| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 221 | 一种全局曝光像元的防漏光存储电容结构及其形成方法 | CN201510837056.7 | 2015-11-26 | CN105489625B | 2018-08-28 | 顾学强; 赵宇航; 周伟 |
| 本发明公开了一种全局曝光像元的防漏光存储电容结构及其形成方法，通过在MOS电容上极板周围覆盖由环状接触孔和金属层组成的罩形屏蔽层，并通过接触孔过刻蚀形成延伸将下极板包围的复合结构，来对入射光进行屏蔽，由于金属层和接触孔都具有不透光的特性，因此入射光线将被屏蔽层复合结构全部反射，从而避免了入射光从上极板的多晶侧壁和下极板的源漏区进入MOS电容电荷信号存储区，可以防止因漏光现象所带来的存储信号的失真。 | ||||||
| 222 | 防护膜组件、其制造方法及曝光方法 | CN201580046947.9 | 2015-09-17 | CN106662806A | 2017-05-10 | 高村一夫; 种市大树; 小野阳介; 石川比佐子; 美谷岛恒明; 大久保敦; 佐藤泰之; 广田俊明 |
| 本发明提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。本发明涉及的防护膜组件具备：第1框体，该第1框体配置有防护膜；第2框体，该第2框体具有厚部和第2面，并将上述防护膜和上述第1框体从外侧包围，所述厚部包含第1面，所述第1面承接与上述第1框体的配置有上述防护膜的面相反侧的面，所述第2面与上述第1面连接并承接上述第1框体的侧面；贯通孔，该贯通孔配置在上述第2框体的上述厚部；以及过滤器，该过滤器配置在与配置有上述防护膜的上述第1框体的面交叉的上述第2框体的外侧的侧面，并覆盖上述贯通孔。 | ||||||
| 223 | 一种全局曝光像元的防漏光存储电容结构及其形成方法 | CN201510837056.7 | 2015-11-26 | CN105489625A | 2016-04-13 | 顾学强; 赵宇航; 周伟 |
| 本发明公开了一种全局曝光像元的防漏光存储电容结构及其形成方法，通过在MOS电容上极板周围覆盖由环状接触孔和金属层组成的罩形屏蔽层，并通过接触孔过刻蚀形成延伸将下极板包围的复合结构，来对入射光进行屏蔽，由于金属层和接触孔都具有不透光的特性，因此入射光线将被屏蔽层复合结构全部反射，从而避免了入射光从上极板的多晶侧壁和下极板的源漏区进入MOS电容电荷信号存储区，可以防止因漏光现象所带来的存储信号的失真。 | ||||||
| 224 | 灰阶掩模的缺陷修正方法、灰阶掩模及其制造方法 | CN200810135715.2 | 2008-07-03 | CN101339362B | 2013-03-13 | 佐野道明; 坂本有司 |
| 本发明提供一种灰阶掩模的缺陷修正方法，是具有遮光部(21)、透光部(22)以及将掩模使用时所用的曝光光的透过量降低到规定量的半透光部(23)的灰阶掩模(20)的缺陷修正方法，半透光部(23)由半透光膜(26)形成，具有：在半透光部(23)中，在产生缺陷时确定该缺陷部分(51)、(52)的工序；将包含该缺陷(51)、(52)的半透光部即由遮光部和透光部的至少一方包围的区域的半透光部(23)的全体的半透光膜(26)除去的工序；和在除去该半透光膜(26)的区域(53)，形成和所述半透光膜(26)原材料或组成不同的半透光性的修正膜(27)的工序。 | ||||||
| 225 | 摄像装置、摄像方法及集成电路 | CN200880000514.X | 2008-02-27 | CN101543050B | 2011-04-20 | 甲斐康司; 渊上郁雄 |
