| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种克尔效应测量方法 | CN201810429162.5 | 2018-04-24 | CN108414792A | 2018-08-17 | 索奕双 |
| 本发明涉及光学技术测量的电磁检测领域，一种克尔效应测量方法，测量装置包括激光器I、偏振器、凸透镜I、透镜台、原子力显微镜、探针、样品、样品台、磁铁、信号发生器、示波器、凸透镜II、光弹调制器、半波片I、斩波器、激光器II、凸透镜III、滤波片、半波片II、检偏器、光电探测器、锁相放大器I、锁相放大器II、计算机、入射光路I、入射光路II，能够对单个纳米结构进行测量，对样品表面的磁化动态的测量能达到亚微米量级的空间分辨率。另外，在时间分辨的克尔信号的实验中，通过对泵浦光进行调制及特殊的相敏检测方法，降低光弹调制器发出的电磁辐射对其附近的二极管激光器等设备的电磁耦合干扰，降低背景信号，增加探测信号的灵敏度。 | ||||||
| 2 | 一种克尔效应测量方法 | CN201810429162.5 | 2018-04-24 | CN108414792B | 2020-09-15 | 索奕双 |
| 本发明涉及光学技术测量的电磁检测领域，一种克尔效应测量方法，测量装置包括激光器I、偏振器、凸透镜I、透镜台、原子力显微镜、探针、样品、样品台、磁铁、信号发生器、示波器、凸透镜II、光弹调制器、半波片I、斩波器、激光器II、凸透镜III、滤波片、半波片II、检偏器、光电探测器、锁相放大器I、锁相放大器II、计算机、入射光路I、入射光路II，能够对单个纳米结构进行测量，对样品表面的磁化动态的测量能达到亚微米量级的空间分辨率。另外，在时间分辨的克尔信号的实验中，通过对泵浦光进行调制及特殊的相敏检测方法，降低光弹调制器发出的电磁辐射对其附近的二极管激光器等设备的电磁耦合干扰，降低背景信号，增加探测信号的灵敏度。 | ||||||
| 3 | 一种克尔效应测量装置 | CN201810429163.X | 2018-04-24 | CN108414793A | 2018-08-17 | 索奕双 |
| 本发明涉及光学技术测量的电磁检测领域，一种克尔效应测量装置，包括激光器I、偏振器、凸透镜I、透镜台、原子力显微镜、探针、样品、样品台、磁铁、信号发生器、示波器、凸透镜II、光弹调制器、半波片I、斩波器、激光器II、凸透镜III、滤波片、半波片II、检偏器、光电探测器、锁相放大器I、锁相放大器II、计算机、入射光路I、入射光路II，探针中在zx平面内具有通孔I、通孔II和通孔III，通孔II的轴线沿所述圆台轴线方向，通孔I和通孔III的轴线分别位于所述通孔II轴线的两侧、且均与所述通孔II轴线成45度角，本发明能够对单个纳米结构进行测量，对样品表面的磁化动态的测量能达到亚微米量级的空间分辨率，降低背景信号，增加探测信号灵敏度。 | ||||||
| 4 | 一种增强作用型克尔效应衬底 | CN202010895768.5 | 2020-08-31 | CN111983824A | 2020-11-24 | 不公告发明人 |
| 本发明提供了一种增强作用型克尔效应衬底，包括：基底、磁性材料层、孔洞，贵金属薄膜，磁性材料层置于基底上，孔洞设置在磁性材料层的表面，孔洞周期性排列，贵金属薄膜设置在孔洞的侧壁上。应用时，入射光倾斜照射磁性材料部，入射光耦合进入磁性材料部中的孔洞并被聚集在孔洞内，在孔洞内形成强电场，该强电场与磁性材料层产生作用，增强了克尔效应。由于本发明中，在磁性材料层内设置孔洞，增加了磁性材料层与光的作用距离，增强了衬底的克尔效应，在克尔效应应用领域具有良好的应用前景。 | ||||||
| 5 | 一种基于克尔效应的声波传感器 | CN202010895725.7 | 2020-08-31 | CN111982269A | 2020-11-24 | 不公告发明人 |
| 本发明涉及声波探测领域，具体提供了一种基于克尔效应的声波传感器，压磁材料层置于基底上，压磁材料层的表面为平面，空腔周期性地设置在压磁材料层内。应用时，将本发明的基于克尔效应的声波传感器置于待测环境中或与待测物体接触，待测环境或待测物体中的声波与本发明的基于克尔效应的声波传感器作用，改变压磁材料层内部的应力，线偏振光倾斜照射压磁材料层，在垂直于入射面方向施加外磁场，通过探测反射光的强度实现声波探测。因为压磁材料层的磁导率严重地依赖于其所受到的内部应力，所以本发明能够实现声波的高灵敏探测，在声波探测领域具有良好的应用前景。 | ||||||
