Superconducting element having magneto-resistance effect and manufacture thereof
专利汇可以提供Superconducting element having magneto-resistance effect and manufacture thereof专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To obtain a superconducting element having a magneto-resistance effect, which can increase a signal-to-noise ratio, by alternately arranging in a row on a substrate superconducting portions, having a large critical current density, and weak connecting portions, having a small critical current density.
CONSTITUTION: A Si thin film 11 is deposited on a SrTiO
3 substrate 10, and is processed by a dry etching technique, so that there are produced fine patterns. When the substrate is maintained at a temperature of 650 degrees Centigrade, and a Y
1 Ba
2 Cu
3 O
7-x (thin film (a superconducting thin film) 13 is deposited on the substrate by controlling in such a manner that the composition ratio of this thin film can be Y:Ba
2 :Cu=1:2:3. Next, the superconducting thin film 13 is fully oxidized by decreasing the temperature of the sub strate to 500 degrees Centigrade. By causing Si elements to be diffused from a Si thin film 12, parts of the super-conducting thin film which are laid on the Si thin film 11 become weak connecting portions 13b, and the other parts become superconducting portions 13a. Accordingly, a superconducting element having a magneto-resistance effect is provided with the superconducting portions and weak connecting portions alternately arranged in a row, and hence it is possible to increase a signal-to-noise ratio because of the existence of a plurality of the weak connecting portions.
COPYRIGHT: (C)1993,JPO&Japio，下面是Superconducting element having magneto-resistance effect and manufacture thereof专利的具体信息内容。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、超電導磁気抵抗効果素子およびその製造方法に関し、より詳しくは、粒子間に弱結合状態を有する超電導材料によって構成される超電導磁気抵抗効果素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の超電導磁気抵抗効果素子としては、図８に示すようなものがある。 この超電導磁気抵抗効果素子は、粒子間に弱結合状態を有するＹ 1 Ｂa
