等离子体处理装置以及器件的制造方法专利检索-发散冷却空气动力学专利检索查询-专利查询网

等离子体处理装置以及器件的制造方法

阅读：1015发布：2020-10-01

专利汇可以提供等离子体处理装置以及器件的制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种等离子体处理装置以及器件的制造方法。等离子体处理装置降低由在放电容器中产生的等离子体引起的损坏，从而使放电容器的更换周期延长。等离子体处理装置(1)包括：处理室 (2)，其用于划分出处理空间；放电容器(3)，其一端以面对处理室(2)的内部的方式被开口，另一端被闭塞；天线(4)，其配置在放电容器(3)的周围，用于产生感应电场并用于在减压条件下的放电容器(3)的内部生成等离子体；电磁体(9)，其配置在放电容器(3)的周围，用于在放电容器(3)的内部形成发散磁场。在放电容器(3)的闭塞端部形成有向处理室侧突出的突出部(15)。，下面是等离子体处理装置以及器件的制造方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，
等离子体处理装置包括：
处理室，其用于划分出处理空间；
放电容器，其由筒体构成，该筒体的一端以面对上述处理室的内部的方式被开口，该筒体的另一端被闭塞；
天线，其配置在上述放电容器的周围，用于产生感应电场并用于在减压条件下的上述放电容器的内部生成等离子体；
磁体，其配置在上述放电容器的周围，用于在上述放电容器的内部形成发散磁场；
上述放电容器的闭塞端部具有向上述处理室侧突出的突出部。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述磁体是具有被配置在放电容器周围的线圈的电磁体；
上述突出部向比上述磁体的轴向中心靠上述处理室的一侧突出。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述突出部的突出端与上述磁体的轴向中心之间的在轴向上的距离设定为20mm以上。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述突出部由与上述放电容器相同的材料或者不同的材料的电介体形成，以使上述放电容器的闭塞端部的壁厚增大的方式形成。
5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，等离子体处理装置具有用于冷却上述突出部的冷却机构。
6.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，
等离子体处理装置具有用于冷却上述突出部的冷却机构。

说明书全文

等离子体处理装置以及器件的制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种等离子体处理装置以及器件的制造方法，特别涉及适合于制作微细结构的等离子体处理装置以及器件的制造方法，该微细结构用于构成各种电子元件、半导体集成电路元件、各种传感器、各种微型机械元件等器件。

背景技术

[0002] 作为等离子体处理装置的一个例子，可举出有磁场感应耦合型的干蚀刻装置。这种干蚀刻装置是在放电容器内产生感应耦合型等离子体、利用该等离子体对配置在处理室内的基板的表面进行干蚀刻的装置(例如，参照专利文献1)。

[0003] 放电容器由电介体形成，在其周围卷绕有线圈状的天线，该天线在减压条件下的放电容器内产生感应电场。自高频电源向天线供给电力。另外，在天线的外周配置有环状的电磁体，环状的电磁体与放电容器呈同心圆状。利用该电磁体所生成的发散磁场使在放电容器内生成的等离子体扩散到处理室内。

[0004] 具有这样的电磁体的有磁场感应耦合型的干蚀刻装置能够高效率地使等离子体扩散到处理室内，能量转换效率高，另外，能够得到非常有用的加工特性。

[0005] 专利文献1：日本特开2000-133498号公报

[0006] 然而，在上述结构的干蚀刻装置中，存在如下问题：在放电容器的与处理室相反的一侧存在闭塞端部，该闭塞端部产生由等离子体引起的损坏。特别是由电磁体形成的发散磁场的磁力线集中在放电容器的中心轴线部而易于局部地产生损坏，产生材质变质等、严重时开孔而大气混入这样的问题。在此，所谓的损坏是指由等离子体引起的高能带电粒子的入射损坏、由该入射引起的发热及其热损坏等。

[0007] 作为构成放电容器的电介体，使用高频损失少且加工特性优越的石英玻璃，但在上述的闭塞端部易于产生玻璃的结晶化(经常称为失透)、孔的开口。因此，存在高价的放电容器的更换周期变短这样的问题。

