1.一种磁阻随机存取存储器(MRAM)位单元电路，包括：
多个MRAM位单元，每个MRAM位单元包括：
第一电极和第二电极；
磁性隧道结(MTJ)器件，包括：
隧道阻挡层，在所述第一电极与所述第二电极之间；
钉扎层，在所述隧道阻挡层与所述第二电极之间；以及
自由层，在所述隧道阻挡层与所述第一电极之间；以及
存取晶体管，耦合到所述第一电极或所述第二电极中的一个电极；
公共电极，包括所述多个MRAM位单元的所述第一电极或所述第二电极的任何一个，所述公共电极包括第一端部和第二端部；
第一写入操作晶体管，耦合到所述公共电极的所述第一端部，使得流过所述第一写入操作晶体管的写入电流流过所述公共电极的所述第一电极或所述第二电极中的每个电极；
第二写入操作晶体管，耦合到所述公共电极的所述第二端部，使得流过所述第二写入操作晶体管的写入电流流过所述公共电极的所述第一电极或所述第二电极中的每个电极；
当所述第一写入操作晶体管和所述第二写入操作晶体管被激活时，所述第一写入操作晶体管和所述第二写入操作晶体管被配置为通过所述公共电极为所述多个MRAM位单元提供公共写入操作电路路径；
多个读取操作晶体管，每个读取操作晶体管耦合到所述多个MRAM位单元中的MRAM位单元的相应第一电极或第二电极；以及
当所述多个读取操作晶体管中的每个读取操作晶体管被激活时，每个读取操作晶体管被配置为向其相应MRAM位单元提供与所述公共写入操作电路路径分离的专用读取操作电路路径。
2.根据权利要求1所述的MRAM位单元电路，其中对于所述多个MRAM位单元中的每个MRAM位单元，所述存取晶体管包括：
栅极，耦合到字线(WL)；
漏极，耦合到所述第一电极或所述第二电极中的一个电极；以及
源极，被配置为耦合到源极线(SL)；
所述存取晶体管，被配置为响应于所述栅极被激活，将施加到所述源极线(SL)的源极电压施加到其相应MRAM位单元的所述第一电极或所述第二电极中的一个电极。
3.根据权利要求1所述的MRAM位单元电路，其中：
所述第一写入操作晶体管包括：
栅极，耦合到字线；
漏极，耦合到所述公共电极的所述第一端部；以及
源极，被配置为耦合到第一驱动器电路；以及
所述第二写入操作晶体管包括：
栅极，耦合到所述字线；
漏极，耦合到所述公共电极的所述第二端部；以及
源极，被配置为耦合到第二驱动器电路。
4.根据权利要求3所述的MRAM位单元电路，其中第一写入电流被配置为：响应于所述第一驱动器电路在所述第一写入操作晶体管的所述源极上驱动正源极电压和所述第二驱动器电路在所述第二写入操作晶体管的所述源极上驱动负或零源极电压，在所述公共电极中从所述公共写入操作电路路径中的所述公共电极的所述第一端部流向所述第二端部，以在处于第一写入操作中的所述多个MRAM位单元的所述MTJ器件的所述自由层上在第一方向上产生自旋转矩。
5.根据权利要求4所述的MRAM位单元电路，其中：
所述存取晶体管被配置为响应于所述栅极被激活，将施加到源极线(SL)的源极电压施加到其相应MRAM位单元的所述第一电极或所述第二电极中的一个电极；以及响应于对所述多个MRAM位单元中的MRAM位单元的所述第一写入操作，所述MRAM位单元的所述存取晶体管的栅极被配置为被激活，以将所述源极电压施加到所述MRAM位单元的所述第一电极或所述第二电极中的一个电极。
6.根据权利要求5所述的MRAM位单元电路，其中，响应于对所述多个MRAM位单元中的所述MRAM位单元的所述第一写入操作，所述MRAM位单元的所述存取晶体管的所述栅极被配置为被激活，以将相关负电压施加到所述MRAM位单元的所述第一电极或所述第二电极中的一个电极，以降低所述MRAM位单元的所述MTJ器件的所述隧道阻挡层的能量势垒。
