导电性膏以及太阳能电池 |
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| 申请号 | CN201380059833.9 | 申请日 | 2013-09-06 | 公开(公告)号 | CN104813414B | 公开(公告)日 | 2017-12-05 |
| 申请人 | 贺利氏贵金属北美康舍霍肯有限责任公司; | 发明人 | 竹井正道; | ||||
| 摘要 | 本 发明 提供一种 导电性 膏，至少含有Ag粉末等的导电性粉末、以Te、Bi、Zn为主成分的玻璃粉、和有机载体。玻璃粉中的Te、Bi以及Zn的三成分的含有摩尔量的总计换算成 氧 化物为95mol％以上。使用该导电性膏来形成受光面 电极 3。由此实现了在是非铅系的同时，适用于能使电极与 半导体 基板 问的 接触 电阻 以及电极的线路电阻两者较低的 太阳能 电池 的 电极形成 的导电性膏、以及使用该导电性膏而让 能量 变换效率高、电池特性良好的 太阳能电池 。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种导电性膏，用于形成太阳能电池的电极，其特征在于， |
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| 说明书全文 | 导电性膏以及太阳能电池技术领域背景技术[0002] 太阳能电池通常在半导体基板的一方的主面形成给定图案的受光面电极。另外，在除了所述受光面电极以外的半导体基板上形成反射防止膜，用所述反射防止膜抑制入射的太阳光的反射损耗，由此提升太阳光向电能的变换效率。 [0003] 所述受光面电极通常使用导电性膏如以下那样形成。即，导电性膏含有导电性粉末、玻璃粉(glass frit)、以及有机载体，在形成于半导体基板上的反射防止膜的表面涂布导电性膏，形成给定图案的导电膜。然后，在烧成过程中使玻璃粉熔融，将导电膜下层的反射防止膜分解、除去，由此烧结导电膜形成受光面电极，并使该受光面电极和半导体基板粘结，使两者导通。 [0004] 如此地烧成过程中将反射防止膜分解、除去、使半导体基板和受光面电极粘结方法被称作烧成贯通(fire through)，太阳能电池的变换效率较大依赖于烧成贯通性。即，已知若烧成贯通性不充分，则变换效率会降低，作为太阳能电池的基本性能变差。 [0005] 另外，在这种太阳能电池中，为了提高受光面电极和半导体基板的粘结强度，优选使用低软化点的玻璃粉。 [0006] 作为低软化点的玻璃粉，过去以来使用铅系的玻璃粉，但由于Pb的环境负荷较大，因此谋求代替铅系玻璃粉的新的材料的出现。 [0007] 另一方面，如上述那样太阳能电池的变换效率较大依赖于烧成贯通性，但若烧成贯通过剩地进行，烧结的受光面电极穿透反射防止膜而侵蚀到半导体基板，则有可能会招致电池特性的劣化。 [0009] 在该专利文献1中，由于含有碲系玻璃粉的导电性膏即使进行烧成处理，烧结后的受光面电极也不会深入侵蚀到半导体基板内部，因此烧成贯通性的控制容易，由此能实现在是非铅系的同时具有良好的电池特性的太阳能电池。 [0011] 另外，在这种太阳能电池中，为了使受光面电极与半导体基板间的接触电阻较低来提升变换效率，认为重要的是控制成为受光面电极的主成分的导电性粉末的烧结情形。即，在半导体基板与导电性粉末间存在热收缩率的差，相关的热收缩率的差成为阻碍接触电阻的减低化的主要原因。而且，为了缩小热收缩率的差，需要控制导电性粉末的烧结情形。为此，一直以来，通过在导电性膏中添加添加剂来控制导电性粉末的烧结情形，使受光面电极与半导体基板间的接触电阻较低。 [0012] 例如在专利文献2中，提出一种太阳能电池元件的电极形成用导电性膏，在含有导电性粒子、有机粘合剂、溶剂、玻璃粉、和低熔点金属的太阳能电池元件的电极形成用导电性膏中，低熔点金属是Te或Se，含有0.01～10wt％的该Te或Se。 [0013] 在该专利文献2中，除了以Bi2O3为主成分的Bi-B-Ba系等的玻璃粉以外，还另外含有作为低熔点金属的Te、Se，由此来抑制接触电阻增大。 [0014] 即，若使导电性膏中含有低熔点金属并在大气气氛中烧成，则由于低熔点金属变得易于氧化，因此在导电性膏的烧成过程中，容易在导电性粒子的表面形成氧化被膜。并且在专利文献2中，通过如此地在导电性粒子的表面形成氧化被膜，抑制了导电性粒子的过剩的烧结，由此使导电性粉末的热收缩情形接近于半导体基板的热收缩情形，抑制了半导体基板与受光面电极间的接触电阻增大。 [0015] 先行技术文献 [0016] 专利文献 [0018] 专利文献2：JP特许第4754655号公报(权利要求1、段落编号〔0039〕等〕 [0019] 发明的概要 [0020] 发明要解决的课题 [0021] 但是，在专利文献1中，由于使用含有碲系玻璃粉的导电性膏而使受光面电极与半导体基板的接触电阻较低，由此虽然改善了太阳能电池的电池特性，但接触电阻依赖于玻璃粉的组成。即，由于接触电阻受到氧化碲、其它添加物(氧化钨、氧化钼等)的影响，因此难以稳定地将接触电阻维持得较低。 [0022] 另外，在通过使氧化碲含有各种添加物来成为接触电阻高的组成的情况下，能通过另外添加ZnO、ZrO等来降低接触电阻。 [0023] 但是，这种情况下，由于受光面电极的线路电阻增大，因此变得难以得到有所期望的高变换效率的太阳能电池。 [0024] 另外，在专利文献2中，虽然通过除了玻璃粉以外另外添加Te、Se来谋求接触电阻的减低化，但由于Te、Se等的低熔点金属作为抑制电极的过剩的烧结的烧结抑制剂而被含有，因此不能使线路电阻充分低，与专利文献1同样，难以得到有所期望的高变换效率的太阳能电池。 发明内容[0025] 本发明鉴于这样的状况而提出，目的在于提供一种是非铅系的同时，适于能使电极与半导体基板间的接触电阻以及电极的线路电阻两者较低的太阳能电池的电极形成的导电性膏、以及使用该导电性膏而让能量变换效率高、电池特性良好的太阳能电池。 [0026] 用于解决课题的手段 [0027] 本发明者为了达成上述目的而进行了锐意研究的结果，获得如下见解：通过按照玻璃粉中的Te、Bi以及Zn的三成分的总量换算成氧化物换算成为95mol％以上的方式调制导电性膏，烧结该导电性膏来形成电极，能使电极与半导体基板间的接触电阻以及电极的线路电阻两者较低，由此能得到能量变换效率高、电池特性良好的太阳能电池。 [0028] 本发明基于这样的见解而提出，本发明所涉及的导电性膏用于形成太阳能电池的电极，特征在于，所述导电性膏至少含有导电性粉末、以Te、Bi以及Zn为主成分的玻璃粉、和有机载体，所述玻璃粉中的所述Te、所述Bi以及所述Zn的含有摩尔量的总计换算成氧化物为95mol％以上。 [0029] 另外，本发明的导电性膏优选：将所述玻璃粉中的所述Te、所述Bi以及所述Zn的各含有摩尔量分别换算成氧化物，Te为35～89mol％，Bi为1～20mol％，以及Zn为5～50mol％。 [0030] 由此能容易地玻璃化，通过烧结过程中的Te、Bi、Zn的各玻璃成分的作用，能得到能制作接触电阻以及电极的线路电阻两者低、电池特性良好的太阳能电池的导电性膏。 [0031] 另外，本发明的导电性膏优选：在所述玻璃粉中含有包含从Si、B、Al、Zr、Ba、Mo、以及La的群选出的至少1种元素的添加剂。 [0032] 由此能实现化学耐久性的提升和玻璃粉的热物性的容易调整。 [0033] 另外，本发明的导电性膏优选：所述添加剂的所述玻璃粉中的含有量不足5mol％。 [0034] 由此，能不招致接触电阻的增加和线路电阻的增加地提升化学耐久性。 [0035] 另外，本发明的导电性膏优选：所述玻璃粉的含有量为1～10wt％。 [0036] 由此，能得到电极与半导体基板间的接合性良好且焊料附着性良好的导电性膏。 [0037] 另外，本发明的导电性膏优选：所述导电性粉末是Ag粉末。 [0038] 由此，即使在大气中烧成导电性膏也能得到有良好的导电性的电极。 [0039] 另外，本发明所涉及的太阳能电池特征在于，在半导体基板的一方的主面形成反射防止膜以及贯通该反射防止膜的电极，所述电极烧结上述任一者记载的导电性膏而成。 [0040] 发明的效果 [0041] 根据本发明的导电性膏，由于至少含有导电性粉末、以Te、Bi以及Zn为主成分的玻璃粉、和有机载体，且所述玻璃粉中的所述Te、所述Bi以及所述Zn的含有摩尔量的总计换算成氧化物为95mol％以上，因此在烧成过程中，玻璃粉在比较低温下晶化，能抑制相关的晶化物介于导电性粉末间而存在导致的电极的过剩的烧结。并且，由于由此导电性粉末的收缩情形接近于半导体基板的收缩情形，因此能使半导体基板与电极间的接触电阻较低。然后，若之后使烧成温度上升，则在电极和半导体基板接触后晶化物再熔融而流动化，由此促进了导电性粉末的烧结，能使烧结后的电极的线路电阻较低。 [0042] 如此，作为本导电性膏，能使电极与半导体基板间的接触电阻以及电极的线路电阻的两者较低。 [0043] 另外，根据本发明的太阳能电池，由于在半导体基板的一方的主面形成反射防止膜以及贯通该反射防止膜的电极，所述电极烧结上述任一者记载的导电性膏而成，因此能使电极与半导体基板间的接触电阻以及电极的线路电阻两者较低，由此能得到能量变换效率高、电池特性良好的太阳能电池。附图说明 [0044] 图1是表示使用本发明所涉及的导电性膏制造的太阳能电池的1个实施方式的主要部分截面图。 [0045] 图2是示意地表示受光面电极侧的放大俯视图。 [0046] 图3是示意地表示背面电极侧的放大底视图。 具体实施方式[0047] 接下来详细说明本发明的实施方式。 [0048] 图1是表示使用本发明所涉及的导电性膏制造的太阳能电池的1个实施方式的主要部分截面图。 [0049] 该太阳能电池在以Si为主成分的半导体基板1的一方的主面形成反射防止膜2以及受光面电极3，并且在该半导体基板1的另一方的主面形成背面电极4。 [0050] 半导体基板1具有p型半导体层1b和n型半导体层1a，在p型半导体层1b的上表面形成n型半导体层1a。 [0051] 例如能通过使杂质扩散到单晶或多晶的p型半导体层1b的一方的主面，形成薄的n型半导体层1a，由此形成该半导体基板1，但只要是在p型半导体层1b的上表面形成n型半导体层1a即可，其结构以及制法没有特别的限定。另外，半导体基板1也可以使用在n型半导体层的一方的主面形成薄的p型半导体层的结构、或在半导体基板1的一方的主面的一部分形成p型半导体层和n型半导体层这两者的结构。总之，只要是形成反射防止膜2的半导体基板1的主面，就能有效地使用本发明所涉及的导电性膏。 [0052] 另外，在图1中，将半导体基板1的表面记载为平坦状，为了有效果地将太阳光封入半导体基板1，有微小凹凸结构地形成表面。 [0053] 反射防止膜2由氮化硅(SiNx)等的绝缘性材料形成，抑制箭头A所示的太阳光在受光面的反射，迅速且效率良好地将太阳光引导到半导体基板1。作为构成该反射防止膜2的材料，并不限定于上述的氮化硅，也可以使用其它绝缘性材料、例如氧化硅或氧化钛，也可以并用2种类以上的绝缘性材料。另外，若是结晶Si系，则也可以使用单晶Si以及多晶Si的任一者。 [0054] 受光面电极3在半导体基板1上贯通反射防止膜2而形成。使用丝网印刷等将后述的本发明的导电性膏涂布在半导体基板1上来制作导电膜，并进行烧成，由此形成该受光面电极3。即，在形成受光面电极3的烧成过程中，将导电膜下层的反射防止膜2分解、除去，从而烧成贯通，由此以贯通反射防止膜2的形态在半导体基板1上形成受光面电极3。 [0055] 受光面电极3具体如图2所示那样梳齿状地并设众多指电极5a、5b、…5n，并与指电极5a、5b、…5n交叉状地设置母线电极6，将指电极5a、5b、…5n和母线电极6电连接。然后，在除了设置受光面电极3的部分以外的剩余的区域形成反射防止膜2。