一种人造石

申请号 CN201710782716.5 申请日 2017-09-02 公开(公告)号 CN107445583A 公开(公告)日 2017-12-08
申请人 苏建; 发明人 苏建;
摘要 本 发明 所述一种人造石,其原料及原料重量百分含量如下:二甲基 乙醇 胺40-50%; 硅 烷 偶联剂 0.1-1%;促进剂0.1-3%; 固化 剂0.1-3%;邻苯二 甲酸 酐0.1-3%;纳米 二 氧 化硅 40-60%。本发明所述一种人造石,采用的组份均没有气味,无污染,对环境和人体没有伤害,在使用中不会产生收缩、 变形 等问题,而且废弃后对 水 质、 土壤 都无污染。
权利要求

1.一种人造石,其特征在于,其原料及原料重量百分含量如下:
二甲基乙醇胺40-50%;
偶联剂0.1-1%;
促进剂0.1-3%;
固化剂0.1-3%;
邻苯二甲酸酐0.1-3%;
纳米化硅40-60%。

说明书全文

一种人造石

技术领域

[0001] 本发明属于建筑材料技术领域,具体地说,涉及一种人造石及其制造方法。

背景技术

[0002] 近年来,随着国民经济的发展,人民生活质量的提高,人造石产品越来越被市场认可,随着这些产品大量的进入普通家庭、宾馆以及商务楼,它所带来的环境保护问题逐渐显现出来。
[0003] 目前市场上人造石产品其主材可分为两大类:第一类是有机物粘合,主材以砂岩粉或重质树脂聚合,其缺点是:有长年挥之不去的化学气味,对室内环境和人体具有一定的伤害,而且废弃后对质、土壤都将造成污染,其次其产品所产生的收缩、变形问题也无法解决。
[0004] 第二类是无机化合物,主要用于板材生产,其产品必须在窑内高温烧结成型,它的主要缺陷是弧形石材及造型类产品都不能加工。

发明内容

[0005] 本发明克服了现有技术中的缺点,提供了一种人造石及其制造方法,没有气味,无污染,对环境和人体没有伤害,而且其生产过程简单,易于加工,制造成本低。
[0006] 为了解决上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:一种人造石,其原料及原料重量百分含量如下:
二甲基乙醇胺40-50%;
偶联剂0.1-1%;
促进剂0.1-3%;
固化剂0.1-3%;
邻苯二甲酸酐0.1-3%;
纳米化硅40-60%。
[0007] 进一步,所述促进剂为钴系金属有机盐,所述固化剂为偶氮二异丁腈,所述邻苯二甲酸酐为乳化硅油或高碳醇脂肪酸酯复合物。
[0008] 进一步,所述二甲基乙醇胺为45%,硅烷偶联剂0.5%,促进剂2%,固化剂1%,邻苯二甲酸酐1.5%,纳米二氧化硅50%,所述纳米二氧化硅包括SiO273%,Al2O323%,Fe2O32%,纳米TiO22%,采用该组分,人造石在使用中不会产生收缩、变形等问题。
[0009] 一种人造石的制作方法:(1)、按配方组份在真空或常压下搅拌混合均匀;
(2)、将上述混合后的材料浇筑成型,或者将上述混合后的材料转移至真空压机压制成型,加热使其初步固化,然后升高温度进行后固化;
(3)、脱模、定厚、抛光,制得成品。
[0010] 进一步,在初步固化时的环境温度保持在50~90℃,后固化温度时的环境温度保持在80℃~140℃。
[0011] 进一步,在所述的步骤(2)中,所述的真空度为-0.03至-0.1MPa与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明所述一种人造石及其制造方法,采用的组份均没有气味,无污染,对环境和人体没有伤害,在使用中不会产生收缩、变形等问题,而且废弃后对水质、土壤都无污染。

具体实施方式

[0012] 下面将结合具体实施例来详细说明本发明,在此本发明的示意性实施例以及说明用来解释本发明,但并不作为对本发明的限定。
[0013] 实施例1:本发明所述一种人造石,其特征在于,其原料及原料重量百分含量如下:二甲基乙醇胺
45%、硅烷偶联剂0.5%、促进剂0.5%、固化剂1%、邻苯二甲酸酐2%、纳米二氧化硅51%。
[0014] 纳米二氧化硅按照重量百分含量包括SiO275%,Al2O322%,Fe2O31.5%,纳米TiO21.5%。
[0015] 在本实施例中,促进剂为钴系金属有机盐,固化剂为偶氮二异丁腈,邻苯二甲酸酐为乳化硅油。
[0016] 一种人造石的制作方法,包括以下步骤:(1)、按配方组份在真空或常压下搅拌混合均匀;
(2)、将上述混合后的材料浇筑成型,或者将上述混合后的材料转移至真空压机压制成型,真空度为-0.03至-0.1MPa,加热使其初步固化,在初步固化时的环境温度保持在50~90℃,然后升高温度进行后固化,后固化温度时的环境温度保持在80℃~140℃;
(3)、脱模、定厚、抛光,制得成品。
[0017] 以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
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