[0008] 因此，为了使干蚀刻装置稳定运转，上述的损坏部分的改善成为了必须的课题。

发明内容

[0009] 鉴于上述的情况，本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置和使用该等离子体处理装置的器件的制造方法，该处理装置能够降低由在放电容器内发生的等离子体引起的损坏，从而能够使放电容器的更换周期延长。

[0010] 针对上述的问题，人们想到将放电容器从电磁体的轴向中心离开规定距离以上的方法，但在此情况下，特别是在径向上远离电磁体的中心轴线的区域不能确保需要的磁场强度，所以不能充分地扩散等离子体。另外，往往会因未扩散的带电粒子导致内壁的腐蚀加快。针对于此，如本发明这样，设置突出部而使放电容器的内壁从由等离子体形成的带电粒子的聚集(focus)位置偏移，从而不降低扩散效率就能够提高放电容器的耐久性。

[0011] 为了达成上述的目的而做成的本发明的技术方案如下所述。

[0012] 即、本发明的等离子体处理装置的特征在于，其包括：处理室，其划分出处理空间；放电容器，其由筒体构成，该筒体的一端以面对上述处理室的内部的方式开口，该筒体的另一端被闭塞；天线，其配置在上述放电容器的周围，用于使感应电场产生并用于在减压条件下的上述放电容器的内部生成等离子体；磁体，其配置在上述放电容器的周围，用于在上述放电容器的内部形成发散磁场，上述放电容器的闭塞端部具有向上述处理室侧突出的突出部。

[0013] 另外，本发明的等离子体处理装置的特征在于，其包括：处理室，其划分出处理空间；放电容器，其由筒体构成，该筒体的一端以面对上述处理室的内部的方式开口，该筒体的另一端被闭塞；天线，其配置在上述放电容器的周围，用于产生感应电场并用于在减压条件下的上述放电容器的内部生成等离子体；磁体，其具有被配置在上述放电容器的周围的线圈；遮蔽构件，其位于上述放电容器内，且至少配置在上述磁体的轴向中心的位置，用于对从上述磁体的轴向中心向与上述处理室相反的一侧的等离子体的扩散进行遮蔽。

[0014] 另外，本发明的器件的制造方法是在放电容器的内部生成等离子体、利用磁体的发散磁场使等离子体发散到处理室的内部、从而对处理对象进行处理来制造器件的方法，其特征在于，当进行等离子体处理时配置上述放电容器，该放电容器在闭塞端部具有向上述处理室侧突出的突出部。

[0015] 采用本发明，因为放电容器的闭塞端部具有向处理室侧突出的突出部，所以能够降低由等离子体引起的放电容器的损坏，从而能够使放电容器的更换周期延长。附图说明

