| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | METHOD OF PRODUCING QUANTUM CONFINED INDIUM NITRIDE STRUCTURES | EP09759324 | 2009-06-03 | EP2301307A4 | 2014-03-19 | EDGINGTON NICHOLAS JOHN |
| A method and system for producing quantum confined metal nitride. The method includes immersing two electrodes into a nitrogen environment wherein at least one electrode includes an indium electrode, and passing an arc between the electrodes. The system includes a container for holding a bath of liquid nitrogen, two electrodes disposed inside the container so as to be immersed into the bath of liquid nitrogen, at least one of the two electrodes being a metal electrode, and a voltage source connected to the electrodes and configured to pass an arc between the electrodes. | ||||||
| 2 | METHOD OF PRODUCING QUANTUM CONFINED INDIUM NITRIDE STRUCTURES | EP09759324.8 | 2009-06-03 | EP2301307A1 | 2011-03-30 | EDGINGTON, Nicholas, John |
| A method and system for producing quantum confined metal nitride. The method includes immersing two electrodes into a nitrogen environment wherein at least one electrode includes an indium electrode, and passing an arc between the electrodes. The system includes a container for holding a bath of liquid nitrogen, two electrodes disposed inside the container so as to be immersed into the bath of liquid nitrogen, at least one of the two electrodes being a metal electrode, and a voltage source connected to the electrodes and configured to pass an arc between the electrodes. | ||||||
| 3 | 超导量子处理器的模块化架构及量子计算网络系统 | CN202311304869.0 | 2023-10-10 | CN117057434B | 2024-02-06 | 李红珍; 张新; 李辰; 姜金哲 |
| 本发明涉及超导量子处理器技术领域，公开了一种超导量子处理器的模块化架构及量子计算网络系统，该模块化架构包括：多个量子模块之间纵向排布，并通过所述超导电缆进行通信连接；第N个量子模块上的目标量子比特在进行状态跃迁时，以射频信号的形式，经过片上传输线和通信组件后，进入超导电缆传输，到达第N+1个量子模块上的对应目标量子比特，完成跨模块量子态转移。本发明利用量子比特的频率可调性，在不同模块同一位置处的量子比特之间建立耦合，将量子比特2D晶格扩展为量子比特3D晶格，从而解决了横向扩展在量子模拟等领域的局限性问题。并且，本发明在实施时，不影响横向扩展量子模块和纵向垂直布线，提升了超导量子处理器的扩展性。 | ||||||
| 4 | 超导量子处理器的模块化架构及量子计算网络系统 | CN202311304869.0 | 2023-10-10 | CN117057434A | 2023-11-14 | 李红珍; 张新; 李辰; 姜金哲 |
| 本发明涉及超导量子处理器技术领域，公开了一种超导量子处理器的模块化架构及量子计算网络系统，该模块化架构包括：多个量子模块之间纵向排布，并通过所述超导电缆进行通信连接；第N个量子模块上的目标量子比特在进行状态跃迁时，以射频信号的形式，经过片上传输线和通信组件后，进入超导电缆传输，到达第N+1个量子模块上的对应目标量子比特，完成跨模块量子态转移。本发明利用量子比特的频率可调性，在不同模块同一位置处的量子比特之间建立耦合，将量子比特2D晶格扩展为量子比特3D晶格，从而解决了横向扩展在量子模拟等领域的局限性问题。并且，本发明在实施时，不影响横向扩展量子模块和纵向垂直布线，提升了超导量子处理器的扩展性。 | ||||||
