的多个有机层OEL、设置在多个有机层OEL上的第二电极EL2以及设置在第二电极EL2上的薄膜封装层TFE。

[0061] 基底BS可以包括基体基底BP以及设置在基体基底BP上的像素限定层PDL。

[0062] 在一些实施方式中，基体基底BP还可以包括诸如支撑构件层、包含多个晶体管的电路层和功能层的多个层。多个层可以用光学透明结合构件结合。

[0063] 多个像素限定层PDL可以设置在基体基底BP上。像素限定层PDL可以包括第一侧表面ES1、面对第一侧表面ES1的第二侧表面ES2以及连接第一侧表面ES1和第二侧表面ES2的上表面US。

[0064] 第一电极EL1可以设置在基体基底BP上。像素限定层PDL可以设置在第一电极EL1之间并且像素限定层PDL的至少一部分可以与第一电极EL1叠置。

[0065] 第一电极EL1具有导电性。第一电极EL1可以由金属合金或导电化合物形成。第一电极EL1可以是阳极。第一电极EL1可以是像素电极。第一电极EL1可以是透射电极、透反射电极或反射电极。当第一电极EL1是透射电极时，第一电极EL1可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)的透明金属氧化物。当第一电极EL1是透反射电极或反射电极时，第一电极EL1可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或其复合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。在一些实施方式中，第一电极EL1可以具有多层结构，该多层结构包括由上述材料形成的反射膜或透反射膜以及由ITO、IZO、ZnO或ITZO等形成的透明导电膜。

[0066] 多个有机层OEL可以设置在第一电极EL1上。多个有机层OEL可以包括空穴注入层HIL、设置在空穴注入层HIL上的空穴传输层HTL、设置在空穴传输层HTL上的发光层EML、设置在发光层EML上的电子传输层ETL以及设置在电子传输层ETL上的电子注入层EIL。这里，空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL可以被称为有机层OL(图8B)。

[0067] 多个有机层OEL还可以包括空穴缓冲层、电子阻挡层和空穴阻挡层。

[0068] 多个有机层OEL的材料可以是本领域中已知的合适的有机材料。

[0069] 例如，空穴注入层HIL可以包括诸如铜酞菁的酞菁化合物、DNTPD(N,N'-二苯基-N,N'-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4'-二胺)、m-MTDATA(4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4,4'4"-三(N,N-二苯基胺基)三苯胺)、2-TNATA(4,4',4"-三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、PANI/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PANI/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)、PANI/PSS((聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、NPB(N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺)、含三苯胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐以及HAT-CN(二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈)等。

[0070] 空穴传输层HTL可以包括例如诸如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑的咔唑类衍生物、芴类衍生物、诸如TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺)、TCTA(4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺)的三苯胺类衍生物、NPB(N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺)、TAPC(4,4'-环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺])、HMTPD(4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯)以及mCP(1,3-双(N-咔唑基)苯)等。

[0071] 第二电极EL2可以设置在电子注入层EIL上。第二电极EL2可以是共电极或阴极。第二电极EL2可以是透射电极、透反射电极或反射电极。在一些实施方式中，可以应用与描述第一电极EL1中的内容基本相同的内容。第二电极EL2可以连接到辅助电极。当第二电极EL2连接到辅助电极时，第二电极EL2的电阻可以减小。

[0072] 薄膜封装层TFE可以设置在第二电极EL2上。根据实施例的薄膜封装层TFE可以直接覆盖第二电极EL2。在一些实施方式中，可以进一步设置覆盖第二电极EL2的盖层，并且薄膜封装层TFE可以直接覆盖盖层。薄膜封装层TFE可以包括含有机材料的层和含无机材料的层。

[0073] 上述多个有机层OEL之中的至少一个可以通过喷墨打印方法来形成。例如，可以通过根据实施例的用于制造显示装置DD的方法S10来制造所描述的有机层OEL中的一个或更多个。

[0074] 图3A是示出根据实施例的用于制造显示装置DD的方法S10的流程图。

[0075] 图3B是示出处于图3A中示出的用于制造显示装置DD的方法S10中的每个阶段的压力变化的图。

[0076] 参照图3A，实施例的用于制造显示装置DD的方法S10可以包括基底提供阶段S100、第一有机溶液提供阶段S200、第一减压干燥阶段S300、第二减压干燥阶段S400以及烘焙阶段S500。

