| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种倏逝波耦合的波导型探测器 | CN202011002337.8 | 2020-09-22 | CN112103351A | 2020-12-18 | 王方莉; 张博健; 王亮; 郭松坡 |
| 本发明提供了一种倏逝波耦合的波导型光电探测器，其吸收层的材料选自InAs材料、GaSb材料等五种材料，过渡层的材料选自与吸收层的材料晶格相匹配的多种三元材料和/或四元材料。本申请采用多种过渡层材料代替传统波导中单一材料的方式实现对稀释波导层、光学匹配层以及整个器件折射率更为精细的调控，获得具更高耦合效率的器件结构，最终实现了应用在光纤通信1310nm或1550nm窗口下具有更高量子效率的高速波导型探测器。 | ||||||
| 2 | 基于倏逝波耦合方式的波导集成光电探测器 | CN202010901062.5 | 2020-08-31 | CN112201706A | 2021-01-08 | 朱宇鹏; 徐珍珠; 高旭东; 崇毓华; 梅理; 曹继明 |
| 本发明提供了一种基于倏逝波耦合方式的波导集成光电探测器，涉及集成光电子技术领域。工作时在阴极和阳极加载反偏电压，通过吸光层对脊型波导的脊部呈半包围分布的结构，吸光层可对硅脊波导的顶部和两侧接触面传递的光信号进行高效吸收，在吸光层尺寸相同的条件下，本发明实施例中吸光层对光的吸收效率可达87.1％(归一化数据)，并提高吸光层对光的吸收效率、光生电流以及响应度，进而提高光电转换能力。且与常规的基于倏逝波耦合方式的波导集成光电探测器相比，本发明中，波导的宽度和厚度符合相同工艺要求，吸光层的宽度、厚度相同。对吸光层生长工艺精度的要求并无量级上的提升。 | ||||||
| 3 | 一种倏逝波耦合湿度传感光纤及其制备方法 | CN201611107967.5 | 2016-12-06 | CN106644959A | 2017-05-10 | 孙龙清; 李亿杨; 李玥; 邹远炳 |
| 本发明提供一种倏逝波耦合湿度传感光纤及其制备方法。所述光纤包括纤芯和包裹所述纤芯的涂覆层，所述涂覆层的一部分为湿敏涂覆层，所述湿敏涂覆层由塑料透明介质颗粒和光敏物质胶合制成。本发明基于倏逝波耦合吸收原理所制作的U型传感光纤，其U型结构使得入射光中横磁偏振光的部分波失更大程度上耦合到湿敏薄膜内部形成倏逝波，提高了激发光与RB分子相互作用深度，实现了对相对湿度更高灵敏的检测；其制备工艺简单、稳定性好，重复性好，具有宽范围输出，同时克服了传统电化学湿度传感器不耐腐蚀，不抗电辐射等缺点。 | ||||||
| 4 | 一种基于倏逝波耦合的高亮度光纤合束器及其制备方法 | CN202210153897.6 | 2022-02-19 | CN114488400B | 2023-01-24 | 沈德元; 王飞; 周伟 |
| 一种基于倏逝波耦合的高亮度光纤合束器及其制备方法，输入光纤包括一根中心光纤和多根合束光纤；合束玻璃管由位于左部的第一梯度部分和位于右部的第二梯度部分组成，且二者之间为环形台阶面；合束玻璃管套设于中心裸露光纤C的外部，且熔融密接；第二梯度部分的右端和中心裸露光纤C经过拉锥后形成锥形光纤；多根合束光纤周向环绕于第一梯度部分的外表面，且其一端为去除涂覆层A后的半裸对接纤芯，半裸合束纤芯侧面与第一梯度部分的外圆面熔融密接，且其右端与环形台阶面熔融密接；套管固定套装于多根合束光纤与合束玻璃管结合处的外侧。该光纤合束器能实现中红外波段高功率激光稳定可靠的输出；该制备方法能显著降低拉锥作业的工艺要求。 | ||||||
| 5 | 利用倏逝波耦合增益的微光纤环形结染料激光器 | CN200710068648.2 | 2007-05-15 | CN100428588C | 2008-10-22 | 童利民; 姜校顺; 杨青 |
| 本发明公开了一种利用倏逝波耦合增益的微光纤环形结染料激光器。以第一根微光纤制备成环形结谐振腔，环形结谐振腔的一端和单模光纤相连，环形结谐振腔的另一端与第二根微光纤耦合，将该环形结谐振腔浸入掺有增益介质的溶液中，利用分布在微光纤表面的倏逝波激发增益介质从而产生激光。输出的激光可以利用另一微光纤引出。本发明的激光器具有小型化、制备简单、稳定、易于集成等特性。 | ||||||
| 6 | 基于共面电极配置的倏逝波耦合硅基激光器及其制备方法 | CN202011081443.X | 2020-10-10 | CN114336287B | 2023-12-26 | 郑婉华; 石涛; 孟然哲; 王海玲 |
