| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 161 | 一种半导体掩膜版及其制作方法 | CN202311715543.7 | 2023-12-14 | CN117406545B | 2024-03-01 | 叶伟; 魏娇阳; 张新秀; 张旭; 王晶辉 |
| 本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体掩膜版及其制作方法。半导体掩膜版包括多个曝光单元，每个曝光单元包括：多个器件框区，呈矩形阵列，器件框区包括芯片区和第一缓冲区，第一缓冲区包围芯片区；以及多个切割道区，位于相邻两个器件框区之间，部分切割道区设置测量器件区或者对位标记区，剩余切割道区未设置测量器件区和对位标记区；其中，器件框区的尺寸大小与半导体掩膜版的尺寸精度的比值为10N，N为正整数。本发明在不增加掩膜版成本的情况下，提高了掩膜版中各个器件区合并后的对位精度。 | ||||||
| 162 | 一种半导体掩膜版及其制作方法 | CN202311715543.7 | 2023-12-14 | CN117406545A | 2024-01-16 | 叶伟; 魏娇阳; 张新秀; 张旭; 王晶辉 |
| 本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体掩膜版及其制作方法。半导体掩膜版包括多个曝光单元，每个曝光单元包括：多个器件框区，呈矩形阵列，器件框区包括芯片区和第一缓冲区，第一缓冲区包围芯片区；以及多个切割道区，位于相邻两个器件框区之间，部分切割道区设置测量器件区或者对位标记区，剩余切割道区未设置测量器件区和对位标记区；其中，器件框区的尺寸大小与半导体掩膜版的尺寸精度的比值为10N，N为正整数。本发明在不增加掩膜版成本的情况下，提高了掩膜版中各个器件区合并后的对位精度。 | ||||||
| 163 | 一种图像处理方法、设备及计算机可读存储介质 | CN202110566054.4 | 2021-05-24 | CN113222850A | 2021-08-06 | 王秀琳 |
| 本发明公开了一种图像处理方法、设备及计算机可读存储介质，其中，该方法包括：在输入的包围曝光图像序列中选择曝光正常的一帧图像作为参考帧，并获取所述序列的帧序列灰度图；对所述帧序列灰度图进行直方图均衡化处理，得到各帧与所述参考帧的相关度图像；根据二值化处理后的所述相关度图像，结合预设的权重值对所述背景区域进行图像融合处理，以祛除高动态范围场景下的鬼影。实现了一种根据邻域相似度计算评估运动物体区域，并结合修正融合参数在多帧融合中进行鬼影祛除的拍摄处理方案，提升了用户在高动态范围场景下的拍摄体验。 | ||||||
| 164 | 薄膜晶体管的制备方法、光罩、薄膜晶体管及显示装置 | CN201710899582.5 | 2017-09-28 | CN107731690A | 2018-02-23 | 丁奇; 张占东; 王丽 |
| 本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供基板，所述基板包括膜层，将光阻材料涂布在所述膜层上形成光阻层；使用光罩对所述光阻层进行曝光处理，所述光罩包括中心区域和边缘区域，所述边缘区包围所述中心区域，所述中心区域的厚度大于所述边缘区域的厚度，在对所述光阻层曝光处理过程中，通过所述中心区域的厚度大于所述边缘区域的厚度，抵消显影过程中的负载效应，使得所述膜层的厚度均匀。本发明还提供了一种光罩、薄膜晶体管及显示装置。 | ||||||
| 165 | 生成三维物体的方法 | CN200710130353.3 | 2007-07-18 | CN101109898B | 2012-08-15 | 沃尔克·席勒; 亨德里克·约翰 |
| 本发明涉及一种生成三维物体的方法，该方法采用一种在电磁辐射作用下可以固化的材料，通过包含预定数量离散成像元素(像素)的成像单元进行能量输入，使该材料固化而完成造型。该方法包括使用位图掩模曝光以实现固化。位图掩模可以由位图数据栈生成，而后者则通过对完全或部分包围住至少待生成的三维物体的一部分的三维模型的三维体的重叠分析获得。此外，位图掩模还可以由包含重叠信息的二维数据集生成。固化可以使用“即时”生成的位图掩模曝光来进行。本发明还包括用于执行或实现该方法的设备、计算机以及数据载体。 | ||||||