| 本发明的摄像装置、摄像方法及集成电路，削减在记录构图括弧式曝光摄影图像数据时的记录容量。为此，图像处理单元指定多个被摄体剪切图像并设定为第1剪切图像，其中，被摄体剪切图像是对摄像单元所获得的拍摄图像内的多个被摄体像分别进行剪切而得的；将包围了多个被摄体剪切图像的1个图像设定为第2剪切图像；分别算出第1剪切图像的数据尺寸与第2剪切图像的数据尺寸，并进行比较；选择数据尺寸小的图像，以记录到记录单元。 | ||||||
| 226 | 灰阶掩模的缺陷修正方法、灰阶掩模及其制造方法 | CN200810135715.2 | 2008-07-03 | CN101339362A | 2009-01-07 | 佐野道明; 坂本有司 |
| 本发明提供一种灰阶掩模的缺陷修正方法，是具有遮光部(21)、透光部(22)以及将掩模使用时所用的曝光光的透过量降低到规定量的半透光部(23)的灰阶掩模(20)的缺陷修正方法，半透光部(23)由半透光膜(26)形成，具有：在半透光部(23)中，在产生缺陷时确定该缺陷部分(51)、(52)的工序；将包含该缺陷(51)、(52)的半透光部即由遮光部和透光部的至少一方包围的区域的半透光部(23)的全体的半透光膜(26)除去的工序；和在除去该半透光膜(26)的区域(53)，形成和所述半透光膜(26)原材料或组成不同的半透光性的修正膜(27)的工序。 | ||||||
| 227 | 摄影装置、摄影方法 | CN200410038001.1 | 2004-05-12 | CN100440927C | 2008-12-03 | 崎村岳生; 小川武志 |
| 本发明提供一种摄影装置、摄影方法、程序和存储介质。以至少拍摄2张的图像的模式下，为了减少用户自身事先确认摄影所需的张数比剩余可摄影张数少这样的负担，在采用拍摄缝合模式或自动包围曝光模式等的至少2张的图像的模式进行摄影时，决定该模式的摄影所需的张数N，而且，计算出剩余可摄影张数R，如果剩余可摄影张数R比摄影所需的张数N少，则缩小图像数据尺寸，或者提高图像数据记录压缩率。 | ||||||
| 228 | 一种图像传感器结构及其制作方法 | CN202311494449.3 | 2023-11-09 | CN117276298A | 2023-12-22 | 李梦 |
| 本发明公开了一种图像传感器结构及其制作方法，通过在存储节点上方的衬底上形成包括第一金属遮光结构、第二金属遮光结构和接触通孔的复合遮光结构，可利用位于上层的第二金属遮光结构与位于下层的第一金属遮光结构所形成的交叠组合式结构，将第一金属遮光结构与存储节点上接触通孔之间的开口漏光间隙完全包围，能防止入射光线进入存储节点的电荷存储区，因此可以有效解决以往发生的存储节点区域漏光问题，保证了全局曝光像素单元的存储电容中信号的准确性，避免了输出信号的失真，从而提高了寄生光灵敏度性能。 | ||||||
| 229 | 光学装置、曝光装置以及物品制造方法 | CN202010704311.1 | 2020-07-21 | CN112286002A | 2021-01-29 | 矢田裕纪 |
| 本发明提供光学装置、曝光装置以及物品制造方法。光学装置的特征在于，具有：镜筒，该镜筒形成有使光通过的开口；光学部件，该光学部件包括具有比上述开口的面积大的面积的表面，该光学部件以上述表面面向上述开口的方式被收容于上述镜筒；以及喷吹部，该喷吹部配置成包围上述开口，相对于上述表面喷吹具有比上述镜筒的外部的气体的清洁度高的清洁度的气体。 | ||||||
| 230 | 摄像装置、摄像方法及记录介质 | CN201880017821.2 | 2018-02-20 | CN110419210B | 2021-01-12 | 水泽哲也; 牧野研司; 林大辅 |
| 本发明提供一种能够减少聚焦包围曝光模式下的摄像失败的可能性的摄像装置、摄像方法及摄像程序。数码相机(100)具备：成像元件(5)，通过包括聚焦透镜的摄像光学系统来拍摄被摄体；及摄像控制部(11A)，在使聚焦透镜移动到在聚焦透镜的可移动范围(A1)的一部分即移动范围(A2)设定的多个摄像位置的各摄像位置的状态下，由成像元件(5)持续进行多次拍摄被摄体的摄像控制。在上述多次的摄像控制中在时序中越是后面实施的摄像控制，摄像控制部(11A)越缩小对移动范围(A2)设定的摄像位置彼此的间隔。 | ||||||
