| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 倾角附加吸收区型超辐射发光管 | CN92103592.6 | 1992-05-19 | CN1031233C | 1996-03-06 | 杜国同 |
| 本发明的倾角附加吸收区型超辐射发光管，属半导体异质结发光管。主要结构是在村底1上顺次生长有下限制层2、有源层3、上限制层4、盖层5、以及金属电极6，在腔长方向有一段是跟镜面14成倾斜角的电流注入条区8，另一段是没有电流注入的吸收区9。本发明具有抑制激射能力强、可形成大电流、大功率范围的超辐射发光，有较低的光谱调制深度，工艺难度低、成品率高、节约外延片等特点。 | ||||||
| 2 | 一种含侧边吸收区的超辐射发光管 | CN201610930980.4 | 2016-10-31 | CN106300011A | 2017-01-04 | 周东豪; 林琦; 林中晞; 苏辉; 薛正群; 陈阳华; 王凌华; 訾慧; 徐玉兰; 陈景源; 林乐 |
| 本发明涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管，包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区，在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区，侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本发明利用侧边吸收区所具有的光吸收特性，减小了脊波导侧边近波长或亚波长量级的凹凸结构对光产生的散射或者衍射，有效抑制了可能形成的反馈回路，减小了激射对器件的光谱特性产生的不良影响，实现了超辐射发光管平滑的较宽的光谱输出。 | ||||||
| 3 | 倾角附加吸收区型超辐射发光管 | CN92103592.6 | 1992-05-19 | CN1068682A | 1993-02-03 | 杜国同 |
| 本发明为一种双异质结发光管。这种发光管是在双异质结半导体激光器的基础上采用电极条和镜面成一定倾斜角再加上一段吸收区的方法来抑制激射的产生，从而形成单程增益的超辐射发光管。其优点是激射抑制能力强，可以形成较大电流、功率范围的超辐射发光，有较低的光谱调制深度；可减少工艺难度，提高成品率，节约外延片。 | ||||||
| 4 | 啁啾量子点超辐射发光管及其制备方法和用途 | CN202111008090.5 | 2021-08-30 | CN115732603A | 2023-03-03 | 王虹; 杨涛; 吕尊仁 |
| 本公开提供了一种啁啾量子点超辐射发光管，包括：衬底(10)；有源区下盖层(20)；至少一层有源区(30)，每层有源区(30)至下而上包括N型掺杂的量子点层(31)、第一盖层(32)、第二盖层(33)，并形成啁啾多层量子点结构；有源区上盖层(40)。本公开通过对啁啾量子点进行N型掺杂，可提供额外的电子钝化非辐射复合中心，并且提供了过量的载流子占据更高的激发态能级，因此针对啁啾量子点光谱相对均匀量子点较宽，但更高能级量子点填充不充分的问题得到了很好的弥补，与传统的啁啾量子点超辐射发光管相比有更宽的发光谱，最终同时提高了超辐射发光管的功率和谱宽。 | ||||||
| 5 | 一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管 | CN02147587.3 | 2002-10-17 | CN1225035C | 2005-10-26 | 张子旸; 王占国; 徐波; 金鹏; 刘峰奇 |
| 一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管，其中包括：一上限制层；一上渐变折射率波导层制作在上限制层的下面；一自组织量子点有源区制作在上渐变折射率波导层的下面；一下渐变折射率波导层制作在量子点有源区的下面；一下限制层制作在下渐变折射率波导层的下面；一在下限制层的下面的衬底；一层介质膜淀积在上限制层上，在介质膜上腐蚀出倾斜的条形电流注入区；其中该自组织量子点有源区包括：5个周期的量子点；在该5个周期的铟砷量子点的上面均有一层应力缓冲层，在每一缓冲层与其上面一层量子点之间均有一层间隔层，在最下面一层量子点的下面和最上面一层缓冲层的上面均有一层盖层。 | ||||||