如此由指电极5a、5b、…5n将在半导体基板1产生的电力集电，并由母线电极6取出到外部。 [0056] 背面电极4具体如图3所示那样，由形成在p型半导体层1b的背面的由Al等构成的集电电极7、和与该集电电极7电连接的由Ag等构成的取出电极8构成。并且，将在半导体基板1产生的电力集电在集电电极7，由取出电极8取出电力。 [0057] 接下来详述用于形成受光面电极3的本发明的导电性膏。 [0058] 本发明的导电性膏至少含有导电性粉末、以Te、Bi以及Zn为主成分的Te-Bi-Zn系的玻璃粉、和有机载体。 [0059] 并且，所述玻璃粉中的所述Te、所述Bi以及所述Zn的三成分的含有摩尔量的总计换算成氧化物为95mol％以上。 [0060] 由此，能使受光面电极3与半导体基板1间的接触电阻以及电极的线路电阻两者较低，能得到能量变换效率高、电池特性良好的太阳能电池。 [0061] 以Te、Bi、以及Zn为主成分的玻璃粉在烧成过程中，在比较低温的温度区域晶化而析出晶化物，之后若提高烧成温度，则再熔融。 [0062] 具体来说，以Te、Bi、以及Zn的三成分为主成分的玻璃粉在烧成过程中，在比较低温的温度区域(例如400～500℃)玻璃粉晶化，析出含有三成分中的至少二成分的复合氧化物(例如Zn2Te3O8、Bi2Te4O11、Bi2Te2O7等)的晶化物。然后，通过使由该复合氧化物构成的晶化物介于导电性粉末间存在，能抑制受光面电极3的过剩的烧结。然后，其结果，导电性粉末的收缩情形接近于半导体基板1的收缩情形，由此能使半导体基板1与受光面电极3间的接触电阻较低。 [0063] 之后使烧成温度上升，在受光面电极3和半导体基板1接触后，在达到给定的高温区域(例如540～750℃)时，上述晶化物再熔融，流动化。然后，由此促进了导电性粉末的烧结，能形成线路电阻低的受光面电极。 [0064] 如此在本导电性膏中，由于能使接触电阻以及线路电阻两者较低，因此通过使用该导电性膏，能得到能量变换效率高、电池特性良好的太阳能电池。 [0065] 其中，在玻璃粉中也可以含有上述三成分(Te、Bi、Zn)以外的成分，但需要使所述玻璃粉中的上述三成分的含有摩尔量的总计换算成氧化物为95mol％以上。 [0066] 若所述玻璃粉中的上述三成分的含有摩尔量的总计不足95mol％，则上述三成分以外的成分的含有量变多，为此有可能会生成含有三成分以外的成分的晶化物。然后，其结果不能充分地使接触电阻或电极的线路电阻较低，不再能得到有所期望的高的能量变换效率的太阳能电池。 [0067] 另外，上述三成分的玻璃粉中的各含有摩尔量并没有特别的限定，但从实现所期望的玻璃化的观点出发，优选关于Te，换算成TeO2为35～89mol％，关于Bi，换算成Bi2O3为1～20mol％，关于Zn，换算成ZnO为5～50mol％。 [0068] 另外，如上述那样除了上述三成分以外也可以含有添加物，特别地，通过含有含Si、B、Al、Zr、Ba、Mo、La的化合物，进而含有P、V、Ti、Li、Na、K、Mg、Sr、Ca、Ce、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Nb、Ta、W、Pd、Ag、Ru、Sn、In、Y、Dy等，能提升化学耐久性，另外能容易地进行玻璃粉的热物性的调整。 [0069] 其中，在使玻璃粉中含有这些添加物的情况下，优选其含有摩尔量不足5mol％，更优选不足3mol％。 [0070] 若这些添加物的含有摩尔量在玻璃粉中超过5mol％，则反而会招致化学耐久性的降低，进而由于Te、Bi、以及Zn的含有摩尔量的总计在玻璃粉中降低到不足95mol％，因此在烧成过程中会生成上述的复合氧化物以外的晶化物，导电性粉末示出过剩的烧结反应等、导电性粉末的收缩情形改变，有可能会招致接触电阻的增大或线路电阻的增大。 [0072] 另外，导电性膏中的玻璃粉的含有量并没有特别的限定，优选1～10wt％，更优选为1～5wt％。