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一种 太阳能 电池及其背 电极

阅读：956发布：2020-05-12

专利汇可以提供一种太阳能电池及其背电极专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型实施例提供一种太阳能电池及其背电极，该背电极包括：上下设置的背金属层和背金属阻挡层，还包括：设置在所述背金属阻挡层和所述背金属层之间且能够与所述背金属层相接触的表面产生位错强化的背金属界面整合层。本实用新型实施例提供的太阳能电池及其背电极，通过在背金属阻挡层和背金属层之间设置背金属界面整合层，减少了背金属层的表面缺陷，提高了背金属界面整合层和背金属层接触界面的稳定性，有效阻挡背金属层中的金属扩散入外延层，延长太阳能电池的使用寿命，提高良率。，下面是一种太阳能电池及其背电极专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种太阳能电池背电极，包括：上下设置的背金属层和背金属阻挡层，其特征在于，还包括：设置在所述背金属阻挡层和所述背金属层之间且能够与所述背金属层相接触的表面产生位错强化的背金属界面整合层。
2.根据权利要求1所述的背电极，其特征在于，所述背金属界面整合层的材料为铝，所述背金属层的材料为铜。
3.根据权利要求1所述的背电极，其特征在于，所述背金属界面整合层的厚度为
4.根据权利要求1所述的背电极，其特征在于，所述背电极还包括金属粘附层和光反射层，所述金属粘附层、所述光反射层、所述背金属阻挡层、所述背金属界面整合层及所述背金属层自下而上依次设置。
5.根据权利要求4所述的背电极，其特征在于，所述金属粘附层的材料为镍；所述光反射层的材料为银；所述背金属阻挡层的材料为钼；所述背金属界面整合层的材料为铝；所述背金属层的材料为铜。
6.根据权利要求5所述的背电极，其特征在于，所述金属粘附层的厚度为1～3nm；所述光反射层的厚度为50～150nm；所述背金属阻挡层的厚度为50～300nm；所述背金属界面整合层的厚度为所述背金属层的厚度为2500～4000nm。
7.一种太阳能电池，其特征在于，包括自下而上依次设置的外延层和如权利要求1～6任一所述的背电极。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述外延层包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、牺牲层、n型欧姆接触层、顶电池窗口层、电池吸收层、PN结、底电池窗口层及p型欧姆接触层。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述衬底的材料为砷化镓、硅、碳化硅或锗；所述缓冲层的材料为砷化镓；所述牺牲层的材料为砷化铝；所述n型欧姆接触层的材料为砷化镓；所述顶电池窗口层的材料为磷化铝铟；所述电池吸收层的材料为砷化镓；所述PN结的材料为砷化镓/砷化铝镓；所述底电池窗口层的材料为砷化铝镓；所述p型欧姆接触层的材料为砷化铝镓。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层的厚度为100～
1000nm；所述牺牲层的厚度为10～30nm；所述n型欧姆接触层的厚度为50～100nm；所述顶电池窗口层的厚度为10～50nm；所述电池吸收层的厚度为2000～3000nm；所述PN结的厚度为
50～150nm；所述底电池窗口层的厚度为200～300nm；所述p型欧姆接触层的厚度为50～
100nm。

说明书全文

一种太阳能 电池及其背 电极

技术领域

[0001] 本实用新型实施例涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池及其背电极。

背景技术

[0002] 现如今，太阳能电池得到越来越广泛的应用。但是，太阳能电池背电极的背金属层的金属扩散问题严重影响了太阳能电池的使用。

[0003] 以砷化镓(GaAs)太阳能电池为例，砷化镓属于III～V族化合物半导体材料，其禁带宽度1.43ev,与太阳光谱可见光的范围较匹配，是吸收太阳光的优选材料之一；砷化镓制
备的太阳能电池，具有转化效率高、耐高温性能好、抗辐射能力强等特点，随着金属有机化
合物气相沉积(MOCVD)和分子束外延(MBE)等技术的发展，GaAs太阳能电池应用越来越广
泛。