| 6 | 一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管 | CN02147587.3 | 2002-10-17 | CN1490887A | 2004-04-21 | 张子旸; 王占国; 徐波; 金鹏; 刘峰奇 |
| 一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管，其中包括：一上限制层；一上渐变折射率波导层，该上渐变折射率波导层制作在上限制层的下面；一自组织量子点有源区，该自组织量子点有源区制作在上渐变折射率波导层的下面；一下渐变折射率波导层，该下渐变折射率波导层制作在量子点有源区的下面；一下限制层，该下限制层制作在下渐变折射率波导层的下面；一衬底，该衬底在下限制层的下面；一层介质膜，该介质膜淀积在上限制层上，在介质膜上腐蚀出倾斜的条形电流注入区；其中该自组织量子点有源区包括：5个周期的量子点；在该5个周期的铟砷量子点的上面均有一层应力缓冲层，在每一应力缓冲层的上面均有一间隔层。 | ||||||
| 7 | 一种制备倾斜端面超辐射发光管的方法 | CN202310741387.5 | 2023-06-21 | CN116914562A | 2023-10-20 | 贾宪生; 张子旸; 陈红梅 |
| 本发明涉及一种制备倾斜端面超辐射发光管的方法，包括如下步骤：s1、制备外延片，s2、制备波导结构，s3、制备倾斜端面，s4、制备电极窗口，s5、制备P面电极，s6、减薄和抛光，s7、制备N面电极，s8、退火，获得倾斜端面超辐射发光管。该制备倾斜端面超辐射发光管的方法采用标准半导体工艺，并在流程中引入法拉第笼等电位面诱导等离子体倾斜方向刻蚀制备倾斜端面，操作简单、生产效率高，可以批量制备倾斜端面超辐射发光管。 | ||||||
| 8 | 一种用于辐射发光材料的性能测试装置 | CN201610803655.1 | 2016-09-06 | CN106442598A | 2017-02-22 | 王仁生; 文万信; 闫思齐; 余枭 |
| 本发明提供一种用于辐射发光材料的性能测试装置，包括用于包裹光电倍增管、且与光电倍增管形配合的光电倍增管外壳，所述光电倍增管外壳的窄口端内壁上设有与光电倍增管端部相抵的凸环；用于放置辐射发光材料的柱形辐射发光材料外壳，所述辐射发光材料外壳一端的内壁设有台阶；外壳连接体，所述外壳连接体的横截面为凸形，其两端分别与光电倍增管外壳的一端和辐射发光材料外壳的一端连接。本发明的测试装置实现了快速测量、操作简便、重复性好并保证测量精度的目的；装置制作成本较低；铝材为轻型材质，结构简便，方便携带；本发明装置适合各种辐射发光材料的测试，如晶体，通用性强。 | ||||||
| 9 | 制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法 | CN200910243745.X | 2009-12-23 | CN101740455A | 2010-06-16 | 王佐才; 金鹏; 王占国 |
| 一种制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法，包括如下步骤：步骤1：在具有功能区的基片上涂覆一层光刻胶；步骤2：采用普通光学套刻的方法，将各功能区间的光刻胶去除；步骤3：腐蚀或刻蚀去除光刻胶处的上金属电极、绝缘层和欧姆接触层，形成隔离带；步骤4：将基片上的光刻胶去除；步骤5：在隔离带处对基片进行离子注入；步骤6：退火，完成电学隔离。 | ||||||
| 10 | 量子阱混合超辐射发光管及其制作方法 | CN03111555.1 | 2003-04-25 | CN1450695A | 2003-10-22 | 许呈栋; 杜国同 |
| 本发明涉及一种应用量子阱混合技术制作的超辐射发光器件及该发光器件的制作方法。超辐射发光器件顺次由下电极、n－InP衬底、n－InP缓冲层、n－InGaAsP分别限制层、InGaAsP多量子阱有源层、p－InGaAsP分别限制层、p－InP盖层、p－InGaAs盖层、SiO2电流隔离层、上电极组成。InGaAsP多量子阱有源层由量子阱混合区域和非量子阱混合区域两部分构成，可以是两区式结构也可以是多区式交替结构。上电极可以是分开的，从而形成两个泵浦区。通过调整两量子阱混合与非混合区域的长度之比，或者对两区域分别进行电泵浦，可以使得器件的发光谱相对较为平坦，同时本发明具有发光器件制备工艺简单的优点。 | ||||||
