| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 用于压缩扫描电子显微术的系统和方法 | CN201480058745.1 | 2014-10-08 | CN105745736A | 2016-07-06 | 布赖恩·W·里德 |
| 公开了一种扫描透射电子显微术(STEM)系统。该系统利用电子束扫描系统，该电子束扫描系统被配置为在基本上整个样本之上产生多次电子束扫描，其中每次扫描都在扫描行程中改变电子照明强度。信号采集系统可以被用来从扫描中获得图像、衍射图案或光谱中至少之一，图像、衍射图案或光谱仅表示来自包括图像的所有像素位置的选定子集或线性组合中至少之一的信息。可以根据信息生成数据集。子系统可以被用来对数据集进行数学分析以预测实际信息，该实际信息是图像的每个像素位置会产生的信息。 | ||||||
| 2 | 用于压缩扫描电子显微术的系统和方法 | CN201480058745.1 | 2014-10-08 | CN105745736B | 2018-02-09 | 布赖恩·W·里德 |
| 公开了一种扫描透射电子显微术(STEM)系统。该系统利用电子束扫描系统，该电子束扫描系统被配置为在基本上整个样本之上产生多次电子束扫描，其中每次扫描都在扫描行程中改变电子照明强度。信号采集系统可以被用来从扫描中获得图像、衍射图案或光谱中至少之一，图像、衍射图案或光谱仅表示来自包括图像的所有像素位置的选定子集或线性组合中至少之一的信息。可以根据信息生成数据集。子系统可以被用来对数据集进行数学分析以预测实际信息，该实际信息是图像的每个像素位置会产生的信息。 | ||||||
| 3 | 一种基于扫描电子显微镜技术的河砂和海砂的区分方法 | CN202111683468.1 | 2021-12-31 | CN114354668B | 2023-04-18 | 任颖芝; 倪玉根; 习龙 |
| 本发明公开了一种基于扫描电子显微镜技术的河砂和海砂的区分方法，先采用扫描电子显微镜微观形貌分析方法观察待鉴别的砂体样品的微观形貌特征并拍照；再采用扫描电子显微镜微区成分分析方法，选取具有代表性的颗粒特征表面测定附着物质主要成分；然后将待鉴定砂体样品的扫描电子显微镜图像及成分数据进行分类整理，并逐一与河砂和海砂分辨标志进行比对，根据分辨标志对砂体样品的各项特征进行归属，综合鉴别砂体属于河砂还是海砂。本发明通过利用扫描电子显微镜技术对砂体样品进行微观形貌观察和微区成分分析，并将数据结果与本发明建立的基于扫描电子显微镜技术的河砂和海砂分辨标志进行比对，从而对不同砂体进行快速、有效、准确的区分。 | ||||||
| 4 | 一种基于扫描电子显微镜技术的河砂和海砂的区分方法 | CN202111683468.1 | 2021-12-31 | CN114354668A | 2022-04-15 | 任颖芝; 倪玉根; 习龙 |
| 本发明公开了一种基于扫描电子显微镜技术的河砂和海砂的区分方法，先采用扫描电子显微镜微观形貌分析方法观察待鉴别的砂体样品的微观形貌特征并拍照；再采用扫描电子显微镜微区成分分析方法，选取具有代表性的颗粒特征表面测定附着物质主要成分；然后将待鉴定砂体样品的扫描电子显微镜图像及成分数据进行分类整理，并逐一与河砂和海砂分辨标志进行比对，根据分辨标志对砂体样品的各项特征进行归属，综合鉴别砂体属于河砂还是海砂。本发明通过利用扫描电子显微镜技术对砂体样品进行微观形貌观察和微区成分分析，并将数据结果与本发明建立的基于扫描电子显微镜技术的河砂和海砂分辨标志进行比对，从而对不同砂体进行快速、有效、准确的区分。 | ||||||
| 5 | 集成式扫描电子显微镜及用于先进工艺控制的光学分析技术 | CN201980041917.7 | 2019-06-07 | CN112313786B | 2022-06-03 | H·P·西瑞曼; S·米纳科什孙达拉姆; A·罗布 |
