| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 微波光子学实现的波束形成和信道化 | CN202110311490.7 | 2021-03-24 | CN113452451A | 2021-09-28 | A·尼科洛夫; K·W·洛海特; S·高希 |
| 本申请涉及微波光子学实现的波束形成和信道化，并公开了一种接收器和发射器，其适用于太空、空中或地面RF通信系统，并且适用于在诸如高吞吐量卫星上的通信点波束的任何给定波束中存在多种类型和性质的一个或多个信号的系统。发射器可以包括：光学频率梳，其被配置成生成多个等距间隔的光波长；电光调制器，其接收多个等距间隔的光波长和数据信号并产生经调制的光波束；光学环行器，其接收经调制的光波束；光学开关，其将经调制的光波束切换到端接在一个或多个光纤布拉格光栅中的光学开关的输出端口；波分复用器，其从光学环行器接收经时间延迟的经调制的光波束的单个的波长；以及多个天线元件。 | ||||||
| 22 | 基于光子学的射频存储和移频装置 | CN201911059761.3 | 2019-11-01 | CN110958032B | 2021-07-06 | 丁志丹; 杨飞; 蔡海文 |
| 一种基于光子学的射频存储和移频装置，该装置包括：单频激光器、1:1的1×2耦合器、双平行电光调制器、第一声光移频器、第二声光移频器、1:1的2×1耦合器、1:1的2×2耦合器、半导体放大器型光开关、光学带通滤波器、延时光纤、电控光开关、光电探测器、控制信号模块。该发明能够对瞬时带宽大的射频信号高保真存储和快速可调移频；同时该装置存储射频信号时间长，存储时间和移频大小可控制，并且有强抗电磁干扰能力。 | ||||||
| 23 | 硅光子学中的III-V芯片制备和集成 | CN201780043053.3 | 2017-05-11 | CN109417266B | 2021-05-07 | 达米安·兰贝特 |
| 通过将III‑V晶片固定到转移晶片来制造复合半导体激光器。去除III‑V晶片的衬底，并且将该III‑V晶片刻蚀成多个芯片，同时将该III‑V晶片固定到转移晶片。将该转移晶片单片化。该转移晶片的一部分用作手柄，用于将芯片键合在硅器件的凹槽中。该芯片用作半导体激光器的增益介质。 | ||||||
| 24 | 一种光子学宽带微波IQ调制的方法 | CN201611010632.1 | 2016-11-04 | CN106992816B | 2019-03-22 | 高永胜; 文爱军; 陈玮; 谭庆贵; 梁栋 |
| 本发明公开了一种光子学宽带微波IQ调制的方法，该方法涉及微波技术领域和光通信技术领域。所述方法如附图所示，包括激光器LD、偏振复用双平行马曾调制器PDM‑DPMZM、光带通滤波器OBPF、光电探测器PD。本方法利用PDM‑DPMZM和OBPF构造了一对上变频器，能够将I和Q路的基带波形在本振LO上直接调制，经PD拍频后得到宽带射频RF信号。本发明结构简单，IQ基带波形的带宽大，LO信号的频率可以在大范围内调谐。两个上变频器的相位关系可以灵活调整，进而可以解决IQ相位失衡问题。另外该IQ调制器产生的RF信号对LO隔离度大，可以抑制LO泄露。 | ||||||
| 25 | 硅光子学中的III-V芯片制备和集成 | CN201780043053.3 | 2017-05-11 | CN109417266A | 2019-03-01 | 达米安·兰贝特 |
| 通过将III-V晶片固定到转移晶片来制造复合半导体激光器。去除III-V晶片的衬底，并且将该III-V晶片刻蚀成多个芯片，同时将该III-V晶片固定到转移晶片。将该转移晶片单片化。该转移晶片的一部分用作手柄，用于将芯片键合在硅器件的凹槽中。该芯片用作半导体激光器的增益介质。 | ||||||
| 26 | 毫米波信号的光子学产生方法及装置 | CN201510047254.3 | 2015-01-29 | CN104618022A | 2015-05-13 | 董玮; 肖永川; 陈维友; 张歆东; 阮圣平; 王鑫 |
