专利汇可以提供一种圆片级深紫外LED的封装方式专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 为一种圆片级深紫外LED的封装方式。首先对深紫外LED芯片单元 外延 层边缘进行 刻蚀 ,并且刻蚀到衬底层,然后用绝缘层一对芯片除N层与P层 电极 接触 以外的地方进行绝缘包封,绝缘层一材料为SiO2或Si3N4,再通过溅射与 蒸发 工艺,制作 基板 焊接 电极 引出 电路 ,基板材料采用Si片或者陶瓷片,并将深紫外LED芯片通过表面贴片工艺焊接在基板上,另外在焊接有深紫外LED芯片的基板上沉积绝缘层二,用绝缘层二将基板与深紫外LED芯片进行包封,最后根据芯片尺寸,对基板进行 激光切割 。本发明使用简单的封装就可以使芯片整体与使用环境进行隔离,达到保护芯片的目的,同时本发明工艺简单,在保证深紫外LED的出光效率的前提下,大大降低了深紫外LED封装的成本。,下面是一种圆片级深紫外LED的封装方式专利的具体信息内容。
1.一种圆片级深紫外LED的封装方式,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、对深紫外LED芯片单元外延层边缘进行刻蚀,并且刻蚀到衬底层,衬底层的刻蚀深度大于0.05微米;
步骤二、用绝缘层一对芯片除N层与P层电极接触以外的地方进行绝缘包封,绝缘层一材料为SiO2或Si3N4,绝缘层一的厚度为1~2微米;
步骤三、通过溅射与蒸发工艺,制作基板焊接电极引出电路,基板材料采用Si片或者陶瓷片,基板尺寸为2英寸或大于2英寸;
步骤四、将深紫外LED芯片通过表面贴片工艺焊接在基板上,并在焊接有深紫外LED芯片的基板上沉积绝缘层二,用绝缘层二将基板与深紫外LED芯片进行包封;
步骤五、根据芯片尺寸,对基板进行激光切割。
2.根据权利要求1所述的一种圆片级深紫外LED的封装方式,其特征在于,在步骤一中,所述深紫外LED芯片单元刻蚀到衬底层的外延层边缘宽度为20~50微米。
3.根据权利要求1所述的一种圆片级深紫外LED的封装方式,其特征在于,在步骤四中,所述绝缘层二的沉积方式为在焊接有深紫外LED芯片的基板上整体沉积绝缘层二,或者在已焊接的深紫外LED芯片单元间隙沉积绝缘层二以包裹芯片的四周方式来保护芯片。
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