7.根据权利要求4所述的MRAM位单元电路，其中第二写入电流被配置为：响应于所述第二驱动器电路在所述第二写入操作晶体管的所述源极上驱动正源极电压和所述第一驱动器电路在所述第一写入操作晶体管的所述源极上驱动负或零源极电压，在所述公共电极中沿第二方向从所述公共写入操作电路路径中的所述公共电极的所述第二端部流向所述第一端部，以在处于所述第二写入操作中的所述多个MRAM位单元的所述MTJ器件的所述自由层上在所述第二方向上产生自旋转矩。
8.根据权利要求4所述的MRAM位单元电路，其中，响应于所述第一写入操作，多个读取存取晶体管的源极被激活，以在其专用读取操作电路路径上提供阻抗，以将所述多个读取存取晶体管从所述公共电极解耦。
9.根据权利要求1所述的MRAM位单元电路，其中用于所述多个MRAM位单元的所述多个读取操作晶体管中的每个读取操作晶体管均包括：
栅极，耦合到读取使能线；
漏极，耦合到所述MRAM位单元的所述第一电极或所述第二电极中的一个电极；以及源极，耦合到专用位线(BL)。
10.根据权利要求9所述的MRAM位单元电路，其中读取电流被配置为：响应于所述栅极由用于读取操作的读取使能线上断言的处于读取使能状态的读取使能信号激活，在所述多个MRAM位单元中的MRAM位单元的MTJ中流向所述MRAM位单元的所述读取操作电路路径中的所述MRAM位单元的所述专用位线(BL)。
11.根据权利要求9所述的MRAM位单元电路，进一步包括位线(BL)列选择器电路，所述位线(BL)列选择器电路包括：
所述多个读取操作晶体管；
多个专用位线(BL)，耦合到所述多个读取操作晶体管的相应源极；
读取使能输入，耦合到所述读取使能线；以及
存储器地址输入，被配置为接收用于读取操作的存储器地址。
12.根据权利要求11所述的MRAM位单元电路，其中所述位线(BL)列选择器电路被配置为：响应于在所述读取使能输入上断言的处于读取使能状态的读取使能信号，激活所述多个读取操作晶体管中的读取操作晶体管，以将所述多个专用位线(BL)中的相应专用位线(BL)耦合到激活的读取操作晶体管的源极，以基于所接收到的存储器地址，在耦合到所述读取操作晶体管的所述多个MRAM位单元中的所述MRAM位单元和所述相应专用位线(BL)之间产生读取操作电路路径。
13.根据权利要求1所述的MRAM位单元电路，其中：
所述公共电极包括所述多个MRAM位单元的第一电极；
所述第一写入操作晶体管被耦合到所述公共电极的所述第一端部，使得流过所述第一写入操作晶体管的所述写入电流流过所述公共电极的所述第一电极中的每个电极；
所述第二写入操作晶体管被耦合到所述公共电极的所述第二端部，使得流过所述第二写入操作晶体管的所述写入电流流过所述公共电极的所述第一电极中的每个电极；以及所述多个MRAM位单元的每个存取晶体管被耦合到所述第二电极。
14.根据权利要求1所述的MRAM位单元电路，其中：
所述公共电极包括所述多个MRAM位单元的第二电极；
所述第一写入操作晶体管被耦合到所述公共电极的所述第一端部，使得流过所述第一写入操作晶体管的所述写入电流流过所述公共电极的所述第二电极中的每个电极；
所述第二写入操作晶体管被耦合到所述公共电极的所述第二端部，使得流过所述第二写入操作晶体管的所述写入电流流过所述公共电极的所述第二电极中的每个电极；并且所述多个MRAM位单元的每个存取晶体管被耦合到所述第一电极。
15.根据权利要求1所述的MRAM位单元电路，进一步包括：
参考MRAM位单元，包括：
