| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 121 | 场发射像素管 | CN201010563927.8 | 2010-11-29 | CN102024654B | 2013-02-13 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明提供一种场发射像素管，其包括：一壳体，所述壳体具有一出光部；一荧光粉层及一阳极，所述阳极及荧光粉层设置于所述壳体出光部；一阴极，所述阴极与所述阳极间隔设置，该阴极包括一阴极支撑体与至少一电子发射体，其中，所述至少一电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构的一端与所述阴极支撑体电连接，所述碳纳米管管状结构的另一端向所述阳极延伸作为电子发射体的电子发射端，所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕一中空的线状轴心组成，所述碳纳米管管状结构在电子发射端延伸出多个电子发射尖端。 | ||||||
| 122 | 场发射电子器件 | CN201010598615.0 | 2010-12-21 | CN102074442B | 2012-11-21 | 魏洋; 柳鹏; 郝海燕; 范守善 |
| 本发明涉及一种场发射电子器件，其包括：一绝缘基板；多个行电极；多个阴极发射体；一隔离层；多个列电极相互平行且间隔设置于隔离层的表面，该多个列电极；一阳极装置，该阳极装置包括一阳极玻璃基板、一阳极电极以及多个荧光粉区域；所述阴极发射体包括至少一电子发射体，所述电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构的一端与所述行电极电连接，所述碳纳米管管状结构的另一端向所述阳极电极延伸作为电子发射体的电子发射端，所述碳纳米管管状结构具有一中空的线状轴心，所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕该中空的线状轴心组成，所述碳纳米管管状结构沿所述线状轴心的一端延伸出多个电子发射尖端。 | ||||||
| 123 | 场发射显示装置 | CN201010591539.0 | 2010-12-16 | CN102064071B | 2012-07-18 | 柳鹏; 周段亮; 范守善 |
| 本发明提供一种场发射显示装置，其包括：一绝缘基底；多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线与两个相邻的列电极引线形成一个网格；多个电子发射单元，每个电子发射单元对应一个网格设置，每个电子发射单元包括间隔设置的一阴极电极与一阳极电极，以及一阴极发射体，所述阴极发射体与阳极电极间隔设置；其中，所述每个电子发射单元进一步包括一第一聚焦电极及第二聚焦电极，所述第一聚焦电极和第二聚焦电极分别设置于阴极发射体两侧。 | ||||||
| 124 | 场发射显示器 | CN201110032846.X | 2011-01-26 | CN102568987A | 2012-07-11 | 杨宗翰; 罗吉宗 |
| 本发明公开了一种场发射显示器，包括：一底基板；多条阴极，设置于底基板上；一绝缘层，设置于阴极上且具有多个开口，其中该些开口对应阴极；多条阳极，设置于绝缘层上，并与该些阴极排列成一矩阵，其中该些阳极分别具有至少一撞击面；以及多个子画素单元，其分别包括：一发光区，具有一设置于该撞击面上的发光层；以及至少一发射块，对应该发光区且设置于该些开口中，并与该些阴极电性连接且凸出该些开口。据此，本发明可提高场发射显示器的光利用率。 | ||||||
| 125 | 场发射电子源 | CN201110325622.8 | 2008-03-19 | CN102394204A | 2012-03-28 | 魏洋; 刘亮; 范守善 |
| 一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管针尖。该碳纳米管针尖为一碳纳米管束状结构，该碳纳米管束状结构包括多个沿碳纳米管针尖轴向定向延伸且首尾相连的碳纳米管。该碳纳米管针尖具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部为一根突出的碳纳米管。 | ||||||
| 126 | 场发射电子器件 | CN200810188684.7 | 2008-12-18 | CN101465259B | 2011-12-21 | 柳鹏; 刘亮; 姜开利; 范守善 |
| 一种场发射电子器件，其包括：一绝缘基底；多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线与两个相邻的列电极引线形成一个网格，行电极引线与列电极引线之间电绝缘；多个电子发射单元，每个电子发射单元对应一个网格设置，每个电子发射单元进一步包括间隔设置的一阴极电极与一阳极电极，且该阳极电极和阴极电极分别与上述行电极引线与列电极引线电连接，以及一阴极发射体，该阴极发射体与阴极电极电连接，且与阳极电极间隔设置。 | ||||||
