| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 减少相互作用反应物的库仑势垒 | CN201880045758.3 | 2018-05-04 | CN111133528A | 2020-05-08 | 黄耀辉 |
| 用于产生和控制核聚变反应的方法、装置、设备和系统。由于离子-中性物耦合，诱导氢原子或其他中性物质(中性物)在约束区域中旋转运动，其中离子是由电场和磁场驱动的。受控聚变反应包括一系列反应，包括诸如质子-硼-11聚变反应的无中子反应。 | ||||||
| 2 | 用于穿透库仑势垒的装置和方法 | CN201380030969.7 | 2013-04-25 | CN104350547A | 2015-02-11 | 阿扎罗戈里·雅兹旦博德 |
| 在此披露了一种用于穿透库仑势垒的装置和方法。一个电极被定位在一个空心壳体内，该壳体封闭容纳一种聚变反应燃料如氘的一个内部空间。具有该燃料的内部空间围绕该电极同轴居中，并且由一种高介电强度材料制成的一个约束层位于该内部空间的外边缘处、位于该球形壳体的内表面上。一个高压电源对该电极进行充电，这使得在该约束层的内表面上形成一个紧密填装的聚变燃料核云如氘云，从而促进库仑势垒穿透。使用本发明的装置，还可以创造以下条件：能够通过向该电极施加高压脉冲以朝向该核云发射原子核来实现库仑势垒穿透。 | ||||||
| 3 | 쿨롱 배리어 현상을 이용하는 전압-제어형 가변 커패시턴스 | KR1020037006636 | 2001-11-13 | KR1020030078865A | 2003-10-08 | 프리에드리슈알렝; 느귀옌반다우프레데릭; 페르알베르; 쟈프레앙리 |
| 적어도 1개의 제 1 아마츄어 (L) 및 제 2 아마츄어 (R) 를 포함하고, 아마츄어가 상호 분리되는 복수개의 전도성 집합체를 포함하는 절연층 (D) 에 의해 분리되는 전압 (Vc) 제어형 커패시터와 같은 가변 용량성 장치. 본 발명에 따른 커패시터의 공진 회로로의 이용. | ||||||
| 4 | APPARATUS AND PROCESS FOR PENETRATION OF THE COULOMB BARRIER | EP13780663 | 2013-04-25 | EP2842132A4 | 2015-12-30 | YAZDANBOD AZAROGHLY |
| 5 | クーロン障壁の貫通のための装置及びプロセス | JP2015509126 | 2013-04-25 | JP2015519553A | 2015-07-09 | ヤザンボ，アザローリー |
| クーロン障壁を貫通する装置及び方法が開示されている。電極は、中空のシェル内に位置決めされ、シェルは、重水素などの融合反応性材料を収容する内側空間を封入している。燃料を有する内側空間は、電極を中心として同軸上にセンタリングされており、且つ、高誘電強度材料から製造された閉じ込め層が、球状シェルの内部表面上において、内側空間の外側エッジに配置されている。高電圧電源が、電極を帯電させ、これにより、重水素原子核クラウドなどのぎっしりと充填された融合燃料原子核が閉じ込め層の内側面上に形成され、これにより、クーロン障壁の貫通が促進される。又、本発明の装置を使用することにより、高電圧パルスを電極に印加して原子核のクラウドに向って原子核を放射することにより、クーロン障壁の貫通を可能にする状態を生成することができる。【選択図】図1 | ||||||