| 7 | 硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及其制作方法 | CN202110905573.9 | 2021-08-06 | CN113629159B | 2022-11-22 | 郑婉华; 彭红玲; 王天财; 石涛; 孟然哲; 齐爱谊; 李晶 |
| 本发明提供一种硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及制备方法，该探测器包括：SOI晶片；脊形单模传输波导；吸收层，具有缺陷能级，外延形成于单模传输波导上；波导与吸收层之间通过倏逝波进行光的耦合；倍增层，形成于吸收层中；P型电极接触层，形成于倍增层中；N型电极接触层，形成于吸收层的除倍增层以外的区域中；P型和N型电极，形成于P型和N型电极接触层上。本发明利用离子注入在吸收层硅上形成缺陷能级，可提高其在红外2‑3μm波段的吸收；利用倏逝波耦合方式，解决响应速度和量子效率之间的矛盾；利用缺陷硅及其垂直的雪崩探测器结构，提高器件的量子效率；易于与硅基CMOS器件集成，可促进硅探测器在红外波段的应用。 | ||||||
| 8 | 硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及其制作方法 | CN202110905573.9 | 2021-08-06 | CN113629159A | 2021-11-09 | 郑婉华; 彭红玲; 王天财; 石涛; 孟然哲; 齐爱谊; 李晶 |
| 本发明提供一种硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及制备方法，该探测器包括：SOI晶片；脊形单模传输波导；吸收层，具有缺陷能级，外延形成于单模传输波导上；波导与吸收层之间通过倏逝波进行光的耦合；倍增层，形成于吸收层中；P型电极接触层，形成于倍增层中；N型电极接触层，形成于吸收层的除倍增层以外的区域中；P型和N型电极，形成于P型和N型电极接触层上。本发明利用离子注入在吸收层硅上形成缺陷能级，可提高其在红外2‑3μm波段的吸收；利用倏逝波耦合方式，解决响应速度和量子效率之间的矛盾；利用缺陷硅及其垂直的雪崩探测器结构，提高器件的量子效率；易于与硅基CMOS器件集成，可促进硅探测器在红外波段的应用。 | ||||||
| 9 | 倏逝波耦合型高速高功率光电探测器的制作方法 | CN201310692477.6 | 2013-12-13 | CN103646997B | 2015-11-11 | 崔大健; 高新江; 黄晓峰; 樊鹏; 王立 |
| 本发明公开了一种倏逝波耦合型高速高功率光电探测器的制作方法，包括：a、在半绝缘InP衬底上依次生长一层InP应力缓冲层、十个周期交替的InP/InGaAsP稀释波导层、两层InGaAsP光匹配层、三层InGaAs吸收层、InP扩散阻挡层及InGaAs接触层；b、采用Zn3As2源对InGaAs接触层进行掺杂；c、制作P电极；d、定义有源区；e、定义光纤输入波导区；f、定义耦合波导区；g、制作N电极；h、采用快速退火方法，保证良好的P、N电极欧姆接触；i、对整个台面进行苯并环丁烯材料平坦化，与P电极面在同一平面；j、制作共平面波导电极；k、将外延片减薄至110μm，解理成条状阵列芯片；l、对条状阵列芯片波导端面镀膜；以及m、将阵列芯片解理成单元芯片。 | ||||||
| 10 | 倏逝波耦合型高速高功率光电探测器的制作方法 | CN201310692477.6 | 2013-12-13 | CN103646997A | 2014-03-19 | 崔大健; 高新江; 黄晓峰; 樊鹏; 王立 |
| 本发明公开了一种倏逝波耦合型高速高功率光电探测器的制作方法，包括：a、在半绝缘InP衬底上依次生长一层InP应力缓冲层、十个周期交替的InP/InGaAsP稀释波导层、两层InGaAsP光匹配层、三层InGaAs吸收层、InP扩散阻挡层及InGaAs接触层；b、采用Zn3As2源对InGaAs接触层进行掺杂；c、制作P电极；d、定义有源区；e、定义光纤输入波导区；f、定义耦合波导区；g、制作N电极；h、采用快速退火方法，保证良好的P、N电极欧姆接触；i、对整个台面进行苯并环丁烯材料平坦化，与P电极面在同一平面；j、制作共平面波导电极；k、将外延片减薄至110μm，解理成条状阵列芯片；l、对条状阵列芯片波导端面镀膜；以及m、将阵列芯片解理成单元芯片。 | ||||||
| 11 | 倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法 | CN200810115627.6 | 2008-06-25 | CN101614843A | 2009-12-30 | 张云霄; 廖栽宜; 赵玲娟; 朱洪亮; 潘教青; 王圩 |