| 一种基于高非线性光纤受激布里渊散射效应的毫米波信号的光子学产生方法及装置，属于微波光子学技术领域。由可调谐激光器、第一耦合器、双平行马赫-曾德尔调制器、第一直流稳压电源、第二直流稳压电源、第三直流稳压电源、隔离器、第二耦合器、第一光电探测器、频谱分析仪、高非线性光纤、环行器、第二光电探测器、微波放大器、强度调制器、第四直流稳压电源和微波信号源组成。本发明的毫米波信号产生装置的输出频率根据所选用的高非线性光纤不同可在54GHz～66GHz。由于受激布里渊频移量的数值与泵浦光的波长有关，还可以通过调节可调谐激光器的波长，实现毫米波信号产生装置的输出频率在一定范围内可调。 | ||||||
| 27 | 正倒置一体化显微光子学系统 | CN201410820019.0 | 2014-12-25 | CN104459972A | 2015-03-25 | 赵永生; 闫永丽 |
| 本发明公开了一种具有共轴、非共轴两种工作模式的正倒置一体化显微光子学系统及应用。采用光学成像技术，在倒置显微镜上方设计、加工并安装正置显微镜系统，使正置部分能够上下、左右、前后移动；上、下两物镜可以选择共轴或者非共轴两种工作模式，因而能够兼具高分辨与大视野的特点，且可实现对长距离传输信号的检测，弥补现有光学显微系统的不足。 | ||||||
| 28 | 用于光学投影的集成光子学模块 | CN201110035986.2 | 2011-02-01 | CN102193295B | 2014-12-10 | I·彼得纽斯; Z·莫尔; M·玛格丽特; B·培萨; A·施庞特 |
| 光学设备，包括：半导体衬底；以及边缘发射辐射源，其安装在所述衬底的表面上，以沿平行于所述表面的轴线发射光学射线。反射器，其被安装至所述衬底，位于所述轴线上的一个位置处，并被配置为将所述光学射线反射至成角远离所述表面的方向。一个或多个光学元件，其被安装在所述衬底上，以接收和传输所述反射器反射的光学射线。 | ||||||
| 29 | 用于密封光子学器件的方法 | CN201080031844.2 | 2010-07-15 | CN102549795A | 2012-07-04 | 张鲁; K·阮 |
| 公开了一种用于密封光子学器件的方法。该光子学器件可以例如包括显示器件、发光器件或光伏器件。该器件是用玻璃熔料密封的，所述玻璃熔料是用激光器从所述器件的两侧(穿过两个玻璃衬底板)顺序地或同时地加热的。所述方法可以使得容易得到更宽的密封宽度，以及更宽的熔料壁总宽度，以增加器件强度。 | ||||||
| 30 | 硅光子学中的消光比改进 | CN201980043447.8 | 2019-06-26 | CN112400284B | 2024-01-12 | 西恩·P·安德森; 马克·A·韦伯斯特 |
| 可以通过以下步骤来实现对硅光子学中的光信号进行消光的改进：向光电元件(PE)提供已知特性的测试信号，以通过PE的第一臂上的第一移相器和强度调制器和PE的第二臂上的第二移相器和强度调制器来对测试信号进行消光；扫过第一强度调制器处的多个电压，以识别第一电压和第二电压，第一电压与PE的输出端处的满足引发损耗阈值的消光比相关联，第二电压与PE的输出端处的测试信号中满足消光比阈值的引发损耗相关联；以及基于第一电压和第二电压将PE设置为向第一强度调制器提供操作电压。 | ||||||
| 31 | 光子学结构的优化设计方法 | CN202110514161.2 | 2021-05-11 | CN113221275A | 2021-08-06 | 杨尚霖; 付鑫; 杨林 |
