大容量纳米晶薄带生产系统，包括机架平台（1），机架平台（1）上安装有行走轨道（2），行走轨道（2）上设置有熔炼工位和浇钢工位，行走轨道（2）上滑动安装有在熔炼工位和浇钢工位之间往复运动的真空炉系统，机架平台（1）的下方对应浇钢工位设置有与真空炉系统对应的喷嘴包机构，喷嘴包机构与真空炉系统之间电连接有喷嘴包恒液位闭环控制系统。

一种带有表面纳米结构的太阳能电池。在太阳能电池的上表面制作有表面纳米结构，表面纳米结构为相位光栅或者菲涅尔透镜，相位光栅或者菲涅尔透镜均由一系列刻蚀槽构成，刻蚀槽的深度由公式计算得出，使得入射光从光栅上表面传播到下表面的相位差为π；刻蚀槽的宽度和间隔根据惠更斯-菲涅尔原理设计，由菲涅尔波带法计算得到。利用表面纳米结构与太阳能电池集成，实现高性能、小尺寸高效率光伏系统；可以有效降低太阳能电池表面的反射率；有效增加光子在太阳能电池PN结区的吸收长度；有效增加入射光在太阳能电池的PN结区的光场强度；有效提高太阳能电池的PN结区对光子的有效吸收。

提供了一种增加微纳米纤维与基材粘合性的方法，通过静电纺丝的方法在基材上喷涂带有珠粒的微纳米纤维，所述珠粒作为锚固点将微纳米纤维锚固于基材上，从而增加了微纳米纤维与基材间的粘合性。另一方面提供了一种带锚点耐反吹纳米纤维复合滤材，包括一纤维类过滤基材以及通过静电纺丝的方法沉积在所述过滤基材至少一面上的纳米纤维层；所述纳米纤维层中的纳米纤维上形成有珠粒，所述珠粒将多根纳米纤维粘合在一起并粘接在过滤基材的纤维上。该方法工艺简单，生产成本低，能够一次性成型，且基材与沉积在基材上的微纳米纤维之间粘合性好，该方法能够用于生产纳米纤维复合滤材，使其具有优异的耐反吹性能。

一种非晶纳米晶软磁材料及其制备方法和用途、非晶带材、非晶纳米晶带材及非晶纳米晶磁片。所述软磁材料包括非晶基体相，分布于所述非晶基体相中的纳米晶相，以及分布在所述非晶基体相和所述纳米晶相中的细晶粒子，所述非晶基体相包括Fe、Si和B，所述细晶粒子包括金属碳化物，所述软磁材料中包含Fe、Si、B、P和Cu。

一种无机-有机杂化核壳型纳米棒(200)及带有该纳米棒(200)的光阀。纳米棒(200)包括由金属氧化物组成的纳米棒内核和由含有碳原子、氮原子的无机-有机配合物组成的纳米棒外壳；纳米棒内核是二氧化钛TiO ₂。以金属氧化物作为核体、无机-有机配合物为壳体的核壳型纳米棒，兼顾了无机-有机杂化材料、纳米材料和核壳结构的诸多优点，多种特性协调作用，使此材料具有独特的性能，以这一材料制作的光阀性能优异，可在更宽范围内调节光线透过率，具有良好的应用前景。

一种纳米石墨负载石墨烯纳米带改性聚乙烯薄膜的方法。具体为：将纳米石墨经十二烷基硫酸钠处理后，负载到石墨烯纳米带上，形成纳米复合材料；然后将纳米复合材料分散于聚乙烯基体中，制得纳米复合材料-聚乙烯母料；母料与聚乙烯粒料按1:1质量比混合熔融，经压片切割制得复合薄膜。该复合薄膜可用于电子产业领域和精密电子包装领域。

本申请公开了一种柔性氮化硼纳米带气凝胶及其制备方法。所述柔性氮化硼纳米带气凝胶具有连通的三维多孔网络结构，所述三维多孔网络结构由氮化硼纳米带相互缠绕、搭接形成，所述三维多孔网络结构由孔径大于50nm的大孔、孔径为2～50nm的介孔和孔径小于2nm的微孔组成。所述制备方法包括：将硼酸及含氮前驱体经高温溶解形成透明的前驱体溶液，再制成前驱体水凝胶，随后经干燥及高温热解，获得柔性氮化硼纳米带气凝胶。本申请的氮化硼纳米带气凝胶具有优异的柔性及弹性可恢复性能，可在宽的温度范围内承受外界不同形式的载荷且弹性可恢复，且制备工艺简洁，反应条件温和，易操作，成本低，绿色无污染，可实现连续化生产。

一种铁基纳米晶合金超薄宽带及其制造方法，该超薄宽带的表达式为：Fe _xSi _aB _bP _cNb _dCu _eM _f，其中M为Sn、Al中的至少一种，x、a、b、c、d、e和f为相应元素的原子百分比，0.5≤a≤10，0.5≤b≤12，0.5≤c≤8，0.1≤d≤3，0.1≤e≤1，0.001≤f≤0.05且x+a+b+c+d+e+f＝100。该方法采用了改进的平面流铸造法制带，制备的超薄宽带带宽为50～200mm，厚度为0.001～0.02mm，带材横向厚度偏差小于±0.0015mm，叠片系数大于0.80，饱和磁通密度大于1.7T，在频率为50Hz、最大磁通密度为1.5T条件下铁损小于0.30W/kg。

本发明公开了一种银纳米带透明导电薄膜及制备方法。银纳米带透明导电薄膜包括透明柔性衬底和银纳米带透明导电层，该银纳米带透明导电层由银纳米带连接排列构成规则的网状结构，银纳米带透明导电层的厚度小于0.3纳米，且银纳米带透明导电层嵌入到透明柔性衬底中，银纳米带是采用超声波压力加工，使在透明柔性衬底的表面上的银纳米线发生塑性变形后得到的。由于超声波压力加工使银纳米线发生塑性变形，使银纳米线的几何结构形变，加工为银纳米带，降低雾度，同时，由于银纳米带连接排列构成规则的网状结构，因此，银纳米带之间相互连接，构成一个完整的导电网络，提高了电导率。

一种石墨烯纳米带（104）的制造方法，以及MOSFET及其制造方法。该MOSFET包括：绝缘衬底（101）；位于绝缘衬底（101）上的氧化物保护层（105）；嵌入氧化物保护层（105）中的至少一条石墨烯纳米带（104），在氧化物保护层（105）的侧表面上暴露所述至少一条石墨烯纳米带（104）的表面；在所述至少一条石墨烯纳米带（104）的每一个中形成的沟道区；在所述至少一条石墨烯纳米带的每一个中形成的源/漏区，其中沟道区位于源/漏区之间；位于所述至少一条石墨烯纳米带上的栅介质层（106）；位于栅介质层上的栅极导体层（108）；以及在氧化物保护层（105）的侧表面上与源漏区相接触的源漏接触（111）。该方法可以降低石墨烯纳米带和MOSFET的生产成本，并且可以改善MOSFET的性能。

提供一种在绝缘基底上制备石墨烯纳米带的方法，包括如下步骤：1）在绝缘基底上制备单原子层台阶；2）在步骤1）所获得的具有单原子层台阶的绝缘基底上直接生长石墨烯纳米带。还提供一种由该方法获得的石墨烯纳米带。该方法利用石墨烯在原子台阶和平整解理面上成核功能不同的特点，通过调节温度、压强、活性碳原子饱和度等条件使石墨烯仅沿台阶边缘生长，生长成为尺寸可调的石墨烯纳米带。