| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 量子效率测量装置以及量子效率测量方法 | CN200980000111.X | 2009-01-20 | CN101932926B | 2013-07-24 | 大久保和明 |
| 将作为量子效率的测量对象部的试样(OBJ1)以及具有已知的反射率特性的标准体(REF1)分别安装到设置于平面镜(5)的试样窗(2)上。根据在分别安装了试样(OBJ1)以及标准体(REF1)的情况下由光谱仪测量到的各个光谱来测量试样(OBJ1)的量子效率。通过使观测窗(3)的开口面与试样(OBJ1)或者标准体(REF1)的露出面实质上一致，抑制接受激发光(L1)而由试样(OBJ1)产生的荧光以及由试样(OBJ1)反射的激发光(L1)直接入射到观测窗(3)。 | ||||||
| 2 | 量子效率测试系统 | CN201811600833.6 | 2018-12-26 | CN111372072A | 2020-07-03 | 李俊霖; 杨永强; 赵宇; 金辉 |
| 本发明涉及一种量子效率测试系统，包括：第一光源、第二光源、成像装置、反射元件以及驱动装置；所述第一光源、第二光源分别与反射元件间隔设置；所述驱动装置与所述反射元件连接用于带动所述反射元件运动以使所述第一光源或第二光源的光投射至所述成像装置。本发明通过所述驱动装置与所述反射元件连接用于带动所述反射元件运动以使所述第一光源或第二光源的光投射至所述成像装置，使得同一成像装置可以分别测试第一光源及第二光源，测试方便，有效降低系统成本。 | ||||||
| 3 | 一种高量子效率CCD结构 | CN201910957618.X | 2019-10-10 | CN110676279A | 2020-01-10 | 杨洪; 白雪平; 姜华男; 袁世顺; 翁雪涛 |
| 本发明涉及电荷耦合器件技术领域，具体涉及一种高量子效率CCD结构，包括：第一垂直分组、第二垂直分组、第三垂直分组、第四垂直分组，每个垂直分组包括垂直CCD多晶硅栅、第一蓝光窗口和第二蓝光窗口，所述垂直CCD多晶硅栅包括至少四根多晶硅条，且每根多晶硅条上设置有接触孔；两个蓝光窗口分别位于垂直CCD多晶硅栅的左、右两侧形成双蓝光窗口像元架构；两个蓝光窗口各自按照左右分割的方式均匀分成三个面积等大的区域；不同垂直分组之间通过金属引线连接接触孔实现电学互联。本发明可解决大尺寸像元信号收集问题，可改善大尺寸帧转移CCD以及TDICCD量子效率，同时保证CCD满阱容量、动态范围、转移效率等特性不会退化。 | ||||||
| 4 | 量子效率测量装置以及量子效率测量方法 | CN200980000111.X | 2009-01-20 | CN101932926A | 2010-12-29 | 大久保和明 |
| 将作为量子效率的测量对象部的试样(OBJ1)以及具有已知的反射率特性的标准体(REF1)分别安装到设置于平面镜(5)的试样窗(2)上。根据在分别安装了试样(OBJ1)以及标准体(REF1)的情况下由光谱仪测量到的各个光谱来测量试样(OBJ1)的量子效率。通过使观测窗(3)的开口面与试样(OBJ1)或者标准体(REF1)的露出面实质上一致，抑制接受激发光(L1)而由试样(OBJ1)产生的荧光以及由试样(OBJ1)反射的激发光(L1)直接入射到观测窗(3)。 | ||||||
| 5 | 量子效率测量方法、量子效率测量装置和积分器 | CN201110069976.0 | 2011-03-18 | CN102192786A | 2011-09-21 | 大泽祥宏; 大久保和明 |
| 本发明提供一种量子效率测量方法、量子效率测量装置和积分器。该量子效率测量方法包括以下步骤：步骤(S10)，将试样配置在具有积分空间的积分器内的规定位置；步骤(S12)，向试样照射激发光，并且经由第2窗将积分空间内的光谱作为第1光谱进行测量；步骤(S20)，将激发光入射部分构成为使透过试样后的激发光不向积分空间内反射；步骤(22)，向试样照射激发光，并且经由第2窗将积分空间内的光谱作为第2光谱进行测量；步骤(S40、S42、S46)，基于第1光谱中的与激发光的波长范围相对应的成分和第2光谱中的与试样受到激发光的照射而发出的光的波长范围相对应的成分算出试样的量子效率。 | ||||||
| 6 | 量子效率测量方法、量子效率测量装置和积分器 | CN201110069976.0 | 2011-03-18 | CN102192786B | 2014-10-29 | 大泽祥宏; 大久保和明 |