2 Ｃu 2 Ｏ 7- xからなる超電導体(弱結合部)１０１と、その両側に設けられた電極１０２,１０３からなっている。
超電導体１０１は、原料微粉末を分散混合して９００℃
で仮焼成を行い、さらに粉砕、分散した後、プレス機で薄板状に成型し、１０００℃で本焼成して作製されている。 この超電導磁気抵抗効果素子は、図７に示すように、極めて弱い磁界Ｂ(数ガウス)で弱結合の超電導状態が破れて電気抵抗Ｒが現れ、電気抵抗Ｒが印加磁界Ｂの強さとともに急激に増加する。 したがって、半導体からなる磁気抵抗効果素子に比して、弱い磁界で高い感度を示すことができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来の超電導磁気抵抗効果素子は、超電導体(弱結合部)１
０１内にジョセフソン素子に相当するものが無秩序に配列されているためノイズが大きくなり、ＳＮ(シグナル／ノイズ)比を高めることができないという問題がある。 例えば、臨界電流密度が大きい超電導体(測定対象となる磁界の強さでは電気抵抗ゼロを維持する)の中に、臨界電流密度が小さい弱結合部を複数設けた場合、
ＳＮ比が大きくなって超電導磁気抵抗効果素子の感度が向上する。 しかしながら、上記従来の超電導磁気抵抗効果素子は、焼成によって弱結合部１０１が作製されているため、加工が困難であり、弱結合部１０１を規則的に配列することができない。 このため、ＳＮ比を高めることができない。
【０００４】そこで、この発明の目的は、ＳＮ比を高めることができる超電導磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、この発明の超電導磁気抵抗効果素子は、基板上に、
臨界電流密度が大きい超電導部と臨界電流密度が小さい弱結合部とが交互に複数連ねて設けられていることを特徴としている。
【０００６】また、上記弱結合部は、上記超電導部と同一組成を有する超電導薄膜に所定の元素をドープして構成されているのが望ましい。
【０００７】また、上記超電導部は所定の組成と結晶配向方向とを有する超電導薄膜からなり、上記弱結合部は上記超電導部と同一組成を有し結晶配向方向が異なる超電導薄膜からなるのが望ましい。
【０００８】また、この発明の超電導磁気抵抗効果素子の製造方法は、基板上に半導体膜または金属膜を複数箇所に離間させて設ける工程と、上記基板上に超電導薄膜を全面に設け、この超電導薄膜を上記複数の半導体膜または金属膜上を通るライン状のパターンに加工する工程と、上記各膜を設けた基板を熱処理して、上記半導体膜または金属膜を構成する元素を上記超電導薄膜に拡散させる工程を有して、上記超電導薄膜のうち上記半導体膜または金属膜上の部分を上記弱結合部とする一方、上記超電導薄膜のうち残りの部分を上記超電導部とするようにしたことを特徴としている。
【０００９】また、この発明の超電導磁気抵抗効果素子の製造方法は、基板上に超電導薄膜を全面に設け、この超電導薄膜をライン状のパターンに加工する工程と、フォトリソグラフィを行って、レジストを上記超電導薄膜上の複数箇所に離間させて設ける工程と、上記レジストをマスクとして上記超電導薄膜に所定の元素をイオン注入する工程を有して、上記超電導薄膜のうち上記レジストの隙間に相当する部分を上記弱結合部とする一方、上記超電導薄膜のうち残りの部分を上記超電導部とするようにしたことを特徴としている。
【００１０】また、この発明の超電導磁気抵抗効果素子の製造方法は、基板表面に、形成すべき超電導薄膜の結晶配向方向を変えることができる下地膜を複数箇所に離間させて設ける工程と、上記基板上に超電導薄膜を全面に設け、この超電導薄膜を上記複数の下地膜上を通るライン状のパターンに加工する工程を有して、上記超電導薄膜のうち上記基板上または下地膜上の部分を上記弱結合部とする一方、上記超電導薄膜のうち残りの部分を上記超電導部とするようにしたことを特徴としている。