| 231 | 用于捕捉图像帧的方法、装置、计算机系统和存储介质 | CN201680045999.9 | 2016-06-28 | CN107852464B | 2020-07-14 | G·彼得松; J·温德马克 |
| 用于捕捉图像帧的装置、方法、计算机系统和存储介质。装置包括数码相机和包括相机设置的至少一个存储器。该装置进一步包括处理器，其被配置为控制数字相机的操作以及相机设置。该装置进一步包括用户界面，其用于对相机设置进行输入和调整中的至少一者。该用户界面使用户能够手动定义包括第一相机设置输入和第二相机设置输入的图像捕捉序列。该处理器被配置为将图像捕捉序列存储在至少一个存储器中，并且控制数字相机使用第一相机设置输入和第二相机设置输入来捕捉数字图像帧的包围曝光序列。 | ||||||
| 232 | 一种半导体结构及通孔的形成方法 | CN201811122758.7 | 2018-09-26 | CN110957262A | 2020-04-03 | 陈洋 |
| 本发明提供一种半导体结构及通孔的形成方法，该半导体结构包括硬掩膜组合层，多个通孔分立设置于所述硬掩膜组合层中，多个所述第一通孔至少排列成一行，且同一行中的多个所述第一通孔等间距排列，其中，同一行相邻两个所述通孔分别被不同阶段形成的硬掩膜层所包围。该通孔形成方法通过二次光刻以及多次薄膜沉积牺牲层和干法蚀刻牺牲层交替的方式，实现将通孔的关键尺寸微缩，并在将通孔关键尺寸缩小的同时形成更多的通孔，解决了无法采用黄光直接曝光形成关键尺寸较小的通孔的问题。 | ||||||
| 233 | 摄像装置、摄像方法及摄像程序 | CN201880017821.2 | 2018-02-20 | CN110419210A | 2019-11-05 | 水泽哲也; 牧野研司; 林大辅 |
| 本发明提供一种能够减少聚焦包围曝光模式下的摄像失败的可能性的摄像装置、摄像方法及摄像程序。数码相机(100)具备：成像元件(5)，通过包括聚焦透镜的摄像光学系统来拍摄被摄体；及摄像控制部(11A)，在使聚焦透镜移动到在聚焦透镜的可移动范围(A1)的一部分即移动范围(A2)设定的多个摄像位置的各摄像位置的状态下，由成像元件(5)持续进行多次拍摄被摄体的摄像控制。在上述多次的摄像控制中在时序中越是后面实施的摄像控制，摄像控制部(11A)越缩小对移动范围(A2)设定的摄像位置彼此的间隔。 | ||||||
| 234 | 一种图像传感器 | CN201710081615.5 | 2017-02-15 | CN108428706A | 2018-08-21 | 黄翌敏 |
| 本发明提供一种图像传感器，所述图像传感器包括：阵列结构，所述阵列结构包括基板，及位于所述基板上方的图像传感器阵列；位于所述阵列结构上方的闪烁体；包围所述阵列结构的反光层，其中，所述反光层设有至少一个暴露所述阵列结构的开口；位于所述开口处的曝光探测结构；以及位于所述反光层下方的消背散射层。通过本发明提供的图像传感器，解决了现有图像传感器易受被测物体遮挡，探测能力不稳定，及图像传感器光电二极管阵列区域背散射不均匀，影响图像质量的问题。 | ||||||
| 235 | 光罩结构及COA型阵列基板 | CN201710146792.7 | 2017-03-13 | CN106773554B | 2018-08-14 | 孙涛 |
| 本发明提供一种光罩结构及COA型阵列基板。所述光罩结构包括中心遮光部(1)、包围所述中心遮光部(1)并与中心遮光部(1)的外轮廓形状一致的外围遮光部(3)、以及夹在所述外围遮光部(3)与中心遮光部(1)之间的环形的镂空狭缝(5)，曝光光线经过所述镂空狭缝(5)会发生衍射，产生传播反向的弯散及能量强度的渐变，配合负性光阻，能够使得最终制得的彩膜层过孔的坡度变缓，从而改善像素电极和金属材质的信号线之间的电连接质量，避免出现显示不良。 | ||||||