[0004] 由于Cu具有极小的电阻率(1.67μΩ.㎝)和良好的抗电迁徙性能，因此在砷化镓薄膜太阳能器件的制作中，被广泛用作背电极材料。然而Cu等金属作为砷化镓薄膜太阳能电
池的背电极材料而带来的玷污问题不容忽视。以Cu为例，一方面，Cu在砷化镓中的扩散系数
极高，Cu扩散进入砷化镓器件造成深能级掺杂污染，引起漏电流增大，降低效率。另一方面，若Cu扩散到砷化镓器件的内部PN结，使PN结内部导通，则器件短路。为了克服Cu电极材料自
身的缺点，在Cu和砷化镓薄膜太阳能电池的外延层之间必须引入阻挡层材料。

[0005] 目前，Cu电极材料的阻挡层多为PVD方法生长的Ti、TiW、Ta、Mo、MoN、MoNi、W等金属或金属合金材料。为了减小砷化镓薄膜太阳能电池的外延层和背电极之间的欧姆接触电阻，降低电流的损失，所选阻挡层材料的电阻率必须要小，阻挡层的厚度必须要薄。然而阻
挡层厚度减小后，其阻挡Cu扩散的效果也相应的变差，最终导致砷化镓器件的寿命缩短。
实用新型内容

[0006] 为解决现有技术太阳能电池背金属层中金属扩散的问题，本实用新型实施例提供一种太阳能电池及其背电极。

[0007] 第一方面，本实用新型实施例提供一种太阳能电池背电极，包括：上下设置的背金属层和背金属阻挡层，还包括：设置在所述背金属阻挡层和所述背金属层之间且能够与所
述背金属层相接触的表面产生位错强化的背金属界面整合层。

[0008] 优选地，所述背金属界面整合层的材料为铝，所述背金属层的材料为铜。

[0009] 优选地，所述背金属界面整合层的厚度为

[0010] 优选地，所述背电极还包括金属粘附层和光反射层，所述金属粘附层、所述光反射层、所述背金属阻挡层、所述背金属界面整合层及所述背金属层自下而上依次设置。

[0011] 优选地，所述金属粘附层的材料为镍；所述光反射层的材料为银；所述背金属阻挡层的材料为钼；所述背金属界面整合层的材料为铝；所述背金属层的材料为铜。

[0012] 优选地，所述金属粘附层的厚度为1～3nm；所述光反射层的厚度为50～150nm；所述背金属阻挡层的厚度为50～300nm；所述背金属界面整合层的厚度为所述背金
属层的厚度为2500～4000nm。

[0013] 第二方面，本实用新型实施例提供一种太阳能电池，包括自下而上依次设置的外延层和任一所述背电极。

[0014] 优选地，所述外延层包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、牺牲层、n型欧姆接触层、顶电池窗口层、电池吸收层、PN结、底电池窗口层及p型欧姆接触层。

[0015] 优选地，所述衬底的材料为砷化镓、硅、碳化硅或锗；所述缓冲层的材料为砷化镓；所述牺牲层的材料为砷化铝；所述n型欧姆接触层的材料为砷化镓；所述顶电池窗口层的材
料为磷化铝铟；所述电池吸收层的材料为砷化镓；所述PN结的材料为砷化镓/砷化铝镓；所
述底电池窗口层的材料为砷化铝镓；所述p型欧姆接触层的材料为砷化铝镓。

[0016] 优选地，所述缓冲层的厚度为100～1000nm；所述牺牲层的厚度为10～30nm；所述n型欧姆接触层的厚度为50～100nm；所述顶电池窗口层的厚度为10～50nm；所述电池吸收层
的厚度为2000～3000nm；所述PN结的厚度为50～150nm；所述底电池窗口层的厚度为200～
300nm；所述p型欧姆接触层的厚度为50～100nm。