| 127 | 场发射显示器 | CN200810066119.3 | 2008-03-19 | CN101540260B | 2011-12-14 | 柳鹏; 范守善; 刘亮; 姜开利 |
| 一种场发射显示器，其包括：一透明基板；多个支撑体；一绝缘基底通过多个支撑体与透明基板相对间隔设置；多个行电极与列电极平行且等间隔设置于该绝缘基底上，该多个行电极与多个列电极相互交叉设置，每两个相邻的行电极与每两个相邻的列电极交叉构成一个网格，且行电极与列电极之间电绝缘；多个像素单元，每个像素单元对应一个网格设置，每个像素单元包括一荧光粉层及间隔设置的一个阳极电极与一个阴极电极，以及一阴极发射体，该阳极电极和阴极电极分别与相应行电极与列电极电连接，该阴极发射体一端与所述阴极电极电连接；其中，所述荧光粉层设置于相应阳极电极表面。 | ||||||
| 128 | 场发射显示装置 | CN201010591539.0 | 2010-12-16 | CN102064071A | 2011-05-18 | 柳鹏; 周段亮; 范守善 |
| 本发明提供一种场发射显示装置，其包括：一绝缘基底；多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线与两个相邻的列电极引线形成一个网格；多个电子发射单元，每个电子发射单元对应一个网格设置，每个电子发射单元包括间隔设置的一阴极电极与一阳极电极，以及一阴极发射体，所述阴极发射体与阳极电极间隔设置；其中，所述每个电子发射单元进一步包括一第一聚焦电极及第二聚焦电极，所述第一聚焦电极和第二聚焦电极分别设置于阴极发射体两侧。 | ||||||
| 129 | 场发射像素管 | CN200710124774.5 | 2007-11-23 | CN101441972B | 2011-01-26 | 魏洋; 刘亮; 范守善 |
| 本发明涉及一种场发射像素管，其包括一壳体及多个显示像素单元间隔设置于该壳体内，其中，每个显示像素单元包括一阴极，至少一阳极，以及至少一荧光粉层，该阴极包括至少一个阴极发射体，该阴极发射体与阳极对应设置，该荧光粉层设置于阳极上。 | ||||||
| 130 | 场发射像素管 | CN200710124775.X | 2007-11-23 | CN101441969B | 2010-07-28 | 魏洋; 刘亮; 范守善 |
| 本发明涉及一种场发射像素管，其包括一壳体以及置于壳体内的一个阴极，至少三个阳极和设置于该阳极表面的荧光粉层，所述阴极与每个阳极之间间隔设置，其中，所述阴极包括至少三个阴极发射体，该至少三个阴极发射体与所述至少三个阳极一一对应设置，所述每个阴极发射体包括一电子发射端，该至少三个阴极发射体的电子发射端分别靠近与之对应的阳极表面设置。 | ||||||
| 131 | 场发射偏振光源 | CN200710077111.2 | 2007-09-14 | CN101388319B | 2010-05-26 | 冯辰; 柳鹏; 范守善 |
| 本发明提供一种场发射偏振光源，其包括：一具有一平整表面的基板、一形成在该基板表面的阴极导电层、多个设置在该阴极导电层上的电子发射体、一与该阴极导电层相隔一定距离设置的一透明基板、一形成于该透明基板靠近电子发射体一侧的阳极层、一设置在该阳极层表面的荧光层，其中，该阳极层为碳纳米管薄膜结构且该碳纳米管薄膜结构中的碳纳米管择优取向排列。 | ||||||
| 132 | 场发射像素管 | CN200710076271.5 | 2007-06-29 | CN101335175B | 2010-05-26 | 杨远超; 刘亮; 姜开利; 范守善 |
| 本发明涉及一种场发射像素管。所述的场发射像素管包括壳体、分别设置在壳体两端的阳极与阴极，所述阴极包括碳纳米管线，所述场发射像素管还包括屏蔽极，所述屏蔽极环绕所述碳纳米管线设置。所述场发射像素管中，屏蔽极可以屏蔽阳极的高电压，降低碳纳米管线表面电场强度，使碳纳米管线在高电压下可保持小的发射电流，符合理想的场发射像素管的工作条件。 | ||||||
| 133 | 场发射电子源 | CN200810066123.X | 2008-03-19 | CN101540251A | 2009-09-23 | 魏洋; 刘亮; 范守善 |
| 一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管针尖。该碳纳米管针尖具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部为一根突出的碳纳米管。 | ||||||
