专利汇可以提供高亮度發光二極體及其製作方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本發明係關於一種高 亮度 發光二極體及其製作方法,特別是關於一種以含氮的化合物半導體 薄膜 作為其透光窗戶層(window layer)的發光二極體。本發明主要係在磷化鋁傢銦雙異質結構上成長一含氮的化合物半導體以作為發光二極體的窗戶層,由於此含氮化合物的 能隙 大於活性層所發出的光,且能隙較磷化鎵低,使其易於摻雜及製作金屬歐姆電極,因此適合用以製作窗戶層,藉以提高發光二極體的發光效率。此外,此含氮的化合物半導體可以現有的磊晶技術或有機金屬化學氣相沈積法成長,故可進行量產,具有產業上的價值。,下面是高亮度發光二極體及其製作方法专利的具体信息内容。
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