| 6 | Variable capacitance voltag-controlllable by use of coulomb barrier phenomenon | US10416893 | 2003-05-16 | US20040047110A1 | 2004-03-11 | Alain Friederich; Frederich Nguyen Van Dau; Albert Fert; Henri Jaffres |
| Variable capacitive device, such as a capacitor, controllable in voltage Vc comprising at least one first armature (L) and one second armature (R), the armatures being separated by an insulation layer (D) including several conducting aggregates separated from each other. Use of the capacitor according to the invention in a resonant circuit. | ||||||
| 7 | 一种制备室温单电子晶体管的方法 | CN201110205684.5 | 2011-07-22 | CN102891083B | 2016-10-19 | 方靖岳; 秦石乔; 张学骜; 王广; 陈卫; 常胜利 |
| 一种制备室温单电子晶体管的方法，以源极、漏极栅极、势垒层和库仑岛为基本结构，覆盖层、库仑岛、势垒层、电极、衬底和基底由上到下依次层叠；源极和漏极之上或者源极、漏极和栅极之上的势垒层利用原子层沉积系统来制备，用于形成电极与库仑岛之间电子隧穿的势垒；库仑岛利用双束系统的电子束诱导沉积来制备，其尺寸、数量和排布具有可控性。本发明精确控制势垒层厚度，精确控制库仑岛的组装定位，显著降低了单电子晶体管制备难度，改善了批量制备单电子晶体管性能的一致性。 | ||||||
| 8 | 一种制备室温单电子晶体管的方法 | CN201110205684.5 | 2011-07-22 | CN102891083A | 2013-01-23 | 方靖岳; 秦石乔; 张学骜; 王广; 陈卫; 常胜利 |
| 一种制备室温单电子晶体管的方法，以源极、漏极栅极、势垒层和库仑岛为基本结构，覆盖层、库仑岛、势垒层、电极、衬底和基底由上到下依次层叠；源极和漏极之上或者源极、漏极和栅极之上的势垒层利用原子层沉积系统来制备，用于形成电极与库仑岛之间电子隧穿的势垒；库仑岛利用双束系统的电子束诱导沉积来制备，其尺寸、数量和排布具有可控性。本发明精确控制势垒层厚度，精确控制库仑岛的组装定位，显著降低了单电子晶体管制备难度，改善了批量制备单电子晶体管性能的一致性。 | ||||||
| 9 | 一种岛动式单电子晶体管的制备方法 | CN201210228473.8 | 2012-07-04 | CN103531466B | 2016-12-21 | 方靖岳; 秦石乔; 张学骜; 秦华; 王飞; 王广; 陈卫; 罗威; 邵铮铮; 贾红辉; 常胜利 |
| 本发明公开了一种制备岛动式单电子晶体管的方法，该方法以硅基片、源极、漏极、栅极、岛区和库仑岛为单电子晶体管基本结构，源极、漏极、栅极集成设置在硅基片表面形成的二氧化硅衬底上，在源极、漏极、栅极之间围成的区域中刻蚀出岛区，库仑岛组装于岛区中并可在岛区中活动。岛区利用聚焦离子束刻蚀或者反应离子刻蚀来制备，库仑岛在电场作用下可以在岛区活动，电极与库仑岛之间隧穿势垒随着电场的变化而有所改变；库仑岛利用胶体Au制备技术来制备，其尺寸具有可控性。该器件最终将表现出场发射和库伦阻塞的综合效应。本发明方法能精确控制库仑岛的大小和库仑岛的组装定位，回避了势垒层需要精确控制的问题，显著降低了单电子晶体管制备难度。 | ||||||
