| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 181 | 一种微型发光器件的量子效率测试方法及测试系统 | CN202310179953.8 | 2023-02-28 | CN116256322A | 2023-06-13 | 周梦凡 |
| 本发明公开了一种微型发光器件的量子效率测试方法及测试系统，其中方法包括：将微型发光器件通过光学元件放大后，通过光电转换构件采集微型发光器件透过光学元件的第一光信号，并将第一光信号转换为第一电信号；根据第一电信号生成的第一光谱图确定第一光谱积分面积；获得检测过程中的检测影响参数；其中检测影响参数至少包括光电转换构件的转换参数、光学元件对光的接收参数中的至少之一；基于第一光谱积分面积和检测影响参数，得到实际发射光子数；通过点亮微型发光器件获取微型发光器件的注入的采集区域的总载流子数；基于实际发射光子数和采集区域的总载流子数获得微型发光器件的量子效率。提高了对微型发光器件的量子效率测试的准确性。 | ||||||
| 182 | 一种基于角度分辨的量子效率测试方法及测试系统 | CN202310175794.4 | 2023-02-28 | CN116067493A | 2023-05-05 | 周梦凡 |
| 本发明公开了一种基于角度分辨的量子效率测试方法及测试系统，测试方法，包括：调节发光器件与光子采集构件之间的相对位置，以使光子采集构件按照预设分辨角度，采集以收集角为顶角的步进形成的相对单位体积内的光子数；其中，收集角为以发光器件为圆心，以光子采集构件中物镜的有效直径为弦长的弦所对应的圆心角；每次采集中，发光器件与光子采集构件之间的距离保持不变；根据全部单位体积内的光子数，得到发光器件的实际发射光子数；通过点亮发光器件获取发光器件的注入的采集区域的总载流子数；基于实际发射光子数和采集区域的总载流子数获得发光器件的量子效率。提高了对发光器件的量子效率测试的准确性。 | ||||||
| 183 | 兼具高量子效率与低本征发射度的透射式半导体光阴极及方法 | CN202210781860.8 | 2022-07-05 | CN114883163A | 2022-08-09 | 谢华木; 赵永龙; 欧阳东明 |
| 本发明公开了一种兼具高量子效率与低本征发射度的透射式半导体光阴极及方法。本发明采用具有陷光结构的透射式光阴极，陷光结构为在透明导电基底的下表面刻蚀出具有周期性结构的凹槽阵列，降低基底对入射激光的反射，从而提高对入射激光的吸收；透明导电基底的表面具有陷光结构能够改变入射激光的传输行为，减小透明导电基底的反射率，同时增加半导体光阴极薄膜层对入射光的吸收；采用激光背入射，光电子在发射前具有更长的传输距离后充分热化，从而降低了光阴极产生电子束的横向平均能量和本征发射度；本发明采用透射式激光驱动光阴极的方式，有利于得到低发射度电子束，对于硬X射线自由电子激光和超快电子衍射等各方面应用都具有重要意义。 | ||||||
| 184 | 增强近红外量子效率的图像传感器结构和形成方法 | CN202011606920.X | 2020-12-30 | CN114695397A | 2022-07-01 | 奚鹏程; 顾学强; 王玮 |
| 本发明提供一种增强近红外量子效率的图像传感器结构和形成方法，通过在背照式CMOS图像传感器的光电二极管下方设置包括光反射层和光增强层的光增强结构，光反射结构实现了对近红外入射光的反射和收集，保证了近红外光在硅衬底里吸收比例的大幅上升，从而提高了背照式像素单元的近红外量子效率。 | ||||||
| 185 | 基于相关光子的中红外探测器量子效率测量装置及方法 | CN202210134705.7 | 2022-02-14 | CN114544007A | 2022-05-27 | 张鹏举; 刘长明; 庄新港; 史学舜; 高媛; 刘红博; 沈荣仁 |