| 6 | 克尔效应开关光扫描薄型显示器 | CN200510120519.4 | 2005-12-21 | CN1794043A | 2006-06-28 | 黄革雄 |
| 一种采用克尔效应制造光扫描薄形显示器的方法，利用克尔效应的原理，用场导光杆和行导光杆作为光线引导传输器件，用行开关和像素开关作控制光线通断和扫描的器件。用此方法制造的光扫描薄形显示器，在显示器一侧有场导光杆，其一侧有场光出口，下端有场光入口；屏幕显示区有行导光杆，每根杆有行光入口、行光出口；在场光出口和对应的行光入口间有行开关，每个行光出口有像素开关；像素开关和行开关的开断由两组递进电子开关分别控制。这种方法容易实施，电路大为简化，画面质量优异，制造成本低廉，节能，发热量极低。 | ||||||
| 7 | 基于光克尔效应的弧形波导全光开关 | CN01105472.7 | 2001-02-28 | CN1305114A | 2001-07-25 | 金国良; 曹俊峰; 刘军; 高四海; 刘刚军; 白玉强 |
| 一种基于光克尔效应的弧形波导全光开关,其特征在于在开关的两波导耦合区域内,以弧形波导结构代替X型系列波导结构,波导的形状为两个靠近或交叠的弧形,波层衬底可以是任意具有光学克尔效应的材料,并可通过改变波导的宽度W、弧形半径R以及两波导间的距离O1O2来调节开关特性。本发明结构简单,与传统的X型波导全光开关相比,平均开关功率降低,截止开关功率大,开关次数多,开关特性可调且数值化矩形特性很好。 | ||||||
| 8 | 一种具有空腔结构的克尔效应衬底 | CN202010897014.3 | 2020-08-31 | CN111983826A | 2020-11-24 | 不公告发明人 |
| 本发明涉及克尔效应应用领域，具体提供了一种具有空腔结构的克尔效应衬底，包括基底、磁性材料层、孔洞，覆盖部，磁性材料层置于基底上，孔洞设置在磁性材料层的表面，孔洞为一维线栅形，孔洞按照一维周期排列，覆盖部设置在孔洞内，覆盖部的两端埋入磁性材料层，相邻覆盖部不连接。这样一来，由覆盖部、孔洞侧壁形成空腔结构，入射光被限制在空腔内，在空腔内形成强电场，增强了入射光与磁性材料层的作用，增强了克尔效应的强度，在克尔效应应用领域具有良好的应用前景。 | ||||||
| 9 | 一种基于克尔效应的压力传感器 | CN202010897048.2 | 2020-08-31 | CN111982366A | 2020-11-24 | 不公告发明人 |
| 本发明涉及压力传感领域，具体提供了一种基于克尔效应的压力传感器，弹性层置于基底上，第一受力部、第二受力部、磁性材料层、压磁材料置于弹性层上，第一受力部和第二受力部置于磁性材料层的两侧，磁性材料层中设有周期性排列的平行缝隙，压磁材料填充缝隙。应用时，在第一受力部和第二受力部间施加压力，应用线偏振光倾斜照射磁性材料层，在平行于入射面方向施加外磁场，通过探测反射的椭圆偏振光的长轴与入射线偏振光的夹角和椭圆偏振光的长轴与短轴的比值确定待测压力。本发明能够实现强压力的高灵敏探测，在压力探测领域具有良好的应用前景。 | ||||||
| 10 | 一种空间分辨磁光克尔效应测量装置 | CN201610205612.3 | 2016-03-31 | CN105891744A | 2016-08-24 | 徐永兵; 刘墨玉; 阮学忠; 吴竞; 黎遥; 刘波 |
| 一种空间分辨磁光克尔效应测量装置，包括光路系统、三维压电样品台和电流源控制单元，该系统不仅可以在变化磁场下对单点快速进行极向或纵向克尔信号扫描测量，还可以在固定磁场下以矩阵扫描的方式对区域内各点进行克尔信号测量，可实现对区域静态磁畴、动态磁畴的精确测量的一种空间分辨磁光克尔效应测量装置，同时在固定磁场下，可实现对整个待测区域的磁畴结构的观测。 | ||||||
| 11 | 克尔效应开关光扫描薄型显示器 | CN200510120519.4 | 2005-12-21 | CN100372383C | 2008-02-27 | 黄革雄 |