| 10 | 一种岛动式单电子晶体管的制备方法 | CN201210228473.8 | 2012-07-04 | CN103531466A | 2014-01-22 | 方靖岳; 秦石乔; 张学骜; 秦华; 王飞; 王广; 陈卫; 罗威; 邵铮铮; 贾红辉; 常胜利 |
| 本发明公开了一种制备岛动式单电子晶体管的方法，该方法以硅基片、源极、漏极、栅极、岛区和库仑岛为单电子晶体管基本结构，源极、漏极、栅极集成设置在硅基片表面形成的二氧化硅衬底上，在源极、漏极、栅极之间围成的区域中刻蚀出岛区，库仑岛组装于岛区中并可在岛区中活动。岛区利用聚焦离子束刻蚀或者反应离子刻蚀来制备，库仑岛在电场作用下可以在岛区活动，电极与库仑岛之间隧穿势垒随着电场的变化而有所改变；库仑岛利用胶体Au制备技术来制备，其尺寸具有可控性。该器件最终将表现出场发射和库伦阻塞的综合效应。本发明方法能精确控制库仑岛的大小和库仑岛的组装定位，回避了势垒层需要精确控制的问题，显著降低了单电子晶体管制备难度。 | ||||||
| 11 | 单电子磁电阻结构及其应用 | CN200910238510.1 | 2009-11-27 | CN101853918B | 2013-01-23 | 张佳; 温振超; 张晓光; 韩秀峰 |
| 本发明公开了单电子磁电阻结构及其应用，例如自旋二极管、自旋晶体管、传感器、磁性随机存取存储器和磁逻辑器件单元。其中，GMR量子点单电子隧穿磁阻结构包括一衬底，及其上的底部导电层、第一势垒层、GMR磁性量子点层、第二势垒层、顶部导电层。双势垒磁性量子点结构包括核心膜层，该核心膜层从下至上包括：底部电极、第一势垒层、磁性量子点层、第二势垒层以及顶部电极。由于本发明结合库仑阻塞效应和隧穿磁电阻效应，利用外磁场控制通过量子点的库仑能级共振隧穿，提高隧穿磁电阻。利用库仑阻塞形成的磁阻设计能有效提高隧穿磁电阻效应，提高在器件应用的信噪比，同时利用单电子隧穿降低了隧穿电流，因此将减小器件应用上的功耗。 | ||||||
| 12 | 单电子磁电阻结构及其应用 | CN200910238510.1 | 2009-11-27 | CN101853918A | 2010-10-06 | 张佳; 温振超; 张晓光; 韩秀峰 |
| 本发明公开了单电子磁电阻结构及其应用，例如自旋二极管、自旋晶体管、传感器、磁性随机存取存储器和磁逻辑器件单元。其中，GMR量子点单电子隧穿磁阻结构包括一衬底，及其上的底部导电层、第一势垒层、GMR磁性量子点层、第二势垒层、顶部导电层。双势垒磁性量子点结构包括核心膜层，该核心膜层从下至上包括：底部电极、第一势垒层、磁性量子点层、第二势垒层以及顶部电极。由于本发明结合库仑阻塞效应和隧穿磁电阻效应，利用外磁场控制通过量子点的库仑能级共振隧穿，提高隧穿磁电阻。利用库仑阻塞形成的磁阻设计能有效提高隧穿磁电阻效应，提高在器件应用的信噪比，同时利用单电子隧穿降低了隧穿电流，因此将减小器件应用上的功耗。 | ||||||
| 13 | 一种基于单电子晶体管的电荷探针及其制备方法 | CN201610907246.6 | 2016-10-19 | CN106430082A | 2017-02-22 | 方靖岳; 李欣幸; 王飞; 张学骜; 秦华; 常胜利; 秦石乔 |
| 一种基于单电子晶体管（SET）的电荷探针及其制备方法，SET集成在探针悬臂梁的针尖端面，所述SET的源极、漏极、侧栅极和库仑岛埋嵌在探针悬臂梁针尖端面的二氧化硅中，所述电荷探针，以绝缘衬底上的硅（Silicon-On-Insulator，SOI）为基片，SET的基本组成单元：源极、漏极、侧栅极、库仑岛和隧穿势垒集成在上述基片的顶层硅上，并且SET位于电荷探针针尖的端面，其中纳米金颗粒作为SET的库仑岛，位于源极、漏极和侧栅极之间，库仑岛被由基片顶层硅氧化而来的二氧化硅介质包围，库仑岛与源极、漏极以隧道结合的形式耦合，库仑岛与侧栅极以电容的形式耦合。本发明为实现原子力SET扫描探针在纳米级高度对样品表面电荷分布进行高灵敏度扫描探测奠定了基础。 | ||||||