[0017] 本实用新型实施例提供的太阳能电池及其背电极，通过在背电极的背金属阻挡层和背金属层之间设置背金属界面整合层，减少了背金属层的表面缺陷，提高了背金属界面
整合层和背金属层接触界面的稳定性，从而有效阻挡了背金属层中的金属扩散进入太阳能
电池的外延层，延长太阳能电池的使用寿命，提高良率。
附图说明

[0018] 为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本
实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还
可以根据这些附图获得其他的附图。

[0019] 图1是本实用新型实施例提供的太阳能电池背电极的部分结构示意图；

[0020] 图2是本实用新型另一实施例提供的背电极的结构示意图；

[0021] 图3是本实用新型实施例提供的太阳能电池的部分结构示意图；

[0022] 图4是本实用新型实施例提供的太阳能电池的外延层的结构示意图；

[0023] 图5是本实用新型另一实施例提供的太阳能电池的部分结构示意图。

具体实施方式

[0024] 为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描
述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施
例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于
本实用新型保护的范围。

[0025] 在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解
为对本实用新型的限制。

[0026] 在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上
述术语在本实用新型中的具体含义。

[0027] 图1是本实用新型实施例提供的太阳能电池背电极的部分结构示意图。如图1所示，所述背电极包括：上下设置的背金属层14和背金属阻挡层12，还包括：设置在所述背金
属阻挡层12和所述背金属层14之间且能够与所述背金属层14相接触的表面产生位错强化
的背金属界面整合层13。

[0028] 所述背电极包括背金属阻挡层12、背金属界面整合层13和背金属层14；所述背金属界面整合层13在所述背金属阻挡层12上生长而成，所述背金属层14在所述背金属界面整
合层13上生长而成，即所述背金属阻挡层12、所述背金属界面整合层13和所述背金属层14
自下而上依次设置。本实用新型实施例中所述自下而上依次设置是指按照自下而上依次生
长而成。

[0029] 所述背金属界面整合层13和所述背金属层14紧密结合，产生细晶强化，并产生位错强化，减少所述背金属层14的表面缺陷，强化所述背金属界面整合层13和所述背金属层
14的接触界面的稳定性，阻挡所述背金属层14的金属扩散进入太阳能电池的外延层。因此，
所述背电极包括上下设置的背金属层14和背金属阻挡层12，还包括：设置在所述背金属阻
挡层和所述背金属层之间且能够与所述背金属层相接触的表面产生位错强化，用于减少所
述背金属层14的表面缺陷，强化和所述背金属层14的接触界面的稳定性，阻挡所述背金属
层14的金属扩散进入太阳能电池的外延层的背金属界面整合层13。

[0030] 太阳能电池的背电极在太阳能电池的外延层上生长而成，背电极的背金属层的金属容易扩散进入外延层，从而降低太阳能电池的使用寿命和良率。现有技术中在阻挡层上
生长背金属层，利用阻挡层阻挡背金属层中的金属扩散进入外延层。但是只依靠阻挡层无
法实现阻挡金属扩散的良好效果。

[0031] 本实用新型实施例在阻挡层12和背金属层14之间设置背金属界面整合层13。其中，所述背金属界面整合层13在所述背金属阻挡层12上生长而成，所述背金属层14在所述
背金属界面整合层13上生长而成。所述背金属界面整合层13用于在阻挡层12的基础上进一
步阻挡背金属层14的金属扩散进入外延层。

[0032] 对于背金属阻挡层12，室温下原子在金属中的扩散是晶界扩散和缺陷扩散，在背金属阻挡层12和背金属层14之间沉积一层背金属界面整合层13，其中背金属界面整合层13
的材料具有电阻率小、热稳定性高，且在外延层中的扩散系数很小的特点；背金属界面整合
层13和背金属层14紧密结合，在背金属层14晶界附近均匀分布，使得背金属界面整合层13
和背金属层14接触界面的位错密度增加，位错之间产生弹性交互，从而产生细晶强化和位
错强化，减少表面缺陷(表面缺陷为金属扩散提供条件)，强化背金属界面整合层13和背金
属层14接触界面的稳定性，进而高效地阻挡背金属层14中的金属扩散进入太阳能电池的外
延层，延长太阳能电池的使用寿命，提高良率。