| 一种样品分析系统包含扫描电子显微镜、光学及/或电子束检验系统及光学计量系统。所述系统进一步包含至少一个控制器。所述控制器经配置以：接收所述样品的第一多个选定关注区域；基于由所述扫描电子显微镜对所述第一选定关注区域所执行的第一检验来产生第一临界尺寸均匀性图；基于所述第一临界尺寸均匀性图来确定第二多个选定关注区域；基于由所述光学及/或电子束检验系统对所述第二选定关注区域所执行的第二检验来产生第二临界尺寸均匀性图；及基于检验结果及由所述光学计量系统对所述样品执行的覆盖测量来确定一或多个工艺工具控制参数。 | ||||||
| 6 | 集成式扫描电子显微镜及用于先进工艺控制的光学分析技术 | CN201980041917.7 | 2019-06-07 | CN112313786A | 2021-02-02 | H·P·西瑞曼; S·米纳科什孙达拉姆; A·罗布 |
| 一种样品分析系统包含扫描电子显微镜、光学及/或电子束检验系统及光学计量系统。所述系统进一步包含至少一个控制器。所述控制器经配置以：接收所述样品的第一多个选定关注区域；基于由所述扫描电子显微镜对所述第一选定关注区域所执行的第一检验来产生第一临界尺寸均匀性图；基于所述第一临界尺寸均匀性图来确定第二多个选定关注区域；基于由所述光学及/或电子束检验系统对所述第二选定关注区域所执行的第二检验来产生第二临界尺寸均匀性图；及基于检验结果及由所述光学计量系统对所述样品执行的覆盖测量来确定一或多个工艺工具控制参数。 | ||||||
| 7 | 基于扫描隧道显微技术的可逆分子电子器件及其制作方法 | CN02110772.6 | 2002-02-05 | CN1445160A | 2003-10-01 | 徐伟; 华中一 |
| 本发明属于分子电子器件技术领域，具体涉及一种基于扫描隧道显微技术的、电可逆的分子电子器件及其制作方法。这种分子电子器件由基底、有机分子层和探针构成。其中，基底采用原子级平整的导电表面，探针采用扫描隧道显微镜中的针尖，有机分子层为垂直取向的单分子层。有机分子采用长条形的、含有极性基团的π－共轭分子。这种分子电子器件能够用外加的正反向脉冲电压进行可逆转换，即可擦写，用很低的工作电压读出。本发明的分子电子器件可用作电可擦写的超高密度存贮器、分子开关以及逻辑元件等，在分子计算机中有广泛的应用价值。 | ||||||
| 8 | 基于扫描隧道显微技术的可逆分子电子器件及其制作、使用方法和应用 | CN02110772.6 | 2002-02-05 | CN1206157C | 2005-06-15 | 徐伟; 华中一 |
| 本发明属于分子电子器件技术领域，具体涉及一种基于扫描隧道显微技术的、电可逆的分子电子器件及其制作方法。这种分子电子器件由基底、有机分子层和探针构成。其中，基底采用原子级平整的导电表面，探针采用扫描隧道显微镜中的针尖，有机分子层为垂直取向的单分子层。有机分子采用长条形的、含有极性基团的π-共轭分子。这种分子电子器件能够用外加的正反向脉冲电压进行可逆转换，即可擦写，用很低的工作电压读出。本发明的分子电子器件可用作电可擦写的超高密度存贮器、分子开关以及逻辑元件等，在分子计算机中有广泛的应用价值。 | ||||||
| 9 | Measuring technique of sample dimension and scanning electron microscope | JP2005228998 | 2005-08-08 | JP2005331524A | 2005-12-02 | NASU OSAMU; KAWADA HIROKI; OTAKA TADASHI; FUKAYA RITSUO; ESUMI MAKOTO |
