一种夹胶电致变色器件及其制备方法
专利汇可以提供一种夹胶电致变色器件及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种夹胶 电致变色 器件及其制备方法，所述夹胶 电致变色器件 包括 自下而上 依次设置的第一衬底、第一透明导电层、电致变色层、离子层、离子存储层、第二透明导电层、离子阻挡层、隔离层、有机 缓冲层 、胶片和第二衬底；其中，所述胶片选用PVB胶片或者EVA胶片中的一种；且所述夹胶电致变色器件先通过磁控 溅射法 、 蒸发 镀 膜 等方法制备透明导电层、变色层、离子储存层和隔离层，再通过丝印印刷、涂布等工艺制备有机缓存层，并进一步通过PVB/EVA透明胶片来合成器件。本发明的优点在于：本发明夹胶电致变色器件具有很强的耐紫外的性能，能够具有很强的抗冲击性能，进而提高产品的使用寿命，同时，可以使电致变色产品轻薄化，实现规模化大面积的生产。，下面是一种夹胶电致变色器件及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种夹胶电致变色器件，其特征在于：所述夹胶电致变色器件包括自下而上依次设置的第一衬底、第一透明导电层、电致变色层、离子层、离子存储层、第二透明导电层、离子阻挡层、隔离层、有机缓冲层、胶片和第二衬底；其中，所述胶片选用PVB胶片或者EVA胶片中的一种。
2.一种权利要求1所述的夹胶电致变色器件的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：
（1）制备第一透明导电层：以清洁的高透明材料为第一衬底，并通过真空镀膜、蒸发镀膜或溶胶凝胶工艺在第一衬底的上表面形成一层厚度为20nm～400nm的透明导电薄膜，进而在第一衬底的上表面形成第一透明导电层；
（2）制备电致变色层：在第一透明导电层的表面采用镀膜方式镀上一层膜厚200nm～
600nm的电致变色薄膜，形成电致变色层；
（3）制备离子层：通过镀膜方式在电致变色层的表面镀上一层膜厚为10nm～300nm的金属锂离子层，进而形成离子层；
（4）制备离子存储层：采用镀膜工艺在离子层的表面镀上一层膜厚为150nm～650nm的离子存储薄膜，进而形成离子存储层；
（5）制备第二透明导电层：通过真空镀膜、蒸发镀膜或溶胶凝胶工艺在离子存储层的表面形成一层厚度为20nm～400nm的透明导电薄膜，进而在离子存储层的表面形成第二透明导电层；
（6）制备离子阻挡层：以Si/SiAl为靶材，采用磁控溅射镀膜工艺在第二透明导电层的表面沉积一层厚度为20nm～80nm的离子阻挡层；
（7）制备隔离层：以Si、Ti、Al、Nb、Ta或B中的一种或几种为靶材，采用磁控溅射镀膜工艺在离子阻挡层的表面沉积一层厚度为100nm～1000nm的隔离层；
（8）涂布有机缓冲层：采用辊涂、旋涂或丝网印刷工艺在隔离层表面涂布一层厚度为
0.3～0.8mm的有机缓冲层；
（9）胶片对位合片：将裁切好相应大小的PVB胶片或EVA胶片平铺在涂布有有机缓冲层的第一衬底和第二衬底中间，且两衬底的周边用夹具夹紧防止串；
（10）加热预压：合片后，利用真空密封胶条或真空袋进行真空抽气，抽真空压力为6千帕～105千帕，且真空抽气过程中对玻璃进行加热，加热温度：50～130℃，加热合片抽气时间为：20～40分钟；
（11）高压釜除泡：将抽气后的两衬底放置于高压釜中，关闭高压釜的舱门，将高压釜加热至55～150℃，同时通过冲入纯净的压缩空气调整压力为：8bar-15bar，进而通过高压釜的高温高压将合片在胶片内的空气排出。
3.根据权利要求2所述的夹胶电致变色器件的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）和步骤（5）中的透明导电薄膜选用方块电阻为5～15ohm，可见光平均透过率＞83%的透明导电薄膜，且所述透明导电层的透明导电薄膜选用ITO、AZO、BZO或FTO中的一种或几种。
4.根据权利要求2所述的夹胶电致变色器件的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中的电致变色薄膜选用WO3、MO3、Nb2O5或TiO2中的一种或几种。
5.根据权利要求2所述的夹胶电致变色器件的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中的金属锂离子层里掺杂有钽、铌或钴材料中的一种或几种。
6.根据权利要求2所述的夹胶电致变色器件的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中的离子存储薄膜选用NiOx或IrO2中的一种或几种。
7.根据权利要求2所述的夹胶电致变色器件的制备方法，其特征在于：所述步骤（6）中离子阻挡层的离子阻挡薄膜选用SiOx、Nb2O5、Ta2O5或SiAlOx中的一种或几种。
