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一种秋海棠的盆栽方法

阅读:0发布:2021-01-09

专利汇可以提供一种秋海棠的盆栽方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种秋海棠的盆栽方法,包括以下步骤:1)、扦插:将健壮的茎部顶端做插穗,培育植株;2)、移盆:将培育好的植株移入盆中,并配制盆栽土;3)、养护:控制秋海棠的日晒、浇 水 ,并适时进行摘心 修剪 ,并 预防 虫害。本发明根据秋海棠的生长特性,控制环境 温度 、湿度以及光照,让秋海棠可以快速生长开花;本发明使用烟蒂和烟丝浸泡的水溶液为 杀虫剂 ,烟蒂和烟丝主要有效成分是烟 碱 俗称尼古丁是 烟草 特有的,属于吡啶族 生物 碱,对 害虫 有胃毒、触杀和熏蒸作用还有杀卵作用,烟碱易挥发故残效期较短对 植物 药害 轻。,下面是一种秋海棠的盆栽方法专利的具体信息内容。

1.一种秋海棠的盆栽方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)、扦插
扦插用基质由以下重量份的原料组成:细河沙10-15份、珍珠岩3-6份、砻糠灰3-5份;选取健壮的不带花芽的茎部顶端做插穗,保持空气湿度50%-80%,保持室内温度20-22℃,浇透一次,经过10-25天愈合生根,再经过一个月可长出几片小叶,得到可移盆的植株;
2)、移盆
盆栽土由以下重量份的原料组成:园土10-15份、腐叶土10-15份、松麟5-7份、锯末3-6份、骨粉1份;将以上所述重量份的原料均匀混合后,用福尔林溶液或高锰酸溶液喷施至湿透,再封盖3-4日,得到所述盆栽土;
将步骤1)中得到的植株栽入盆栽土中,每隔15-25天往盆栽土上喷洒稀释过的肥水,并注意避免喷到叶片
3)、养护
日晒:温度高于30℃时避免植株受到阳光直射,采用散射光照,温度不高于30℃时让植株接受长日照;
浇水:每隔1日或每日向叶面及花盆周围喷洒水雾,每隔1-2日向盆栽土表面喷水,喷到盆栽土表面湿润为止;
修剪:当小苗高6-8cm时摘心,开花前30-45天进行轻剪,开花后及时将残花和连接残花的一节嫩茎剪去;
灭虫:将烟蒂、烟丝用水浸泡1-2天,待水变成深褐色时,将一部分水洒在花茎、花叶,其余的加入5倍清水稀释后浇到盆栽土里;盆栽中出现小飞虫时,用单头签有棉球的一头饱蘸敌敌畏,然后另一头插在植株周围的盆栽土中,飞虫即可消灭。
2.根据权利要求1所述的一种秋海棠的盆栽方法,其特征在于:所述插穗长10-15cm,带
2-3个芽,插穗插入基质的深度为3-7cm。
3.根据权利要求1所述的一种秋海棠的盆栽方法,其特征在于:所述骨粉为鱼骨、猪骨、鸡骨的混合骨头磨成的粉末。
4.根据权利要求1所述的一种秋海棠的盆栽方法,其特征在于:所述福尔马林溶液为稀释两百倍的稀溶液,所述高锰酸钾溶液为0.3%的稀溶液。
5.根据权利要求1所述的一种秋海棠的盆栽方法,其特征在于:所述肥水为发酵过的淘米水。
6.根据权利要求1所述的一种秋海棠的盆栽方法,其特征在于:所述扦插时间为4-5月份。

说明书全文

一种秋海棠的盆栽方法

技术领域

[0001] 本发明涉及花卉栽培方法领域,特别是一种秋海棠的盆栽方法。

背景技术

[0002] 秋海棠科秋海棠属多年生草本植物,分布中国河北、河南、湖北、福建等地。多生长在山谷潮湿石壁上、密林、灌丛中,该种花、叶、茎、根均可入药。秋海棠因为其花形多姿,叶色柔媚受到人们的喜爱。盆栽秋海棠常用来点缀客厅、橱窗或装点家庭窗台、阳台、茶几等地方。秋海棠盆栽种植过程中由于种植方法不当容易出现徒长或病虫害。