| 5 | 一种半导体发光二极管 | CN202310316701.5 | 2023-03-29 | CN116705930A | 2023-09-05 | 李水清; 阚宏柱; 请求不公布姓名; 王星河; 张江勇; 陈婉君; 蔡鑫; 刘紫涵; 黄军 |
| 本发明提供了一种半导体发光二极管，包括由下至上依次相连的衬底、n型半导体、超晶格、浅量子阱、量子阱、电子阻挡层和p型半导体，所述n型半导体、超晶格、浅量子阱、量子阱、电子阻挡层和p型半导体中均掺杂有Mg和Si，其中，Mg掺杂与Si掺杂交叉点位于所述量子阱的第1～3个周期与所述浅量子阱最后1～3个周期的界面处，以使浅量子阱和量子阱形成老化漏电控制结构。本发明提供的一种半导体发光二极管，其有效减少Mg和Si掺杂元素的交叉，提升量子阱的量子局限效应，使得浅量子阱和量子阱可以形成老化漏电控制结构，令注入量子阱的电子和空穴被最大限度量子局域化，抑制电子和空穴被缺陷俘获，降低发光二极管在老化过程中漏电的产生几率。 | ||||||
| 6 | 冲击噪声环境下的量子瞭望非圆测向方法 | CN202110358005.1 | 2021-04-01 | CN113109758B | 2022-12-13 | 高洪元; 张禹泽; 刘亚鹏; 陈世聪; 白浩川; 刘廷晖; 张震宇; 臧国建; 张志伟 |
| 本发明提供一种冲击噪声环境下的量子瞭望非圆测向方法，包括：建立阵列接收非圆信号的数学模型，构建低阶实值加权协方差矩阵，利用低阶实值加权协方差矩阵构造极大似然测向方程；初始化量子瞭望群体和量子信仰空间，计算量子瞭望群体中量子位置的适应度并获得整个量子瞭望群体的最优量子位置；更新量子规范知识，根据瞭望机制进行量子形势知识空间更新；使用模拟量子旋转门通过量子信仰空间和量子瞭望机制实现量子个体的寻优搜索过程；判断是否达到最大迭代次数G，若未达到，令g＝g+1，返回步骤三；否则终止迭代循环，将最后一代中的最优量子位置的映射态作为测向结果输出。本发明在低快拍、冲击噪声环境下具有鲁棒性，突破现有非圆测向方法的局限性。 | ||||||
| 7 | 冲击噪声环境下的量子瞭望非圆测向方法 | CN202110358005.1 | 2021-04-01 | CN113109758A | 2021-07-13 | 高洪元; 张禹泽; 刘亚鹏; 陈世聪; 白浩川; 刘廷晖; 张震宇; 臧国建; 张志伟 |
| 本发明提供一种冲击噪声环境下的量子瞭望非圆测向方法，包括：建立阵列接收非圆信号的数学模型，构建低阶实值加权协方差矩阵，利用低阶实值加权协方差矩阵构造极大似然测向方程；初始化量子瞭望群体和量子信仰空间，计算量子瞭望群体中量子位置的适应度并获得整个量子瞭望群体的最优量子位置；更新量子规范知识，根据瞭望机制进行量子形势知识空间更新；使用模拟量子旋转门通过量子信仰空间和量子瞭望机制实现量子个体的寻优搜索过程；判断是否达到最大迭代次数G，若未达到，令g＝g+1，返回步骤三；否则终止迭代循环，将最后一代中的最优量子位置的映射态作为测向结果输出。本发明在低快拍、冲击噪声环境下具有鲁棒性，突破现有非圆测向方法的局限性。 | ||||||
| 8 | 硅光接收器件 | CN02827874.7 | 2002-10-16 | CN1618132A | 2005-05-18 | 李银京; 崔秉龙; 金俊永 |
| 提供一种硅光接收器件。在该器件中，一衬底基于n型或p型硅；通过使用与衬底的掺杂剂类型相反类型的掺杂剂，使一掺杂区在衬底的一面上被极浅地掺杂，从而使对于波长在100至1100nm的光的光电转换效应由衬底p－n结中的量子局限效应产生。第一和第二电极形成在衬底上以便在电学上连接到掺杂区。由于在硅衬底上的极浅掺杂区，量子局限效应产生于p－n结中。由于量子局限效应，即使硅被用作半导体材料，该硅光接收器件的量子效率也远高于常规太阳能电池的量子效率。该硅光接收器件还可被形成为能够吸收特定或大的波长谱带的光，并可被用作太阳能电池。 | ||||||
| 9 | 硅光接收器件 | CN02827874.7 | 2002-10-16 | CN100349304C | 2007-11-14 | 李银京; 崔秉龙; 金俊永 |
| 提供一种硅光接收器件。在该器件中，一衬底基于n型或p型硅；通过使用与衬底的掺杂剂类型相反类型的掺杂剂，使一掺杂区在衬底的一面上被极浅地掺杂，从而使对于波长在100至1100nm的光的光电转换效应由衬底p-n结中的量子局限效应产生。第一和第二电极形成在衬底上以便在电学上连接到掺杂区。由于在硅衬底上的极浅掺杂区，量子局限效应产生于p-n结中。由于量子局限效应，即使硅被用作半导体材料，该硅光接收器件的量子效率也远高于常规太阳能电池的量子效率。该硅光接收器件还可被形成为能够吸收特定或大的波长谱带的光，并可被用作太阳能电池。 | ||||||