| 本发明提供一种量子效率测量方法、量子效率测量装置和积分器。该量子效率测量方法包括以下步骤：步骤(S10)，将试样配置在具有积分空间的积分器内的规定位置；步骤(S12)，向试样照射激发光，并且经由第2窗将积分空间内的光谱作为第1光谱进行测量；步骤(S20)，将激发光入射部分构成为使透过试样后的激发光不向积分空间内反射；步骤(22)，向试样照射激发光，并且经由第2窗将积分空间内的光谱作为第2光谱进行测量；步骤(S40、S42、S46)，基于第1光谱中的与激发光的波长范围相对应的成分和第2光谱中的与试样受到激发光的照射而发出的光的波长范围相对应的成分算出试样的量子效率。 | ||||||
| 7 | 一种量子效率测试仪 | CN202121798090.5 | 2021-08-03 | CN215600330U | 2022-01-21 | 蒋红洁; 祁鹏景; 陈园; 雷佳 |
| 本申请实施例提供了一种量子效率测试仪，涉及机械领域，以改善量子效率测试仪的测试结果精确度不高的问题。所述量子效率测试仪包括：探针(110)、探针支撑装置(120)和适于承载待测试件的工作台(130)；所述探针支撑装置(120)包括伸缩机构(1201)，所述探针(110)与所述伸缩机构(1201)连接，所述探针(110)在所述工作台(130)的上方沿所述工作台(130)的延伸方向可移动。 | ||||||
| 8 | 一体式量子效率测量仪 | CN201820204161.6 | 2018-02-06 | CN207764127U | 2018-08-24 | 胡秦徽; 邓水妹 |
| 本实用新型公开了一体式量子效率测量仪，包括：量子效率测量仪主机、积分球，量子效率测量仪主机内安装有激发光模块和光谱仪，激发光模块通过第一光纤连接激发光输出终端，激发光输出终端连接在积分球上并用于输出激发光，积分球通过第二光纤连接光谱仪，光谱仪通过数据线连接计算机；量子效率仪主机的底板上设置有升降柱，积分球固定在升降柱的顶端，升降柱上配置有沿升降柱轴向移动的升降台，升降台用于将待测样品送入和送出积分球。通过将激发光模块和光谱仪安装在量子效率测量仪主机内，以及在量子效率测量仪的底板的升降柱顶端固定积分球，实现一体化设计，结构紧凑；进一步地采用升降台代替手工放置待测样品，避免积分球发生不期望的污染。 | ||||||
| 9 | 探针、量子效率测量装置及测量方法 | CN202310991086.8 | 2023-08-07 | CN117155276A | 2023-12-01 | 王馨雨; 邢国强; 李雪松 |
| 本申请涉及太阳电池量子效率测量技术领域，尤其涉及一种探针、量子效率测量装置及测量方法。一种探针，应用在量子效率测量装置中，所述量子效率测量装置包括测量本体，所述探针包括：主体段，所述主体段用于安装于所述测量本体；抵接段，所述抵接段与所述主体段连接，所述抵接段背离所述主体段的一端形成有钝面，所述钝面用于与太阳电池的电极抵接。本申请提供的探针，可以很好的避免戳穿电极的情况发生，进而可以避免整个太阳电池报废的情况发生。 | ||||||
| 10 | 一种OLED器件光电及量子效率测试系统 | CN201811334498.X | 2018-11-09 | CN111175627B | 2023-04-07 | 李轶文; 刘嵩 |
| 本发明涉及一种OLED器件光电及量子效率测试系统，包括测试平台、夹具、积分半球、光学传导组件和辐射照度测试设备，夹具和积分半球分别设置于测试平台的两侧面上；积分半球上部平面中央和底部半球顶点开有测试孔光学传导组件包括光纤、镜筒和光学反光镜，镜筒设置在积分半球底部顶点测试孔和辐射照度测试设备顶部之间，光学反光镜设置在镜筒的侧壁上，可向镜筒内打开。本发明将光电测试和量子效率测试设备进行了整合，重新设计了测试光路，实现了光电测试与量子效率测试结合；采用夹具和垂直光路，摒弃了暗室柜等严苛的测试条件，提高了适用性。 | ||||||
| 11 | 具有高探测量子效率的闪烁体阵列 | CN201980062582.7 | 2019-09-13 | CN112771412A | 2021-05-07 | H·K·维乔雷克 |
| 本发明涉及用于辐射成像探测器的闪烁体阵列。还提供了用于制造闪烁体阵列的方法、辐射成像探测器以及医学成像系统。所述闪烁体阵列具有辐射接收面和相对的闪烁光输出面。所述闪烁体阵列包括多个闪烁体元件和分离器材料，所述分离器材料被设置在所述闪烁体元件之间。所述分离器材料包括分离器颗粒，所述分离器颗粒具有预定尺寸；并且所述分离器材料通过在闪烁体元件之间提供物理间隔来提供闪烁体元件的光学分离，所述间隔的宽度是由分离器颗粒尺寸来限定的。 | ||||||