| 本发明属于红外遥感技术领域，具体涉及基于相关光子的中红外探测器量子效率测量装置及方法。一种基于相关光子的中红外探测器量子效率测量装置，包括：泵浦光单元、非线性晶体单元、信号光传输单元和闲频光传输单元、单光子探测器、中红外探测器；所述泵浦光单元产生的泵浦光经非线性晶体单元后，产生相关光子对；所述相关光子对经分光镜分束后，分为信号光和闲频光，所述闲频光经所述信号光传输单元进入中红外探测器；所述闲频光经所述闲频光传输单元进入单光子探测器；所述中红外探测器连接输出信号测量装置。本发明利用自发参量下转换原理对红外探测器量子效率进行绝对定标，无需标准传递链，减少量值传递过程的累积误差。 | ||||||
| 186 | 用于提高光电倍增管阴极量子效率可控性及一致性的方法 | CN202110722031.8 | 2021-06-28 | CN113451090B | 2022-04-26 | 顾莹; 司曙光; 张志千; 张昊达; 李臻; 李冬; 王兴超; 金睦淳; 侯巍; 吴凯 |
| 本发明提供一种用于提高光电倍增管阴极量子效率可控性及一致性的方法，包括：获取不同量子效率的光电阴极制备过程中的光电流曲线；提取出与设定的量子效率区间对应的光电流曲线斜率的角度参考范围；在制备光电阴极的过程中，根据需要达到的量子效率区间选择对应的角度参考范围；以及以选择的角度参考范围为依据，在制备过程中将实际的光电流曲线斜率的角度与角度参考范围进行对比，对正在进行的阴极制备过程进行调整，使阴极制备过程中光电流曲线斜率的角度向所需量子效率的角度参考范围不断接近，最终制作出所需量子效率的光电阴极。本发明的调控方法可通过给出的参考值设定期望制作的量子效率值，在实际生产过程中可提高量子效率的可控性，从而提高了光电倍增管量子效率的一致性，避免单独针对某个量子效率进行调控时的不确定性和降低调控难度。 | ||||||
| 187 | 测定图像传感器量子效率的方法、装置、设备和介质 | CN202111629837.9 | 2021-12-28 | CN114295565A | 2022-04-08 | 宋汉城; 温建新; 张悦强; 叶红波 |
| 本发明提供了一种测定图像传感器量子效率的方法，包括：图像传感器通过光纤面板接收来自光源的连续光谱；图像传感器分别在暗场和曝光条件下每间隔单位积分时间获取一幅图像，得到暗场图像组和曝光图像组；将曝光图像组的像素值与暗场图像组的像素值相减得到单位积分时间的数据差值；获取连续光谱经若干特定波长滤光后的图像，通过图像传感器定位特定波长在连续光谱中的特定位置；通过特定位置和连续光谱及其与光功率的对应关系，拟合得到光功率曲线并获取第一波长的光功率值；根据光功率值、第一波长、像元尺寸、单位积分时间、数据差值和转换增益，计算图像传感器对应第一波长的量子效率，该方法用于精确测定图像传感器的量子效率。 | ||||||
| 188 | 提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法 | CN202111442421.6 | 2021-11-30 | CN114156380A | 2022-03-08 | 陈张笑雄; 卢云霞; 葛永晖; 贾胜敏; 陆香花; 李鹏 |
| 本发明公开了提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在非掺杂GaN层与n型GaN层之间增加低温InAlGaN/InGaN/GaN超晶格优化层，以较低的温度生长，N空隙在较低的温度下较难形成，减少N空隙生成，超晶格优化层中所携带的In原子可以与N空隙提前反应，减小N空隙延伸至多量子阱层中形成光子湮灭点的可能，提高发光二极管外延片的内量子效率。超晶格优化层中GaN过渡层掺杂有Si，可以促进电子的增加与流动，配合InAlGaN过渡层的势垒，可以使得电子更均匀进入InGaN/GaN多量子阱层中，提高内量子效率的同时提高出光均匀度。 | ||||||