| 10 | Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED | CN202311764739.5 | 2023-12-21 | CN117457821B | 2024-03-08 | 舒俊; 程龙; 高虹; 郑文杰; 印从飞; 张彩霞; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 本发明公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，所述Micro‑LED外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层；所述多量子阱发光层包括阱前蓝光多量子阱层、阱前青光多量子阱层、绿光多量子阱层、阱后青光多量子阱层、阱后蓝光多量子阱层。本发明提供的Micro‑LED外延片能够改善多量子阱发光层的质量，同时将电子局限在多量子阱发光层中发生辐射复合产生光子，从而提高Micro‑LED低工作电流密度的光效、发光均匀性、良率等性能。 | ||||||
| 11 | 密码应用服务系统和量子安全能力开放平台 | CN202210537346.X | 2022-05-18 | CN114726523B | 2022-09-13 | 左崴东; 李成东; 戚巍; 李明翰; 窦东瑜 |
| 本发明涉及量子通信领域，公开了一种密码应用服务系统和量子安全能力开放平台。本发明中，密码应用服务系统包括：QKD网络、量子密码应用中间件和量子安全能力开放平台；QKD网络与量子密码应用中间件通信连接，QKD网络用于向量子密码应用中间件提供量子密钥；量子密码应用中间件与量子安全能力开放平台通信连接，并向用户侧提供密码服务接口。量子密码应用中间件从QKD网络提取量子密钥，通过量子安全能力开放平台，与合作伙伴/内容服务商产品、技术集成，封装成标准安全能力实现身份认证、机密性、完整性保护等功能。避免了目前的点对点量子VPN加密的局限性，可以实现多节点的组网，可以对QKD网络进行统一的运营/运维管理，形成了一种业务运营网络。 | ||||||
| 12 | 密码应用服务系统和量子安全能力开放平台 | CN202210537346.X | 2022-05-18 | CN114726523A | 2022-07-08 | 左崴东; 李成东; 戚巍; 李明翰; 窦东瑜 |
| 本发明涉及量子通信领域，公开了一种密码应用服务系统和量子安全能力开放平台。本发明中，密码应用服务系统包括：QKD网络、量子密码应用中间件和量子安全能力开放平台；QKD网络与量子密码应用中间件通信连接，QKD网络用于向量子密码应用中间件提供量子密钥；量子密码应用中间件与量子安全能力开放平台通信连接，并向用户侧提供密码服务接口。量子密码应用中间件从QKD网络提取量子密钥，通过量子安全能力开放平台，与合作伙伴/内容服务商产品、技术集成，封装成标准安全能力实现身份认证、机密性、完整性保护等功能。避免了目前的点对点量子VPN加密的局限性，可以实现多节点的组网，可以对QKD网络进行统一的运营/运维管理，形成了一种业务运营网络。 | ||||||
| 13 | Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED | CN202311764739.5 | 2023-12-21 | CN117457821A | 2024-01-26 | 舒俊; 程龙; 高虹; 郑文杰; 印从飞; 张彩霞; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 本发明公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，所述Micro‑LED外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层；所述多量子阱发光层包括阱前蓝光多量子阱层、阱前青光多量子阱层、绿光多量子阱层、阱后青光多量子阱层、阱后蓝光多量子阱层。本发明提供的Micro‑LED外延片能够改善多量子阱发光层的质量，同时将电子局限在多量子阱发光层中发生辐射复合产生光子，从而提高Micro‑LED低工作电流密度的光效、发光均匀性、良率等性能。 | ||||||
| 14 | 一种量子图卷积神经网络处理图数据的方法 | CN202110716435.6 | 2021-06-28 | CN113159239B | 2021-09-28 | 吕金虎; 高庆; 郑瑾; 刘克新; 王振乾; 吕颜轩 |
| 本发明属于人工智能、机器学习和量子计算领域，涉及一种量子图卷积神经网络处理图数据的方法，包括：对数据预处理；将预处理后的数据制备为多个量子比特；构建具有量子比特输入模块、量子图卷积模块、量子池化模块、量子比特测量模块和网络优化更新模块的量子图卷积神经网络模型；多次迭代训练模型并优化模型中量子门的参数，使输出结果尽可能达到目标输出，实现机器学习任务。本发明利用量子计算和神经网络的优势能够有效处理非欧式空间数据类型的机器学习任务，使量子神经网络不再局限于仅处理结构化数据，极大扩展了量子机器学习的适用范围。此外，本发明的模型还易于封装且具有很强的泛化性能，可根据不同的图数据结构进行扩展。 | ||||||