发明内容

[0003] 针对现有技术存在的不足,本发明的目的是提供一种秋海棠的盆栽方法。
[0004] 为了达到上述目的,本发明提供的技术方案如下:
[0005] 一种秋海棠的盆栽方法,包括以下步骤:
[0006] 1)、扦插
[0007] 扦插用基质由以下重量份的原料组成:细河沙10-15份、珍珠岩3-5份、砻糠灰3-6份;选取健壮的不带花芽的茎部顶端做插穗,保持空气湿度50%-80%,保持室内温度20-22℃,浇透一次,经过10-25天愈合生根,再经过一个月可长出几片小叶,得到可移盆的植株;
[0008] 2)、移盆
[0009] 盆栽土由以下重量份的原料组成:园土10-15份、腐叶土10-15份、松麟5-7份、锯末3-6份、骨粉1份;将以上所述重量份的原料均匀混合后,用福尔林溶液或高锰酸溶液喷施至湿透,再封盖3-4日,得到所述盆栽土;
[0010] 将步骤1)中得到的植株栽入盆栽土中,以盆栽土刚好覆盖根系为宜,每隔15-25天往盆栽土上喷洒稀释过的肥水,并注意避免喷到叶片
[0011] 3)、养护
[0012] 日晒:温度高于30℃时避免植株受到阳光直射,采用散射光照,温度不高于30℃时让植株接受长日照;
[0013] 浇水:每隔1日或每日向叶面及花盆周围喷洒水雾,每隔1-2日向盆栽土表面喷水,喷到盆栽土表面湿润为止;
[0014] 修剪:当小苗高6-8cm时摘心,促进分枝,开花前30-45天进行轻剪,促使分枝早开花,开花后及时将残花和连接残花的一节嫩茎剪去,促使下部枝条腋芽萌发;
[0015] 灭虫:将烟蒂、烟丝用水浸泡1-2天,待水变成深褐色时,将一部分水洒在花茎、花叶,其余的加入5倍清水稀释后浇到盆栽土里,以不让盆栽土渍水为度;盆栽中出现小飞虫时,用单头签有棉球的一头饱蘸敌敌畏,以不滴下来为度,然后另一头插在植株周围的盆栽土中,飞虫即可消灭。
[0016] 优选地,所述插穗长10-15cm,带2-3个芽,插穗插入基质的深度为3-7cm。
[0017] 优选地,所述骨粉为鱼骨、猪骨、鸡骨的混合骨头磨成的粉末。
[0018] 优选地,所述福尔马林溶液为稀释两百倍的稀溶液,所述高锰酸钾溶液为0.3%的稀溶液。
[0019] 优选地,所述肥水为发酵过的淘米水。
[0020] 优选地,所述扦插时间为4-5月份。
[0021] 本发明的有益效果:本发明根据秋海棠的生长特性,控制环境温度、湿度以及光照,让秋海棠可以快速生长开花;本发明使用烟蒂和烟丝浸泡的水溶液为杀虫剂,烟蒂和烟丝主要有效成分是烟俗称尼古丁是烟草特有的,属于吡啶族生物碱,对害虫有胃毒、触杀和熏蒸作用还有杀卵作用,烟碱易挥发故残效期较短对植物药害轻。