一种夹胶电致变色器件及其制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
（2）制备电致变色层：在第一透明导电层的表面采用镀膜方式镀上一层膜厚200nm～
600nm的电致变色薄膜，形成电致变色层；
（3）制备离子层：通过镀膜方式在电致变色层的表面镀上一层膜厚为10nm～300nm的金属锂离子层，进而形成离子层；
（4）制备离子存储层：采用镀膜工艺在离子层的表面镀上一层膜厚为150nm～650nm的离子存储薄膜，进而形成离子存储层；
（5）制备第二透明导电层：通过真空镀膜、蒸发镀膜或溶胶凝胶工艺在离子存储层的表面形成一层厚度为20nm～400nm的透明导电薄膜，进而在离子存储层的表面形成第二透明导电层；
（6）制备离子阻挡层：以Si/SiAl为靶材，采用磁控溅射镀膜工艺在第二透明导电层的表面沉积一层厚度为20nm～80nm的离子阻挡层；
（7）制备隔离层：以Si、Ti、Al、Nb、Ta或B中的一种或几种为靶材，采用磁控溅射镀膜工艺在离子阻挡层的表面沉积一层厚度为100nm～1000nm的隔离层；
（8）涂布有机缓冲层：采用辊涂、旋涂或丝网印刷工艺在隔离层表面涂布一层厚度为
0.3～0.8mm的有机缓冲层；
（9）胶片对位合片：将裁切好相应大小的PVB胶片或EVA胶片平铺在涂布有有机缓冲层的第一衬底和第二衬底中间，且两衬底的周边用夹具夹紧防止串；
（10）加热预压：合片后，利用真空密封胶条或真空袋进行真空抽气，抽真空压力为6千帕～105千帕，且真空抽气过程中对玻璃进行加热，加热温度：50～130℃，加热合片抽气时间为：20～40分钟；
（11）高压釜除泡：将抽气后的两衬底放置于高压釜中，关闭高压釜的舱门，将高压釜加热至55～150℃，同时通过冲入纯净的压缩空气调整压力为：8bar-15bar，进而通过高压釜的高温高压将合片在胶片内的空气排出。
（2）本发明夹胶电致变色器件的制备方法，先通过磁控溅射法、蒸发镀膜等方法制备透明导电层、变色层、离子储存层和隔离层，再通过丝印印刷、涂布等工艺制备有机缓存层，并进一步通过PVB透明胶片或EVA透明胶片来合成器件，制备方法简单、投入成本低、成品质量可控性高，可实现大面积产业化生产；此外，该生产工艺可以很好的兼容平面、曲面、柔性等产品，可以实现夹胶电致变色产品多元化；
（3）本发明夹胶电致变色器件的制备方法，其中，金属锂离子层里掺杂有钽、铌或钴材料中的一种或几种，能够有效提高离子层的特性。
附图说明
具体实施方式
15ohm，可见光平均透过率＞83%的ITO透明导电薄膜，进而在第一衬底1的上表面形成第一透明导电层2；
（2）制备电致变色层3：以金属钨为靶材，氧气为工作气体，氧气掺杂比例为2%～50%，采用双面磁控溅射镀膜工艺在第一透明导电层2的表面镀上一层膜厚200nm～600nm的WO3电致变色薄膜，形成电致变色层3；
（3）制备离子层4：通过镀膜方式在电致变色层3的表面镀上一层膜厚为10nm～300nm的金属锂离子层，进而形成离子层4；为了能够有效提高离子层的特性，在金属锂离子层里掺杂有钽、铌或钴材料中的一种或几种；
（4）制备离子存储层5：以金属钨为靶材，氧气为工作气体，氧气掺杂比例为0.5%～20%，采用磁控溅射镀膜工艺在离子层4的表面镀上一层膜厚为150nm～650nm的NiOx离子存储薄膜，进而形成离子存储层5；
（5）制备第二透明导电层6：通过真空镀膜、蒸发镀膜或溶胶凝胶工艺在离子存储层5的表面形成一层厚度为20nm～400nm的方块电阻为5～15ohm，可见光平均透过率＞83%的ITO透明导电薄膜，进而在离子存储层5的表面形成第二透明导电层6；
（6）制备离子阻挡层7：以Si/SiAl为靶材，采用磁控溅射镀膜工艺在第二透明导电层6的表面沉积一层厚度为20nm～80nm的离子阻挡层7，且离子阻挡层7的离子阻挡膜选用SiOx；
（7）制备隔离层8：以Si、Ti、Al、Nb、Ta或B中的一种或几种为靶材，采用磁控溅射镀膜工艺在离子阻挡层的表面沉积一层厚度为100nm～1000nm的隔离层8；
（8）涂布有机缓冲层9：采用辊涂、旋涂或丝网印刷工艺在隔离层8表面涂布一层厚度为
0.3～0.8mm的有机缓冲层9；
（9）PVB胶片对位合片：将裁切好相应大小的PVB胶片10平铺在涂布有有机缓冲层9的第一衬底1和第二衬底11中间，且两衬底的周边用夹具夹紧防止串；
（10）加热预压：合片后，利用真空密封胶条或真空袋进行真空抽气，抽真空压力为6千帕～105千帕，且真空抽气过程中对玻璃进行加热，加热温度：50～130℃，加热合片抽气时间为：20～40分钟；
（11）高压釜除泡：将抽气后的两衬底放置于高压釜中，关闭高压釜的舱门，将高压釜加热至55～150℃，同时通过冲入纯净的压缩空气调整压力为：8bar-15bar，进而通过高压釜的高温高压将合片在胶片内的空气排出。
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