| 15 | 一种量子图卷积神经网络处理图数据的方法 | CN202110716435.6 | 2021-06-28 | CN113159239A | 2021-07-23 | 吕金虎; 高庆; 郑瑾; 刘克新; 王振乾; 吕颜轩 |
| 本发明属于人工智能、机器学习和量子计算领域，涉及一种量子图卷积神经网络处理图数据的方法，包括：对数据预处理；将预处理后的数据制备为多个量子比特；构建具有量子比特输入模块、量子图卷积模块、量子池化模块、量子比特测量模块和网络优化更新模块的量子图卷积神经网络模型；多次迭代训练模型并优化模型中量子门的参数，使输出结果尽可能达到目标输出，实现机器学习任务。本发明利用量子计算和神经网络的优势能够有效处理非欧式空间数据类型的机器学习任务，使量子神经网络不再局限于仅处理结构化数据，极大扩展了量子机器学习的适用范围。此外，本发明的模型还易于封装且具有很强的泛化性能，可根据不同的图数据结构进行扩展。 | ||||||
| 16 | 一种基于超导量子比特3D晶格的超导量子处理器 | CN202310238450.3 | 2023-03-13 | CN116709894A | 2023-09-05 | 李红珍; 张新; 李辰; 姜金哲; 徐哲 |
| 本申请实施例提供了一种基于超导量子比特3D晶格的超导量子处理器。所述超导量子处理器包括两块芯片；超导量子处理器中的超导量子比特具有3D晶格结构；针对每一块芯片，芯片的第一表面上图案化有超导量子比特2D晶格、铟柱阵列和寻址引线；超导量子比特包括约瑟夫森结回路和旁路电容器；两个芯片的第一表面相对设置，两个芯片中的超导量子比特2D晶格相匹配，两个芯片中的铟柱阵列的布局相匹配；铟柱用于连接两个芯片中的旁路电容器，两个芯片中的超导量子比特通过铟柱耦合，两个芯片中的超导量子比特与铟柱构成3D晶格结构。通过上述结构，可突破硬件对执行量子计算的局限性，有助于执行更准确、更接近真实物理体系的量子动力学模拟。 | ||||||
| 17 | 发光二极管外延片及其制备方法、LED | CN202310594512.4 | 2023-05-25 | CN116344691A | 2023-06-27 | 高虹; 程龙; 郑文杰; 舒俊; 张彩霞; 印从飞; 刘春杨; 吕蒙普; 胡加辉; 金从龙 |
| 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层包括依次层叠的N型In量子点层、InaGa(1‑a)N层和P型InbAlcGa(1‑b‑c)N/AldGa(1‑d)N超晶格层。本发明提供的发光二极管外延片能提升GaN基发光二极管量子局限能力，提升内部量子效率，进而提升产品发光效率。 | ||||||
| 18 | 发光二极管外延片及其制备方法、LED | CN202310594512.4 | 2023-05-25 | CN116344691B | 2023-08-11 | 高虹; 程龙; 郑文杰; 舒俊; 张彩霞; 印从飞; 刘春杨; 吕蒙普; 胡加辉; 金从龙 |
| 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层包括依次层叠的N型In量子点层、InaGa(1‑a)N层和P型InbAlcGa(1‑b‑c)N/AldGa(1‑d)N超晶格层。本发明提供的发光二极管外延片能提升GaN基发光二极管量子局限能力，提升内部量子效率，进而提升产品发光效率。 | ||||||
| 19 | 多孔石墨烯和石墨烯量子点及其制备方法 | CN201410658230.7 | 2014-11-18 | CN104555999B | 2017-12-19 | 王俊中; 郭全贵; 闫蕊; 王俊英; 黄建林 |
| 一种多孔石墨烯和石墨烯量子点是多孔石墨烯包含但不局限于2‑9原子层，各原子层同时具有石墨烯的晶格和空洞，每一层包含但不局限于孔径为2‑10 nm的空洞，孔的面积约占每一个原子层的总面积的5‑40%。石墨烯量子点，其特征在于石墨烯量子点具有1‑5原子层，边界锯齿状，量子点尺寸2‑10 nm。本发明具有多孔石墨烯的孔径分布均匀，层间距不等，石墨烯量子点的发光效率高，晶型好，缺陷少的优点。 | ||||||
| 20 | 量子根树机制演化极限学习机的调制信号识别方法 | CN202111423647.1 | 2021-11-26 | CN114172770B | 2023-05-02 | 高洪元; 郭瑞晨; 崔志华; 程建华; 杜亚男; 陈梦晗; 刘亚鹏; 赵立帅; 武文道 |
| 本发明提供一种量子根树机制演化极限学习机的调制信号识别方法，利用加权Myriad滤波器抑制冲击噪声，提出一种量子根树机制进行高效求解，突破了现有基于演化极限学习机的调制信号识别方法的一些应用局限。本发明设计的量子根树机制演化极限学习机的调制信号识别方法设计了量子根树机制，能对冲击噪声下的极限学习机权值和阈值进行高精度求解，有效提高调制识别率。仿真实验证明了冲击噪声下量子根树机制演化极限学习机的调制信号识别方法的有效性，突破了传统方法在冲击噪声和低信噪比环境下性能恶化甚至失效的应用局限，相对于传统方法识别率大幅提高。 | ||||||
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