| 166 | 惰性气体置换方法和装置、曝光装置及标线片装置 | CN03102324.X | 2003-01-30 | CN1442756A | 2003-09-17 | 加茂野隆 |
| 本发明的目的是，提供：在采用紫外线光做曝光光，以惰性气体时装置内部进行置换，经投影光学系统将底版图形照射到感光基板上的曝光装置中，用惰性气体有效地置换由底版和薄膜大致围成的空间的技术。为了实现此目的，在用包围部件对要以惰性气体置换的气体置换空间进行围合的构造体上设置多个通气孔，把在构造体的周围形成空间的容器内充满惰性气体，从而使惰性气体侵入气体置换空间内，以惰性气体对气体置换空间内部进行置换。 | ||||||
| 167 | 一种使用多层光刻胶制备复杂三维结构的方法 | CN202310743149.8 | 2023-06-21 | CN116626994A | 2023-08-22 | 张凡; 袁颢轩; 高华川; 向运来 |
| 本发明公开了一种使用多层光刻胶制备复杂三维结构的方法，具体步骤包括：步骤一：在洁净的衬底上涂一层光刻胶，并进行烘烤；步骤二：对上述制备的第一层光刻胶进行精准曝光，曝光出所需底层精确结构后进行短暂放置；步骤三：对放置后的衬底进行第二次涂胶，并进行烘烤；步骤四：对步骤三制备得到的第二层光刻胶进行精准曝光，第二层图案需被第一层图案完全包围；使用浸泡显影的方法进行统一显影；克服了现有的双层胶工艺应用范围限定在剥离工艺、底层开孔大小难以控制的限制，在缩短工艺周期，提高器件良率的同时还可以使光刻工艺可以在微距、保真的同时得到复杂的形貌。 | ||||||
| 168 | 一种微型LED显示器件及其制备方法 | CN202210777569.3 | 2022-07-02 | CN115000254A | 2022-09-02 | 田朋飞; 汪舟; 袁泽兴; 崔旭高; 顾而丹 |
| 本发明公开了一种微型LED显示器件及其制备方法，包括：在外延片上蒸镀铟锡氧化物薄膜后进行图案化曝光显影并蚀刻，暴露出部分n型氮化镓层，使外延片形成台面结构和包围台面的墙壁结构；在处理后的外延片表面上沉积介电材料，形成第一钝化层；在第一钝化层表面进行图案化曝光显影，蒸镀预定厚度的金属反射膜并剥离，使金属反射膜覆盖墙壁结构，形成金属薄膜反射墙；再次沉积介电材料形成第二钝化层；对第二钝化层进行图案化曝光显影并蚀刻，在n型氮化镓层表面和台面结构表面开孔，在开孔处分别蒸镀n金属电极和p金属电极，得到微型LED显示器件。该方案能够提高微型LED显示器件的发光效率，降低微型LED之间的光学耦合串扰。 | ||||||
| 169 | 图像处理方法、装置、存储介质及电子设备 | CN201910791524.X | 2019-08-26 | CN110572584B | 2021-05-07 | 邵安宝 |
| 本申请公开了一种图像处理方法、装置、存储介质及电子设备，其中图像处理方法包括：将拍摄场景划分成远景和近景；获取所述拍摄场景的多帧第一图像，其中，所述多帧第一图像具有同一曝光参数；对所述多帧第一图像进行合成处理，得到所述近景的第一合成图像；获取所述拍摄场景的多帧第二图像，其中，所述多帧第二图像具有不同曝光参数；对所述多帧第二图像进行合成处理，得到所述远景具有高动态范围的第二合成图像；将所述第一合成图像和所述第二合成图像进行合成处理，得到目标图像。本实施例提供的图像处理方案，近景采用多帧短曝的高动态图像合成方法，远景采用包围曝光的高动态图像合成方法，能够更大限度地提高图像质量。 | ||||||
| 170 | 一种超薄假镂空双层FPC产品的制造方法 | CN202010207049.X | 2020-03-23 | CN111263525B | 2021-04-20 | 曹先贵; 袁林辉 |
| 本发明涉及一种超薄假镂空双层FPC产品的制造方法，该制造方法包括以下过程：在超薄双面铜的FCCL材料上开设连接两层线路铜层的PTH孔和镂空手指的槽孔；通过孔金属化及一次整板电镀薄铜，在镂空手指区域槽侧壁沉积电镀一层薄铜；将槽孔两端侧壁的铜及非线路区域的铜通过贴干膜、曝光显影及蚀刻工艺除去，使槽与槽间的FCCL四周有薄铜包围，形成假的镂空手指,其中，在曝光时，镂空手指区域的有铜区和无铜区均采用双面曝光；贴压具有图形开窗的薄覆盖膜；在裸露的铜金属表面进行表面处理；用切割工艺按产品的外形切割开，形成所需的超薄假镂空双层FPC产品。采用本发明方法制造的超薄假镂空双层FPC产品可以满足医用超声探头的FPC产品的厚度要求，并且产品良率高。 | ||||||
