1.一种紫外发光二极管，包括：
n型半导体层；
布置在所述n型半导体层上的有源层；
布置在所述有源层上并且由p型AlGaN形成的p型半导体层；以及
布置在所述p型半导体层上并且由掺杂了p型掺杂剂的石墨烯形成的p型石墨烯层。
2.权利要求1的紫外发光二极管，其中所述p型石墨烯层构造为降低接触电阻并且使紫外线透射率最大化。
3.权利要求2的紫外发光二极管，其中所述p型石墨烯层对于280nm波长的紫外光具有90%或更大的透射率。
4.权利要求2的紫外发光二极管，其中所述p型石墨烯层与所述p型半导体层之间的-4 2
接触电阻是10 ohm/cm 或更小。
5.权利要求2的紫外发光二极管，其中所述p型掺杂剂是HNO3和AuCl3中的至少一种。
6.权利要求2的紫外发光二极管，其中所述p型石墨烯层具有纳米结构。
7.权利要求6的紫外发光二极管，其中所述纳米结构的截面具有三角形单元结构。
8.权利要求6的紫外发光二极管，其中所述纳米结构的截面具有矩形单元结构。
9.权利要求6的紫外发光二极管，其中所述p型半导体层的上表面与所述p型石墨烯层的纳米结构对应。
10.权利要求2的紫外发光二极管，还包括布置在所述p型石墨烯层上的反射层，所述反射层构造为反射从所述有源层发射的紫外光。
11.权利要求10的紫外发光二极管，其中用于形成所述反射层的材料包括金属。
12.权利要求2的紫外发光二极管，还包括布置在所述p型半导体层与所述p型石墨烯层之间的p型接触层，所述p型接触层包含p-GaN，
其中所述p型接触层的厚度为20nm或更小。
13.权利要求2的紫外发光二极管，其中所述有源层发射具有从200nm至400nm的波长范围的光。
14.一种紫外发光二极管，包括：
n型半导体层；
布置在所述n型半导体层上的有源层；
布置在所述有源层上并且包括p型AlGaN的p型半导体层；以及
布置在所述p型半导体层上并且包括掺杂了p型掺杂剂的石墨烯量子点的p型石墨烯量子点层。
15.权利要求14的紫外发光二极管，其中所述p型半导体层上表面具有纳米结构。
16.一种形成紫外发光二极管的方法，包括步骤：
在衬底上形成n型半导体层；
在所述n型半导体层上形成有源层；
在所述有源层上形成p型半导体层；以及
在所述p型半导体层上形成p型石墨烯层，
其中：
所述p型半导体层由p型AlGaN形成；并且
所述p型石墨烯层由掺杂了p型掺杂剂的石墨烯形成。
17.权利要求16的方法，其中所述p型石墨烯层构造为降低接触电阻并且使得紫外线透射率最大化。
18.权利要求17的方法，其中所述p型石墨烯层对于280nm波长的紫外光具有90%或更大的透射率。
19.权利要求17的方法，还包括步骤：在所述p型石墨烯层上形成反射层，其中所述反射层构造为反射从所述有源层发射的紫外光。
20.权利要求17的方法，还包括步骤：在所述p型半导体层与所述p型石墨烯层之间形成p型接触层，所述p型接触层包含p-GaN，
其中所述p型接触层的厚度为20nm或更小。