即，若玻璃粉的含有量不足1wt％，则电极与半导体基板的接合性有可能会降低，若玻璃粉的含有量超过10wt％，则在烧成后的电极表面过剩地存在玻璃成分而会招致焊料附着性的降低。 [0073] 作为导电性粉末，只要是有良好的导电性的金属粉即可，没有特别的限定，优选使用在大气中进行烧成处理的情况下也不氧化、能维持良好的导电性的Ag粉末。另外，该导电性粉末的形状并没有特别的限定，例如可以是球形状、扁平状、不定形形状、或它们的混合粉。 [0074] 另外，导电性粉末的平均粒径也没有特别的限定，从在导电性粉末与半导体基板1间确保所期望的接触点的观点出发，优选换算成球形粉为0.5～5.0μm。 [0075] 另外，导电性膏中的导电性粉末的含有量并没有特别的限定，优选为80～95wt％。若导电性粉末的含有量不足80wt％，则电极的膜厚变薄，成为线路电阻增加的倾向。另一方面，若导电性粉末的含有量超过95wt％，则有机载体等的含有量变少而有可能难以膏化。 [0076] 调制有机载体，使得粘合剂树脂和有机溶剂例如体积比率成为1∶9到3∶7的范围。另外，作为粘合剂树脂，并没有特别的限定，例如能使用乙基纤维素树脂、硝化纤维素树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、或它们的组合。另外，关于有机溶剂并没有特别的限定，能单独或组合使用酯醇(TEXANOL)、α-萜品醇、二甲苯、甲苯、二乙二醇单丁醚、二乙二醇单丁醚醋酸酯、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单乙醚醋酸酯等。 [0079] 如此在本实施方式中，至少含有Ag等的导电性粉末、以Te、Bi以及Zn为主成分的玻璃粉、和有机载体，由于所述玻璃粉中的所述Te、所述Bi以及所述Zn的含有摩尔量换算成氧化物总计为95mol％以上，因此在烧成过程中，玻璃粉在比较低温下晶化，抑制了相关的晶化物介于导电性粉末间而存在引起的电极的过剩的烧结。由此导电性粉末的收缩情形接近于半导体基板1的收缩情形，因此能使半导体基板1与受光面电极3间的接触电阻较低。然后，之后使烧成温度上升，在受光面电极3与半导体基板1接触后，晶化物再熔融而流动化，由此促进了导电性粉末的烧结，能使烧结后的电极的线路电阻较低。 [0080] 如此，在本导电性膏中，能使受光面电极3与半导体基板1间的接触电阻以及电极的线路电阻两者较低。 [0081] 并且，由于本太阳能电池在半导体基板1的一方的主面形成反射防止膜2以及贯通该反射防止膜2的受光面电极3，受光面电极3烧结上述导电性膏而成，因此能使受光面电极3与半导体基板1间的接触电阻以及受光面电极3的线路电阻两者较低，由此能得到能量变换效率高、电池特性良好的太阳能电池。 [0082] 另外，本发明并不限定于上述实施方式。在上述实施方式中将导电性膏使用在受光面电极的形成用途中，但也可以使用在背面电极的形成用途中。 [0083] 接下来具体说明本发明的实施例。 [0084] 实施例 [0085] 〔样本的制作〕 [0086] (导电性膏的制作) [0087] 作为玻璃素材准备TeO2、Bi2O3、ZnO、Al2O3、ZrO2、SiO2、B2O3、BaO、MoO3、La2O3，成为表1所示那样的配合量地秤量这些玻璃素材，并进行调制，制作样本编号1～14的玻璃粉。 [0088] [表1] [0089] [0090] 另外，作为导电性粉末准备平均粒径1.6μm的球形Ag粉末。 [0091] 接下来制作有机载体。即，混合乙基纤维素树脂和酯醇，使得作为粘合剂树脂乙基纤维素树脂为10wt％，作为有机溶剂酯醇为90wt％，制作有机载体。 [0092] 然后，按照Ag粉末为86.0wt％、玻璃粉为3.0wt％的方式，将它们和脂肪酸酰胺、脂肪酸等的流变调节剂以及有机载体一起配合，在用行星搅拌机混合后，用三辊研磨机混匀，由此制作样本编号1～13的导电性膏。 [0093] 另外，使用样本编号14的玻璃粉，按照Ag粉末为86.0wt％、玻璃粉为3.0wt％、TeO2为3.0wt％的方式将它们和脂肪酸酰胺、脂肪酸等的流变调节剂以及有机载体一起配合，用行星搅拌机混合，之后用三辊研磨机混匀，由此制作样本编号14的导电性膏。 [0094] (太阳能电池单元的制作) [0095] 在纵50mm、横50mm、厚度0.2mm的单晶的Si系半导体基板的表面全域用等离子化学气相沉积法(PECVD)形成膜厚0.1μm的反射防止膜。另外，该Si系半导体基板使P扩散到p型Si系半导体层的一部分，由此在p型Si系半导体层的上表面形成n型Si系半导体层。 [0096] 接下来，准备以Al为主成分的Al膏、以及以Ag为主成分的Ag膏。然后，在所述Si系半导体基板的背面适宜涂敷Al膏以及Ag膏，使它们干燥来形成背面电极用导电膜。 [0097] 接下来，使用上述导电性膏进行丝网印刷，使得烧成后的膜厚成为20μm地在Si系半导体基板的表面涂布导电性膏，制作受光面电极用导电膜。 [0098] 接下来，将各样本放入设定到温度150℃的烘箱中，使导电膜干燥。 [0099] 之后，使用传送带式近红外炉(“デスパツチ社”制、CDF7210)，调整输送速度，使得样本在入口～出口间以约1分钟输送，在大气气氛下，以最高烧成温度760～800℃烧成，烧结导电性膏来制作形成了受光面电极的样本编号1～14的太阳能电池单元。另外，将最高烧成温度设为760～800℃是因为根据膏组成的不同最佳的最高烧成温度不同的缘故。 [0100] 〔样本的评价〕 [0101] 对样本编号1～14的各样本使用太阳模拟器(“英弘精機社”制、SS-50XIL)，在温度25℃、AM(air mass)-1.5的条件下测定电流-电压特性曲线，从该电流-电压特性曲线求取以数式(1)表征的填充因子FF(曲线因子；Fill Factor)。 [0102] FF＝Pmax/(Voc×Isc)...(1) [0105] η＝Pmax/(A×E)...(2) [0106] 表2表示样本编号1～14的各样本的膏组成、填充因子FF、以及变换效率η。 [0107] [表2] [0108] [0109] *为本发明范围外 [0110] 样本编号11的填充因子FF低到0.755，变换效率η低到16.12％。认为这是因为，虽然在玻璃粉中含有TeO2、Bi2O3、以及ZnO，但它们的含有摩尔量的总计在玻璃粉中少到93.5mol％，MoO3过剩含有到6.5mol％，从而生成除了含有Te、Bi、Zn以外还含有Mo的晶化物，为此不能抑制导电性粉末的过剩的烧结。 [0111] 样本编号12由于在玻璃粉中取代Bi2O3而含有La2O3，因此填充因子FF低到0.752，变换效率η低到16.08％。 [0112] 样本编号13由于在玻璃粉中取代ZnO而含有MoO3，因此填充因子FF低到0.712，变换效率η低到15.21％。 [0113] 样本编号14由于在专利文献2所记载的Bi-B-Ba系玻璃粉另外添加了TeO2，因此不能使线路电阻较小，填充因子FF低到0.733，变换效率η也低到15.67％。 [0114] 与此相对，样本编号1～10虽然微量地含有Al2O3、ZrO2、SiO2、B2O3、BaO等的添加物，但由于TeO2、ZnO、Bi2O3的含有摩尔量的总计在玻璃粉中为95mol％以上，因此能使接触电阻较低，线路电阻也较低，其结果可知，能得到填充因子FF为良好的0.769～0.781、变换效率η也为16.44～16.77％的高变换效率的太阳能电池。 [0115] 产业上的利用可能性 [0116] 即使使用非铅系导电性膏，也能使电极与半导体基板间的接触电阻以及电极的线路电阻两者较低，由此能得到能量变换效率高的太阳能电池。 [0117] 标号的说明 [0118] 1 半导体基板 [0119] 2 反射防止膜 [0120] 3 受光面电极(电极) |
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