| 171 | 一种超薄假镂空双层FPC产品的制造方法 | CN202010207049.X | 2020-03-23 | CN111263525A | 2020-06-09 | 曹先贵; 袁林辉 |
| 本发明涉及一种超薄假镂空双层FPC产品的制造方法，该制造方法包括以下过程：在超薄双面铜的FCCL材料上开设连接两层线路铜层的PTH孔和镂空手指的槽孔；通过孔金属化及一次整板电镀薄铜，在镂空手指区域槽侧壁沉积电镀一层薄铜；将槽孔两端侧壁的铜及非线路区域的铜通过贴干膜、曝光显影及蚀刻工艺除去，使槽与槽间的FCCL四周有薄铜包围，形成假的镂空手指,其中，在曝光时，镂空手指区域的有铜区和无铜区均采用双面曝光；贴压具有图形开窗的薄覆盖膜；在裸露的铜金属表面进行表面处理；用切割工艺按产品的外形切割开，形成所需的超薄假镂空双层FPC产品。采用本发明方法制造的超薄假镂空双层FPC产品可以满足医用超声探头的FPC产品的厚度要求，并且产品良率高。 | ||||||
| 172 | 图像处理方法、装置、存储介质及电子设备 | CN201910791524.X | 2019-08-26 | CN110572584A | 2019-12-13 | 邵安宝 |
| 本申请公开了一种图像处理方法、装置、存储介质及电子设备，其中图像处理方法包括：将拍摄场景划分成远景和近景；获取所述拍摄场景的多帧第一图像，其中，所述多帧第一图像具有同一曝光参数；对所述多帧第一图像进行合成处理，得到所述近景的第一合成图像；获取所述拍摄场景的多帧第二图像，其中，所述多帧第二图像具有不同曝光参数；对所述多帧第二图像进行合成处理，得到所述远景具有高动态范围的第二合成图像；将所述第一合成图像和所述第二合成图像进行合成处理，得到目标图像。本实施例提供的图像处理方案，近景采用多帧短曝的高动态图像合成方法，远景采用包围曝光的高动态图像合成方法，能够更大限度地提高图像质量。 | ||||||
| 173 | 图案形成方法、硬化物、触摸屏或显示屏的制造方法以及显示装置 | CN201510170283.9 | 2015-04-10 | CN104977813A | 2015-10-14 | 中村秀之; 金子若彦; 柏木大助; 山下史絵 |
| 提供一种抑制缺损的产生、图案形状良好、且抑制底切的产生的图案形成方法、硬化物、触摸屏或显示屏的制造方法、及显示装置。本发明的图案形成方法包括：将感光性树脂组合物涂布在基板上的工序、从所涂布的感光性树脂组合物中除去溶剂的工序、使用掩模利用活性辐射线进行曝光的曝光工序、及利用水性显影液进行显影的显影工序，关于曝光工序中所用的掩模，沿着第一遮光部图案的外边而平行地设置第二遮光部图案，第二遮光部图案将第一遮光部图案包围一周，第一遮光部图案的外边与第二遮光部图案的内边的距离A、和第二遮光部图案的内边与外边的宽度B的关系满足0.5≤B/A≤0.75，且第二遮光部图案的内边与外边的宽度B为1μm～10μm。 | ||||||
| 174 | 一种图像增强处理方法、设备及计算机可读存储介质 | CN202111333734.8 | 2021-11-11 | CN114125313A | 2022-03-01 | 王秀琳 |
| 本发明公开了一种图像增强处理方法、设备及计算机可读存储介质，其中，该方法包括：以低于预设照度条件的曝光参数拍摄图像，获取所述图像的灰度图，并将所述灰度图转换为浮点灰度图；计算所述浮点灰度图的亮度参数；判断所述浮点灰度图的各个所述像素的所述亮度参数是否小于预设阈值；若所述像素的所述亮度参数小于预设阈值，则对所述像素执行图像增强。实现了一种人性化的图像增强处理方案，通过结合包围曝光，采用金字塔融合式的多帧图像，以获得高动态范围效果较好的图像，以此提升了用户的拍摄体验。 | ||||||
| 175 | 薄膜晶体管的制备方法、光罩、薄膜晶体管及显示装置 | CN201710899582.5 | 2017-09-28 | CN107731690B | 2020-05-05 | 丁奇; 张占东; 王丽 |
| 本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供基板，所述基板包括膜层，将光阻材料涂布在所述膜层上形成光阻层；使用光罩对所述光阻层进行曝光处理，所述光罩包括中心区域和边缘区域，所述边缘区包围所述中心区域，所述中心区域的厚度大于所述边缘区域的厚度，在对所述光阻层曝光处理过程中，通过所述中心区域的厚度大于所述边缘区域的厚度，抵消显影过程中的负载效应，使得所述膜层的厚度均匀。本发明还提供了一种光罩、薄膜晶体管及显示装置。 | ||||||
