1.一种氧化铝荧光陶瓷材料，其特征在于主要由按质量百分比计的70-99%的基料氧化铝和1-30%的钙镁硅成分添加荧光粉经流延法制坯、再经烧结而成，其中所述的钙镁硅成分是指氧化镁或滑石粉与二氧化硅及碳酸钙的混合物，所述的荧光粉添加量以氧化铝和钙镁硅成分总质量计为10-30%但不等于10%。
2.根据权利要求1所述的一种氧化铝荧光陶瓷材料，其特征在于，所述的荧光粉性能满足：激发波长430-480nm、发光峰值550-558nm、相对亮度85-90%及密度3.7g/cm3以上。
3.根据权利要求1所述的一种氧化铝荧光陶瓷材料，其特征在于，所述的荧光粉D50为
5-20μm、氧化铝粉体粒径满足：D50为1-6μm、钙镁硅成分粉体粒径满足：D50为1-6μm。
4.一种氧化铝荧光陶瓷材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）按照质量百分比70-99%的基料氧化铝和1-30%的钙镁硅成分备料，将氧化铝和钙镁硅成分混合，混合粉料中加入部分分散剂进行球磨处理，然后加入溶剂先溶的粘结剂和余量分散剂，再加入荧光粉再次进行球磨处理，得到流延浆料，其中：分散剂的加入量以钙镁硅成分与氧化铝混合粉料质量计为0.1-1%，溶剂加入量以钙镁硅成分与氧化铝混合粉料质量计为15-45%，粘结剂加入量以钙镁硅成分与氧化铝混合粉料质量计为2-10%；所述的钙镁硅成分是指氧化镁或滑石粉与二氧化硅及碳酸钙的混合物，
（2）测定温度和粘度后的流延浆料，过滤后输入真空脱泡机进行脱泡处理，（3）再次测定温度和粘度后通过过滤器进行流延制备料带，
（4）料带做时效处理，温度控制在10℃-30℃ 之内，湿度控制在55±25%RH之间，放置时间1不多于一年，
（5）将上述步骤得到的料带根据需要加工处理成生坯基片，
（6）将上述生坯基片在最高温度为1500℃~1750℃的环境下进行烧结处理，得到熟坯基片，其中：温度从常温到1750℃，时间为10-45小时，
（7）将烧结成型后的熟坯基片进行表面喷砂处理，
（8）将经过上述步骤处理过的基片放置于最高温度为1200℃~1400℃的环境中进行抚平处理。
5.根据权利要求4所述的一种氧化铝荧光陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述的荧光粉性能满足：激发波长430-480nm、发光峰值550-558nm、相对亮度95-105%及密度3.7g/cm3以上；所述的荧光粉D50为5-20μm、氧化铝粉体粒径满足：D50为1-6μm、钙镁硅成分粉体粒径满足：D50为1-6μm。
6.根据权利要求4所述的一种氧化铝荧光陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述的溶剂采用甲苯或酒精；粘结剂采用PVB和PEG；分散剂采用W-S80。
7.根据权利要求4所述的一种氧化铝荧光陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述的球磨处理的时间两次一共为10-80小时。
8.根据权利要求4所述的一种氧化铝荧光陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述的步骤（2）中测定温度和粘度，应满足浆料温度为20-50℃、粘度在3000-20000CPS之间，过滤采用120目~500目的不锈钢过滤网，脱泡处理的时间≥2个小时；步骤（3）中再次测定温度和粘度，应满足浆料温度为20-45℃、粘度在5000-30000CPS之间，过滤器的过滤网目数大于50目。
9.根据权利要求4所述的一种氧化铝荧光陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述的步骤（5）中根据需要加工处理是指根据成品的尺寸和形状需要对生坯带加工处理。
10.根据权利要求1-3之一所述的一种氧化铝荧光陶瓷材料在照明材料中的应用，其特征在于，所述照明材料包括LED、COB。