| 189 | 用于提高光电倍增管阴极量子效率可控性及一致性的方法 | CN202110722031.8 | 2021-06-28 | CN113451090A | 2021-09-28 | 顾莹; 司曙光; 张志千; 张昊达; 李臻; 李冬; 王兴超; 金睦淳; 侯巍; 吴凯 |
| 本发明提供一种用于提高光电倍增管阴极量子效率可控性及一致性的方法，包括：获取不同量子效率的光电阴极制备过程中的光电流曲线；提取出与设定的量子效率区间对应的光电流曲线斜率的角度参考范围；在制备光电阴极的过程中，根据需要达到的量子效率区间选择对应的角度参考范围；以及以选择的角度参考范围为依据，在制备过程中将实际的光电流曲线斜率的角度与角度参考范围进行对比，对正在进行的阴极制备过程进行调整，使阴极制备过程中光电流曲线斜率的角度向所需量子效率的角度参考范围不断接近，最终制作出所需量子效率的光电阴极。本发明的调控方法可通过给出的参考值设定期望制作的量子效率值，在实际生产过程中可提高量子效率的可控性，从而提高了光电倍增管量子效率的一致性，避免单独针对某个量子效率进行调控时的不确定性和降低调控难度。 | ||||||
| 190 | 大面积发光件上单个像素外量子效率快速检测系统及其检测方法 | CN202110435452.2 | 2021-04-22 | CN113155416A | 2021-07-23 | 廖清; 德健博; 尹璠; 付红兵 |
| 本发明公开大面积发光件上单个像素外量子效率快速检测系统检测及其方法，检测系统包括接收光路、定标光路和第三检测装置，接收光路用于接收待测发光件发出的入射光线，并测定其光强空间分布和待测发光件上每个像素对应的不同波长的光强；向接收光路发射不同频率入射光线以便获取接收光路对不同频率入射光线的响应函数；第三检测装置用于测定待测发光件发光时的总电流值；检测方法：接收光路的校准，待测发光件上单个像素的检测，待测发光件发光时的电流检测以及外量子效率的计算。本发明可以快速分析大面积发光件上单个像素点的外量子效率，有效提高大面积发光件上单个外量子效率检测的准确性，可应用于大面积发光器件的单个像素点的外量子效率测量。 | ||||||
| 191 | 一种太阳能电池的量子效率指标的测试方法和系统 | CN201910585395.9 | 2019-07-01 | CN110324004B | 2021-06-11 | 李一明; 石将建; 吴炯桦; 孟庆波 |
| 本发明提供了一种太阳能电池的量子效率指标的测试方法和系统。该方法包括：对待测太阳能电池施加偏置电压，同时利用脉冲泵浦光对待测太阳能电池进行微扰泵浦；调节采样电阻，以得到待测太阳能电池在不同偏置电压下的瞬态光电流衰减曲线和/或瞬态光电压衰减曲线；基于待测太阳能电池的瞬态光电流衰减曲线和/或瞬态光电压衰减曲线计算得到待测太阳能电池的量子效率指标。量子效率指标包括内量子效率、电荷收集效率、电荷抽取效率中的至少之一。通过波长和强度可调的脉冲激光泵浦、外加电场调控进行太阳能电池的的可调控瞬态光电流/光电压表征，进而计算太阳能电池的量子效率指标，普适性好、测试系统结构简单紧凑、表征功能丰富、测试精度高。 | ||||||
| 192 | 一种高量子效率的Sm3+掺杂荧光粉及其制备方法 | CN202011561172.8 | 2020-12-25 | CN112625675A | 2021-04-09 | 张乐; 甄方正; 康健; 张永丽; 罗泽; 赵超 |
| 一种高量子效率的Sm3+掺杂荧光粉及其制备方法，属于发光材料领域，满足化学式为BeBa2B6O12:xSm3+其中0.2≤质x的≤六0.方6，晶通体过结固构态使反得应S法m3，+制同备时得存到在了共荧价光键粉与，离B子eB键a2，B使6O得12基该荧光粉具有高的量子效率，403nm激发下发出冷白光，可应用于白光LED器件中，且制备方法工艺简单，有利于工业化生产。 | ||||||