【００１１】また、この発明の超電導磁気抵抗効果素子の製造方法は、第一の結晶面と、この第一の結晶面に交差し、形成すべき超電導薄膜の結晶配向方向を変えることができる第二の結晶面とが交互に複数連なり階段状をなしている基板表面に、超電導薄膜を全面に設ける工程と、上記超電導薄膜を上記第一の結晶面と第二の結晶面とがなす複数の段差を通るライン状のパターンに加工する工程を有して、上記超電導薄膜のうち上記第一の結晶面または第二の結晶面に接する部分を上記弱結合部とする一方、上記超電導薄膜のうち残りの部分を上記超電導部とするようにしたことを特徴としている。
【００１２】
【作用】この発明の超電導磁気抵抗効果素子は、基板上に臨界電流密度が大きい超電導部と臨界電流密度が小さい弱結合部とが交互に複数連ねて設けられている。 すなわち、弱結合部を複数有している。 したがって、ＳＮ比が大きくなって感度が向上する。
【００１３】また、上記弱結合部が超電導部と同一組成を有する超電導薄膜に所定の元素をドープして構成されている場合、上記超電導部と弱結合部とは、同一組成の超電導薄膜を用いて、連結された状態に簡単に形成される。 上記元素をドープするためには、上記元素を含む半導体膜または金属膜に上記超電導薄膜を接触させて設け、熱処理を行って上記元素を拡散させれば良い。 または、上記超電導薄膜上に所定のパターンでレジストを設け、上記元素をイオン注入すれば良い。
【００１４】また、上記超電導部は所定の組成と結晶配向方向を有する超電導薄膜からなり、上記弱結合部は上記超電導部と同一組成を有し結晶配向方向が異なる超電導薄膜からなる場合、同一組成の超電導薄膜を基板上の異なる面に形成することによって、上記超電導部と弱結合部とが連結された状態に簡単に形成される。 上記異なる面は、基板表面と、この基板表面に設けられ上記超電導薄膜の結晶配向方向を変えることができる下地膜表面とを選べば良い。 または、基板表面が、第一の結晶面と、この第一の結晶面に交差し、上記超電導薄膜の結晶配向方向を変えることができる第二の結晶面とが交互に複数連なり階段状をなしているものを選べば良い。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の超電導磁気抵抗効果素子およびその製造方法を実施例により詳細に説明する。
【００１６】図１は、この発明の第１実施例の超電導磁気抵抗効果素子の構造を示している。 この超電導磁気抵抗効果素子は、基板１０上に、臨界電流密度が大きい超電導部１３aと臨界電流密度が小さい弱結合部１３bとを交互に複数連ねて構成されている。
【００１７】この超電導磁気抵抗効果素子は次のようにして作製される。 まず、図２(a)に示すように、ＳrＴi
Ｏ 3 (１００)基板１０上に、電子ビーム蒸着法により、
厚さ１０００ÅのＳi薄膜１１を蒸着し、このＳi薄膜１
１を通常のフォトリソグラフィとドライエッチングにより、幅１μm、線間隔５μmの微細パターンに加工する
(なお、図２は図１におけるＩＩ−ＩＩ線矢視断面を示している。)。 次に、基板１０をチャンバ内に設置し、
基板温度を６５０℃に保持して、図２(b)に示すように、反応性蒸着法により、この上に厚さ１０００ÅのＹ
1 Ｂa 2 Ｃu 3 Ｏ 7- x薄膜(超電導薄膜)１３を組成比がＹ:Ｂ
a:Ｃu＝１:２:３となるように制御して蒸着する。 このとき、超電導薄膜１３が充分に酸化されるように、基板１０付近にオゾンを重量比で１０％含んだ酸素ガスを導入し、ＲＦ(高周波)プラズマを発生させながら蒸着を施す。 なお、ポンプ付近の真空度は２×１０ -4 Ｔorrであった。 次に、基板温度を一旦５００℃に下げてチャンバ内に酸素を圧力が３００Ｔorrになるように導入する。
この状態を１時間保持して、超電導薄膜１３を充分に酸化させる。 これにより、超電導薄膜１３にＳi薄膜１２
からＳi元素を拡散(ドープ)させて、超電導薄膜１３のうちＳi薄膜１１上の部分を弱結合部１３bとする一方、
超電導薄膜１３のうち残りの部分を超電導部１３aとする。 なお、超電導薄膜１３の下のＳi薄膜１１も同時に酸化され、絶縁性のあるＳiＯ 2薄膜１２になる。 基板１
０を自然冷却させた後、チャンバから取り出し、フォトリソグラフィとドライエッチングを行う。 そして、図２