[0077] 参照图3B，在基底提供阶段S100和第一有机溶液提供阶段S200中施加的压力可以是P1。压力P1可以是大气压。

[0078] 图4是示出处于图3A中的基底提供阶段S100的基底的视图。参照图4，基底提供阶段S100可以包括提供其上设置有多个像素限定层PDL的基体基底BP。第一电极EL1可以设置基体基底BP上。

[0079] 图5是示出处于图3A中的第一有机溶液提供阶段S200的基底的剖视图。参照图5，喷墨打印装置IP可以将第一有机溶液SL1提供在第一电极EL1上。第一有机溶液SL1可以从喷墨打印装置IP的喷嘴部NS喷射并提供在第一电极EL1上。例如，第一有机溶液SL1可以设置在像素限定层PDL之间并且设置在第一电极EL1上。

[0080] 第一有机溶液SL1可以包括混合溶剂SV和溶解在混合溶剂SV中的有机溶质ST。混合溶剂SV可以包括具有第一沸点的第一溶剂SV1和具有第二沸点的第二溶剂SV2。在图5中，在第一有机溶液SL1中简单地示出了混合溶剂SV和有机溶质ST，但是可以进一步包括其它溶剂或溶质。

[0081] 第二沸点下的温度可以高于第一沸点下的温度。第一沸点与第二沸点之间的差可以为约20℃至220℃。例如，第一沸点可以为约160℃至290℃，第二沸点可以为约290℃至380℃(不包括290℃)。沸点可以是基于大气压(1atm)的沸点。

[0082] 相对于混合溶剂SV的总重量，第一溶剂SV1的量可以为约55wt％至70wt％，相对于混合溶剂SV的总重量，第二溶剂SV2的量可以为约30wt％至45wt％。这里，wt％指示质量百分比。

[0083] 当第二溶剂SV2与混合溶剂SV的总重量的比率为30wt％或更大时，在经历后面将描述的第一减压干燥阶段S300之后，可以避免剩余的第二有机溶液SL2的体积的不希望的减少。因此，可以避免其中基体基底BP与第二有机溶液SL2的上表面SL-US之间的第一距离L1比基体基底BP与像素限定层PDL的上表面US之间的第二距离L2短得多的情况以及其中通过用于制造显示装置DD的方法S10形成的有机层OL的膜厚度是不均匀的情况。

[0084] 当第二溶剂SV2与混合溶剂SV的总重量的比率为45wt％或更小时，可以避免在从喷嘴部NS喷射混合溶剂SV期间喷嘴部NS的堵塞，并且可以控制粘度使得可以平稳地发生喷射混合溶剂SV。

[0085] 第一溶剂SV1可以包括至少两种不同的溶剂。例如，第一溶剂SV1可以包括具有彼此不同的沸点的至少两种溶剂。例如，第一溶剂SV1可以包括沸点为约160℃至230℃(不包括230℃)的溶剂和沸点为约230℃至290℃的溶剂。第一溶剂SV1的沸点可以被定义为所述至少两种不同溶剂的沸点的平均值。例如，第一溶剂SV1可以包括苯甲酸异丁酯、环己基苯、3-苯氧基甲苯、三甘醇二甲醚和二苯醚中的至少一种。例如，第一溶剂SV1可以包括三甘醇二甲醚和二苯醚。可以包括其它合适的溶剂。

[0086] 在一些实施方式中，第二溶剂SV2可以由单一溶剂制成。在一些实施方式中，第二溶剂SV2可以包括二异丙基萘、乙基己基水杨酸酯、邻苯二甲酸二异丁酯和苯甲酸苄酯中的至少一种。例如，第二溶剂SV2可以是苯甲酸苄酯。第二溶剂SV2可以包括本领域已知的其它溶剂。

[0087] 在实施例中，相对于第一有机溶液SL1的总重量，有机溶质ST的含量可以为约2wt％至5wt％。当有机溶质ST的含量为2wt％或更大时，有机溶质ST可以足以形成有机层OL。当有机溶质ST的含量为5wt％或更小时，有机溶质ST可以充分溶解在混合溶剂SV中。