| 193 | 一种高量子效率的纳米阵列光电阴极及其制备方法 | CN202011514561.5 | 2020-12-21 | CN112530768A | 2021-03-19 | 沈洋; 方强龙; 陈亮; 李依婷; 谢大宝; 朱华 |
| 本发明公开了一种高量子效率的纳米阵列光电阴极及其制备方法，光电阴极包括正极、负极、指数掺杂层、绝缘层。正极为纳米条带阵列；所述正极接入电源正极，所述负极接入电源负极。其中所述指数掺杂层包括阴极发射层、保护层和基底；所述阴极发射层为纳米圆柱；阴极发射层材料为指数掺杂的In0.53Ga0.47As，保护层材料为In0.63Ga0.37As，基底材料为n型GaAs(100)基底。本发明还公开了上述光电阴极的制备方法。在本发明中通过外加强电场的方式来降低阴极的表面功函数，可以有效减少光电阴极性能的衰减。在正极与阴极发射层之间加了绝缘层，避免出现短路或者打火的现象。采用纳米柱阵列的结构，可以大幅提升阴极的电子发射能力。采用指数掺杂的方式可以大幅提升阴极的量子效率。 | ||||||
| 194 | 一种提高量子效率的图像传感器像素单元结构和形成方法 | CN201811267857.4 | 2018-10-29 | CN109509763B | 2021-03-02 | 顾学强 |
| 本发明公开了一种提高量子效率的图像传感器像素单元结构，包括设于硅衬底正面的光电二极管和传输管栅极，设于层间介质层中的金属互连层和聚光反射层，聚光反射层设有聚光层和金属反射层，并对应位于光电二极管的下方，聚光层具有阵列状的多个聚光突起，每个聚光突起具有面向光电二极管设置的弧形凸面表面，用于对自硅衬底背面入射的光线进行聚光，金属反射层具有与每个聚光突起的弧形凸面表面对应的连续弧形状结构，用于将经聚光后的入射光线再次反射至光电二极管中，保证了近红外光在硅衬底里吸收比例的大幅上升，提高了背照式像素单元的近红外量子效率。本发明还公开了一种提高量子效率的图像传感器像素单元结构的形成方法。 | ||||||
| 195 | 一种高量子效率图像传感器像素结构及其制作方法 | CN201910752353.X | 2019-08-15 | CN112397532A | 2021-02-23 | 徐江涛; 刘伯文; 李嘉文; 苗津; 张培文 |
| 一种高量子效率图像传感器像素结构及其制作方法，该像素基于背照式工艺，对钳位光电二极管n型区结构进行优化，形成“袋状”耗尽区，延伸并覆盖硅衬底背面感光区域，扩大耗尽区面积，提高光生电子的收集效率；同时，在钳位光电二极管p+型钳位层上方引入金属反射层，对部分由硅衬底背面入射，经过耗尽区未被完全吸收，从硅衬底正面出射的光子进行光学反射，使其从硅衬底正面再次入射并重新被耗尽区吸收，提高入射光子被吸收的效率。通过两种方法的共同作用，有效提高入射光子转化为光生电子的效率和光生电子被收集的效率，进一步提高像素的量子效率，并优化图像传感器的微光成像性能。 | ||||||
| 196 | 一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法 | CN201710782391.0 | 2017-09-02 | CN109427518B | 2020-10-20 | 张益军; 张景智; 冯琤; 张翔; 钱芸生; 张俊举; 戴庆鑫 |
| 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法，即在超高真空激活系统中，采用波长为532nm的单色光源替代传统的卤坞灯光源进行激活。其激活步骤包括：1.对待激活的GaAs样品进行化学清洗；2.对化学清洗后的样品进行高温净化；3.采用波长为532nm的单色光源照射阴极表面，通过Cs源持续，氧源断续的工艺对样品进行激活。通过上述方法所获得的GaAs光电阴极在量子效应和稳定性上都有了明显提高。 | ||||||