| PROBLEM TO BE SOLVED: To implement correct length measurement by suppressing volume reduction or regardless of volume reduction of patterns and others formed on surfaces of semiconductor samples and the like. SOLUTION: In a charged particle ray device implementing length measurement of line width of patterns and the like formed on samples by scanning samples with charged particle rays and based on secondary electrons emitted from the samples, a spacing of scanning lines of the aforementioned charged particle rays is set so as not to exceed irradiation density determined from a physical property of samples. Or length measurement value is calculated from the approximate function memorized previously. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI | ||||||
| 10 | 利用掃描電子顯微術數値分析在半導體晶圓上之顆粒成長度之方法及裝置 | TW090119055 | 2001-08-03 | TW521363B | 2003-02-21 | 全忠森; 全相文; 崔相奉; 金桂源; 李相勳; 梁裕信; 金相旻; 李相吉 |
| 所揭示的是一種對成長於半導體晶圓表面上之顆粒成長度做數值分析的方法與裝置，其經由電腦，利用掃描式電子顯微鏡(SEM)掃描半導體晶圓表面所得之影像檔案，自動地計算並讀出顆粒的成長度。當被檢測的晶圓裝載於掃描式電子顯微鏡時，一種指定晶圓檢測部分的處理程式便開啟，接著自動搜尋檢測的部分。然後，使用掃描式電子顯微鏡掃描晶圓表面上的預定部分，同時將掃描的掃描式電子顯微鏡影像存進資料庫。對全部檢測部分反複地執行這些程序之後，便執行自動數值程式。此一自動數值程式於分析的螢幕框架上運用網線，並在測量的影像上選擇分析區域。之後，使用鄰接像素影像資料的平均值，對網線所指定的各個像素執行平滑化程序，以減少雜訊的影響。而為了移除測量影像之間的亮度差異，也執行基於各個影像的標準化程序。比較標準化之各個像素的影像資料值與預定的臨界值，便計算出其標準化的影像資料值大於臨界值的像素數目。而晶圓表面上的顆粒成長度，係藉由算出計數的數目對包含於分析之目標影像中的像素總數的比例來計算的。 | ||||||
| 11 | 嵌入式標記粒子電子斷層三維掃描顯微術試片之製作方法及建構三維影像之方法 METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRON TOMOGRAPHY SPECIMEN WITH FIDUCIAL MARKERS AND METHOD FOR CONSTRUCTING 3D IMAGE | TW097138142 | 2008-10-03 | TWI372859B | 2012-09-21 | 羅建興; 黃佳琪 |
| 一種嵌入式(embedded)標記粒子(fiducial markers)電子斷層三維掃描顯微術(electron tomography)試片之製作方法，包括以下步驟：步驟一：提供一試片，該試片包括至少一個預定檢測區域(range of interesting，ROI)；步驟二：製作至少一個溝槽(trench)於該預定檢測區域之旁側；步驟三：填入一含有校準用標記粒子(fiducial markers)之溶液於該溝槽；步驟四：塗佈一第一保護層於該試片上；以及步驟五：塗佈一第二保護層於該第一保護層上，藉此可將標記粒子內嵌於試片中及表面，減少聚焦及影像之偏移，增進建構三維影像之校準(alignment)功能，進而提高三維建構影像之品質。 | ||||||