(c)に示すように、超電導薄膜１３を複数のＳiＯ 2薄膜１２上を通る幅５μm、線間隔５μmのライン状パターン
(ミアンダパターン)に加工する。 これにより、幅５μ
m、長さ１μmの弱結合部１３bを５μm間隔で形成できる。
【００１８】実際に、Ｘ線回折とＳＥＭ観察を行ったところ、上記Ｙ 1 Ｂa 2 Ｃu 3 Ｏ 7- x薄膜１３のうちＳrＴiＯ
3 (１００)基板１１上に形成された部分(超電導部)１３a
は、粒界のない完全な単結晶薄膜になっていた。 臨界温度は９０Ｋ、臨界電流密度は３×１０ 6 Ａ／cm 2 (Ｔ＝７
７Ｋ)であった。 また、測定温度７７Ｋ、印加電流２０m
Ａで１０００ガウスまでの磁場印加を行ったところ、抵抗温度特性の磁場によるブロードニングは全く起こらなかった。 一方、上記Ｙ 1 Ｂa 2 Ｃu 3 Ｏ 7- x薄膜１３のうちＳ
i薄膜１１上に形成された部分(弱結合部)１３bは、Ｓi
ないしはＳiＯ 2の拡散により、超電導部１３aよりも弱結合状態になっており、臨界温度は８０Ｋ、臨界電流密度は１×１０ 3 Ａ／cm 2 (Ｔ＝７７Ｋ)であった。 また、測定温度７７Ｋ、印加電流２０mＡで１００ガウスまでの磁場印加で、抵抗温度特性の磁場によるブロードニングが見られ、弱磁場でも超電導性が壊れることがわかった。
【００１９】図３は、この素子の磁気抵抗特性を示している。 磁気感度測定を行った結果、測定温度７７Ｋ、印加電流２０mＡで磁電変換率(シグナル)は１００mＶ／ｇ
ａｕｓｓ、雑音特性（ノイズ)は２０nＶ／√Ｈz[at １
００Ｈz]、磁気検出感度(Ｓ／Ｎ比)は２×１０ -8 gauss
／√Ｈz[at １００Ｈz]となった。 このようにＳ／Ｎ比を高めることができた。
【００２０】なお、この例では基板１１の材料としてＳ
rＴiＯ 3 (１００)を用いたが、ＳrＴiＯ 3 (１１０)、Ｍg
Ｏ(１００)、ＹＳＺ(１００)などを用いていも同様の結果が得られる。 また、超電導薄膜１３にドープする元素として、この例ではＳiを用いたが、Ａl、Ｆe等を用いても同様な結果が得られる。
【００２１】図４は第２実施例の超電導磁気抵抗効果素子の作製工程を示している。 同図(a)に示すように、Ｓr
ＴiＯ 3 (１００)基板４０上に、反応性蒸着法により、Ｙ
1 Ｂa 2 Ｃu 3 Ｏ 7- x薄膜(超電導薄膜)４１を全面に設け、この超電導薄膜４１を幅５μm、線間隔５μmのミアンダパターンに加工する。 次に、同図(b)に示すように、フォトリソグラフィを行って、幅５μm、レジスト間隔１μm
のレジスト４２を超電導薄膜４１に交差するように形成する。 次に、基板４０をチャンバ内に設置し、基板温度を２００℃に保持する。 この状態で、イオンビーム銃を用いて、レジスト４２をマスクとして超電導薄膜４１のうちレジスト４２の隙間に相当する部分に窒素イオン４
３を注入(ドープ)する。 これにより、超電導薄膜４１のうちレジスト４２の隙間に相当する部分を弱結合部４１
bとする一方、超電導薄膜４１のうち残りの部分を超電導部４１aとする。 その後、レジストを剥離する。 これにより、第１実施例と同様に、幅５μm、長さ１μmの弱結合部４１bを５μm間隔で形成できる。 磁気検出感度
(Ｓ／Ｎ比)を測定したところ、上に述べた第１実施例の超電導磁気抵抗素子と同様の結果が得られた。
【００２２】なお、この例では、超電導薄膜４１にドープする材料として窒素を用いたが、Ａr、Ｈ 2 、Ｃl 2でも同様の結果が得られた。
【００２３】上記第１実施例、第２実施例の超電導磁気抵抗効果素子では、超電導薄膜１３,４１にＳi、窒素などの元素をドープして弱結合部１３b,４１bを作製したが、超電導体の電気的異方性を利用することによっても弱結合部を作製することができる。 Ｙ 1 Ｂa 2 Ｃu 3 Ｏ 7- x系等の結晶構造においては、c軸方向とab面内とでは、c軸方向の方が臨界電流密度が１００倍ほど大きい。 よって、同一組成の超電導薄膜にc軸配向の部分とa軸配向の部分とを交互に設けることにより、超電導部と弱結合部とを交互に複数連ねることができる。 次に、このようにした例について述べる。