| 197 | 一种具有高荧光量子效率的红光聚合物及其制备方法 | CN202010544311.X | 2020-06-15 | CN111574692A | 2020-08-25 | 李建辉 |
| 本发明属有机发光显示领域，特别涉及一种具有高荧光量子效率的红光聚合物及其制备方法。本发明提供了一种具有高荧光量子效率的红光聚合物，具有式(I)所示结构。本发明还提供了一种具有高荧光量子效率的红光聚合物的制备方法，包括如下步骤：步骤1：氮气保护下，将(4,7-二(5-溴-2-噻吩基)-5,6-二辛氧基苯并噻二唑)和2,7-二溴-2'，3'，6'，7'-四辛基-螺硅双芴进行Suzuki偶联反应得到中间聚合物；步骤2：在中间聚合物中加入2,7-二(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼烷)-9,9-二辛基芴和苯硼酸封端得到式(I)所示聚合物。本发明解决了现有的红光聚合物红色发光纯度不高且荧光量子效率较低的技术问题。 | ||||||
| 198 | 基于三联苯衍生物的高荧光量子效率材料及其制备方法 | CN202010109374.2 | 2020-02-22 | CN111253285A | 2020-06-09 | 丁岩; 唐超; 蔡海同; 杨知遥 |
| 本发明公开了一种基于三联苯衍生物的高荧光量子效率材料及其制备方法，该材料是含有三联苯的结构体系，其左右两端以氰基封端，同时在上下两端以烷氧端基封端。本发明首次将苯氰单元与双烷氧取代的溴苯相连，解决了未经掺杂的有机半导体小分子材料在固态和溶液状态无法同时具有高荧光量子效率的问题。本发明的基于三联苯衍生物的高荧光量子效率材料在固体状态下有近90％的荧光量子效率，在溶液状态下有近100的荧光量子效率。在生物探针、传感器，电致发光器件等方面具有潜在的应用价值。 | ||||||
| 199 | 一种提高CMOS图像传感器量子效率的光电二极管结构 | CN201711223134.X | 2017-11-29 | CN107994096B | 2020-03-31 | 孙德明 |
| 本发明公开了一种提高CMOS图像传感器量子效率的光电二极管结构，位于轻掺杂衬底中，包括重置晶体管、传输晶体管、PN光电二极管、像素单元隔离区、阱区和环状硅区；所述传输晶体管的两端分别连接所述重置晶体管和PN光电二极管；所述重置晶体管、传输晶体管和PN光电二极管形成的区域被环状的像素单元隔离区包围，所述像素单元隔离区中紧邻所述重置晶体管的部分为浅沟槽隔离，所述PN光电二极管中P型区域和N形区域在垂直方向上下分布，且位于下方的区域自上而下包括掺杂浓度不同的区域Ⅰ、区域Ⅱ和区域Ⅲ，在所述阱区和像素单元隔离区的下方设置环状硅区。本发明提供的光电二极管结构，可以提高长波段的量子效率，并且避免引入带间隧穿漏电。 | ||||||
| 200 | 一种提高量子效率的图像传感器像素单元结构和形成方法 | CN201811267857.4 | 2018-10-29 | CN109509763A | 2019-03-22 | 顾学强 |
| 本发明公开了一种提高量子效率的图像传感器像素单元结构，包括设于硅衬底正面的光电二极管和传输管栅极，设于层间介质层中的金属互连层和聚光反射层，聚光反射层设有聚光层和金属反射层，并对应位于光电二极管的下方，聚光层具有阵列状的多个聚光突起，每个聚光突起具有面向光电二极管设置的弧形凸面表面，用于对自硅衬底背面入射的光线进行聚光，金属反射层具有与每个聚光突起的弧形凸面表面对应的连续弧形状结构，用于将经聚光后的入射光线再次反射至光电二极管中，保证了近红外光在硅衬底里吸收比例的大幅上升，提高了背照式像素单元的近红外量子效率。本发明还公开了一种提高量子效率的图像传感器像素单元结构的形成方法。 | ||||||
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