| 一种光子学结构的优化设计方法，包括：步骤A：将所述光子学结构分成n个区域；步骤B：将n个目标组分的设计值作为状态矢量的分量，建立以所述状态矢量为自变量的优化函数；步骤C：将初始化状态矢量作为当前状态矢量代入所述优化函数，得到当前状态的优化函数值；步骤D：在当前优化函数值不满足第一预设条件的情况下，基于当前状态矢量求出所述优化函数对于当前状态的梯度矢量；步骤E：将得到的所述梯度矢量的元素映射到(0，1)区间，或者(‑1，1)区间；步骤F：更新与所述映射后的梯度矢量的元素对应的所述当前状态矢量的分量，得到更新后的优化函数值；步骤G：循环步骤D至步骤F的操作，直到所述更新后的优化函数值满足所述第一预设条件。 | ||||||
| 32 | 基于光子学的射频存储和移频装置 | CN201911059761.3 | 2019-11-01 | CN110958032A | 2020-04-03 | 丁志丹; 杨飞; 蔡海文 |
| 一种基于光子学的射频存储和移频装置，该装置包括：单频激光器、1:1的1×2耦合器、双平行电光调制器、第一声光移频器、第二声光移频器、1:1的2×1耦合器、1:1的2×2耦合器、半导体放大器型光开关、光学带通滤波器、延时光纤、电控光开关、光电探测器、控制信号模块。该发明能够对瞬时带宽大的射频信号高保真存储和快速可调移频；同时该装置存储射频信号时间长，存储时间和移频大小可控制，并且有强抗电磁干扰能力。 | ||||||
| 33 | 光子学宽带微波单边带调制的方法 | CN201611010634.0 | 2016-11-04 | CN106953699B | 2019-04-19 | 高永胜; 文爱军; 陈玮; 梁栋; 蒋炜 |
| 本发明公开了一种光子学宽带微波单边带调制的方法，该方法涉及微波技术领域和光通信技术领域。所述方法如附图所示，包括激光器LD、偏振复用双平行马曾调制器PDM‑DPMZM、光带通滤波器OBPF、光电探测器PD、微波正交耦合器Hybrid、微波功分器。本方法利用PDM‑DPMZM和OBPF构造了一对正交上变频器，将正交的中频IF信号通过本振LO信号上变频后，经PD拍频后得到只有上边带或下边带的射频RF信号。本发明结构简单，带宽大，同时对边带和载波有较高的抑制比。 | ||||||
| 34 | 正倒置一体化显微光子学系统 | CN201410820019.0 | 2014-12-25 | CN104459972B | 2017-11-24 | 赵永生; 闫永丽 |
| 本发明公开了一种具有共轴、非共轴两种工作模式的正倒置一体化显微光子学系统及应用。采用光学成像技术，在倒置显微镜上方设计、加工并安装正置显微镜系统，使正置部分能够上下、左右、前后移动；上、下两物镜可以选择共轴或者非共轴两种工作模式，因而能够兼具高分辨与大视野的特点，且可实现对长距离传输信号的检测，弥补现有光学显微系统的不足。 | ||||||
| 35 | 一种纳米光子学多参数测量平台 | CN201210316462.5 | 2012-08-30 | CN102829961B | 2015-10-28 | 王佳; 王庆艳; 张明倩; 武晓宇 |
| 本发明涉及纳米光学技术领域，本发明公开一种纳米光子学多参数测量平台，其包括多参数可变激发系统、样品位置方向微调单元、显微观测对准系统、扫描近场光学显微镜探测系统和计算机，所述样品位置方向微调单元用于安装待测样品，所述多参数可变激发系统为待测样品提供照明激发光源信号，所述显微观测对准系统调节待测样品的成像区域并采集待测样品的图像信息发送给计算机进行显示，所述扫描近场光学显微镜探测系统采集待测样品的光学近场信息并发送给计算机，所述计算机将光学近场信息进行处理后显示。本发明结构紧凑、可实现多自由度调节，能够实现对纳米光子学器件的给定激发区域进行激发波长可变、入射角度连续可调、偏振状态可控的光激励。 | ||||||
| 36 | 一种基于光子学的压缩感知测量方法及装置 | CN202110408500.9 | 2021-04-15 | CN115219786A | 2022-10-21 | 李光毅; 石迪飞; 袁海庆; 李明; 祝宁华; 李伟 |