【００２４】図５は、第３実施例の超電導磁気抵抗効果素子の構造を示している。 この超電導磁気抵抗効果素子を作製する場合、まず、ＳrＴiＯ 3 (１００)基板５０上に、下地膜としてＬaＳrＧaＯ 4 (１００)薄膜５１を蒸着し、フォトリソグラフィとドライエッチングにより、幅１μm、線間隔５μmにパターン化する。 次に、その上に、反応性蒸着法により、Ｙ 1 Ｂa 2 Ｃu 3 Ｏ 7- x薄膜(超電導薄膜)５２を全面に蒸着し、フォトリソグラフィおよびドライエッチングを行って、上記複数のＬaＳrＧaＯ 4
(１００)薄膜５１に交差するミアンダパターンに加工する。 このとき、Ｙ 1 Ｂa 2 Ｃu 3 Ｏ 7- x薄膜５２のうちＬaＳr
ＧaＯ 4 (１００)薄膜５１上の部分５２bはa軸配向する一方、Ｙ 1 Ｂa 2 Ｃu 3 Ｏ 7- x薄膜５２のうちＳrＴiＯ 3 (１０
０)基板上の部分５２aはc軸配向する。 したがって、超電導薄膜５２を超電導部５２aと弱結合部５２bとが交互に複数連なる状態に構成することができる。 これにより、第１実施例、第２実施例と同様に、幅５μm、長さ１μmの弱結合部５２bを５μm間隔で形成できる。 この素子の磁気検出感度を測定したところ、第１実施例、第２実施例の超電導磁気抵抗効果素子と同様の結果が得られた。
【００２５】図６は、第４実施例の超電導磁気抵抗効果素子の構造を示している。 この例では、同一基板６０の異なる結晶面６０a,６０bに超電導薄膜６２を設けることにより、超電導薄膜６２にc軸配向の部分６２aとa軸配向の部分６２bとを設けている。 すなわち、[０１０]
方向に５〜１０°オフさせたＳrＴiＯ 3 (１００)基板６
０を用いる。 図に示すように、基板６０の表面は、(１
００)面(第１の結晶面)６０aと(０１０)面(第２の結晶面)６０bとが交互に複数連なる状態となっている。 この基板表面に、反応性蒸着法により、Ｙ 1 Ｂa 2 Ｃu 3 Ｏ 7- x薄膜６２を全面に蒸着する。 基板表面の結晶方位に応じて、Ｙ 1 Ｂa 2 Ｃu 3 Ｏ 7- x薄膜のうち(０１０)面６０bに接する部分はa軸配向となる一方、Ｙ 1 Ｂa 2 Ｃu 3 Ｏ 7- x薄膜６２のうち残りの部分６２aがc軸配向となる。 次に、フォトリソグラフィとドライエッチングを行って、超電導薄膜６２を上記(１００)面６０aと(０１０)面６０bとがなす複数の段差を通るミアンダパターンに加工する。 これにより、超電導薄膜６２を超電導部６２aと弱結合部６２bとが交互に複数連なる状態に構成する。 第１実施例乃至第３実施例と同様に、幅５μm、長さ１μmの弱結合部６２bを５μm間隔で形成できる。 この素子の磁気検出感度を測定したところ、第１実施例乃至第３実施例と同様の結果が得られた。
【００２６】なお、上記各実施例では、超電導薄膜としていずれもＹ 1 Ｂa 2 Ｃu 3 Ｏ 7- x薄膜を用いたが、当然ながら、この組成に限定されるものではない。 他の酸化物超電導体、例えば(Ｌa 1- xＭx) 2 ＣuＯ 4 (Ｍ＝Ｂa,Ｓr,Ｃ
a)、Ｌn 1 Ｂa 2 Ｃu 3 Ｏ 7- x、Ｌn 5 Ｂa 6 Ｃu 11 Ｏx(Ｌn＝Ｎd,
Ｐm,Ｓm,Ｅu,Ｇd,Ｄy,Ｈo,Ｅr,Ｔm,Ｙb)、Ｂi 2 Ｓr 2 Ｃa
2 Ｃu 3 Ｏ 10 、Ｂi 1 . 7 Ｐb 0 . 2 Ｓb 0 . 1 Ｃa 2 . 0 Ｓr 2 . 0 Ｃu 2 . 8 Ｏ
x、(Ｂi 0 . 7 Ｐb 0 . 3 ) 2 Ｓr 2 Ｃa 2 Ｃu 3 Ｏ 10 、Ｔl 2 Ｂa 2 Ｃa 2 Ｃ
u 3 Ｏ 10 、Ｂa 1- xＫxＢiＯ 3 、Ｎd 2- xＣexＣuＯ 4- y等を用いることができる。
【００２７】また、基板上に超電導薄膜を設けるために、反応性蒸着法を用いたが、これに限定されるものではなく、スパッタ法、レーザーアブレーション法、ＣＶ
Ｄ法等を用いることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の超電導磁気抵抗効果素子は、基板上に、超電導部と弱結合部とが交互に複数連ねて設けられ、弱結合部を複数有しているのでＳＮ比を高めることができる。
【００２９】また、上記弱結合部が超電導部と同一組成を有する超電導薄膜に所定の元素をドープして構成されている場合、上記弱結合部と超電導部とを同一組成の超電導薄膜を用いて、連結された状態に簡単に形成することができる。