[0088] 有机溶质ST可以包括如上所述的已知的有机层OL材料中的每种。例如，有机溶质ST可以包括如上所述的已知的空穴注入层HIL材料或已知的空穴传输层HTL材料。有机溶质ST可以包括已知的有机层OL材料中的一种或两种或更多种。

[0089] 在一些实施方式中，可以根据将制备的有机层OL的厚度或根据在混合溶剂SV中的溶解度来适当地调节有机溶质ST。

[0090] 可以在像素限定层PDL之间喷射第一有机溶液SL1。当在像素限定层PDL之间喷射第一有机溶液SL1时，存在第一有机溶液SL1可能与像素限定层PDL的上表面US的一部分接触的可能性。然而，即使第一有机溶液SL1将被喷射而与像素限定层PDL的上表面US的一部分接触，也由于第一有机溶液SL1的表面张力而可以防止第一有机溶液SL1沿像素限定层PDL流动的现象。另外，可以调节喷射量，使得第一有机溶液SL1不与在相邻像素限定层PDL之间喷射的第一有机溶液SL1混合。

[0091] 图6A和图6B是示出图3A中的第一减压干燥阶段S300的视图。参照图6A、图6B和图3B，可以在压力P2下执行第一减压干燥阶段S300。第一减压干燥阶段S300可以包括通过使第一溶剂SV1选择性地蒸发来形成第二有机溶液SL2。这里，“选择性地蒸发”指示大部分选择的特定组分被蒸发，而其余组分几乎不蒸发或基本完全不蒸发。

[0092] 参照图6A，因为第一溶剂SV1的沸点低于第二溶剂SV2和有机溶质ST的沸点，所以第一溶剂SV1可以在压力P2下选择性地蒸发。例如，在第一减压干燥阶段S300中蒸发的大部分化合物可以是第一溶剂SV1，而第二溶剂SV2和有机溶质ST可以几乎不蒸发或基本完全不蒸发。

[0093] 参照图6B，在第一溶剂SV1已经蒸发之后，第二有机溶液SL2可以包括第二溶剂SV2和有机溶质ST。第二有机溶液SL2可以包括尚未蒸发的少量的第一溶剂SV1。

[0094] 基体基底BP与第二有机溶液SL2的上表面SL-US之间的第一距离L1可以为基体基底BP与像素限定层PDL的上表面US之间的第二距离L2的约0.8倍至1.2倍。例如，第一距离L1可以同基体基底BP与像素限定层PDL的上表面US之间的第二距离L2基本相同。例如，第二有机溶液SL2的上表面SL-US可以与像素限定层PDL的上表面US位于基本相同的平面上。这里，术语“基本相同”可以用于包括在该工艺中可能发生的任何误差。

[0095] “基体基底BP与第二有机溶液SL2的上表面SL-US之间的第一距离L1”可以指基体基底BP的上表面与第二有机溶液SL2的上表面SL-US之间的平均距离。“基体基底BP与像素限定层PDL的上表面US之间的第二距离L2”可以指基体基底BP的上表面与像素限定层PDL的上表面US之间的平均距离。

[0096] 在第一减压干燥阶段S300中，第一有机溶液SL1具有大比例的具有低沸点的第一溶剂SV1。因此，粘度可以低并且流动性可以高。因此，当第一溶剂SV1在干燥工艺期间晃动或发生内部流动时，有机溶质ST会频繁地与像素限定层PDL的第一侧表面ES1和第二侧表面ES2接触。如果第一距离L1将比第二距离L2的0.8倍短，则有机溶质ST会在干燥工艺期间附着到像素限定层PDL的第一侧表面ES1和第二侧表面ES2。在这种情况下，如果有机溶质ST在第二减压干燥阶段S400(图7A和图7B)期间根据已附着到像素限定层PDL的第一侧表面ES1和第二侧表面ES2的有机溶质ST而连续地附着，则更接近于像素限定层PDL的第一侧表面ES1和第二侧表面ES2的初步有机层STL(图7B)的膜厚度会形成得更厚。因此，会难以制备具有均匀厚度的有机层OL。