| 134 | 场发射冷阴极 | CN200910128900.3 | 2002-07-18 | CN101527238A | 2009-09-09 | D·A·小施弗勒 |
| 本发明涉及场发射冷阴极。具体的，本发明涉及一种在真空管中使用的场发射冷阴极(11)。碳丝绒材料(25)由垂直于基体材料嵌入的高纵横比的碳纤维组成。碳丝绒材料(25)的尖端和/或杆部上涂覆有低功函铯盐。碳丝绒材料(25)的基体材料被结合到阴极表面(27)。冷阴极(11)当施加电场时发射电子，即使在小于900℃的操作温度下。 | ||||||
| 135 | 场发射冷阴极 | CN02829338.X | 2002-07-18 | CN100508100C | 2009-07-01 | D·A·小施弗勒 |
| 一种在真空管中使用的场发射冷阴极(11)。碳丝绒材料(25)由垂直于基体材料嵌入的高纵横比的碳纤维组成。碳丝绒材料(25)的尖端和/或杆部上涂覆有低功函铯盐。碳丝绒材料(25)的基体材料被结合到阴极表面(27)。冷阴极(11)当施加电场时发射电子，即使在小于900℃的操作温度下。 | ||||||
| 136 | 场发射偏振光源 | CN200710077111.2 | 2007-09-14 | CN101388319A | 2009-03-18 | 冯辰; 柳鹏; 范守善 |
| 本发明提供一种场发射偏振光源，其包括：一具有一平整表面的基板、一形成在该基板表面的阴极导电层、多个设置在该阴极导电层上的电子发射体、一与该阴极导电层相隔一定距离设置的一透明基板、一形成于该透明基板靠近电子发射体一侧的阳极层、一设置在该阳极层表面的荧光层，其中，该阳极层为碳纳米管薄膜结构且该碳纳米管薄膜结构中的碳纳米管择优取向排列。 | ||||||
| 137 | 场发射照明光源 | CN200410051672.1 | 2004-09-22 | CN100454479C | 2009-01-21 | 陈杰良 |
| 本发明涉及一种照明光源，特别涉及一种场发射照明光源，其包括：具有一平整表面的基底；一形成于该基底表面的导电阴极；一阳极层，其与该导电阴极相隔一定距离从而形成一真空的内部空间；一荧光层，设置于该阳极层表面，当被电子轰击时发出可见光；一绝缘层，位于所述真空的内部空间内，并靠近该导电阴极；及多个电子发射端，用以发射电子，其中，各电子发射端包括一柱状体及一锥形尖端，该柱状体形成于绝缘层上，该锥形尖端为导电金属，形成于柱状体顶部，该柱状体与该绝缘层由相同材料组成，且与绝缘层形成一整体。本发明场发射端结构稳定，可承受较高电场作用，提高光亮度及强度，可广泛用于照明设备，如汽车头灯等。 | ||||||
| 138 | 场发射显示器 | CN200610150412.9 | 2006-10-25 | CN101170041A | 2008-04-30 | 林正丰; 郑健民; 邱正茂; 张绫珂 |
| 本发明一种场发射显示器，其包括：一含有一荧光粉层与一阳极的上基板、一下基板、至少一含有一平台部分与至少一突出部分的阴极、一具有开孔或沟槽图样的绝缘层、至少一位于具有开孔或沟槽图样的绝缘层上方的闸极、以及至少一位于阴极的突出部分上方的电子发射体。其中，阴极位于下基板上方，具有开孔或沟槽图样的绝缘层位于阴极的平台部分上方，且绝缘层的图样具有至少一开孔或至少一沟槽。本发明阴极的平台部分与突出部分具有不相同高度，且阴极的突出部分是位于具有开孔或沟槽图样的绝缘层开孔内。通过此，本发明可改善电子发射不均，以增加画面亮度的均匀性及提升色彩对比。 | ||||||
| 139 | 场发射像素管 | CN200610061804.8 | 2006-07-26 | CN101114563A | 2008-01-30 | 杨远超; 唐洁; 刘亮; 范守善 |
| 本发明涉及一种场发射像素管。该场发射像素管包括：一个中空壳体，该中空壳体具有一出光部，该出光部的内壁依次设有一荧光层和一阳极层，所述中空壳体内部是真空密封的，该中空壳体内有一个金属筒，该金属筒内壁设有一层经固化的浆料层，该浆料层含有导电的纳米材料，该金属筒与至少一个阴极电极电连接。该场发射像素管的金属筒对电场有很强的屏蔽作用，可以有效的减弱碳纳米管表面的电场，使得碳纳米管可以在10千伏或更高的电压下稳定的工作。 | ||||||
| 140 | 场发射显示装置 | CN200510037116.3 | 2005-09-07 | CN1929080A | 2007-03-14 | 余泰成 |
| 本发明提供一种场发射显示装置，该场发射显示装置包括相对设置的阳极模组及阴极模组，其通过多个阻隔壁支撑并隔开一定距离，其中，该阳极模组包括一阳极基板，该阳极基板面向阴极模组的一面上具有阳极及位于阳极表面的发光层，该阴极模组包括一阴极基板、设于该阴极基板上的阴极以及多个位于阴极上的场发射元件，该阻隔壁包括相交的第一壁及第二壁。 | ||||||
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