【００３０】また、上記超電導部は所定の組成と結晶配向方向を有する超電導薄膜からなり、上記弱結合部は上記超電導部と同一組成を有し結晶配向方向が異なる超電導薄膜からなる場合、同一組成の超電導薄膜を基板上の異なる面に形成することによって、上記超電導部と弱結合部とを連結された状態で簡単に形成することができる。
【００３１】また、この発明の超電導磁気抵抗効果素子の製造方法は、基板上に半導体膜または金属膜を複数箇所に離間させて設ける工程と、上記基板上に超電導薄膜を全面に設け、この超電導薄膜を上記複数の半導体膜または金属膜上を通るライン状のパターンに加工する工程と、上記各膜を設けた基板を熱処理して、上記半導体膜または金属膜を構成する元素を上記超電導薄膜に拡散させる工程を有して、上記超電導薄膜のうち上記半導体膜または金属膜上の部分を上記弱結合部とする一方、上記超電導薄膜のうち残りの部分を上記超電導部とするようにしているので、基板上に複数の弱結合部を有し、ＳＮ
比が高い超電導磁気抵抗効果素子を作製することができる。
【００３２】また、この発明の超電導磁気抵抗効果素子の製造方法は、基板上に超電導薄膜を全面に設け、この超電導薄膜をライン状のパターンに加工する工程と、フォトリソグラフィを行って、レジストを上記超電導薄膜上の複数箇所に離間させて設ける工程と、上記レジストをマスクとして上記超電導薄膜に所定の元素をイオン注入する工程を有して、上記超電導薄膜のうち上記レジストの隙間に相当する部分を上記弱結合部とする一方、上記超電導薄膜のうち残りの部分を上記超電導部とするようにしているので、基板上に複数の弱結合部を有し、Ｓ
Ｎ比が高い超電導磁気抵抗効果素子を作製することができる。
【００３３】また、この発明の超電導磁気抵抗効果素子の製造方法は、基板表面に、形成すべき超電導薄膜の結晶配向方向を変えることができる下地膜を複数箇所に離間させて設ける工程と、上記基板上に超電導薄膜を全面に設け、この超電導薄膜を上記複数の下地膜上を通るライン状のパターンに加工する工程を有して、上記超電導薄膜のうち上記基板上または下地膜上の部分を上記弱結合部とする一方、上記超電導薄膜のうち残りの部分を上記超電導部とするようにしているので、基板上に複数の弱結合部を有し、ＳＮ比が高い超電導磁気抵抗効果素子を作製することができる。
【００３４】また、この発明の超電導磁気抵抗効果素子の製造方法は、第一の結晶面と、この第一の結晶面に交差し、形成すべき超電導薄膜の結晶配向方向を変えることができる第二の結晶面とが交互に複数連なり階段状をなしている基板表面に、超電導薄膜を全面に設ける工程と、上記超電導薄膜を上記第一の結晶面と第二の結晶面とがなす複数の段差を通るライン状のパターンに加工する工程を有して、上記超電導薄膜のうち上記第一の結晶面または第二の結晶面に接する部分を上記弱結合部とする一方、上記超電導薄膜のうち残りの部分を上記超電導部とするようにしているので、基板上に複数の弱結合部を有し、ＳＮ比が高い超電導磁気抵抗効果素子を作製することができる。
【図１】 この発明の第１実施例の超電導磁気抵抗効果素子の構造を示す図である。
【図２】 上記超電導磁気抵抗効果素子の作製過程を示す図である。
【図３】 上記超電導磁気抵抗効果素子の磁気抵抗特性を示す図である。
【図４】 この発明の第２実施例の超電導磁気抵抗効果素子の作製過程を示す図である。
【図５】 この発明の第３実施例の超電導磁気抵抗効果素子の構造を示す図である。
【図６】 この発明の第４実施例の超電導磁気抵抗効果素子の構造を示す図である。
【図７】 従来の超電導磁気抵抗効果素子の磁気抵抗特性を示す図である。
【図８】 従来の超電導磁気抵抗効果素子の構造を示す図である。
１０,４０,５０,６０ ＳrＴiＯ 3 (１００)基板 １１ Ｓi薄膜 １２ ＳiＯ 2膜 １３,４１,５２,６２ Ｙ 1 Ｂa 2 Ｃu 2 Ｏ 7- x薄膜 １３a,４１a,５２a,６２a 超電導部 １３b,４１b,５２b,６２b 弱結合部 ４２ レジスト ４３ 窒素イオン
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