专利汇可以提供柠檬酸根辅助氟掺杂三元纳米片/聚吡咯的制备方法及产品和应用专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供 柠檬酸 根辅助氟掺杂三元纳米片/聚吡咯的制备方法及其产品和应用,其表述为LiNi1-x-yCoxMnyO2-zFz/ppy,其中0 热处理 低温溶液法制备氟掺杂NCM纳米片,氟掺杂NCM纳米片具有较大的 比表面积 ,与导电 聚合物 ppy通过复合,提高了材料的导电率,进而提高了材料的电化学性能。在1C倍率下的 循环寿命 图,首次放电 比容量 为175 mAh/g,经过50次循环后放电比容量相对较稳定,为151 mAh/g。,下面是柠檬酸根辅助氟掺杂三元纳米片/聚吡咯的制备方法及产品和应用专利的具体信息内容。
1.一种柠檬酸根辅助氟掺杂三元纳米片/聚吡咯的制备方法,其表述为LiNi1-x-yCoxMnyO2-zFz/ppy,其中0
(1)按摩尔量比1:1-x-y: x:y:z将锂盐、镍盐、钴盐、锰盐和氟化锂加入到40 mL去离子水中,磁力搅拌至分散均匀,得溶液A;
(2)将六次甲基四胺和柠檬酸盐按摩尔比10:1加入上述溶液A中,继续搅拌至完全溶解得溶液B;
(3)将溶液B在油浴90 110 ℃条件下磁力搅拌回流6 10 h得反应物;
~ ~
(4)将上述反应物冷却,所得的黑色沉淀分别用去离子水和乙醇反复洗涤,然后将其放入真空烘箱中60 80 ℃过夜干燥,得干燥物;
~
(5)将上述干燥物置于马弗炉中,500 700 ℃进行煅烧5 8 h,得氟掺杂三元纳米片材~ ~
料;
(6)将氟掺杂三元纳米片溶到无水乙醇中,并向其中加入0.05 mL吡咯单体,在黑暗条件下进行聚合反应5 7 h得样品;
~
(7)该样品用乙醇和去离子水洗涤2 3次,60 80℃过夜真空干燥,得目标产物柠檬酸根~ ~
辅助氟掺杂三元纳米片/聚吡咯。
2.根据权利要求1所述柠檬酸根辅助氟掺杂三元纳米片/聚吡咯的制备方法,其特征在于所述的锂盐为硝酸锂、醋酸锂、柠檬酸锂、甲酸锂、乳酸锂中的一种或其组合。
3.根据权利要求1所述柠檬酸根辅助氟掺杂三元纳米片/聚吡咯的制备方法,其特征在于所述的镍盐硝酸镍、醋酸镍或草酸镍中的一种或其组合。
4.根据权利要求1所述柠檬酸根辅助氟掺杂三元纳米片/聚吡咯的制备方法,其特征在于所述的钴盐硝酸钴、醋酸钴或草酸钴中的一种或其组合。
5.根据权利要求1所述柠檬酸辅助氟掺杂三元纳米片/聚吡咯的制备方法,其特征在于所述的锰盐硝酸锰、醋酸锰或草酸锰中的一种或其组合。
6.根据权利要求1所述柠檬酸根辅助氟掺杂三元纳米片/聚吡咯的制备方法,其特征在于所述的柠檬酸盐柠檬酸钠、柠檬酸钾或柠檬酸锂中的一种或其组合。
7.一种柠檬酸根辅助氟掺杂三元纳米片/聚吡咯,其特征在于根据权利要求1-6任一所述方法制备得到。
8.一种根据权利要求7所述氟掺杂三元纳米片/聚吡咯在锂离子电池中作为正极材料的应用。
和应用
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