| 一种倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层至InGaAs接触层；在InGaAs接触层上生长一层氧化硅掩膜；将氧化硅掩膜的两侧刻蚀掉，再刻蚀掉氧化硅掩蔽条的两侧，得到深脊结构；湿法腐蚀掉部分深脊结构，形成入射窗口区；在深脊结构的两侧采用带胶剥离的方法制作N型金属欧姆接触；将衬底上至N型金属欧姆接触外侧边缘以外的各层刻蚀掉；保留入射窗口区一侧的各层，在衬底上形成台面结构；在深脊结构的上面经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的信号电极；在深脊结构两侧的N型金属欧姆接触上经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的接地电极；减薄解理。 | ||||||
| 12 | 倏逝波激励及增益耦合的多波段回音壁模式光纤激光器 | CN200810058304.8 | 2008-04-21 | CN100546130C | 2009-09-30 | 普小云; 江楠; 白然; 向文丽; 张远宪; 韩德昱 |
| 倏逝波激励及增益耦合的多波段回音壁模式光纤激光器，属于用轴向或近轴向倏逝波激励增益，激光增益通过由光纤截面构成的圆形谐振腔中回音壁模式的倏逝波耦合进入圆形谐振腔，并在腔内回音壁模式提供的光学反馈支持下产生激光振荡。这种光纤激光器，由于激光增益分布和谐振腔中回音壁模式的倏逝场在空间理想重叠，具有较高的光抽运效率和沿光纤轴向较长的增益长度。在光纤轴向分段填入不同的激光增益介质，可以在一根光纤中同时产生不同波长范围的回音壁模式激光辐射，这种多波段的光纤激光器在激光全色显示和微型光电子器件集成领域有应用价值。 | ||||||
| 13 | 一种基于倏逝波耦合的高亮度光纤合束器及其制备方法 | CN202210153897.6 | 2022-02-19 | CN114488400A | 2022-05-13 | 沈德元; 王飞; 周伟 |
| 一种基于倏逝波耦合的高亮度光纤合束器及其制备方法，输入光纤包括一根中心光纤和多根合束光纤；合束玻璃管由位于左部的第一梯度部分和位于右部的第二梯度部分组成，且二者之间为环形台阶面；合束玻璃管套设于中心裸露光纤C的外部，且熔融密接；第二梯度部分的右端和中心裸露光纤C经过拉锥后形成锥形光纤；多根合束光纤周向环绕于第一梯度部分的外表面，且其一端为去除涂覆层A后的半裸对接纤芯，半裸合束纤芯侧面与第一梯度部分的外圆面熔融密接，且其右端与环形台阶面熔融密接；套管固定套装于多根合束光纤与合束玻璃管结合处的外侧。该光纤合束器能实现中红外波段高功率激光稳定可靠的输出；该制备方法能显著降低拉锥作业的工艺要求。 | ||||||
| 14 | 基于共面电极配置的倏逝波耦合硅基激光器及其制备方法 | CN202011081443.X | 2020-10-10 | CN114336287A | 2022-04-12 | 郑婉华; 石涛; 孟然哲; 王海玲 |
| 本公开提供了一种基于共面电极配置的倏逝波耦合硅基激光器及其制备方法，该激光器包括：III‑V族或IV族化合物半导体激光器(1)，用于产生激光，SOI波导结构(2)，用于输出激光；其中，III‑V族或IV族化合物半导体激光器(1)至少包括由多层外延层构成的有源脊波导(110)、电隔离层(108‑1、108‑2)、正电极、负电极和衬底(101)，所述正、负电极设于所述衬底(101)的同一侧，SOI波导结构(2)，至少包括硅波导(210)和复合金属层(211)，硅波导(210)与有源脊波导(110)表面接触，利用倏逝波耦合原理，使III‑V族或IV族化合物半导体激光器产生的光经过损耗较低的N型掺杂层耦合到硅波导中，复合金属层(211)分设于硅波导(210)两侧，分别与正、负电极键合连接。 | ||||||
| 15 | 倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法 | CN200810115627.6 | 2008-06-25 | CN101614843B | 2010-12-08 | 张云霄; 廖栽宜; 赵玲娟; 朱洪亮; 潘教青; 王圩 |
| 一种倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层至InGaAs接触层；在InGaAs接触层上生长一层氧化硅掩膜；将氧化硅掩膜的两侧刻蚀掉，再刻蚀掉氧化硅掩蔽条的两侧，得到深脊结构；湿法腐蚀掉部分深脊结构，形成入射窗口区；在深脊结构的两侧采用带胶剥离的方法制作N型金属欧姆接触；将衬底上至N型金属欧姆接触外侧边缘以外的各层刻蚀掉；保留入射窗口区一侧的各层，在衬底上形成台面结构；在深脊结构的上面经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的信号电极；在深脊结构两侧的N型金属欧姆接触上经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的接地电极；减薄解理。 | ||||||