| 12 | 评测发光二极管内量子效率的方法 | CN201811156093.1 | 2018-09-30 | CN109212402B | 2020-11-03 | 汪莱; 糜陈子仪; 金杰; 郝智彪; 罗毅 |
| 本发明公开一种发光二极管内量子效率测量方法，包括测量发光二极管在小电流区域的伏安特性曲线；利用发光二极管在该小电流区域的伏安特性曲线及该发光二极管发光特性，针对发光二极管的材料类型确定相应的模型及其载流子输运规律，对伏安特性曲线进行曲线拟合，得到辐射复合与非辐射复合的参数，进而得到该小电流区域上发光二极管的内量子效率；测量该发光二极管全电流区间的外量子效率，根据小电流区域的外量子效率和内量子效率，确定外量子效率和内量子效率的比值；根据全电流区间的外量子效率，除以光提取效率，得到全电流区间的内量子效率。通过本发明的小电流区域测量的光提取效率，可扩展在全电流区间，容易求出全电流区间的内量子效率。 | ||||||
| 13 | 一种提高量子效率的CMOS图像传感器 | CN201810392924.9 | 2018-04-27 | CN108493206B | 2020-10-02 | 孙德明 |
| 本发明公开了一种提高量子效率的CMOS图像传感器，包括位于衬底上的转移晶体管、PN光电二极管和石墨烯层，所述转移晶体管包括栅极、侧墙、栅介质层、漏区和源区，所述侧墙围绕在所述栅极周围，所述栅介质层位于所述侧墙和栅极的下方，所述源区和漏区分别位于所述栅介质层之下，且在垂直方向上位于栅极的两侧；所述PN光电二极管与所述转移晶体管的源区相连接，所述栅介质层延伸至覆盖所述PN光电二极管的上表面，所述PN光电二极管在远离衬底的方向依次形成N型掺杂区和P型掺杂区，所述石墨烯层覆盖在PN光电二极管上方的栅介质层上。本发明提供的一种提高量子效率的CMOS图像传感器，减少了光生载流子在中性区的复合，提高了短波长入射光的量子效率。 | ||||||
| 14 | 一种量子效率的测试方法 | CN201611220983.5 | 2016-12-26 | CN106596069B | 2019-11-26 | 杨永强; 李俊霖; 刘楠; 唐延甫 |
| 本发明提供了一种量子效率的测试方法，所述测试方法包括：在单色仪的入光口设置光源；在所述单色仪的出光口设置光功率计，且所述光功率计完全接收所述单色仪的出射光；待测感光器件设置在位移装置上；其中，所述光功率计在设定位置获取所述设定位置的光功率，且通过匀速驱动所述位移装置在设定时间内使所述待测感光器件全部接受所述单色仪的出射光进行成像；获取所述待测感光器件成像后的图像灰度值，依据所述图像灰度值及所述光功率，获得所述待测感光器件的量子效率。该测试方法对待测感光器件的量子效率的测试结果精确度高。 | ||||||
| 15 | 具有经增强量子效率的图像传感器 | CN201610040698.9 | 2016-01-21 | CN105845698B | 2019-04-05 | 陈刚; 多米尼克·马塞提; 熊志伟; 阿尔温德·库马尔; 郑源伟; 杜利·毛; 戴森·H·戴 |
| 本申请案涉及具有经增强量子效率的图像传感器。一种背侧照明式图像传感器包含：像素阵列，其包含半导体材料；及图像传感器电路，其安置于所述半导体材料的前侧上，以控制所述像素阵列的操作。第一像素包含第一经掺杂区域，所述第一经掺杂区域接近所述半导体材料的背侧安置且向所述半导体材料中延伸第一深度以到达所述图像传感器电路。具有第二经掺杂区域的第二像素接近所述半导体材料的所述背侧安置且向所述半导体材料中延伸第二深度，所述第二深度小于所述第一深度。第三经掺杂区域安置于所述第二经掺杂区域与所述半导体材料的所述前侧上的所述图像传感器电路之间。所述第三经掺杂区域与所述第一经掺杂区域及所述第二经掺杂区域电隔离。 | ||||||
| 16 | 一种提高量子效率的CMOS图像传感器 | CN201810392924.9 | 2018-04-27 | CN108493206A | 2018-09-04 | 孙德明 |