第一电极和第二电极；
参考MTJ器件，包括：
隧道阻挡层，在所述第一电极与所述第二电极之间；
钉扎层，在所述隧道阻挡层与所述第二电极之间；
自由层，在所述隧道阻挡层与所述第一电极之间；以及
参考存取晶体管，耦合到所述参考MTJ器件的所述第一电极或所述第二电极中的一个电极，所述参考存取晶体管包括：
栅极，耦合到字线(WL)；
漏极，耦合到所述参考MTJ器件的所述第一电极或所述第二电极中的所述一个电极；以及
源极，被配置为耦合到所述源极线(Sl)；
所述参考存取晶体管被配置为响应于所述栅极被激活，将施加到参考源极线(SL)的源极电压施加到所述参考MRAM位单元的所述第一电极或所述第二电极中的所述一个电极；以及
参考读取操作晶体管，耦合到所述参考MRAM位单元的相应所述第一电极或所述第二电极；其中当所述参考读取操作晶体管被激活时，所述参考读取操作晶体管被配置为为所述参考MRAM位单元提供与所述公共写入操作电路路径分离的专用读取操作电路路径，。
16.根据权利要求1所述的MRAM位单元电路，其中所述多个MRAM位单元中的每个MRAM位单元的所述MTJ器件是垂直MTJ(pMTJ)器件。
17.根据权利要求1所述的MRAM位单元电路，其中所述多个MRAM位单元中的每个MRAM位单元的所述MTJ器件是面内MTJ(iMTJ)器件。
18.根据权利要求1所述的MRAM位单元电路，所述MRAM位单元电路被集成到集成电路(IC)中。
19.根据权利要求1所述的MRAM位单元电路，所述MRAM位单元电路被集成到片上系统(SoC)中。
20.根据权利要求1所述的MRAM位单元电路，所述MRAM位单元电路被集成到从包含以下设备的组中选择的设备中：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、全球定位系统(GPS)设备、移动电话、蜂窝电话、智能电话、会话初始化协议(SIP)电话、平板电脑、平板手机、服务器、计算机、便携式计算机、移动计算设备、可穿戴计算设备、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监控器、计算机显示器、电视机、调谐器、收音机、卫星收音机、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频光盘(DVD)播放器、便携式数字视频播放器、机动车、载具部件、航空电子系统、无人机和直升机。
21.一种对磁阻随机存取存储器(MRAM)位单元电路中的多个MRAM位单元中的MRAM位单元执行存取操作的方法，包括，响应于对所述多个MRAM位单元中的MRAM位单元的读取操作：
控制耦合到所述多个MRAM位单元的公共电极的第一端部的第一写入操作晶体管，以向所述公共电极提供阻抗，以将所述第一写入操作晶体管从所述公共电极解耦；
控制耦合到所述多个MRAM位单元的所述公共电极的第二端部的第二写入操作晶体管，以向所述公共电极提供高阻抗，以将所述第二写入操作晶体管从所述公共电极解耦；以及激活在源极线与要被读取的所述MRAM位单元之间耦合的存取晶体管，以将源极电压耦合到所述MRAM位单元，并激活在位线(BL)、所述公共电极与要被读取的所述MRAM位单元之间耦合的读取操作晶体管，以在所述源极线(SL)与所述位线(BL)之间产生读取操作电路路径，从而使读取电流在所述源极线(SL)与所述位线(BL)之间流动。
22.根据权利要求21所述的方法，进一步包括，响应于所述读取操作：