[0016] 图1是表示第1实施方式的干蚀刻装置的概略结构的图。

[0017] 图2是表示放电容器的结构的剖视图。

[0018] 图3是用于说明电磁体的结构的概略局部剖视图。

[0019] 图4是表示电磁体与突出部的位置关系的图。

[0020] 图5是将放电容器局部地分解而表示的剖视图。

[0021] 图6是表示电磁体与突出部的位置关系的图。

[0022] 图7是示意性地表示第2实施方式的干蚀刻装置的概略图。

[0023] 图8是表示突出部的温度与蚀刻残渣量之间的关系的说明图。

[0024] 图9是表示使用第2实施方式的干蚀刻装置并以各冷却效率进行干蚀刻处理的情况下的放电容器的温度推移的说明图。

[0025] 图10是表示反复进行干蚀刻工序的情况下的放电容器的温度推移的说明图。

[0026] 图11是示意性地表示第3实施方式的干蚀刻装置的概略图。

[0027] 图12是表示配合各基板的处理而只在放电时进行冷却的情况下、包括不放电的时间在内地连续进行冷却的情况下的放电容器的温度推移的说明图。

具体实施方式

[0028] 下面，参照附图说明本发明的实施方式，但本发明不限定于本实施方式。

[0029] 第1实施方式

[0030] 在本实施方式中，作为等离子体处理装置，例示了有磁场高频感应耦合型的干蚀刻装置。

[0031] 图1是示意性地表示本实施方式的干蚀刻装置的概略图。

[0032] 如图1所示，本实施方式的干蚀刻装置1具有用于划分出处理空间的处理室2，在其上部壁的中央部配置有放电容器3。

[0033] 放电容器3是一端被开口、另一端被闭塞的容器，以开口端部为下端、以闭塞端部为上端，以开口侧面对处理室2内的方式配置。即、放电容器3的内部与处理室2的内部相连通。另外，处理室与排气系统相连接，从而能够一边进行排气一边进行处理，这一点未加图示。

[0034] 参照图2和图5说明本实施方式的放电容器3的详细的结构。图2是本实施方式的放电容器3的剖视图，图5是为了说明结构和制作方法而将放电容器3局部地分解而表示的剖视图。

[0035] 本实施方式的放电容器3是圆筒状的筒体，闭塞端部具有向处理室2侧突出的突出部15(遮蔽构件，其在放电容器3内，且至少配置在磁体9的轴向中心的位置，用于对从磁体9的轴向中心向与处理室2相反的一侧的等离子体的扩散进行遮蔽)。在此，突出部15形成为在该突出部15与放电容器3的中心轴线A1的交点C的位置最突出的弯曲面，以使放电容器3的闭塞端部的壁厚增大。作为形成材料，可以使用石英玻璃、陶瓷、蓝宝石等介电体，特别是使用石英玻璃时，因为高频损失少、加工特性优越，所以优选。另外，开口端部形成有凸缘16，由此，能够利用该凸缘将开口端部安装到处理室2上。放电容器3例如是在分别形成凸缘16、圆筒状的主体17以及突出部15之后，进行接合而成形为一体。

[0036] 另外，在本实施方式中，因为放电容器3的闭塞端部兼作突出部15，所以该突出部15由与放电容器3相同的材料形成，但也可以由不同的材料的电介体形成。另外，突出部
15不限于弯曲面，也可以突出成圆锥状、台阶状。

[0037] 在放电容器3的周围配置有线圈状的天线4，该天线4例如经由匹配电路6连接到高频电源等电源7。天线4利用来自于电源7的电力供给使放电容器3内产生感应电场并向减压条件下的处理室2和放电容器3内导入放电用气体，在放电容器3内生成等离子体。另外，在本实施方式中，电源7的一端与天线4相连接，另一端接地。在高频电源的情况下，例如，使用13.56MHz或者27.12MHz的高频。

[0038] 另外，在天线4的外周，作为磁场设定部件，设有环状或者螺旋状的电磁体9，其中心轴线A2与放电容器3的中心轴线A1配置在相同的轴线上。电磁体9用于沿轴向形成交变磁场，利用向处理室2侧发散的发散磁场M使在放电容器3的内部生成的等离子体P向处理室2内扩散。在本实施方式中，使用单一的电磁体，但例如，也可以同心圆状地配置两个以上的电磁体。在此情况下，只要至少一个电磁体满足本申请的发明的关系即可，例如，在电磁体的强度有差别的情况下，优选使形成强磁场的一方的电磁体满足本申请的发明的关系。

[0039] 在处理室2内的下部设有对作为处理对象的基板10进行保持的基板保持件11，基板保持件11能够以基板10的被处理面10a朝向放电容器3的方式进行保持。在该基板保持件11上经由匹配电路12连接有偏置电源13，可以通过对施加到基板10的电压进行控制来控制向基板10入射的离子能量。

[0040] 另外，在处理室2上设有与未图示的气体导入部件相连通的气体导入口14，可以从该气体导入口14向处理室2内导入用于蚀刻的处理气体、等离子体生成所需要的放电用气体。