[0097] 当第一距离L1比第二距离L2的1.2倍长时，产生的第二有机溶液SL2的上表面SL-US会具有向上凸起的形式。在这种情况下，当在第二减压干燥阶段S400(图7A和图7B)期间以凸起形式执行蒸发时，初步有机层STL(图7B)的中心部分会厚地形成。因此，会难以制备具有均匀厚度的有机层OL。

[0098] 在根据实施例的第一减压干燥阶段S300中，通过调节压力、时间和温度条件来执行干燥工艺。因此，第一距离L1可以形成为在第二距离L2的约0.8倍至1.2倍的范围内，因此可以避免上述不规则现象。

[0099] 压力P2可以为约0.01托至1托。当压力P2为0.01托至1托时，可以在第一溶剂SV1的选择性蒸发可以有效地发生的同时使有机溶质ST附着到像素限定层PDL的第一侧表面ES1和第二侧表面ES2的现象最少化或防止有机溶质ST附着到像素限定层PDL的第一侧表面ES1和第二侧表面ES2的现象。

[0100] 当压力P2为0.01托或更大时，可以控制第一溶剂SV1的蒸发量，因此可以获得第一溶剂SV1的选择性蒸发。另外，当第一溶剂SV1的蒸发速率被控制为0.01托或更大时，可以容易地调节第一减压干燥阶段S300，使得第一距离L1和第二距离L2基本相同。

[0101] 当压力P2为1托或更小时，可以获得合适的蒸发速率，因此可以获得合适的工艺速率。

[0102] 在实施例中，第一减压干燥阶段S300中的干燥温度可以为约10℃至23℃。当干燥温度为10℃或更大时，提供合适的干燥速率以产生合适的工艺速率。当干燥温度为23℃或更小时，可以避免过高的干燥速率，因此可能够调节第一减压干燥阶段S300，使得第一距离L1和第二距离L2基本相同。

[0103] 可以根据压力条件和温度条件来选择干燥时间。例如，第一减压干燥阶段S300中的干燥时间可以为约5分钟至10分钟。当在上述温度和压力条件下干燥第一有机溶液SL1约5分钟至10分钟时，可以适当地调节第一溶剂SV1的干燥量。

[0104] 在第一减压干燥阶段S300之后形成的第二有机溶液SL2中的第一溶剂SV1的比例可以低于第一有机溶液SL1中的第一溶剂SV1的比例。例如，第一溶剂SV1与第二有机溶液SL2的总重量的比率可以为约10wt％或更小，或者5wt％或更小。

[0105] 图7A和图7B是示出图3A中的第二减压干燥阶段S400的基底的剖视图。参照图7A、图7B和图3B，可以在压力P3下执行第二减压干燥阶段S400。第二减压干燥阶段S400可以通过从第二有机溶液SL2选择性地蒸发第二溶剂SV2来形成初步有机层STL。尽管图7A和图7B示出了初步有机层STL仅包括有机溶质ST，但初步有机层STL可以包括还未被蒸发的少量的第一溶剂SV1或第二溶剂SV2。当第一溶剂SV1的一部分保留在第二有机溶液SL2中时，所述一部分可以在第二减压干燥阶段S400中蒸发。

[0106] 由于具有低沸点的第一溶剂SV1已经在形成第二有机溶液SL2中蒸发，并且具有高沸点的第二溶剂SV2保留，因此第二有机溶液SL2可以具有高粘度和低流动性。因此，在干燥工艺期间可以防止第二有机溶液SL2晃动并且可以减少内部流动的发生。因此，有机溶质ST不太可能频繁地接触像素限定层PDL的第一侧表面ES1和第二侧表面ES2，并且可以防止有机溶质ST变得附着到像素限定层PDL的第一侧表面ES1和第二侧表面ES2的现象。因此，可以形成具有均匀膜厚度的初步有机层STL。

[0107] 压力P3可以为约0.0001托至0.001托。当压力P3为0.0001托至0.001托时，可以在第二溶剂SV2的选择性蒸发可以有效地发生的同时防止有机溶质ST变得附着到像素限定层PDL的两个侧表面ES1和ES2的现象。