| 11 | 超辐射发光管隔热封装体及其封装方法 | CN200510085089.7 | 2005-07-20 | CN1901237A | 2007-01-24 | 谈根林; 周胜; 魏铁钧 |
| 本发明公开了一种超辐射发光管隔热封装体及其封装方法。所述封装体包括管盖和与管盖相盖合的管壳，在所述管盖下表面和所述管壳周围设有绝缘隔热材料，在所述封装体内还设有制冷器。而所述封装方法包括(1)清洗管盖和管壳，在管盖的下表面和管壳的周围设置绝缘隔热材料；(2)在所述封装体内设置制冷器；(3)将所述管盖封装在所述管壳上；(4)进行光纤耦合和焊接，并进行光电和热特性测试。本发明的封装体及其封装方法有效地解决了超辐射发光管和其它有源器件的封装散热问题，将器件的耐受环境温度范围提高。 | ||||||
| 12 | 一种深度分辨的X射线致辐射发光测量的装置及方法 | CN201910605406.5 | 2019-07-05 | CN110208301A | 2019-09-06 | 仇猛淋; 王广甫 |
| 本发明公开了一种深度分辨的X射线致辐射发光测量的装置及方法，其中装置包括：毛细管透镜、样品控制台、光学透镜和光谱仪，X射线经过毛细管透镜后聚焦在设置于样品控制台上的样品表面，样品经X射线致辐射激发产生的荧光经光学透镜射入至光谱仪。本发明结构简单，测量精度高，实现了X射线致辐射发光光谱测量中样品不同深度处光谱信息的采集。 | ||||||
| 13 | 基于量子点和量子阱材料混合结构的超辐射发光管 | CN201210107962.8 | 2012-04-13 | CN102623591B | 2014-12-17 | 苏辉 |
| 本发明涉及一种半导体器件，特别是一种基于量子点和量子阱材料混合结构的超辐射发光管，包括依次设置的下电极、衬底、下分离限制层、下波导层、有源层、上波导层、上分离限制层、盖层、介质膜层、上电极构成，其特征在于：所述有源层为量子点和量子阱材料混合结构。该超辐射发光管光谱宽，输出功率高。 | ||||||
| 14 | 一种含侧边吸收区的超辐射发光管 | CN201621155783.1 | 2016-10-31 | CN206225779U | 2017-06-06 | 周东豪; 林琦; 林中晞; 苏辉; 薛正群; 陈阳华; 王凌华; 訾慧; 徐玉兰; 陈景源; 林乐 |
| 本实用新型涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管，包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区，在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区，侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本实用新型利用侧边吸收区所具有的光吸收特性，减小了脊波导侧边近波长或亚波长量级的凹凸结构对光产生的散射或者衍射，有效抑制了可能形成的反馈回路，减小了激射对器件的光谱特性产生的不良影响，实现了超辐射发光管平滑的较宽的光谱输出。 | ||||||
| 15 | 一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法 | CN201610286233.1 | 2016-05-03 | CN105895754B | 2018-08-31 | 吴瑞华; 唐琦 |
| 本发明公开了一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极管芯片的制作方法，包括：在掺硫的InP磷化铟衬底上采用MOCVD外延生长技术依次生长缓冲层、下限制层、多量子阱有源区、上限制层和P型欧姆接触层，构成一次外延片；对一次外延片进行刻蚀形成脊，在MOCVD反应室中采用高温及有大流量PH3磷烷气体保护条件下对一次外延片进行长时间的烘烤，再降到低温条件下继续采用MOCVD外延生长技术对脊的侧面进行掩埋生长；继续采用MOCVD外延生长技术生成高掺的覆盖层和接触层；通过光刻、刻蚀、溅射工艺、合金、划片解理制作成超辐射发光二极管芯片。本发明所提供的制作方法的优点在于：材料生长出的界面缺陷少，质量可靠，制成的器件可靠性高，高功率，宽光谱及高温工作表现。 | ||||||
| 16 | 一种电致热辐射发光阵列器件及其制备方法和应用 | CN201910633612.7 | 2019-07-15 | CN110300475A | 2019-10-01 | 朱梦剑; 罗芳; 秦石乔 |
