一种Cu ₂ZnBi ₂S ₃纳米棒，属于四元硫族半导体材料技术领域，制备如下：在惰性气氛下，按照化学计量比混合乙酰丙酮铜、乙酸锌、硝酸铋和三辛基膦氧化物形成络合物，然后加入硫前体十二烷硫醇和叔十二烷基硫醇，在125～140℃反应1～3小时，分离得到所述Cu ₂ZnBi ₂S ₃纳米棒。相比较现有的四元硫族半导体材料，上述纳米棒的光催化性能得到提升。提供了一种全新的Cu ₂ZnBi ₂S ₃纳米棒，可应用在光催化、光伏和光电二极管传感器材料中，在LED、集成电路、晶体管及半导体激光器制造中应用前景好。

一种纳米棒及其制造方法以及含有纳米棒的光阀，纳米棒为无机-有机杂化含氟纳米棒，使用含有无机-有机杂化含氟纳米棒的光阀的全光线透射率更高，同时，能增强光阀对水的稳定性和对紫外线辐射的稳定性，更好地保护光阀不受损坏，对提高光阀装置的长期稳定性十分重要。

一种无机-有机杂化核壳型纳米棒(200)及带有该纳米棒(200)的光阀。纳米棒(200)包括由金属氧化物组成的纳米棒内核和由含有碳原子、氮原子的无机-有机配合物组成的纳米棒外壳；纳米棒内核是二氧化钛TiO ₂。以金属氧化物作为核体、无机-有机配合物为壳体的核壳型纳米棒，兼顾了无机-有机杂化材料、纳米材料和核壳结构的诸多优点，多种特性协调作用，使此材料具有独特的性能，以这一材料制作的光阀性能优异，可在更宽范围内调节光线透过率，具有良好的应用前景。

本发明公开了一种CdS纳米棒薄膜的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、将二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl₂·2.5H₂O反应制得二乙基二硫代氨基甲酸镉；S2、将二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入溶剂进行溶剂热反应得到CdS纳米棒薄膜；S3、将CdS纳米棒薄膜采用CdCl₂进行湿法处理。本发明对CdS纳米棒薄膜进行CdCl₂湿法处理，提高了薄膜的结晶度，降低了缺陷态密度，大大提高了短路电流密度，可以提高电池寿命。

一种CdS纳米棒的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、将醋酸镉与三辛基膦混合，在氮气气氛下搅拌加热，然后在混合液中注入硫溶液进行反应；S2、将反应后的溶液冷却至室温，加入无水甲醇，使CdS纳米棒沉降，并用无水乙醇洗涤CdS纳米棒；S3、将CdS纳米棒薄膜采用CdCl ₂进行湿法处理。通过对CdS纳米棒薄膜进行CdCl ₂湿法处理，提高了薄膜的结晶度，降低了缺陷态密度，大大提高了短路电流密度，可以提高电池寿命。