[0041] 放电用气体、处理气体的种类没有特别限定，作为放电用气体，可以使用例如Ar、Kr、N2等非活性气体。另外，作为处理气体，可以根据蚀刻处理对象的种类单独或者组合使用例如Cl2、BCl、CHF3等卤素或者卤化物气体、SO2等硫化物气体、N2、O2等。根据处理气体的种类的不同，也可以不使用放电气体而将处理气体用于放电用、蚀刻用。另外，特别是含有SO2和O2的混合气体等在超过300℃的高温条件下易于产生蚀刻残渣。因此，优选如后述的第2和第3实施方式那样一边利用冷却机构21将放电容器3冷却到300℃以下一边进行干蚀刻处理的情况(参照后述的图7和图11)。

[0042] 下面，说明作为本发明的特征部分的放电容器3的突出部15与电磁体9之间的位置关系。

[0043] 如图4所示，优选以如下所述的方式设定突出部15的突出量和电磁体9的配置：成为电磁体9的轴向中心和径向中心的中心点D(参照图3)与突出部15的突出端、即突出部15和电磁体9的中心轴线A2的交点(在本实施方式中与交点C一致)之间的距离L是
20mm以上。如图4所示，在等离子体生成时，因为带电粒子以卷绕于发散磁场M的磁力线的方式运动(在图中用附图标记E表示)，所以在磁力线集中的电磁体9的中心点D附近带电粒子易于集中。利用突出部15将放电容器3的内壁从该易于被蚀刻的聚集位置偏移地设置，从而能够抑制放电容器3的内壁被蚀刻。

[0044] 虽然设有突出部15但距离L小于20mm时，有可能不能充分地避免蚀刻。另外，将放电容器3与电磁体9过度分离而该距离L变得太大时，有可能在放电容器3内、特别是在径向外侧的部分不能确保充分的发散磁场M而扩散效率下降。同样，也在突出部15的突出量较大的情况下，磁场的大小有可能在径向大幅变化而扩散效率下降。因此，优选距离L为60mm以下。

[0045] 另外，虽然对放电容器3内壁的闭塞端面与电磁体9的轴向中心之间的在轴向上的距离没有特别限定，但优选该闭塞端面位于电磁体9的轴向中心的附近，考虑到在径向外侧得到充分的磁场的强度，优选上述距离在0mm～10mm左右的范围内。关于突出部的突出量，考虑到放电容器的耐久性、放电容器内的容积，优选从放电容器底部到突出部顶端的距离为27mm～47mm。突出量过少则耐久性差，突出量过长则放电容器的容积变小而变得难以产生等离子体。

[0046] 另外，在图4的例子中，将放电容器3内壁的闭塞端面和突出部15配置在比电磁体9的轴向中心靠处理室2侧的位置，但不限于此。例如，如图6所示，也可以在将闭塞端面配置在比电磁体9的轴向中心靠大气侧的位置的状态下，通过将突出部15的突出量增大，使得距离L为20mm以上。

[0047] 另外，在电磁体9和放电容器3不是同心配置的情况下，也只要突出部15沿着电磁体9的中心轴线A2向处理室2侧突出，使电磁体9的轴向中心、突出部15和电磁体9的中心轴线A2的交点之间的距离为20mm以上即可。另外不需要在突出部15与电磁体9的中心轴线A2的交点位置最突出，也可以在其他的部分更突出，任意地设定突出部15的形状。

[0048] 下面，说明干蚀刻装置1的作用效果，并说明使用该干蚀刻装置1所实施的器件的制造方法。

[0049] 使用图1的干蚀刻装置1干蚀刻基板10的被处理面10a。另外，在本实施方式中，例如，在器件基板10的被处理面10a上形成的以有机物为主成份的抗蚀剂膜是处理对象。

[0050] 首先，在处理室2内进行等离子体处理时，配置：在上述闭塞端部具有向处理室侧突出的突出部15的放电容器3。

[0051] 在进行干蚀刻时，对处理室2进行减压且导入放电用气体，向天线4供给电力，从而在减压条件下的放电容器3内生成等离子体。然后，利用电磁体9形成发散磁场，使等离子体向处理室2内扩散而与导入到处理室2内的处理气体反应。另外，图1中的G是处理气体的流动方向。