激活耦合在所述源极线(SL)与参考MRAM位单元之间的所述存取晶体管，以将所述源极电压耦合到所述参考MRAM位单元，并激活耦合在参考位线与所述参考MRAM位单元之间的参考读取操作晶体管，以在参考源极线(SL)与参考位线(BL)之间产生参考读取操作电路路径，从而使参考读取电流在所述参考源极线(SL)与所述参考位线(BL)之间流动。
23.根据权利要求22所述的方法，进一步包括，响应于所述读取操作：
感测在要被读取的所述MRAM位单元的所述源极线(SL)与所述位线(BL)之间流动的所述读取电流；
感测在所述MRAM位单元的所述参考源极线(SL)与所述参考位线(BL)之间流动的所述参考读取电流；以及
基于所述读取电流和所述参考读取电流之间的差值来确定要被读取的所述MRAM位单元的存储阶段。
24.根据权利要求21所述的方法，进一步包括，响应于对所述MRAM位单元的写入操作：
控制耦合到所述多个MRAM位单元的多个读取操作晶体管，以向所述公共电极提供阻抗，以将所述多个读取操作晶体管从所述公共电极解耦；
控制所述多个MRAM位单元的存取晶体管，以将所述源极电压施加到所述多个MRAM位单元；以及
在耦合到所述公共电极的所述第一端部的第一写入操作晶体管的源极上驱动正源极电压，并在耦合到所述公共电极的所述第二端部的第二写入操作晶体管的源极上驱动负或零源极电压，以产生通过所述公共电极的公共写入操作电路路径，从而使写入电流流过所述公共电极，以在处于所述写入操作中的所述多个MRAM位单元上在第一方向上产生自旋转矩。
25.根据权利要求21所述的方法，其中：
所述多个MRAM位单元中的每个MRAM位单元包括：
第一电极和第二电极；以及
磁性隧道结(MTJ)器件，包括：
隧道阻挡层，在所述第一电极与所述第二电极之间；
钉扎层，在所述隧道阻挡层与所述第二电极之间；以及
自由层，在所述隧道阻挡层与所述第一电极之间；所述存取晶体管耦合到所述第一电极或所述第二电极中的一个电极；以及
所述公共电极包括所述多个MRAM位单元的所述第一电极或所述第二电极中的任何一个。
26.一种磁阻随机存取存储器(MRAM)，包括：
多个MRAM位单元行，每个MRAM位单元行包括MRAM位单元电路，所述MRAM位单元电路包括：
多个MRAM位单元，每个MRAM位单元包括：
第一电极和第二电极；
磁性隧道结(MTJ)器件，包括：
隧道阻挡层，在所述第一电极与所述第二电极之间；
钉扎层，在所述隧道阻挡层与所述第二电极之间；和
自由层，在所述隧道阻挡层与所述第一电极之间；以及
存取晶体管，耦合在所述第一电极或所述第二电极中的一个电极和源极线(SL)之间；
公共电极，包括所述多个MRAM位单元的所述第一电极或所述第二电极的任何一个，所述公共电极包括第一端部和第二端部；
第一写入操作晶体管，耦合到所述公共电极的所述第一端部，使得流过所述第一写入操作晶体管的写入电流流过所述公共电极的所述第一电极或所述第二电极中的每个电极，所述第一写入操作晶体管包括耦合到写入使能线的第一写入使能输入；
第二写入操作晶体管，耦合到所述公共电极的所述第二端部，使得流过所述第二写入操作晶体管的写入电流流过所述公共电极的所述第一电极或所述第二电极中的每个电极，所述第二写入操作晶体管包括耦合到所述写入使能线的第二写入使能输入；
当所述第一操作晶体管和所述第二操作晶体管被激活时，所述第一操作晶体管和所述第二操作晶体管被配置为为所述多个MRAM位单元提供通过所述公共电极的公共写入操作电路路径；以及
多个读取操作晶体管，每个读取操作晶体管耦合到所述多个MRAM位单元中的MRAM位单元的相应第一电极或第二电极；