[0108] 当压力P3为0.0001托或更大时，可以减少或防止有机溶质ST的蒸发，因此可以选择性地蒸发第二溶剂SV2。

[0109] 当压力P3为0.001托或更小时，可以保持具有高沸点的第二溶剂SV2的蒸发速率，并且可以获得合适的工艺速率。

[0110] 在实施例中，第二减压干燥阶段S400中的干燥温度可以为例如室温，或者可以为与第一减压干燥阶段S400的温度条件相同的温度条件。

[0111] 可以根据压力条件和温度条件来选择干燥时间。在实施例中，第二减压干燥阶段S400的干燥时间可以为例如约5分钟至10分钟。当在上述温度条件和压力条件下干燥第二有机溶液SL2 5分钟至10分钟时，可以适当地调节第二溶剂SV2的干燥量。

[0112] 在第二减压干燥阶段S400之后形成的初步有机层STL中的第二溶剂SV2的比例可以低于第二有机溶液SL2中的第二溶剂SV2的比例。例如，第二溶剂SV2与初步有机层STL的总重量的比率可以为约10wt％或更小。或者，例如5wt％或更小。

[0113] 图8A和图8B是示出图3A中的烘焙阶段S500的基底的剖视图。参照

[0114] 图8A和图8B，可以通过向初步有机层STL供应热来形成有机层OL。

[0115] 当在烘焙阶段S500中向初步有机层STL供应热时，初步有机层STL中保留的少量溶剂SV1和SV2可以被蒸发以形成有机层OL。有机层OL可以是多个有机层OEL中的至少一个。例如，有机层OL可以是空穴注入层HIL。

[0116] 第一有机溶液SL1可以根据将要形成的多个有机层OEL的种类包括合适的有机溶质ST。例如，有机溶质ST可以包括用于上述多个有机层OEL的材料。

[0117] 可以通过根据依据实施例的用于制造显示装置DD的方法S10重复沉积有机层OL来形成多个有机层OEL。

[0118] 在下文中，作为理解的帮助，将参照图9A、图9B、图10A和图10B以及示例和对比示例更详细地描述实施例以帮助理解。

[0119] 图9A是使用共聚焦显微镜获得的根据示例1制备的空穴注入层HIL和根据对比示例1制备的空穴注入层HIL'的放大图像。

[0120] 图9B是示出沿图9A中的线II-II'截取的空穴注入层HIL和空穴注入层HIL'的剖面的厚度的图。

[0121] 图10A是使用共聚焦显微镜获得的根据示例1制备的空穴注入层HIL和根据对比示例2制备的空穴注入层HIL”的放大图像。

[0122] 图10B是示出沿图10A中的线III-III'截取的空穴注入层HIL和空穴注入层HIL”的剖面的厚度的图。

[0123] 提供下面的示例和对比示例以突出一个或更多个实施例的特性，但将理解的是，示例和对比示例将不被解释为限制实施例的范围，对比示例也将不被解释为在实施例的范围之外。此外，将理解的是，实施例不限于示例和对比示例中描述的具体细节。

[0124] 示例和对比示例

[0125] 表1示出了示例和对比示例中使用的有机溶液A和有机溶液B的组成。

[0126] 【表1】

[0127] 三甘醇二甲醚二苯醚苯甲酸苄酯有机溶质
有机溶液A 12.8wt％ 40.4wt％ 44wt％ 2.8wt％
有机溶液B 24wt％ 73.2wt％ - 2.8wt％

[0128] 以表1中示出的相对量在有机溶液A和有机溶液B中使用具有216℃的沸点的三甘醇二甲醚、具有258℃的沸点的二苯醚和具有324℃的沸点的苯甲酸苄酯。对于有机溶质ST，使用空穴注入材料。

[0129] 在示例1中，三甘醇二甲醚和二苯醚用作具有第一沸点的第一溶剂SV1，并且苯甲酸苄酯用作具有第二沸点的第二溶剂SV2，以形成有机溶液A。此后，在第一减压干燥阶段S300中在0.01托的压力下执行干燥工艺5分钟，然后在第二减压干燥阶段S400中在0.0001托的压力下执行干燥工艺10分钟，以形成空穴注入层HIL。

