一种钛酸钡基半导体陶瓷的高能球磨制备方法
专利汇可以提供一种钛酸钡基半导体陶瓷的高能球磨制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种制备 钛 酸钡基PTC 半导体 陶瓷细晶结构的方法，该方法以 碳 酸钡、二 氧 化钛、氧化钇、 硝酸 锰、碳酸锶或/和碳酸 钙 为原料，用直径为1～2mm的ZrO2小球、厚度为1μm的缝隙过滤浆料、转速为1400～2400rpm、球磨时间为1～3小时，最终获得粒径大小为20～50nm的钛酸钡基PTC粉体；然后再分散剂、 粘合剂 和 增塑剂 进行混合球磨3～5小时，然后静置5～12小时去除气泡及物理团聚，最后进行过筛处理获得流延浆料；最后 对流 延浆料进行流延操作，制备钛酸钡陶瓷生坯。获得的片式细晶PTC，其特征在于磁体晶粒大小在2微米以下，室温 电阻 率 ≤120Ω.cm， 升阻比 ≥4×103， 居里 温度 在80～120℃。，下面是一种钛酸钡基半导体陶瓷的高能球磨制备方法专利的具体信息内容。
1.一种制备钛酸钡基PTC半导体陶瓷细晶结构的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：
(1)将碳酸钡、二氧化钛、氧化钇、硝酸锰、碳酸锶或/和碳酸钙按下述化合物摩尔组分比混合；
BaCO3 80～120，TiO2 80～120，Y2O3 0.2～0.5，Mn(NO3)2 0.02～0.04，SrCO3或/和CaCO3 5～30；
(2)以每100质量单位混合物计，称量2～4质量单位的二氧化硅加入进行球磨混合
3～5小时后，将所得浆料进行烘干、预烧处理，合成掺杂改性的钛酸钡粉体；
(3)将获得的钛酸钡粉体进行高能超细球磨，高能超细球磨采用直径为1～2mm的ZrO2小球、厚度为0.5～2μm的缝隙过滤浆料、转速为1400～2400rpm、球磨时间为1～3小时，最终获得粒径大小为20～50nm的钛酸钡基PTC粉体；
(4)以每100质量单位的钛酸钡粉体计，称量以下原料：50～60质量单位的三氯乙烯和20～30质量单位乙醇混合配制的溶剂，3～6质量单位的磷酸三丁酯作为分散剂，进行混合球磨3～5小时后，再次加入8～12质量单位的聚乙烯醇缩丁醛树脂和50～60质量单位的乙醇混合配制的粘合剂，6～10质量单位的邻苯二甲酸二丁酯作为增塑剂进行混合球磨3～5小时，然后静置5～12小时去除气泡及物理团聚，最后进行过筛处理获得流延浆料；
(5)对流延浆料进行流延处理，得到所需的陶瓷生坯，切片后再进行烧结处理，获得所需的片式细晶陶瓷。
一种钛酸钡基半导体陶瓷的高能球磨制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
以下，室温电阻率在120Ω.cm以下，升阻比为4×10 以上，居里温度在80℃～120℃。 具体实施方式
50nm的钛酸钡基PTC粉体。
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