| 一种采用克尔效应制造光扫描薄形显示器的方法，利用克尔效应的原理，用场导光杆和行导光杆作为光线引导传输器件，用行开关和像素开关作控制光线通断和扫描的器件。用此方法制造的光扫描薄形显示器，在显示器一侧有场导光杆，其一侧有场光出口，下端有场光入口；屏幕显示区有行导光杆，每根杆有行光入口、行光出口；在场光出口和对应的行光入口间有行开关，每个行光出口有像素开关；像素开关和行开关的开断由两组递进电子开关分别控制。这种方法容易实施，电路大为简化，画面质量优异，制造成本低廉，节能，发热量极低。 | ||||||
| 12 | 表面磁光克尔效应装置 | CN200520041648.X | 2005-05-19 | CN2886552Y | 2007-04-04 | 胡顺全; 董国胜; 陈希江; 陆申龙 |
| 本实用新型属于光学技术领域，具体涉及一种表面磁光克尔效应装置。由激光器、偏振棱镜、分光镜、探测器、运算放大器、单片机、计算机组成，在现有表面磁光克尔效应装置的光路系统中，在偏振棱镜和样品之间设置一个分光镜，且在该分光镜与控制计算机之间设置一个探测器，该分光镜将偏振棱镜出射的光分为两束，一束对准探测器，另一束对准样品。计算机经D/A卡控制磁场电源和继电器进行磁场扫描。数据由A/D卡采入，经运算后作图显示，从屏幕上直接看到磁滞回线的扫描过程。本实用新型可测量5nm厚坡莫合金薄膜；测量小至2.8μm高汇聚激光斑的纳米结构磁性薄膜；结构简单，操作简便。 | ||||||
| 13 | 一种克尔效应测量装置 | CN201820674657.X | 2018-04-24 | CN208588756U | 2019-03-08 | 张向平; 陈兴威; 黄月妹 |
| 本实用新型涉及光学技术测量的电磁检测领域，一种克尔效应测量装置，包括激光器I、偏振器、凸透镜I、透镜台、原子力显微镜、探针、样品、样品台、磁铁、信号发生器、示波器、凸透镜II、光弹调制器、半波片I、斩波器、激光器II、凸透镜III、滤波片、半波片II、检偏器、光电探测器、锁相放大器I、锁相放大器II、计算机、入射光路I、入射光路II，探针中在zx平面内具有通孔I、通孔II和通孔III，通孔II的轴线沿所述圆台轴线方向，通孔I和通孔III的轴线分别位于所述通孔II轴线的两侧、且均与所述通孔II轴线成45度角，本实用新型能够对单个纳米结构进行测量，对样品表面的磁化动态的测量能达到亚微米量级的空间分辨率，降低背景信号，增加灵敏度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 14 | 一种多结构扫描式磁光克尔效应测量系统 | CN202310966274.5 | 2023-08-02 | CN117169131A | 2023-12-05 | 陈雨璐; 王文翌; 王福梅 |
| 本发明公开了一种多结构扫描式磁光克尔效应测量系统，包括矢量磁铁模块、克尔信号探测器模块、二维位移台；通过改变两组电流的大小和方向可调节正交磁场的两个分量，从而合成平面内任意方向的矢量合成磁场；激光器发出的激光经通过起偏器、检偏器，打在光电探测器上，光电探测器得到的光电流信号传输到计算机中，得到该探测点的克尔信号；所述二维位移台在X和Z方向的二维步进位移，计算机通过ADDA卡向位移台的步进马达发送脉冲信号，控制位移台的移动；样品位移时光路不变，实现样品在XZ平面的二维扫描连续测量。 | ||||||
| 15 | 一种基于克尔非线性效应的光学波导器件 | CN202110526194.9 | 2021-05-14 | CN113204150A | 2021-08-03 | 郭凯; 郭忠义; 薛青松 |
| 本发明公开了一种基于克尔非线性效应的光学波导器件，包括有谷光子晶体，所述的谷光子晶体是由克尔介质KDP晶体组成的蜂窝晶格，所述的谷光子晶体的单胞是由两种不同折射率、尺寸大小相等的介质柱构成的，两种不同介质柱的界面处产生鲁棒性边界态。通过对所述的介质柱注入强激光脉冲改变其折射率大小进而打破反演对称性，在不同的激光强度下介质柱的折射率大小不同，工作带宽不断改变。本发明利用了克尔非线性效应实现了量子谷霍尔效应并构造了谷相关的拓扑边界态，并在不同激光强度下影响工作带宽的大小，具有了动态可调的特性，设计的该器件结构简单并且性能优越。 | ||||||
| 16 | 一种具有法诺共振效果的克尔效应衬底 | CN202010895745.4 | 2020-08-31 | CN111983823A | 2020-11-24 | 不公告发明人 |