| 236 | 光罩结构及COA型阵列基板 | CN201710146792.7 | 2017-03-13 | CN106773554A | 2017-05-31 | 孙涛 |
| 本发明提供一种光罩结构及COA型阵列基板。所述光罩结构包括中心遮光部(1)、包围所述中心遮光部(1)并与中心遮光部(1)的外轮廓形状一致的外围遮光部(3)、以及夹在所述外围遮光部(3)与中心遮光部(1)之间的环形的镂空狭缝(5)，曝光光线经过所述镂空狭缝(5)会发生衍射，产生传播反向的弯散及能量强度的渐变，配合负性光阻，能够使得最终制得的彩膜层过孔的坡度变缓，从而改善像素电极和金属材质的信号线之间的电连接质量，避免出现显示不良。 | ||||||
| 237 | 厚铜印刷电路板的丝印方法 | CN201610600735.7 | 2016-07-27 | CN106211609A | 2016-12-07 | 林瑞康; 刘维 |
| 本发明涉及一种厚铜印刷电路板的丝印方法，包括步骤：磨板；开油；第一次油墨丝印；第一次预烤；第二次油墨丝印；第二次预烤；对位以及曝光；显影。上述厚铜印刷电路板的丝印方法，设置了两次油墨丝印。在第一次油墨丝印中，在基材区域上且紧贴铜制线路的边沿，形成包围铜制线路的油墨带，该油墨带用于减少厚度较大的铜制线路与基材表面之间的落差。第二次油墨丝印中，对铜制线路区域和基材区域进行覆盖性的油墨丝印。通过上述方法，解决了厚铜印刷电路板的铜制线路边沿处的油墨厚度不达标的问题，提高产品合格率。 | ||||||
| 238 | 一种散热组件 | CN201610220371.X | 2016-04-10 | CN105889768A | 2016-08-24 | 何忠亮 |
| 本发明公开了一种散热组件，包括第一基板和第一曲面，所述第一基板和第一曲面形成闭合腔体，所述第一基板具有印刷电路，用于给LED光源、IGBT模块等供电，所述腔体内充有透明导热介质，所述透明导热介质包围所述LED光源、IGBT模块等散热单元。所述腔体包括进液口和出液口，所述透明导热介质通过进液口和出液口循环流动。本发明改善了LED模组的散热能力和出光强度，大大提高了LED模组的寿命和效能。结构简单，便于制造，散热效率高，可以广泛用于大功率、需要灯光穿透力强的航标灯、集鱼灯、曝光灯和汽车大灯。 | ||||||
| 239 | 光掩模、图案转印方法以及平板显示器的制造方法 | CN201310153490.4 | 2013-04-27 | CN103383523A | 2013-11-06 | 吉川裕; 吉田光一郎 |
| 本发明提供光掩模、图案转印方法以及平板显示器的制造方法，能够形成微细且高精度的孔图案。光掩模具有通过对形成在透明基板上的至少半透光膜进行图案化而形成的包含透光部和半透光部的转印用图案，其中，透光部通过透明基板以5μm以下的宽度露出而形成，半透光部包围透光部，且由形成在透明基板上的半透光膜形成，半透光膜的相对于曝光光的代表波长的透射率为2%～60%、且相移量在90°以下。 | ||||||
| 240 | 电路板制作方法 | CN201010241323.1 | 2010-07-30 | CN102348330A | 2012-02-08 | 林钊文 |
| 一种电路板制作方法，包括步骤：提供覆铜基板，该覆铜基板具有成型区域以及包围该成型区域的边缘区域；在该覆铜基板的边缘区域形成至少一组对位标记，其中，每一组对位标记包括呈十字形排布的多个标记；在该覆铜基板上形成光致抗蚀剂层；提供光掩模，该光掩模具有与该至少一组对位标记对应的至少一个十字形对位图案；利用光学对位装置将该光掩模与覆铜基板进行对位，使该光掩模的至少一个十字形对位图案分别覆盖覆铜基板的至少一组对位标记；对该光致抗蚀剂层进行曝光；对该光致抗蚀剂层进行显影；以及对该覆铜基板进行蚀刻以在成型区域形成线路图形。 | ||||||
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