[0033] 其中，细晶强化和位错强化是指相互接触的材料之间产生的一种可以减少表面缺陷的一种结构特征。

[0034] 本实用新型实施例提供的太阳能电池背电极，通过在背电极的背金属阻挡层和背金属层之间设置背金属界面整合层，减少了背金属层的表面缺陷，提高了背金属界面整合
层和背金属层接触界面的稳定性，从而有效阻挡了背金属层中的金属扩散进入太阳能电池
的外延层，延长太阳能电池的使用寿命，提高良率。

[0035] 进一步地，基于上述实施例，所述背金属界面整合层13的材料为铝；所述背金属层14的材料为铜。

[0036] 在所述背金属层14的材料为铜时，所述背金属界面整合层13的材料为铝可以实现进一步阻挡铜扩散的效果。所述背金属界面整合层13为铝材料层，所述背金属层14为铜材
料层。通过在背金属阻挡层12和Cu电极材料(背金属层14)之间沉积一层材料为铝的背金属
界面整合层13。背金属界面整合层13和Cu基质(背金属层14)紧密结合，在Cu晶界附近均匀
分布，使得背金属界面整合层13和Cu基质接触界面的位错密度增加，位错之间产生弹性交
互，从而产生细晶强化和位错强化，减少表面缺陷，强化背金属界面整合层13和Cu基质接触
界面的稳定性，进而高效地阻挡Cu扩散进入外延层，延长器件的使用寿命，提高良率。

[0037] 铜在砷化镓电池及硅基电池中的扩散系数很大，因此对于砷化镓电池及硅基电池，在其背电极14采用铜时，通过在背金属阻挡层12和背金属层14之间沉积一层材料为铝
的背金属界面整合层13，可以高效阻挡Cu的扩散。

[0038] 另外，还可以采用金属合金来替代铝，比如用铝合金构成所述背金属界面整合层13。

[0039] 在上述实施例的基础上，本实用新型实施例针对背金属层为铜的太阳能电池，提供利用铝制成的背金属界面整合层，有效地阻挡了Cu扩散进入太阳能电池外延层，延长器
件的使用寿命，提高良率。

[0040] 进一步地，基于上述实施例，所述背金属界面整合层13的厚度为纳米级材料的特点容易形成上述交错结构。所述背金属界面整合层13的厚度为纳米级，优选为

[0041] 在上述实施例的基础上，本实用新型实施例通过合理设置背金属界面整合层的厚度，进一步提高了阻挡背金属层中的金属扩散的能力。

[0042] 图2是本实用新型另一实施例提供的背电极的结构示意图。所述背电极包括自下而上依次设置的金属粘附层10、光反射层11、背金属阻挡层12、背金属界面整合层13及背金
属层14。其中，光反射层11也可以省略。

[0043] 如图2所示的背电极各层的材料及厚度可以如下：

[0044] 所述金属粘附层10的材料为镍；所述光反射层11的材料为银；所述背金属阻挡层12的材料为钼；所述背金属界面整合层13的材料为铝；所述背金属层14的材料为铜。所述金
属粘附层10的厚度为1～3nm；所述光反射层11的厚度为50～150nm；所述背金属阻挡层12的
厚度为50～300nm；所述背金属界面整合层13的厚度为所述背金属层14的厚度为
2500～4000nm。

[0045] 图3是本实用新型实施例提供的太阳能电池的部分结构示意图。如图3所示，所述太阳能电池包括自下而上依次设置的外延层100和背电极200，其中，所述背电极200可以为
上述实施例提供的任一背电极。因此，在所述太阳能电池的背电极200中，包括上下设置的
背金属层和背金属阻挡层，还包括：设置在所述背金属阻挡层和所述背金属层之间且能够
与所述背金属层相接触的表面产生细晶强化和位错强化的背金属界面整合层。