| 本发明涉及克尔效应应用领域，具体提供了一种具有法诺共振效果的克尔效应衬底，应用时，入射光倾斜照射微结构，引起横部中水平方向的电荷振动，水平方向的电荷振动引起电荷在第一竖直部和第二竖直部中沿竖直方向振动，产生法诺共振，从而在磁性材料层内产生强电场，这些强电场与磁性材料层作用，增强了衬底的克尔效应。本发明中，将水平方向的电荷振动诱导为竖直方向的电荷振动，增加了磁性材料层与入射光的作用，具有克尔效应强的优点。 | ||||||
| 17 | 一种基于光克尔效应的超短脉冲光限幅器 | CN201410145470.7 | 2014-04-11 | CN103944054B | 2016-08-17 | 司金海; 宋洪磊; 闫理贺; 熊耀兵; 侯洵 |
| 本发明公开了一种基于光克尔效应的超短脉冲光限幅器,包括沿入射光方向依次设置的起偏器、第一四分之一波片、第一透镜、光克尔介质、第二透镜、第二四分之一波片、检偏器和光阑，且第一四分之一波片之长轴方向与第二四分之一波片正交，检偏器的检偏方向与起偏器的起偏方向平行。本发明利用起偏器与第一四分之一波片组合产生椭圆偏振光，进一步利用在光克尔介质内产生的光克尔效应，诱导产生偏振椭圆旋转和自聚焦效应，使部分入射光经检偏器和光阑时被拦截，以实现光限幅输出。本发明具有线性透射率高、响应速度快、带宽超宽、结构简单，成本低廉的优点，非常适用于超短脉冲宽带激光防护器件的设计与制作。 | ||||||
| 18 | 一种基于光克尔效应的超短脉冲光限幅器 | CN201410145470.7 | 2014-04-11 | CN103944054A | 2014-07-23 | 司金海; 宋洪磊; 闫理贺; 熊耀兵; 侯洵 |
| 本发明公开了一种基于光克尔效应的超短脉冲光限幅器，包括沿入射光方向依次设置的起偏器、第一四分之一波片、第一透镜、光克尔介质、第二透镜、第二四分之一波片、检偏器和光阑，且第一四分之一波片之长轴方向与第二四分之一波片正交，检偏器的检偏方向与起偏器的起偏方向平行。本发明利用起偏器与第一四分之一波片组合产生椭圆偏振光，进一步利用在光克尔介质内产生的光克尔效应，诱导产生偏振椭圆旋转和自聚焦效应，使部分入射光经检偏器和光阑时被拦截，以实现光限幅输出。本发明具有线性透射率高、响应速度快、带宽超宽、结构简单，成本低廉的优点，非常适用于超短脉冲宽带激光防护器件的设计与制作。 | ||||||
| 19 | 一种大场纵向表面磁光克尔效应测量装置 | CN200810036920.3 | 2008-04-30 | CN101271059A | 2008-09-24 | 马斌; 顾培培; 张宗芝; 金庆原 |
| 本发明属于光学技术领域，具体为一种大场纵向表面磁光克尔效应测量装置。该装置由电磁铁、程控磁铁电源、光路系统、操作控制系统(PC机)组成，其中，光路系统依次为半导体激光器、起偏棱镜、半透半反棱镜、一检偏棱镜、一光电探测器、凸透镜、样品架、光阑、另一检偏棱镜、长焦距凸透镜和另一光电探测器组成；测量用磁场由电磁铁提供，在磁极间距为4cm时能提供最大至1.5特斯拉的磁场。本发明利用一会聚凸透镜有效地增大了光在样品表面的入射角和反射角，克服了磁极间距对激光入射角的限制，增强了纵向表面磁光克尔信号强度。本发明使得通过磁光克尔效应测量大矫顽力磁性薄膜成为可能。 | ||||||
| 20 | 一种基于磁光克尔效应的测量系统及方法 | CN202210519002.6 | 2022-05-13 | CN117092563A | 2023-11-21 | 汪子然; 罗岚春; 汪晋锋; 杜关祥 |
| 本发明公开了一种基于磁光克尔效应的测量系统及方法，属于磁性材料测量及成像技术领域，包括三维位移台、光路单元、电磁单元和软件控制单元，三维位移台处于电磁单元提供的磁场中；光路单元包括框体及设置在框体内部的激光发生装置、聚焦控制装置、差分信号测量装置和成像装置；激光发生装置提供的线性偏振光通过聚焦控制装置聚焦到三维位移台上固定的样品表面，样品表面反射出反射光返回聚焦控制装置，分束得到第一反射光和第二反射光，所述聚焦控制装置能够上下移动；差分信号测量装置接收第二反射光得到电信号，并传送给软件控制单元；成像装置接收第一反射光实现样品的成像；软件控制单元根据所述磁场的磁场强度和电信号绘制出磁滞回线。 | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