[0052] 处理气体在处理室2内由于等离子体P的作用而发生化学反应，从而蚀刻基板10的被处理面10a。此时，根据需要从偏置电源13向基板保持件11的内部的电极供给电力，从而调整向基板10入射的离子能量。

[0053] 例如，在基板10的被处理面10a上制作的SiO2膜的蚀刻例如通过如下方式进行：作为处理气体使用CF4气体来生成等离子体时，生成氟的活性种而与SiO2反应。通过将产生的反应生成物(SiF4、O2等)作为气体而排气、除去，实现蚀刻。另外，实际的微细加工预先利用光曝光和显影技术将规定的微细的图案作为掩模形成在要蚀刻的膜的表面上，使用该掩模图案来实现对目标材料膜的蚀刻的实施。

[0054] 采用本实施方式的干蚀刻装置1，因为利用突出部15，以避免由环状的电磁体9引起的磁力线的集中部分的方式来配置放电容器3的内壁，所以降低了对放电容器3的损坏，耐久性优越。

[0055] 为了确认本发明的作用效果，使用图1的干蚀刻装置1进行了耐久性试验。具体而言，用石英玻璃构成放电容器3，将突出部15的厚度设定为多种值，对于形成有突出部15的情况和未形成突出部15的情况分别反复进行规定的干蚀刻工序，从而确认了耐久性。

[0056] 结果，在形成有突出部15的情况下，任意一个情况与未形成突出部15的情况相比都确认了耐久性提高的效果。

[0057] 这样，使用本实施方式的干蚀刻装置1时，能够大幅改善放电容器3的更换周期，在器件制造领域非常有益。

[0058] 第2实施方式

[0059] 下面，参照图7至图10来说明本发明的等离子体处理装置的第2实施方式。在第2实施方式中，与第1实施方式同样，作为等离子体处理装置例示了有磁场高频感应耦合型的干蚀刻装置。图7是示意性地表示第2实施方式的等离子体处理装置的概略图。

[0060] 如图7所示，第2实施方式的干蚀刻装置20具有匹配箱5和冷却机构21，这点与第1实施方式的干蚀刻装置1不同。另外，对于与第1实施方式相同的构成要件标注相同的附图标记进行说明。

[0061] 冷却机构21是将突出部15局部地冷却到10℃～300℃的装置。本实施方式的冷却机构21例如由送风扇形成，送风扇从放电容器3的外侧朝向放电容器3的闭塞端部输送作为冷却介质的空气，通过调整其送风量来设定为规定的冷却效率。在本实施方式中，通过将冷却效率设定为3.0W/K～100W/K，将突出部15冷却为10℃～300℃。冷却机构21配置在匹配箱5之上，在该冷却机构21的正下方形成有开口部22，能够直接向放电容器3送风。另外，冷却机构21不限定于送风扇。

[0062] 这样，通过将突出部15冷却为10℃～300℃，能够抑制蚀刻残渣的产生。在此，对蚀刻残渣的产生机理进行说明。突出部15被来自于等离子体P的热量输入加热时，电介体的石英玻璃、陶瓷等材料、或者沉积的沉积物被溅射，飞散到作为蚀刻对象的基板10的被处理面10a上。在蚀刻对象的蚀刻速度比飞散的物质的飞散速度还慢的情况下、即，与蚀刻对象的选择比大的情况，飞散的物质变成微型掩模。变成该微型掩模而被蚀刻掉的部分成为蚀刻残渣。

[0063] 图8是表示突出部的温度与蚀刻残渣量之间的关系的说明图。如图8所示，在突出部的温度超过300℃(T0)时，产生蚀刻残渣，随着温度的上升急剧地增加。因此，通过将突出部的温度冷却到300℃以下，能够抑制蚀刻残渣的产生。另外，因为在将突出部15的温度设为小于10℃时存在结露等问题，所以优选冷却到10℃以上。

