Preparing semiconductor device
专利汇可以提供Preparing semiconductor device专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To obtain a break-resistant tapered type etched pattern by providing a eaves-having positive type resist pattern, with the eaves being removed after an anisotropic plasma etching.
CONSTITUTION: A eaves-having resist pattern 2 is formed on the surface of Al 1 by use of double application of high and low sensitivity positive type photoresists together with the following exposure and development procedures. Then, an ion etching using BCl
3 produces a pattern precisely defined or shadowed by the dimensions of the eaves, with the etching proceeding at right angle to the surface of Al 1. At the midway of the ion etching, a gas for etching the photoresist is introduced. As a result, an Al wiring pattern having tapered side face is obtained. The so formed tapered pattern is very fine and yet very resistant against wiring breakage.
COPYRIGHT: (C)1980,JPO&Japio，下面是Preparing semiconductor device专利的具体信息内容。
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