| 14 | 一种基于单电子晶体管的电荷探针及其制备方法 | CN201610907246.6 | 2016-10-19 | CN106430082B | 2017-11-28 | 方靖岳; 李欣幸; 王飞; 张学骜; 秦华; 常胜利; 秦石乔 |
| 一种基于单电子晶体管（SET）的电荷探针及其制备方法，SET集成在探针悬臂梁的针尖端面，所述SET的源极、漏极、侧栅极和库仑岛埋嵌在探针悬臂梁针尖端面的二氧化硅中，所述电荷探针，以绝缘衬底上的硅（Silicon‑On‑Insulator，SOI）为基片，SET的基本组成单元：源极、漏极、侧栅极、库仑岛和隧穿势垒集成在上述基片的顶层硅上，并且SET位于电荷探针针尖的端面，其中纳米金颗粒作为SET的库仑岛，位于源极、漏极和侧栅极之间，库仑岛被由基片顶层硅氧化而来的二氧化硅介质包围，库仑岛与源极、漏极以隧道结合的形式耦合，库仑岛与侧栅极以电容的形式耦合。本发明为实现原子力SET扫描探针在纳米级高度对样品表面电荷分布进行高灵敏度扫描探测奠定了基础。 | ||||||
| 15 | 基于量子点的单电子自旋过滤器及单电子自旋过滤方法 | CN201610907225.4 | 2016-10-19 | CN106449739B | 2023-09-12 | 方靖岳; 李永强; 李欣幸; 秦华; 常胜利; 秦石乔 |
| 一种基于量子点的单电子自旋过滤器及单电子自旋过滤方法，主要组成部分是单电子晶体管，单电子晶体管具有库仑岛、源极、漏极和栅极，量子点作为单电子晶体管的库仑岛，库仑岛与源极和漏极以隧穿势垒连接，库仑岛与栅极以电容形式耦合；单电子晶体管置于垂直磁场中，单电子晶体管的漏极输出端连接自旋电子读出电路，自旋电子读出电路置于水平非均匀磁场中。本发明采用外部调控的方法，使自旋非极化的电子经过单电子晶体管后，变为自旋极化的电子，而且能对电子的自旋方向进行判定和计数，有利于数据处理快、功耗低、稳定性好的自旋电子器件的设计应用。 | ||||||
| 16 | 基于量子点的单电子自旋过滤器及单电子自旋过滤方法 | CN201610907225.4 | 2016-10-19 | CN106449739A | 2017-02-22 | 方靖岳; 李永强; 李欣幸; 秦华; 常胜利; 秦石乔 |
| 一种基于量子点的单电子自旋过滤器及单电子自旋过滤方法，主要组成部分是单电子晶体管，单电子晶体管具有库仑岛、源极、漏极和栅极，量子点作为单电子晶体管的库仑岛，库仑岛与源极和漏极以隧穿势垒连接，库仑岛与栅极以电容形式耦合；单电子晶体管置于垂直磁场中，单电子晶体管的漏极输出端连接自旋电子读出电路，自旋电子读出电路置于水平非均匀磁场中。本发明采用外部调控的方法，使自旋非极化的电子经过单电子晶体管后，变为自旋极化的电子，而且能对电子的自旋方向进行判定和计数，有利于数据处理快、功耗低、稳定性好的自旋电子器件的设计应用。 | ||||||
| 17 | 一种凹槽栅增强型GaN基HFETs器件及其栅源通道电阻调节方法 | CN202210773421.2 | 2022-07-03 | CN115101586A | 2022-09-23 | 刘艳; 王涛; 程知群; 陈思敏 |