| 176 | 光掩模检测方法与在线即时光掩模检测方法 | CN200710128382.6 | 2007-07-10 | CN101344715B | 2011-07-13 | 杨忠彦; 张明哲 |
| 本发明公开了一种光掩模检测方法，适用于具有图案区与空白区的光掩模。首先，提供晶片，此晶片是以上述光掩模进行光刻工艺。晶片上有多个曝光区，每一曝光区中有元件图案区，其中每一元件图案区被切割道区包围。且每一元件图案区对应于光掩模的图案区，而切割道区对应于光掩模的空白区。然后，将切割道区划分成多个虚拟图案区。接着，将虚拟图案区进行两两重叠比较步骤，当虚拟图案区至少其中之一与其他虚拟图案区不完全相叠合，则不完全叠合的虚拟图案区相对应的光掩模上的部分空白区具有光掩模黑影。 | ||||||
| 177 | 光掩模检测方法与在线即时光掩模检测方法 | CN200710128382.6 | 2007-07-10 | CN101344715A | 2009-01-14 | 杨忠彦; 张明哲 |
| 本发明公开了一种光掩模检测方法，适用于具有图案区与空白区的光掩模。首先，提供晶片，此晶片是以上述光掩模进行光刻工艺。晶片上有多个曝光区，每一曝光区中有元件图案区，其中每一元件图案区被切割道区包围。且每一元件图案区对应于光掩模的图案区，而切割道区对应于光掩模的空白区。然后，将切割道区划分成多个虚拟图案区。接着，将虚拟图案区进行两两重叠比较步骤，当虚拟图案区至少其中之一与其他虚拟图案区不完全相叠合，则不完全叠合的虚拟图案区相对应的光掩模上的部分空白区具有光掩模黑影。 | ||||||
| 178 | 生成三维物体的方法和设备以及所用的计算机和数据载体 | CN200710130353.3 | 2007-07-18 | CN101109898A | 2008-01-23 | 沃尔克·席勒; 亨德里克·约翰 |
| 本发明涉及一种生成三维物体的方法，该方法采用一种在电磁辐射作用下可以固化的材料，通过包含预定数量离散成像元素(像素)的成像单元进行能量输入，使该材料固化而完成造型。该方法包括使用位图掩模曝光以实现固化。位图掩模可以由位图数据栈生成，而后者则通过对完全或部分包围住至少待生成的三维物体的一部分的三维模型的三维体的重叠分析获得。此外，位图掩模还可以由包含重叠信息的二维数据集生成。固化可以使用“即时”生成的位图掩模曝光来进行。本发明还包括用于执行或实现该方法的设备、计算机以及数据载体。 | ||||||
| 179 | 光罩、光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法 | CN03122599.3 | 2003-04-30 | CN1455300A | 2003-11-12 | 三坂章夫 |
| 一种光罩，光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法。其目的在于实现同时精细化独立空隙图案和独立线图案或者是独立空隙图案和密集图案。在透光性基板上设置了对曝光光线具有遮光性的半遮光部分，由上述半遮光部分包围起来且对上述曝光光线具有透光性的开口部分(透光部分)，和位于开口部分周边的移相器(周边部分)。开口部分形成区域的透光性基板表面呈暴露状态。在移相器形成区域的透光性基板上形成下层相位调整膜。半遮光部分形成区域的透光性基板上沉积了下层相位调整膜及上层相位调整膜。下层相位调整膜及上层相位调整膜各自让曝光光线以开口部分为基准反相位状态透过。 | ||||||
| 180 | 镀金辅助引线、镀金板件制备方法、板件基板和镀金板件 | CN202310738996.5 | 2023-06-20 | CN116669321A | 2023-08-29 | 肖挺; 杨智勤; 石东 |
| 本发明公开了一种镀金辅助引线、镀金板件制备方法、板件基板和镀金板件，可降低基板报废率。方法部分包括：在基板的板面进行化学沉铜，形成均匀的导电层；对所述板面上的所述导电层进行烘干，形成均匀稳定的导电层；在形成均匀稳定的所述导电层的板面上分别进行贴膜、曝光和显影处理，以在所述板面上形成一部分露出的导电层，以及另一部分被抗蚀层包围的导电层；对所述板面上露出的导电层进行图形蚀刻，对所述被抗蚀层包围的导电层进行去膜处理，去膜后露出的导电层形成镀金辅助引线。 | ||||||
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