[0046] 所述背金属界面整合层在所述背金属阻挡层上生长而成，所述背金属层在所述背金属界面整合层上生长而成；所述背金属界面整合层和所述背金属层紧密结合，产生细晶
强化和位错强化，减少所述背金属层的表面缺陷，强化所述背金属界面整合层和所述背金
属层的接触界面的稳定性，阻挡所述背金属层的金属扩散进入太阳能电池的外延层。

[0047] 所述太阳能电池可以为砷化镓太阳能电池或硅基太阳能电池，背金属界面整合层采用铝或金属合金，可以实现有效阻挡背金属层中的铜向外延层的扩散。

[0048] 本实用新型实施例提供的太阳能电池，通过在背电极的背金属阻挡层和背金属层之间设置背金属界面整合层，减少了背金属层的表面缺陷，提高了背金属界面整合层和背
金属层接触界面的稳定性，从而有效阻挡了背金属层中的金属扩散进入太阳能电池的外延
层，延长太阳能电池的使用寿命，提高良率。

[0049] 图4是本实用新型实施例提供的太阳能电池的外延层的结构示意图。如图4所示，所述外延层包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、牺牲层、n型欧姆接触层、顶电池窗口
层、电池吸收层、PN结、底电池窗口层及p型欧姆接触层。

[0050] 如图4所示的外延层各层的材料及厚度可以如下：

[0051] 所述衬底1的材料为砷化镓、硅、碳化硅或锗；所述缓冲层2的材料为砷化镓；所述牺牲层3的材料为砷化铝；所述n型欧姆接触层4的材料为砷化镓；所述顶电池窗口层5的材
料为磷化铝铟；所述电池吸收层6的材料为砷化镓；所述PN结7的材料为砷化镓/砷化铝镓；
所述底电池窗口层8的材料为砷化铝镓；所述p型欧姆接触层9的材料为砷化铝镓。

[0052] 所述缓冲层2的厚度为100～1000nm；所述牺牲层3的厚度为10～30nm；所述n型欧姆接触层4的厚度为50～100nm；所述顶电池窗口层5的厚度为10～50nm；所述电池吸收层6
的厚度为2000～3000nm；所述PN结7的厚度为50～150nm；所述底电池窗口层8的厚度为200
～300nm；所述p型欧姆接触层9的厚度为50～100nm。

[0053] 图5是本实用新型另一实施例提供的太阳能电池的部分结构示意图。整个太阳能电池的外延层自下而上生长有：衬底1、缓冲层2、牺牲层3、n型欧姆接触层4、顶电池窗口层
5、电池吸收层6、PN结7、底电池窗口层8以及p型欧姆接触层9；整个太阳能电池的背电极自
下而上生长有：金属粘附层10、光反射层11、背金属阻挡层12、背金属界面整合层13及背金
属层14。

[0054] 其中，光反射层11也可以不设置。

[0055] 下面以所述太阳能电池为砷化镓薄膜太阳能电池(外延层的主要材料是砷化镓)，背金属层采用Cu为例，详细说明太阳能电池的部分结构(包括外延层和背电极)，以及生成
外延层和背电极的工艺流程。

[0056] 砷化镓薄膜太阳能电池的外延层各层的生长方法包括但不限于金属有机化学气相沉积法、物理气相沉积法、分子束外延法、气相外延法等；砷化镓薄膜太阳能电池的背电
极各层的生长方法包括但不限于物理气相沉积法、磁控溅射法、电子束蒸镀法等；

