Reforming processing method and apparatus of ceramics |
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申请号 | JP19840995 | 申请日 | 1995-08-03 | 公开(公告)号 | JP3764763B2 | 公开(公告)日 | 2006-04-12 |
申请人 | 恒雄 宇理須; 株式会社デンソー; | 发明人 | 崇 倉橋; 淳士 大原; 恒雄 宇理須; 吉孝 後藤; 雅夫 永久保; | ||||
摘要 | |||||||
权利要求 | セラミックス材料の表面を改質して所定パターンの導電部を形成するための方法であって、 前記セラミックス材料の表面に対して、前記所定パターンに対応したマスクを介して、エネルギー的に前記セラミックス材料の内殻電子を励起させることが可能な 、1フォトンあたり100eV内外の高エネルギーを有する高輝度短波長光ビームまたはそれとエネルギー的に等価な電子ビームを照射することにより、前記セラミックス材料の表面部に原子の内殻電子の励起に基づく反応を生じせしめ、酸素原子または窒素原子あるいは炭素原子を脱離させるようにしたことを特徴とするセラミックスの改質加工方法。 前記セラミックス材料の表面に対する短波長光ビームまたは電子ビームの照射を、特定のガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項1記載のセラミックスの改質加工方法。 前記セラミックス材料の表面に対する短波長光ビームまたは電子ビームの照射を、前記セラミックス材料の加熱状態または冷却状態にて行うことを特徴とする請求項1又は2記載のセラミックスの改質加工方法。 反射型マスク及び結像ミラーを用い、前記セラミックス材料に前記反射型マスクのパターンを縮小投影して所定パターンの導電部を形成することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のセラミックスの改質加工方法。 セラミックス材料の表面を改質して所定パターンの導電部を形成するための装置であって、 エネルギー的に前記セラミックス材料の内殻電子を励起させることが可能な 、1フォトンあたり100eV内外の高エネルギーを有する高輝度短波長光ビームまたはそれとエネルギー的に等価な電子ビームを出力する出力装置と、前記所定パターンに対応したマスク及び前記セラミックス材料を所定の位置関係を維持した状態に支持する支持装置と、前記出力装置から出力される短波長光ビームまたは電子ビームを前記マスクを介して前記セラミックス材料の表面に照射させるように前記支持装置の位置を制御する位置制御手段とを具備することを特徴とするセラミックスの改質加工装置。 前記セラミックス材料が収容される反応槽を備えると共に、その反応槽内を特定のガス雰囲気とするガス注入手段を備えることを特徴とする請求項5記載のセラミックスの改質加工装置。 前記セラミックス材料を加熱または冷却する温度調節手段を備えることを特徴とする請求項5又は6記載のセラミックスの改質加工装置。 前記マスクは反射型マスクからなると共に、その反射型マスクのパターンを結像ミラーを用いて前記セラミックス材料に縮小投影するように構成されていることを特徴とする請求項5ないし7のいずれかに記載のセラミックスの改質加工装置。 |
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说明书全文 | 【0001】 |