[0064] 另外，图9是表示使用第2实施方式的干蚀刻装置、以各冷却效率进行干蚀刻处理的情况下的放电容器的温度推移的说明图。另外，放电容器3的温度是通过用非接触式温度计测量突出部15的温度而得到的。

[0065] 结果，确认了在冷却效率为3W/K以上时，在一次通常的干蚀刻工序的上限处理时间、即600秒的放电中抑制为300℃以下，且平衡温度抑制为300℃附近。

[0066] 下面，图10是表示反复进行干蚀刻工序的情况下的放电容器的温度推移的说明图。如图10所示，没有冷却机构21的结构的突出部15的温度超过300℃而过热，但在利用冷却机构21进行冷却的情况下(冷却效率3W/K)，能够维持突出部15在300℃以下。因此，采用第2实施方式，除了与第1实施方式相同的作用效果之外，还起到如下所述的有利的效果：利用冷却机构21的冷却来抑制突出部15的温度上升或者蚀刻中的温度变化，从而能够抑制残渣的产生。

[0067] 另外，过度提高冷却效率时，会促进沉积物向放电容器3内沉积，从而形成微粒的产生原因，或者使维护周期变短，所以最大冷却效率优选为100W/K以下。

[0068] 第3实施方式

[0069] 下面，参照图11以及图12说明本发明的等离子体处理装置的第3实施方式。在第3实施方式中，与第1以及第2实施方式同样，作为等离子体处理装置，例示了有磁场高频感应耦合型的干蚀刻装置。图11是示意性地表示第3实施方式的干蚀刻装置的概略图。

[0070] 如图11所示，第3实施方式的干蚀刻装置30具有对冷却机构21进行控制的控制装置31，这点与第2实施方式的干蚀刻装置20不同。另外，对与第1以及第2实施方式相同的构成要件标注相同的附图标记而进行说明。

[0071] 控制装置31具有与等离子体放电的闪烁(日文：点滅)同步地使冷却机构20进行动作的功能。具体而言，在处理室2内具有用于对等离子体激励时的发光进行检测的放电传感器32，控制装置31以如下所述的方式进行控制，即、在放电传感器32检测到放电的期间使冷却机构21进行动作、不放电时使冷却机构21的动作停止。放电传感器32由受光元件形成，如图11所示，放电传感器32以面对处理室2内的方式配置在窗部33的外侧，该窗部33形成在处理室2的侧壁上。即、放电传感器32根据经由上述窗部33检测到的受光量对放电的有无进行判定。

[0072] 不限定于基于放电传感器的检测的间歇冷却，例如，也可以采用如下所述的方式，即、预先按照工艺过程用规定的序列执行从电源7向天线4的电力供给的通/断，控制装置31配合该电力供给的通/断使冷却机构21进行间歇运转。或者，也可以在连接电源7和天线4的传输路径上设置放电检测电路用以检测实际的放电的开始、结束，控制装置31以与该放电的开始、结束同步的方式使冷却机构21进行间歇运转。另外，不限于使冷却机构21进行间歇运转的情况，例如，也可以在放电装置31不放电时和放电时阶段式地或者连续地使冷却效率变化，从而间歇冷却放电容器3。

[0073] 在此，在蚀刻处理中，温度因来自等离子体P的热量输入而上升，在不进行蚀刻处理的期间，主要是自突出部15的大气侧表面利用与大气温度之差来降低温度。由于该突出部15的温度变化，导致沉积的沉积物的膜应力发生变化而引起膜剥落，作为微粒向处理对象即基板10的被处理面10a上飞散。该微粒也变成微型掩模，从而成为蚀刻残渣的原因。因此，通过如上述那样设置与放电同步地进行冷却的控制装置31，能够抑制蚀刻处理前后的温度变化，从而能够抑制微粒的产生、蚀刻残渣的产生。

[0074] 图12是表示配合各基板的处理，只在放电时进行冷却的情况下、包括不放电的时间地连续冷却的情况下的放电容器的温度推移的说明图。如图12所示，在没有同步功能的情况下，蚀刻中的突出部15的温度变化有116℃左右。相对于此，在利用上述控制装置31与放电同步地进行冷却的情况下，能够使突出部15的温度变化减小到85℃，从而能够抑制伴随温度变化的蚀刻残渣的产生。