[0130] 在对比示例1中，三甘醇二甲醚和二苯醚用作具有第一沸点的第一溶剂SV1，并且苯甲酸苄酯用作具有第二沸点的第二溶剂SV2，以形成有机溶液A。此后，在0.0001托的压力下作为一步干燥工艺执行干燥工艺15分钟，以形成空穴注入层HIL'。

[0131] 在对比示例2中，三甘醇二甲醚和二苯醚用作具有第一沸点的第一溶剂SV1以形成有机溶液B。此后，在第一减压干燥阶段S300中在0.01托的压力下执行干燥工艺5分钟，然后在第二减压干燥阶段S400中在0.0001托的压力下执行干燥工艺10分钟，以形成空穴注入层HIL”。

[0132] 在对比示例3中，三甘醇二甲醚和二苯醚用作具有第一沸点的第一溶剂SV1以形成有机溶液B。此后，在0.0001托的压力下作为一步干燥工艺执行干燥工艺15分钟，以形成空穴注入层。

[0133] 表2示出了根据示例1和对比示例1、2、3形成的空穴注入层的厚度均匀性。

[0134] 【表2】

[0135]

[0136]

[0137] 在示例1中，使用通过混合具有低沸点的两种第一溶剂SV1和具有高沸点的一种第二溶剂SV2而获得的有机溶液。执行包括在0.01托的压力下进行的第一减压干燥阶段S300以及在0.0001托的压力下进行的第二减压干燥阶段S400的两阶段干燥工艺，因此，空穴注入层HIL的边缘外围部分与中心部分之间的厚度差显著小于对比示例的空穴注入层的边缘外围部分与中心部分之间的厚度差。在对比示例1中，使用通过混合具有低沸点的两种第一溶剂SV1和具有高沸点的一种第二溶剂SV2而获得的有机溶液。然而，由于仅执行一阶段干燥工艺，因此空穴注入层HIL'的边缘外围部分与中心部分之间的厚度差相对大。在对比示例2中，执行包括在0.01托的压力下进行的第一减压干燥阶段S300以及在0.0001托的压力下进行的第二减压干燥阶段S400的两阶段干燥工艺。然而，由于仅使用具有低沸点的两种第一溶剂SV1，因此有机溶液的流动性高，并且空穴注入层HIL”的边缘外围部分与中心部分之间的厚度差相对大。在对比示例3中，仅使用具有低沸点的两种第一溶剂SV1并且仅执行一步干燥工艺。因此，空穴注入层的边缘外围部分与中心部分之间的厚度差相对大。

[0138] 参照图9A和图10A，示出了设置在像素限定层PDL之间的空穴注入层HIL、HIL'和HIL”。在对比示例1和对比示例2中，与示例1相比，空穴注入层HIL'和HIL”的厚度是不均匀的，因此沿空穴注入层HIL'和空穴注入层HIL”的外周部分观察到环形带。

[0139] 参照图9B和图10B，示例1中的空穴注入层HIL的厚度在整个部分中均匀地形成，而对比示例1中的空穴注入层HIL'和对比示例2中的空穴注入层HIL”的厚度从中心部分向外周部分急剧增加。

[0140] 图11A是示出根据实施例的用于制造显示装置DD的方法S11的流程图。图11B是示出图11A中示出的用于制造显示装置DD的方法S11中的每个阶段中的压力变化的图。图12示出了处于图11A中的中间减压干燥阶段S310的基底的剖视图。

[0141] 参照图11A，根据实施例的用于制造显示装置DD的方法S11还可以包括在第一减压干燥阶段S300与第二减压干燥阶段S400之间的中间减压干燥阶段S310。

[0142] 参照图12和图11B，可以在压力PC1下执行中间减压干燥阶段S310。压力PC1可以为约0.001托至0.01托。

[0143] 中间减压干燥阶段S310可以是用于进一步干燥第二有机溶液SL2的阶段。在中间减压干燥阶段S310中，可以蒸发第二溶剂SV2，并且也可以蒸发保留的少量的第一溶剂SV1。