| 提供了一种电致热辐射发光阵列器件，它包括硅片、硅片上的石墨烯薄膜阵列、蒸镀在石墨烯薄膜阵列中每个石墨烯薄膜两端的金属电极，以及最上层的三氧化二铝绝缘层，所述三氧化二铝绝缘层沉积在整个硅片最外层，以覆盖石墨烯薄膜阵列、金属电极、以及石墨烯薄膜阵列和金属电极区域外的硅片表面，用于将硅片上的石墨烯薄膜与空气隔绝，避免石墨烯薄膜被氧化；还提供了其制备方法，以及由该方法制备的器件在光通信领域的应用。本发明的电致热辐射发光阵列器件具有体积小、分辨率高、开关速度快、辐射波长可调节、可大规模生产、易于和硅基工艺集成等优良特性，在片上集成高速光通信中有很好的应用前景。 | ||||||
| 17 | 一种用于控制红外辐射发光板燃气流量的控制结构 | CN201811360454.4 | 2018-11-15 | CN109682171A | 2019-04-26 | 潘嵩; 裴斐; 李磊; 于薇; 谷雅秀; 谢静超; 孔祥蕊; 牛宝莲 |
| 本申请涉及一种用于控制红外辐射发光板燃气流量的控制结构，包括：主管路，具有进气口和出气口；旁通管路，与主管路连通；电磁阀，设置在主管路上，由控制器电连接控制开/闭；第一稳压阀，设置在旁通管路上；第二稳压阀，设置在主管路；主管路与第二稳压阀、电磁阀构成从进气口到第二稳压阀和电磁阀到出口气的供燃气通过的主要通路；主管路上的第二稳压阀、旁通管路上的第一稳压阀构成从进气口到第二稳压阀和第一稳压阀到出口气的供燃气通过的次要通路。本发明使用时，可以调节通断的时间比例，实现间断性的供气，使被干燥物体维持想要的温度；暂停工作时，电磁阀关闭，主通路关闭，以很小的流量维持发光板温度，再次工作不需要预热。 | ||||||
| 18 | 一种医用内窥式辐射发光成像系统及其成像方法 | CN201510386451.8 | 2015-07-03 | CN105105697B | 2017-10-10 | 曹旭; 李彬; 康飞; 梁继民; 朱守平; 詹勇华 |
| 本发明公开一种医用内窥式辐射发光成像系统及其成像方法，其成像系统包括暗箱、增感屏、内窥镜、CCD相机和计算机；增感屏与内窥镜均设于暗箱内，且二者耦合连接，内窥镜与设于暗箱外部的CCD相机相连，CCD相机与计算机电连接；增感屏与内窥镜为可拆卸连接。其成像方法为：增感屏未安装时，内窥镜采集白光，CCD相机光学成像得到白光图；增感屏安装时，增感屏将核素发射的γ光子转化为荧光信号，内窥镜采集荧光信号，CCD相机进行荧光成像，得到荧光图；对白光图和荧光图进行图像处理融合得到配准图。本发明的成像系统，其信号强、信号穿透性强、成像速度快、操作简单、对病人的身体影响小、能最大程度减少病人的抗拒心理。 | ||||||
| 19 | 一种医用内窥式辐射发光成像系统及其成像方法 | CN201510386451.8 | 2015-07-03 | CN105105697A | 2015-12-02 | 曹旭; 李彬; 康飞; 梁继民; 朱守平; 詹勇华 |
| 本发明公开一种医用内窥式辐射发光成像系统及其成像方法，其成像系统包括暗箱、增感屏、内窥镜、CCD相机和计算机；增感屏与内窥镜均设于暗箱内，且二者耦合连接，内窥镜与设于暗箱外部的CCD相机相连，CCD相机与计算机电连接；增感屏与内窥镜为可拆卸连接。其成像方法为：增感屏未安装时，内窥镜采集白光，CCD相机光学成像得到白光图；增感屏安装时，增感屏将核素发射的γ光子转化为荧光信号，内窥镜采集荧光信号，CCD相机进行荧光成像，得到荧光图；对白光图和荧光图进行图像处理融合得到配准图。本发明的成像系统，其信号强、信号穿透性强、成像速度快、操作简单、对病人的身体影响小、能最大程度减少病人的抗拒心理。 | ||||||
| 20 | 曲率渐变的弯曲波导量子点超辐射发光管及其制备方法 | CN201410854195.6 | 2014-12-31 | CN104485403A | 2015-04-01 | 王飞飞; 吴艳华; 胡发杰; 金鹏; 王占国 |
| 本发明提出采用曲率渐变的弯曲波导量子点超辐射发光管及其制造方法。其包括衬底和位于衬底上的量子点增益介质，以及波导结构，包括直段部分和弯曲部分，弯曲部分的曲线分别是多项式的一部分、双曲线的一部分、椭圆的一部分。本发明的弯曲损耗随着曲率半径的减小而增加，为了够减小损耗。而且，本发明在不改变弯曲部分长度和最终偏离角度的情况下能够增大输出功率，仍然可以保持相似的光谱输出。 | ||||||
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