| 12 | 嵌入式標記粒子電子斷層三維掃描顯微術試片之製作方法及建構三維影像之方法 METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRON TOMOGRAPHY SPECIMEN WITH FIDUCIAL MARKERS AND METHOD FOR CONSTRUCTING 3D IMAGE | TW097138142 | 2008-10-03 | TW201015057A | 2010-04-16 | 羅建興; 黃佳琪 |
| 一種嵌入式(embedded)標記粒子(fiducial markers)電子斷層三維掃描顯微術(electron tomography)試片之製作方法，包括以下步驟：步驟一：提供一試片，該試片包括至少一個預定檢測區域（range of interesting，ROI）；步驟二：製作至少一個溝槽（trench）於該預定檢測區域之旁側；步驟三：填入一含有校準用標記粒子（fiducial markers）之溶液於該溝槽；步驟四：塗佈一第一保護層於該試片上；以及步驟五：塗佈一第二保護層於該第一保護層上，藉此可將標記粒子內嵌於試片中及表面，減少聚焦及影像之偏移，增進建構三維影像之校準(alignment)功能，進而提高三維建構影像之品質。 | ||||||
| 13 | 電子親和力の低下処理装置に用いられる活性化容器及びキット、該キットを含む電子親和力の低下処理装置、フォトカソード電子ビーム源、並びに、フォトカソード電子ビーム源を含む電子銃、自由電子レーザー加速器、透過型電子顕微鏡、走査型電子顕微鏡、電子線ホログラフィー顕微鏡、電子線描画装置、電子線回折装置及び電子線検査装置 | JP2013147682 | 2013-07-16 | JP5808021B2 | 2015-11-10 | 西谷 智博 |
| 14 | 一种扫描电子显微镜能谱仪用测试夹具及测试方法 | CN202010257508.5 | 2020-04-03 | CN113495080A | 2021-10-12 | 李嘉琳; 李玲; 阎海亮; 吴军民; 金锐; 潘艳; 邱宇峰; 汤广福; 滕乐天 |
| 本发明涉及一种扫描电子显微镜能谱仪用测试夹具，所述测试夹具包括多个夹口，所述各夹口的两边包括不同金属，所述扫描电子显微镜能谱仪包括扫描电子显微镜和能谱分析仪，所述扫描电子显微镜包括扫描电子显微镜舱室，所述夹具设置于所述扫描电子显微镜舱室内，所述能谱分析仪用于：对待测样品截面元素分布进行测试，本发明夹具上的各夹口两边采用不同的金属制造，用来避免夹具与测试样品中含有同一种金属所造成的测试结果干扰，以及测量元素分布不准确的技术问题。 | ||||||
| 15 | 一种扫描电子显微镜像散的校正方法 | CN03141806.6 | 2003-07-24 | CN1474433A | 2004-02-11 | 盛克平; 丁听生; 陆国辉 |
| 本发明涉及显微镜像差校正的技术领域，尤其是涉及一种扫描电子显微镜像散的校正方法。它包括如下步骤：a.选取校正样品；b.将校正样品放置在扫描电子显微镜的样品台上；c.开启扫描电子显微镜；d.将扫描电子显微镜的放大倍率调整到≥3000倍，工作距离调整到8～15mm；e.将校正样品的扫描电子显微镜图像调整到正聚焦状态；f.使用扫描电子显微镜的图像消除像散功能，将图像的边缘轮廓调整到清晰状态。本发明解决了以往在未知的被测样品上寻找一块理想的结构来校正系统像散的困难，可使本技术领域的普通技术人员在扫描电子显微镜中校正像散的工作变得很方便。 | ||||||
| 16 | 一种测量叶片内部离子浓度时探头穿刺位置的确定方法 | PCT/CN2015/099356 | 2015-12-29 | WO2017092120A1 | 2017-06-08 | 李青林; 毛罕平; 左志宇; 倪纪恒; 张晓东; 孙俊 |