| 本发明提供一种基于光子学的压缩感知测量方法及装置，方法包括：射频信号和伪随机信号加载到第一、第二马赫曾德尔调制器得到第一、第二光信号；第一、第二光信号正交后合束为有第一、第二偏振态的正交光信号；调整正交光信号并输至偏振分束器使正交光信号第一、第二偏振态与偏振分束器第一、第二输出端主轴分别成第一、第二、第三、第四角度；第一、第二输出端输出的第一、第二光场输至平衡光电探测器得到光电流；光电流近似计算得到射频信号和伪随机信号混频结果。本发明用简单装置在远低于奈奎斯特采样定率下识别高频信号，不需预先测量光链路参数，不需设定特殊调制系数，简单易行且有效降低成本和损耗，可广泛应用于雷达、通信等实际系统中。 | ||||||
| 37 | 一种纳米光子学器件的设计和/或优化方法 | CN202210299156.9 | 2022-03-25 | CN114662315A | 2022-06-24 | 方哲宇; 李瑜; 邓妙怡; 刘正昌 |
| 本发明公开了一种纳米光子学器件的设计和/或优化方法，通过自编码器这一无监督学习算法打开纳米光子学器件结构的设计自由度，对具有高自由度的结构形貌与光学近场分布数据进行特征分析，并将有效特征编码到低维潜空间；然后按照其设计或优化需求在潜空间利用贝叶斯概率模型对器件特征进行优化设计；最终利用自编码器的解码器将优化的特征从特征潜空间中解码得到器件结构参数，实现纳米光子学器件的智能优化与开发设计。本发明方法具有自由度高、鲁棒性强、适用范围广、计算速度快等优点，对于复杂多功能光学器件设计或突破纳米光子学器件的现有性能指标具有重要的指导意义。 | ||||||
| 38 | 一种集成微纳粒子和光波导的光子学器件结构 | CN202210135028.0 | 2022-02-14 | CN114296185A | 2022-04-08 | 黎永前; 余洋; 刘金泽; 乔大勇 |
| 本发明提出一种集成微纳粒子和光波导的光子学器件结构。该光子学器件结构包括微纳粒子(101)，光波导(201，202)，以及基底层(301)。其特征在于微纳粒子(101)位于光波导(201，202)的轴线延长线方向；微纳粒子(101)和光波导(201)属于横向光散射层(200)；横向光散射层制备在基底层(301)上。所述微纳粒子和光波导的材料包括但不限于，硅、锗、或者氮化硅等电介质材料。该光子学器件结构实现入射光束(401)耦合进光波导(201)和/或光波导(202)，或者入射光束(401)实现等强度或者不等强度分光进光波导(201，202)。该光子学器件结构及其阵列可以实现传感器功能。 | ||||||
| 39 | 用于高信道计数光子学的光学再分布层 | CN202011308125.2 | 2020-11-20 | CN114114529A | 2022-03-01 | J·帕克 |
| 本公开的实施例涉及用于高信道计数光子学的光学再分布层。高信道计数光收发器可以被实现在具有共享激光器的光子集成电路(PIC)中，从而在调制之前在多个通道之间使每个激光器的光分开。为了减少这种PIC中的波导交叉，传输器和自测功能性可以分布在分离的器件层之间。公开了各种有益的传输器电路系统布局。 | ||||||
| 40 | 一种回音壁模式光子学器件及其制备方法 | CN201310261700.1 | 2013-06-27 | CN104253372B | 2017-09-15 | 赵永生; 张闯; 刘云圻; 赵岩; 闫永丽; 姚建年 |
| 本发明提供一种用于回音壁模式光子学器件的微米环阵列结构及其制备方法，所述微米环阵列结构的制备是利用溶剂液滴溶解聚合物薄膜产生的“咖啡环效应”，使聚合物在液体周围聚集形成明显不同于薄膜高度的环形结构，实现光在聚合物结构中的传导和限域，用激发、散射或近场耦合的方式将光信号输入到微米环形结构中，实现回音壁模式的谐振效应。所制备的微米环结构可以作为高品质因数的光学微腔，得到谱线宽度明显窄化的调制模式光谱，并可通过光学增益实现回音壁模式的光放大受激发射，进一步在多环耦合的阵列结构中，依据调制光谱及激光模式的波长变化信息，实现光信号处理和对外界刺激的高灵敏响应。 | ||||||
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