[0075] 另外，由于产生等离子体P的高频的功率、蚀刻的时间、蚀刻处理的连续的不同，突出部15的上升温度不同。在此情况下，通过与突出部15的温度相对应地变更冷却机构21的冷却效率，能够将突出部15的温度抑制到不产生残渣的温度。

[0076] 这样，第3实施方式基本上起到与第2实施方式相同的作用效果，但采用第3实施方式，通过运用突出部15的冷却方法，能够更确实地起到抑制蚀刻残渣的产生这一有利的效果。

[0077] 上面，说明了本发明的优选的实施方式，但上述是用于本发明的说明的例示，其宗旨不是将本发明的范围仅限定在上述实施方式。本发明在不脱离其主旨范围内，能够以与上述实施方式不同的多种方式实施。

[0078] 例如，突出部的形状不限定于上述实施方式。例如，放电容器的闭塞端部的外表面也可以是在突出部凹陷而形成的凹面。总之，在上述实施方式中，以使闭塞端部的外表面在突出部和突出部的周围都形成为相同的平坦面的方式对闭塞端部的外表面形成壁，但保持一定程度的壁厚并且形成凹陷时，由于能抑制突出部分的热容量，且从外表面侧进行冷却时能够增大冷却面积，所以冷却效果好。

[0079] 另外，适用装置不限定于蚀刻装置，也能在下述装置中适用，即、在放电容器产生等离子体，经由栅极(grid)向处理室侧引入离子束的离子束装置、CVD装置等。实施例

[0080] 下面，说明本发明的实施例。

[0081] 在图1所示的干蚀刻装置1中，调整电磁体9与放电容器3的位置关系，将上述距离L设定为各种值，在下述所示的条件下进行了耐久性试验。

[0082] 处理气体：CH3OH

[0083] 处理气体流量：30sccm

[0084] 向天线4供给的电力：3000W

[0085] 偏置电力：2000W

[0086] 电磁体电流：25A

[0087] 向处理室2内导入CH3OH作为处理气体，进行总计7小时的放电，然后，利用目视比较各放电容器3的内壁的状态。

[0088] 结果，距离L小于20mm时，在突出部15的表面略微残留有切削的痕迹，在距离L为20～60mm的本发明的突出部15的表面未残存有受到切削、损坏的痕迹。另外，L远大于60mm时，未引起充分的扩散，从而蚀刻率下降。

[0089] 根据上述的情况确认了本发明的等离子体处理装置的放电容器的耐久性优越。

[0090] 附图标记说明

[0091] 1、20、30、干蚀刻装置(等离子体处理装置)；2、处理室；3、放电容器；4、天线；7、电源；9、电磁体；10、基板；10a、被处理面；11、基板保持件；15、突出部；16、凸缘；17、主体；21、冷却机构；31、控制装置；32、放电传感器；P、等离子体；M、发散磁场。

标题	发布/更新时间	阅读量
离子注入方法及离子注入装置	2020-05-13	492
一种高压开关SF6气体灭弧室新型灭弧触头结构	2020-05-08	470
针对高温热源设备的降温散热系统及降温散热方法	2020-05-13	304
一种非晶合金加强型球拍及其制备方法	2020-05-13	445
汽车发动机主机散热器	2020-05-08	701
一种卧式CS2回收用便于固定的冷凝器	2020-05-14	447
一种粪便和作物秸秆综合发酵装置	2020-05-08	994
一种钢筋生产用可快速冷却降温的焊接装置	2020-05-12	390
蜂蜜冷却设备	2020-05-13	427
一种具有蒸汽回收功能的烹饪器具	2020-05-12	154

等离子体处理装置以及器件的制造方法

等离子体处理装置以及器件的制造方法

技术领域

背景技术

发明内容

具体实施方式

该功能需要专业版企业版VIP权限，您可以：