一种测量叶片内部离子浓度时探头穿刺位置确定的方法，首先借助扫描电子显微系统采集番茄叶片表面和断面的显微结构图像，通过对表面微结构进行观察和统计分析得到叶片正反面绒毛、维管束、气孔的几何尺寸和分布密度；根据测量可靠和准确的原则确定探针在叶面的穿刺位置；在扫描电子显微系统下观察叶片断面结构特征，并借助能谱测量技术分析各元素叶片厚度方向的分布；最后根据元素分布特征，选择分布浓度高的组织，作为探头的测量位置。该方法采用扫描电子显微技术和能谱技术相结合的方法，确定了叶片内部离子浓度测量时探头的最佳穿刺位置和穿刺深度，以提高测量的准确度，可应用于测量叶片内部离子浓度。 |
||||||
| 17 | 基于扫描电子显微镜的微操作系统 | PCT/CN2015/091628 | 2015-10-10 | WO2017049671A1 | 2017-03-30 | 钟博文; 杨湛; 钱哲; 李宗伟; 王振华; 孙立宁 |
一种基于扫描电子显微镜的微操作系统(100)，应用于扫描电子显微镜设备。该基于扫描电子显微镜的微操作系统(100)包括基座(10)、设置在基座(10)上的若干三轴直线运动平台(20)和五轴宏动平台(30)、设置在五轴宏动平台(30)上的样品操作台(40)和对应每个三轴直线运动平台(20)设置的碳纳米操作手(50)，碳纳米操作手(50)设置在三轴直线运动平台(20)上，若干三轴直线运动平台(20)沿样品操作台(40)的周向设置在样品操作台(40)的四周。该基于扫描电子显微镜的微操作系统(100)通过上述结构设置实现了对样件进行多轴联动，解决了现有技术中只能单一的对样件进行观察的问题。 |
||||||
| 18 | 一种扫描电子显微镜有效镀金的植纹鉴定方法 | CN202010701112.5 | 2020-07-18 | CN111879805A | 2020-11-03 | 陆静梅; 都新林; 麻莹; 楚金盟 |
| 本发明公开了一种扫描电子显微镜有效镀金的植纹鉴定方法，针对法医物证扫描电子显微镜植物微小植纹的特点，建立扫描电子显微镜植物残片植纹的结构，消除植纹细胞结构中存在原生质体干燥后聚结的堵塞物，使植纹细胞结构成为清晰五杂物；增加了检材的植纹鉴定准确性，提升了法医对扫描电子显微镜植物微小残片的鉴定效果，本发明制作扫描电子显微镜植物残片植纹鉴定标准样，为精准破案提供了理论依据，为刑事侦查破案提供了描电子显微镜植物残片植纹的结构鉴定的技术支持。 | ||||||
| 19 | 一种阴极荧光共聚焦显微光谱成像系统和方法 | CN202210493828.X | 2022-04-28 | CN114910457A | 2022-08-16 | 马庆; 余洋; 罗向东 |
| 本发明公开了一种阴极荧光共聚焦显微光谱成像系统和方法，属于阴极荧光成像技术领域。该系统包括扫描电子显微镜、抛物面镜、光学聚焦模块和信号接收装置；所述的光学聚焦模块包括扫描透镜组、二维扫描振镜和透镜；从扫描电子显微镜侧面的透明窗口出射的阴极荧光信号经扫描透镜组准直后入射到二维扫描振镜上，通过二维扫描振镜调整光学聚焦模块与扫描电子显微镜处于共聚焦状态，本发明解决了电子束在扫描过程中收集到的阴极荧光信号的偏转问题，提高了阴极荧光光谱的测量准确度，适合于各类地质矿物、半导体材料、纳米材料以及生物药物的检测分析。 | ||||||
| 20 | 一种扫描电子显微镜成像缺陷判定方法 | CN202010169099.3 | 2020-03-12 | CN111289775A | 2020-06-16 | 李万国; 杜畅 |
| 本发明提供一种扫描电子显微镜成像缺陷判定方法，用于对受机械振动影响的扫描电子显微图像成像质量进行评价，属于电子显微领域。本发明通过以下技术方案实现：(1)扫描电子显微镜成像缺陷的定义；(2)选取扫描电子显微镜在机械振动方面的关键部位；(3)利用所选取关键部位的机械振动测量数据进行电子束参数的传递计算，预测电子束在被观察样品表面的实际照射位置相对理想照射位置的偏离量；(4)绘制照射位置对照图将电子束照射位置偏离量的预测结果可视化；(5)根据照射位置对照图判定成像缺陷的性质和程度。 | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