当所述多个读取操作晶体管中的每个读取操作晶体管被激活时，每个读取操作晶体管被配置为为其相应MRAM位单元提供与所述公共写入操作电路路径分离的专用读取操作电路路径，位线(BL)列选择器电路，包括：
所述多个MRAM位单元的所述多个读取操作晶体管；
多个专用位线(BL)，耦合到所述多个读取操作晶体管的相应源极；
读取使能输入，耦合到读取使能线；以及
存储器地址输入，被配置为接收用于读取操作的存储器地址；以及
源极线(SL)列选择器电路，包括：
多个源极线(SL)晶体管，每个源极线(SL)晶体管耦合在电压源与所述多个MRAM位单元中的存取晶体管的源极线(SL)之间；
读取使能输入，耦合到读取使能线；
写入使能输入，耦合到写入使能线；以及
存储器地址输入，被配置为接收用于存取操作的存储器地址。
27.根据权利要求26所述的MRAM，其中，响应于指示在所述读取使能线上响应于读取操作而断言的读取使能状态的读取使能信号：
所述位线(BL)列选择器电路被配置为：响应于在所述位线(BL)列选择器电路的所述读取使能输入上断言的所述读取使能状态中的读取使能信号，激活所述多个读取操作晶体管中的读取操作晶体管，以将所述多个专用位线(BL)中的相应专用位线(BL)耦合到所述多个MRAM位单元中的MRAM位单元的激活的读取操作晶体管的源极，从而基于所接收到的存储器地址，在耦合到所述读取操作晶体管的所述MRAM位单元与所述相应专用位线(BL)之间产生读取操作电路路径；以及
所述源极线(SL)列选择器电路被配置为：响应于在所述源极线(SL)列选择器电路的所述读取使能输入上断言的所述读取使能状态中的所述读取使能信号，激活所述多个源极线(SL)晶体管中的源极线(SL)晶体管，以将所述多个源极线(SL)中的相应专用源极线(SL)耦合到所述多个MRAM位单元中的MRAM位单元的激活的存取晶体管的源极。
28.根据权利要求27所述的MRAM，其中，响应于指示在写入使能线上响应于写入操作而断言的写入使能状态的写入使能信号：
所述第一写入操作晶体管被配置为向所述公共电极提供阻抗，以将所述第一写入操作晶体管从所述公共电极解耦；并且
所述第二写入操作晶体管被配置为向所述公共电极提供高阻抗，以将所述第二写入操作晶体管从所述公共电极解耦。
29.根据权利要求26所述的MRAM，其中，响应于指示在写入使能线上响应于写入操作而断言的写入使能状态的写入使能信号：
所述第一写入操作晶体管被配置为：被激活，以将所述公共电极的所述第一端部耦合到第一源极，以将正源极电压从所述第一源极驱动到所述公共电极的所述第一端部，并且所述第二写入操作晶体管被配置为：被激活，以将所述公共电极的所述第二端部耦合到第二源极，以将负或零源极电压驱动到所述公共电极的所述第二端部，以将负或零源极电压从所述第二源极驱动到所述公共电极的所述第二端部，以产生通过所述公共电极的公共写入操作电路路径，使写入电流流过所述公共电极，以在所述多个MRAM位单元上在第一方向上产生自旋转矩；以及
所述源极线(SL)列选择器电路被配置为：响应于在所述源极线(SL)列选择器电路的所述写入使能输入上断言的所述写入使能状态中的所述写入使能信号，激活所述多个源极线(SL)晶体管中的源极线(SL)晶体管，以将所述多个源极线(SL)中的相应专用源极线(SL)耦合到所述多个MRAM位单元中的MRAM位单元的激活的存取晶体管的源极。
30.根据权利要求29所述的MRAM，其中，响应于指示在所述读取使能线上响应于所述读取操作而断言的读取使能状态的所述读取使能信号，所述位线(BL)列选择器电路被配置为：去激活所述多个读取操作晶体管，以将所述多个专用位线(BL)与所述多个MRAM位单元的所述源极解耦。