等离子体增强原子层淀积
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| 一种具有П型栅的GaN基射频器件及其制备方法 | 2020-07-14 | 383 |
| 一种基于微电极阵列的三电极集成电化学传感器 | 2020-07-18 | 477 |
| 用于PEM燃料电池的超亲水微孔导电涂层 | 2020-07-22 | 528 |
| 用于PEM燃料电池的超亲水微孔导电涂层 | 2020-07-09 | 92 |
| 制备用于应变SiCMOS应用中的高质量弛豫的绝缘体上SiGe的方法 | 2020-07-15 | 568 |
| 限制缺陷形成的制备异质结构的工艺 | 2020-07-16 | 997 |
| 一种具有高线性度的GaN鳍式高电子迁移率晶体管及其制造方法 | 2020-07-05 | 384 |
| 一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法 | 2020-07-20 | 69 |
| 一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法 | 2020-07-21 | 202 |
| 一种提高GaN HEMT钝化效果、降低电流崩塌的表面处理技术 | 2020-07-08 | 472 |
| 一种选择性发射极的背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法 | 2020-07-23 | 711 |
| 限制缺陷形成的制备异质结构的工艺 | 2020-07-17 | 858 |
| 用于制造半导体器件的方法和半导体器件 | 2020-07-11 | 920 |
| 用于制造半导体器件的方法和半导体器件 | 2020-07-12 | 139 |
| 增强型的Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管及制作方法 | 2020-07-13 | 177 |
| 在硅基电介质上直接形成六方氮化硼 | 2020-07-07 | 207 |
| 微发光二极管显示器及其制作方法 | 2020-07-10 | 686 |
| 一种基于单个加热元件的甲烷传感器及制备方法和应用 | 2020-07-19 | 655 |
| 制造应变绝缘体上硅半导体衬底的方法 | 2020-07-06 | 258 |
| 铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法 | 2020-07-04 | 515 |
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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| 一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 | 2020-05-25 | 635 |
| 应力匹配的悬臂梁结构及其制造方法 | 2020-05-21 | 599 |
| 应力匹配的悬臂梁结构及其制造方法 | 2020-05-17 | 68 |
| 氮化镓盖帽层掩模的凹槽栅氮化镓基增强型器件制备方法 | 2020-05-24 | 512 |
| 淀积含碳的薄膜用于形成掺杂区域间隔层的方法 | 2020-05-21 | 774 |
| N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管及制作方法 | 2020-05-25 | 246 |
| T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管 | 2020-05-26 | 2 |
| 一种制造介质/氮化物复合结构增强型场效应管的方法 | 2020-05-13 | 860 |
| N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管及制作方法 | 2020-05-25 | 532 |
| 具有受控的双轴应力的超低介电常数层 | 2020-05-24 | 633 |
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