| 16 | 倏逝波激励及增益耦合的多波段回音壁模式光纤激光器 | CN200810058304.8 | 2008-04-21 | CN101267082A | 2008-09-17 | 普小云; 江楠; 白然; 向文丽; 张远宪; 韩德昱 |
| 倏逝波激励及增益耦合的多波段回音壁模式光纤激光器，属于用轴向或近轴向倏逝波激励增益，激光增益通过由光纤截面构成的圆形谐振腔中回音壁模式的倏逝波耦合进入圆形谐振腔，并在腔内回音壁模式提供的光学反馈支持下产生激光振荡。这种光纤激光器，由于激光增益分布和谐振腔中回音壁模式的倏逝场在空间理想重叠，具有较高的光抽运效率和沿光纤轴向较长的增益长度。在光纤轴向分段填入不同的激光增益介质，可以在一根光纤中同时产生不同波长范围的回音壁模式激光辐射，这种多波段的光纤激光器在激光全色显示和微型光电子器件集成领域有应用价值。 | ||||||
| 17 | 利用倏逝波耦合增益的微光纤环形结染料激光器 | CN200710068648.2 | 2007-05-15 | CN101060230A | 2007-10-24 | 童利民; 姜校顺; 杨青 |
| 本发明公开了一种利用倏逝波耦合增益的微光纤环形结染料激光器。以第一根微光纤制备成环形结谐振腔，环形结谐振腔的一端和单模光纤相连，环形结谐振腔的另一端与第二根微光纤耦合，将该环形结谐振腔浸入掺有增益介质的溶液中，利用分布在微光纤表面的倏逝波激发增益介质从而产生激光。输出的激光可以利用另一微光纤引出。本发明的激光器具有小型化、制备简单、稳定、易于集成等特性。 | ||||||
| 18 | 一种利用倏逝波耦合增益的微光纤环形结染料激光器 | CN200720109273.5 | 2007-05-15 | CN201038594Y | 2008-03-19 | 童利民; 姜校顺; 杨青 |
| 本实用新型公开了一种利用倏逝波耦合增益的微光纤环形结染料激光器。以第一根微光纤制备成环形结谐振腔，环形结谐振腔的一端和单模光纤相连，环形结谐振腔的另一端与第二根微光纤耦合，将该环形结谐振腔浸入掺有增益介质的溶液中，利用分布在微光纤表面的倏逝波激发增益介质从而产生激光。输出的激光可以利用另一微光纤引出。本实用新型的激光器具有小型化、制备简单、稳定、易于集成等特性。 | ||||||
| 19 | 基于倏逝波的环形谐振腔增强型液体组分及浓度传感器 | CN202010471595.4 | 2020-05-29 | CN111537445A | 2020-08-14 | 胡梦鹏; 王强; 阚瑞峰; 胡迈; 曹乃亮; 马青; 张佩光; 陈伟; 赵庆磊 |
| 基于倏逝波的环形谐振腔增强型液体组分及浓度传感器属于激光光谱传感领域，克服倏逝波型传感器信噪比低、光与物质作用不足的缺点，提高倏逝波型光纤传感器的灵敏度。该传感器包括：光源、相位调制器、两个光纤耦合器、单模光纤、锥形光纤、样品池和光谱仪；光源发出的光通过单模光纤进入第一光纤耦合器，出射光通过单模光纤进入设置在样品池内的锥形光纤，锥形光纤附近倏逝波与样品池内的样品发生耦合，输出光谱通过单模光纤由第二光纤耦合器一分为二：一部分通过相位调制器后传输回第一光纤耦合器中，形成谐振，与样品多次反应，其中相位调制器用于补偿由于环境变化引起的谐振条件漂移；另一部分由所述光谱仪采集，检测出样品的浓度和组份。 | ||||||
| 20 | 基于倏逝波的亚波长直径光纤放大器 | CN200710046014.7 | 2007-09-14 | CN100570463C | 2009-12-16 | 赵楚军; 范滇元; 唐志祥; 钱列加 |
| 一种基于倏逝波的亚波长直径光纤放大器，包括至少一个泵浦光源，至少一段放大光纤以及至少一个耦合器，该耦合器在输入光纤、泵浦光源和放大光纤之间建立连接，其特征在于所述的放大光纤由纤芯及其包层构成，该纤芯的直径为亚波长，在包层中具有有源材料，所述的放大光纤的输入端和输出端分别通过锥形光纤与所述的输入光纤和输出光纤相耦合。本发明依靠有增益能力的包层介质，支持倏逝波的放大。本发明基于倏逝波的亚波长直径光纤放大器具有增益高、转换效率高、阈值低、结构简单、可靠性高等特性。 | ||||||
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