| 本发明公开了一种凹槽栅增强型GaN基HFETs器件，包括衬底和设置在衬底上方的GaN层，所述GaN层上方设置有源极、漏极和T型栅极，所述源极和漏极之间设置有势垒层，所述势垒层包括势垒层本体、源端掺杂区和漏端掺杂区，所述源端掺杂区和漏端掺杂区通过欧姆接触工艺分别与源极和漏极相连接，所述源端掺杂区和漏端掺杂区掺杂具有大原子半径的金属原子，所述势垒层与GaN层之间设有AlN插层，所述势垒层上表面设置有钝化层。采用上述技术方案，通过在势垒层掺杂具有大原子半径的金属原子能够改变欧姆接触附近势垒层的应变，进而改变与势垒层应变相关的极化库仑场散射的大小，实现栅源通道电阻的调节，从而提高GaN基HFETs的性能。 | ||||||
| 18 | 一种PS微球模板组装金颗粒制备单电子晶体管的方法 | CN201610909149.0 | 2016-10-19 | CN106935501A | 2017-07-07 | 方靖岳; 王飞; 孙佳雨; 江盼盼; 刘哲; 方涛; 张学骜; 秦石乔 |
| 一种PS微球模板组装金颗粒制备单电子晶体管的方法，硅基片表面形成二氧化硅衬底，库仑岛和电极集成设置在二氧化硅衬底上，在二氧化硅衬底上制备出均匀紧密排布的PS微球单层膜模板，利用电子束蒸发镀膜的方法在PS微球单层膜模板表面镀金薄膜，再利用化学腐蚀方法和后处理得到金纳米颗粒阵列；然后采用原子层沉积在金纳米颗粒阵列之上形成氧化铝势垒层，采用电子束曝光、电子束蒸发镀膜和/或剥离的方法制备电极，最后采用原子层沉积在电极和氧化铝势垒层上制备氧化铝保护层。本发明库仑岛尺寸可控且为阵列，方便定位和批量制备；库仑岛与电极间势垒的大小精确可控。在光子、电子、环境、安全等领域应用广泛。 | ||||||
| 19 | 一种聚苯乙烯微球模板组装金颗粒制备单电子晶体管的方法 | CN201610909149.0 | 2016-10-19 | CN106935501B | 2023-08-22 | 方靖岳; 王飞; 孙佳雨; 江盼盼; 刘哲; 方涛; 张学骜; 秦石乔 |
| 一种聚苯乙烯微球模板组装金颗粒制备单电子晶体管的方法，硅基片表面形成二氧化硅衬底，库仑岛和电极集成设置在二氧化硅衬底上，在二氧化硅衬底上制备出均匀紧密排布的聚苯乙烯微球单层膜模板，利用电子束蒸发镀膜的方法在聚苯乙烯微球单层膜模板表面镀金薄膜，再利用化学腐蚀方法和后处理得到金纳米颗粒阵列；然后采用原子层沉积在金纳米颗粒阵列之上形成氧化铝势垒层，采用电子束曝光、电子束蒸发镀膜和/或剥离的方法制备电极，最后采用原子层沉积在电极和氧化铝势垒层上制备氧化铝保护层。本发明库仑岛尺寸可控且为阵列，方便定位和批量制备；库仑岛与电极间势垒的大小精确可控。在光子、电子、环境、安全等领域应用广泛。 | ||||||
| 20 | 一种基于单电子晶体管的电荷探针 | CN201621133769.1 | 2016-10-19 | CN206735794U | 2017-12-12 | 方靖岳; 李欣幸; 王飞; 张学骜; 秦华; 常胜利; 秦石乔 |
| 一种基于单电子晶体管（SET）的电荷探针，SET集成在探针悬臂梁的针尖端面，所述SET的源极、漏极、侧栅极和库仑岛埋嵌在探针悬臂梁针尖端面的二氧化硅中，所述电荷探针，以绝缘衬底上的硅（Silicon-On-Insulator，SOI）为基片，SET的基本组成单元：源极、漏极、侧栅极、库仑岛和隧穿势垒集成在上述基片的顶层硅上，并且SET位于电荷探针针尖的端面，其中纳米金颗粒作为SET的库仑岛，位于源极、漏极和侧栅极之间，库仑岛被由基片顶层硅氧化而来的二氧化硅介质包围，库仑岛与源极、漏极以隧道结合的形式耦合，库仑岛与侧栅极以电容的形式耦合。本实用新型为实现原子力SET扫描探针在纳米级高度对样品表面电荷分布进行高灵敏度扫描探测奠定了基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
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