专利汇可以提供一种基于薄液膜蒸发的近结冷却装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种基于薄液膜 蒸发 的近结冷却装置,属于 半导体 器件的冷却技术领域。包括玻璃盖板(9)和 硅 基板 (8)组成,其中玻璃盖板(9)包括 流体 入口(1)和蒸发区域(7)组成,硅基板(8)由入口蓄液槽(2),流道区域(3),出口蓄液槽(4),出口限高区域(5)和流体出口(6)组成。玻璃盖板(9)和硅基板(8)采用 阳极 键合技术封装完成,以确保蒸发区域(5)与流道区域(3)完整衔接。本 发明 在半导体器件的近结区域,利用液体薄液膜蒸发原理,实现对半导体器件 结温 的有效降低,具有换热系数大,蒸发效率高,满足高热流 密度 ,多热区同时存在的运行要求,为半导体器件的安全稳定运行提高一种新思路。,下面是一种基于薄液膜蒸发的近结冷却装置专利的具体信息内容。
1.一种基于薄液膜蒸发的近结冷却装置,其特征在于:包括玻璃盖板(9)和硅基板(8)组成,其中玻璃盖板(9)由流体入口(1)和蒸发区域(7)组成,且均为通孔,流体入口(1)与外部流体供应相连,玻璃基板(9)的中心为蒸发区域(7),无任何玻璃遮盖,便于气体蒸发溢出;
硅基板(8)包括入口蓄液槽(2)、流道区域(3)、出口蓄液槽(4)、出口限高区域(5)和流体出口(6),即在硅基板(8)的上表面中心长方形面积的区域为流道区域(3),流道区域(3)刻蚀有多道平行的细流道凹槽(31),在硅基板(8)上表面流道区域(3)一侧刻蚀有入口蓄液槽(2),另一侧刻蚀有出口蓄液槽(4),细流道凹槽(31)将入口蓄液槽(2)和出口蓄液槽(4)连通,入口蓄液槽(2)的一端刻蚀有连通的入口槽与流体入口(1)上下相对连通,在出口蓄液槽(4)的一端蚀有连通的出口限高区域(5)的凹槽,出口限高区域(5)的凹槽从硅基板(8)的侧面开成通槽形成流体出口(6);入口槽和出口限高区域(5)的凹槽位于硅基板(8)长方形上表面的对角上;入口蓄液槽(2)、出口蓄液槽(4)、细流道凹槽(31)的槽深相同即高度相同,出口限高区域(5)的凹槽的深度或高度小于或高于出口蓄液槽(4)的深度或高度。
2.按照权利要求1所述的一种基于薄液膜蒸发的近结冷却装置,其特征在于:蒸发区域(7)与流道区域(3)上下正相对应,薄液膜蒸发发生在此处;流道区域(3)与入口蓄液槽(2)和出口蓄液槽(4)相连通,流体经过入口蓄液槽(2),到达流道区域(3),再到达出口蓄液槽(4),最终经由出口限高区域(5),到达流体出口(6),完成蒸发冷却装置内的循环;玻璃盖板(9)和硅基板(8)采用阳极键合方式封装,保证流道区域(3)与蒸发区域(7)对应。
3.按照权利要求1所述的一种基于薄液膜蒸发的近结冷却装置,其特征在于:在流经流道区域(3)时,其中部分流体工质在流经流道区域(3)上表面发生薄液膜蒸发相变,一部分继续流动,经过出口蓄液槽(4),出口限高区域(5)和流体出口(6),最终到达装置外部的储液池。
4.按照权利要求1所述的一种基于薄液膜蒸发的近结冷却装置,其特征在于:整个蒸发冷却装置的玻璃盖板(9)的底面和硅基板(8)的上表面平行相对且贴合,以保证阳极键合密封性。
5.按照权利要求1所述的一种基于薄液膜蒸发的近结冷却装置,其特征在于:整个装置保持水平置于负压腔内,流体入口(1)经由泵与液体工质储液连接,流体出口(6)流出的液体工质流入液体工质储液中,同时相变形成的气体工质在负压腔内表面冷却再流入液体工质储液中,负压腔外表面可采用气体或液体冷却介质进行冷却。
6.按照权利要求1所述的一种基于薄液膜蒸发的近结冷却装置,其特征在于:硅基板(8)的出口限高区域(5)用来控制装置内液体薄膜的厚度,多余的流体由出口限高区域(5)的上半部开口部位流出,以确保整个流道区域(3)维持较薄的液膜厚度;玻璃盖板(9)的蒸发区域(7)用来散发蒸汽。
7.按照权利要求1所述的一种基于薄液膜蒸发的近结冷却装置,其特征在于:流体工质可分别选用FC-72、FHE-7100或者其他绝缘介电液流体,系统装置的材质选择玻璃、硅及硅的化合物或导热金属材料作为基材。
8.按照权利要求1所述的一种基于薄液膜蒸发的近结冷却装置,其特征在于:多道平行的细流道凹槽(31)采用两个相对靠近分为一组,多组平行,一组内两个细流道凹槽(31)间距相对较近,相邻两组两个细流道凹槽(31)间距相对较远;出口限高区域(5)的宽度小于入口槽的宽度。
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