| 本发明公开了一种提高量子效率的CMOS图像传感器，包括位于衬底上的转移晶体管、PN光电二极管和石墨烯层，所述转移晶体管包括栅极、侧墙、栅极介质层、漏区和源区，所述侧墙围绕在所述栅极周围，所述栅介质层位于所述侧墙和栅极的下方，所述源区和漏区分别位于所述栅介质层之下，且在垂直方向上位于栅极的两侧；所述PN光电二极管与所述转移晶体管的源区相连接，所述栅介质层延伸至覆盖所述PN光电二极管的上表面，所述PN光电二极管在远离衬底的方向依次形成N型掺杂区和P型掺杂区，所述石墨烯层覆盖在PN光电二极管上方的栅介质层上。本发明提供的一种提高量子效率的CMOS图像传感器，减少了光生载流子在中性区的复合，提高了短波长入射光的量子效率。 | ||||||
| 17 | 提高内量子效率的LED外延生长方法 | CN201710681967.4 | 2017-08-10 | CN107507891A | 2017-12-22 | 徐平 |
| 本申请公开了一种提高内量子效率的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长AlGaN：Zn薄垒层、交替生长InxGa(1-x)N/GaN发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，通过发光层靠近N型层的一侧生长AlGaN：Zn薄垒层，形成不对称阱垒结构，抑制电子漏电流的产生，提升电子和空穴在量子阱内的注入效率，从而提高LED的内量子效率和光功率，使LED的发光效率得到提升。 | ||||||
| 18 | 一种测量LED内量子效率的方法 | CN201310616446.2 | 2013-11-27 | CN103645033B | 2016-08-17 | 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 |
| 本发明公开了一种利用变激光激发密度荧光光谱测试LED内量子效率的方法，制作测试样品，所述测试样品具有量子阱结构，从下至少依次包括衬底、低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区和p型层；将LED样品装入光谱仪的样品室内，在激光器到样品的光路上放置圆衰减片，通过调节衰减片位置，实现激光功率的连续可调；然后放置一分支光路，其分光比例一定，通过分支光路的实时测量来获取测试光路的激光功率，并测量测试光路的光斑大小来获得激光激发密度；通过改变激光圆衰减片位置，测量不同的激光功率并计算相应的激光激发密度，然后通过探测器获得相应的荧光光谱；计算并列表激光激发密度和对应的荧光光谱积分强度；根据速率方程和内量子效率定义，拟合得出内量子效率。 | ||||||
| 19 | 具有经增强量子效率的图像传感器 | CN201610040698.9 | 2016-01-21 | CN105845698A | 2016-08-10 | 陈刚; 多米尼克·马塞提; 熊志伟; 阿尔温德·库马尔; 郑源伟; 杜利·毛; 戴森·H·戴 |
| 本申请案涉及具有经增强量子效率的图像传感器。一种背侧照明式图像传感器包含：像素阵列，其包含半导体材料；及图像传感器电路，其安置于所述半导体材料的前侧上，以控制所述像素阵列的操作。第一像素包含第一经掺杂区域，所述第一经掺杂区域接近所述半导体材料的背侧安置且向所述半导体材料中延伸第一深度以到达所述图像传感器电路。具有第二经掺杂区域的第二像素接近所述半导体材料的所述背侧安置且向所述半导体材料中延伸第二深度，所述第二深度小于所述第一深度。第三经掺杂区域安置于所述第二经掺杂区域与所述半导体材料的所述前侧上的所述图像传感器电路之间。所述第三经掺杂区域与所述第一经掺杂区域及所述第二经掺杂区域电隔离。 | ||||||
| 20 | 一种CCD器件量子效率测量装置 | CN201510980812.1 | 2015-12-24 | CN105571834A | 2016-05-11 | 王洪超; 刘红元; 应承平; 王恒飞; 霍明明; 姜斌 |
| 本发明提出了一种CCD器件量子效率测量装置，包括：光源、单色仪、积分球、扩束镜、可调光阑、暗室、标准探测器、CCD驱动电路、皮安表、主控计算机，将CCD器件及标准探测器置于暗室中；单色仪输出口经过聚焦放大后汇聚到光纤束中，然后注入到积分球中；积分球出光口处增加扩束镜，光线通过扩束镜后进行了汇聚，经过汇聚准直后的光线进入暗室后，经过可调光阑投射到被测CCD或标准探测器上；分别通过CCD驱动电路和皮安表进行数据采集并传送到主控计算机上进行处理。本发明在积分球出光口处增加扩束镜系统，既提高了光源的均匀性，又起到了汇聚及准直光线的作用，提高了光能利用率。 | ||||||
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