[0144] 当第一有机溶液SL1中的第一溶剂SV1的比例大时，在第一减压干燥阶段S300中的时间、温度和压力条件下，会不充分地执行干燥工艺。在这种情况下，由于第一距离L1可能比第二距离L2长，因此可以执行进一步的干燥工艺，使得第一距离L1和第二距离L2彼此基本相等。可以在压力PC1下执行干燥工艺约1分钟至2分钟。当在中间减压干燥阶段S310中进一步干燥第二有机溶液SL2时，第二有机溶液SL2的第一距离L1可以被调节为与第二距离L2基本相同。当中间减压干燥阶段S310中的压力高于第二减压干燥阶段S400中的压力时，蒸发速率可以相对慢，因此可以容易地调节蒸发量。在这种情况下，可以在合适的温度下(例如，在与第一减压干燥阶段S300的温度相同的温度下)执行干燥工艺。

[0145] 图13A是示出根据实施例的用于制造显示装置DD的方法S12的流程图。图13B是示出处于图13A中示出的用于制造显示装置DD的方法S12中的每个阶段的压力变化的图。图14示出了处于图13A中的加压干燥阶段S320的基底的剖视图。

[0146] 参照图13A，根据实施例的用于制造显示装置DD的方法S12还可以包括在第一减压干燥阶段S300与第二减压干燥阶段S400之间的加压干燥阶段S320。

[0147] 参照图13A和图13B，可以在压力PC2下执行加压干燥阶段S320。在图13B中，压力PC2示出为低于压力P1。在一些实施方式中，压力PC2可以高于压力P1。例如，压力PC2可以为约750托至1000托。

[0148] 图14示出了仅示出第二有机溶液SL2的组成中的有机溶质ST的基底的剖视图。参照图14，当第一有机溶液SL1具有高流动性时，在第一减压干燥阶段S300中形成第二有机溶液SL2期间，在有机溶液内部会发生内部流动。虽然由此制备的第二有机溶液SL2会具有比第一有机溶液SL1的粘度高的粘度，但由于惯性而在第二有机溶液SL2内部仍然会发生流动。在这种情况下，如果在没有加压干燥阶段S320的情况下将立即执行第二减压干燥阶段S400，则该工艺中的有机溶质ST会变得附着到第一侧表面ES1和第二侧表面ES2。因此，初步有机层STL的厚度会不均匀地形成。

[0149] 在加压干燥阶段S320中，在高压力下执行干燥工艺。因此，可以蒸发少量的第二有机溶液SL2。例如，干燥工艺可以基本停止。可以在该工艺期间执行加压干燥阶段S320，从而使干燥工艺停止，使得有机溶液的内部流动可以停止。然后，当在使第二有机溶液SL2的内部流动停止之后执行第二减压干燥阶段S400时，由此形成的有机层OL的膜厚度可以更均匀。

[0150] 通过总结和回顾，作为所谓的自发光显示装置的有机电致发光显示装置包括有机元件，所述有机元件由例如第一电极、设置在第一电极上的空穴传输层、设置在空穴传输层上的发光层、设置在发光层上的电子传输层和设置在电子传输层上的第二电极组成。

[0151] 为了设置诸如空穴传输层、发光层和电子传输层的多个有机层，可以使用真空蒸发方法，并且可以利用使用精细金属掩模(FMM)的精细金属掩模方法和使用喷墨打印的喷墨打印方法等。

[0152] 当使用喷墨打印方法来沉积多个有机层时，已经存在多个有机层的膜厚度已经不均匀的问题。最近，已经积极地进行了用于改善膜厚度的均匀性的研究。

[0153] 实施例提供了用于制造包括具有均匀厚度的有机层的显示装置的方法。

[0154] 根据实施例，用于制造显示装置的方法可以包括：提供其上设置有多个像素限定层的基底；在像素限定层之间提供第一有机溶液，第一有机溶液包括包含具有不同沸点的两种或更多种溶剂的混合溶剂以及溶解在混合溶剂中的有机溶质；在0.01托至1托的压力下执行第一减压干燥；以及在0.0001托至0.001托的压力下执行第二减压干燥。可以根据依据实施例的用于制造显示装置的方法来制造包括具有均匀厚度的有机层的显示装置。

[0155] 这里已经公开了示例实施例，并且尽管采用了特定术语，但仅以一般性和描述性的意义来使用和解释它们，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员将明显的是，自提交本申请之时起，结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者可与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合起来使用，除非另外特别地说明。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如在权利要求书中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。

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