[0057] 所述衬底1可以为但不限于GaAs衬底、Si衬底、SiC衬底或Ge衬底；

[0058] 所述缓冲层2材料为GaAs，厚度100～1000nm；

[0059] 所述牺牲层3材料为AlAs,厚度为10～30nm；

[0060] 所述n型欧姆接触层4材料为GaAs，厚度为50～100nm；

[0061] 所述顶电池窗口层5材料为AlInP，厚度为10～50nm；

[0062] 所述电池吸收层6材料为GaAs，厚度为2000～3000nm；

[0063] 所述PN结7材料为GaAs/AlGaAs，厚度为50～150nm；

[0064] 所述底电池窗口层8材料为AlGaAs,厚度为200～300nm；

[0065] 所述p型欧姆接触层9材料为AlGaAs，厚度为50～100nm；

[0066] 所述金属粘附层10材料可以为Ni，但不仅限于Ni，厚度为1～3nm；

[0067] 所述光反射层11材料为Ag，厚度为50～150nm；

[0068] 所述背金属阻挡层12材料为Mo，但不仅限于Mo，厚度为50～300nm；

[0069] 所述背金属界面整合层13材料的厚度为材料电阻率小，热稳定性高，且在砷化镓中的扩散系数很小，如可以为金属Al或金属合金；

[0070] 所述背金属层14材料为Cu，厚度为2500～4000nm。

[0071] 下面进一步详细说明可以形成本实用新型实施例提供的砷化镓薄膜太阳能电池的外延层和背电极的工艺流程。

[0072] 1)将GaAs衬底置于MOCVD设备中，在H2的保护下升高温度至反应温度，如800～10000摄氏度；

[0073] 2)在GaAs衬底上生长缓冲层GaAs，生长温度为800～1200摄氏度，厚度为1000nm；

[0074] 3)在缓冲层GaAs上生长牺牲层AlAs，生长温度为800摄氏度，厚度为15nm；

[0075] 4)在牺牲层AlAs上生长n型欧姆接触层GaAs，n型掺杂，生长温度为800～1000摄氏度，厚度为60nm；

[0076] 5)在n型欧姆接触层GaAs上生长顶电池窗口层AlInP，Si掺杂，生长温度为800～900摄氏度，厚度为30nm；

[0077] 6)在顶电池窗口层AlInP上生长电池吸收层GaAs，n型掺杂，生长温度为800～1200摄氏度，厚度为2400nm；

[0078] 7)在电池吸收层GaAs上生长PN结GaAs/AlGaAs(由GaAs及AlGaAs构成PN结)，生长温度为800～1000摄氏度，厚度为100nm；

[0079] 8)在PN结GaAs/AlGaAs上生长底电池窗口层AlGaAs，C掺杂，生长温度为800～1000摄氏度，厚度为250nm；

[0080] 9)在底电池窗口层AlGaAs上生长p型欧姆接触层AlGaAs，p型掺杂，生长温度为800～1000摄氏度，厚度为60nm；

[0081] 10)将经过1)～9)得到的晶片置于PVD设备中，通入Ar气体，Ar气体流速为50～150sccm，Ar气体轰击靶材，在GaAs外延层上生长金属粘附层Ni，厚度为1～3nm；

[0082] 11)在金属粘附层Ni上生长光反射层Ag，厚度为50～150nm，靶材施加电压为2～4Kw，Ar气体流速为50～150sccm；

[0083] 12)在光反射层Ag上生长背金属阻挡层Mo，厚度为50～300nm，靶材施加电压为10～20Kw，Ar气体流速为50～150sccm；

[0084] 13)在背金属阻挡层Mo上生长背金属界面整合层Al，厚度为靶材施加电压为0.5～1.5Kw，Ar气体流速为50～150sccm；

[0085] 14)在背金属界面整合层Al上生长背金属层Cu，厚度为2500～4000nm，靶材施加电压为10～20Kw，Ar气体流速为50～150sccm；

[0086] 15)将上述样品从PVD设备中取出，进行下一道工艺。

[0087] 本实用新型实施例通过在阻挡层和Cu电极材料之间沉积一层界面整合层，强化背金属界面整合层和Cu基质接触界面的稳定性，进而高效地阻挡Cu扩散进入砷化镓器件，延
长器件的使用寿命，提高良率。

[0088] 最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：
其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等
同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术
方案的精神和范围。

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一种太阳能电池及其背电极

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