具体实施方式

[0022] 实施例1
[0023] 一种秋海棠的盆栽方法,包括以下步骤:
[0024] 1)、扦插
[0025] 扦插用基质由以下重量份的原料组成:细河沙10份、珍珠岩3份、砻糠灰3份;4月份时,选取健壮的不带花芽的茎部顶端做插穗,所述插穗长10cm,带2个芽,插穗插入基质的深度为4cm,保持空气湿度80%,保持室内温度22℃,浇透水一次,经过17天愈合生根,再经过一个月长出几片小叶,得到可移盆的植株;
[0026] 2)、移盆
[0027] 盆栽土由以下重量份的原料组成:园土10份、腐叶土10份、松麟5份、锯末3份、骨粉1份;将以上所述重量份的原料均匀混合后,用福尔马林溶液200倍喷施至湿透,再封盖4日,得到所述盆栽土;
[0028] 将步骤1)中得到的植株栽入盆栽土中,以盆栽土刚好覆盖根系为宜,每隔20天往盆栽土上喷洒稀释过的发酵淘米水,并注意避免喷到叶片;
[0029] 3)、养护
[0030] 日晒:温度高于30℃时避免植株受到阳光直射,采用散射光照,温度不高于30℃时让植株接受长日照;
[0031] 浇水:每隔1日向叶面及花盆周围喷洒水雾,每隔2日向盆栽土表面喷水,喷到盆栽土表面湿润为止;
[0032] 修剪:当小苗高6cm时摘心,促进分枝,开花前30天进行轻剪,促使分枝早开花,开花后及时将残花和连接残花的一节嫩茎剪去,促使下部枝条腋芽萌发;
[0033] 灭虫:将烟蒂、烟丝用水浸泡2天,待水变成深褐色时,将一部分水洒在花茎、花叶,其余的加入5倍清水稀释后浇到盆栽土里,以不让盆栽土渍水为度;盆栽中出现小飞虫时,用单头棉签有棉球的一头饱蘸敌敌畏,以不滴下来为度,然后另一头插在植株周围的盆栽土中,飞虫即可消灭。
[0034] 实施例2
[0035] 一种秋海棠的盆栽方法,其特征在于,包括以下步骤:
[0036] 1)、扦插
[0037] 扦插用基质由以下重量份的原料组成:细河沙15份、珍珠岩6份、砻糠灰5份;5月份时,选取健壮的不带花芽的茎部顶端做插穗,所述插穗长15cm,带2个芽,插穗插入基质的深度为7cm,保持空气湿度70%,保持室内温度20℃,浇透水一次,经过25天愈合生根,再经过一个月可长出几片小叶,得到可移盆的植株;
[0038] 2)、移盆
[0039] 盆栽土由以下重量份的原料组成:园土15份、腐叶土12份、松麟7份、锯末5份、骨粉1份;将以上所述重量份的原料均匀混合后,用0.3%的高锰酸钾溶液喷施至湿透,再封盖4日,得到所述盆栽土;
[0040] 将步骤1)中得到的植株栽入盆栽土中,以盆栽土刚好覆盖根系为宜,每隔20天往盆栽土上喷洒稀释过的肥水,并注意避免喷到叶片;
[0041] 3)、养护
[0042] 日晒:温度高于30℃时避免植株受到阳光直射,采用散射光照,温度不高于30℃时让植株接受长日照;
[0043] 浇水:每日向叶面及花盆周围喷洒水雾,每隔2日向盆栽土表面喷水,喷到盆栽土表面湿润为止;
[0044] 修剪:当小苗高8cm时摘心,促进分枝,开花前45天进行轻剪,促使分枝早开花,开花后及时将残花和连接残花的一节嫩茎剪去,促使下部枝条腋芽萌发;
[0045] 灭虫:将烟蒂、烟丝用水浸泡2天,待水变成深褐色时,将一部分水洒在花茎、花叶,其余的加入5倍清水稀释后浇到盆栽土里,以不让盆栽土渍水为度;盆栽中出现小飞虫时,用单头棉签有棉球的一头饱蘸敌敌畏,以不滴下来为度,然后另一头插在植株周围的盆栽土中,飞虫即可消灭。
[0046] 以上所述仅是本发明的优选实施方式,并不是对本发明专利范围的限制,凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下的若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
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