1.一种电子装置，其包含：
第一衬底，其包含包括至少大致彼此平行地延伸穿过所述第一衬底的一部分的多个导电迹线的电路、定位于所述第一衬底的表面上且包含在所述多个导电迹线中的至少两者上方延伸的宽度的多个接合垫及从邻近所述多个导电迹线中的至少一些导电迹线延伸到所述多个接合垫中的接合垫的多个通孔；
第二衬底，其接合到所述第一衬底，所述第二衬底包含借助多个导电凸块耦合到所述第一衬底上的所述多个接合垫的电路。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述多个导电迹线包含多个磁性移位寄存器，所述多个磁性移位寄存器包含多个域，且所述多个通孔包含多个磁性隧穿结。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第二衬底的所述电路包含电荷泵、解码及寻址电路、读出放大器及I/O电路中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述多个导电迹线是以小于100纳米的间距
2
安置的，且其中所述多个接合垫各自包含2,000μm 或更大的面积。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述多个接合垫中的至少一个接合垫包含：
第一二极管，其沿第一方向偏置且邻近于上部导电垫及第一下部导电垫，所述第一下部导电垫耦合到所述多个通孔中的一通孔；及
第二二极管，其沿第二相反方向偏置且邻近于所述上部导电垫及第二下部导电垫，所述第二下部导电垫耦合到所述多个通孔中的另一通孔。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
所述多个接合垫是以包含接合光栅图案及接合移位图案中的一者的图案定位于所述第一衬底的所述表面上；且
所述接合垫包含选自由正方形、矩形、六边形及三角形组成的群组的至少一个形状。
7.一种包含第一衬底的存储器装置，所述第一衬底包含：
多个磁性轨道，其包含多个域；
多个磁性隧穿结，其接近于所述多个磁性轨道且延伸到邻近所述第一衬底的表面的位置；及
多个接合垫，其位于所述第一衬底的所述表面上，所述多个接合垫中的每一接合垫电耦合到所述多个磁性隧穿结中的一磁性隧穿结。
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其进一步包含第二衬底，所述第二衬底包含支持电路，所述第二衬底借助多个导电凸块接合到所述多个接合垫。
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述第二衬底的所述支持电路包含电荷泵、解码及寻址电路、读出放大器及I/O电路中的至少一者。
10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述多个接合垫中的至少一个接合垫包含：
上部导电垫，其耦合到第一二极管及第二二极管，所述第一二极管沿与所述第二二极管的偏置相反的方向偏置；
第一下部导电垫，其耦合到所述第一二极管且耦合到多个通孔中的一通孔；及第二下部导电垫，其耦合到所述第二二极管且耦合到所述多个通孔中的另一通孔。
11.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述多个接合垫中的接合垫包含在所述多个磁性轨道中的至少两个磁性轨道上方延伸的宽度。
12.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述接合垫经配置以包含由正方形、矩形、六边形及三角形中的至少一者组成的形状。
13.一种形成电子装置的方法，其包含：
形成第一衬底，所述第一衬底包含延伸穿过其一部分的多个导电迹线、从邻近所述多个导电迹线中的至少一些导电迹线延伸到所述第一衬底的表面的多个通孔及位于所述第一衬底的所述表面上且邻近于所述多个通孔中的一通孔的多个接合垫，所述多个接合垫中的每一接合垫包含在所述多个导电迹线中的至少两个导电迹线上方延伸的宽度；
形成第二衬底，所述第二衬底包含电路；
借助多个导电凸块将第二衬底附接到所述第一衬底，所述多个导电凸块耦合到所述第一衬底的第一表面上的所述多个接合垫且耦合到所述第二衬底的所述电路。
14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述第一衬底进一步包含：
将所述多个导电迹线形成为多个磁性移位寄存器，每一磁性移位寄存器包含多个域；
及
形成配置为磁性隧穿结的所述多个通孔。
15.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述第一衬底包含在低于约450℃的温度下形成所述第一衬底，且其中形成所述第二衬底包含在高于约450℃的温度下形成所述第二衬底。
16.根据权利要求13所述的方法，其中形成包含位于所述第一衬底的所述表面上的所述多个接合垫的所述第一衬底包含形成包含选自由正方形、矩形、六边形及三角形组成的形状群组的至少一个形状的所述多个接合垫。
17.根据权利要求13所述的方法，其中形成包含位于所述第一衬底的所述表面上的所述多个接合垫的所述第一衬底包含以包含接合光栅图案及接合移位图案中的一者的图案将所述多个接合垫定位于所述第一衬底的所述表面上。
18.根据权利要求13所述的方法，其中形成包含位于所述第一衬底的所述表面上的所述多个接合垫的所述第一衬底包含：
安置耦合到所述多个通孔中的一通孔的第一下部导电垫；
安置耦合到所述多个通孔中的另一通孔的第二下部导电垫；
在所述第一下部导电垫上安置沿第一方向偏置的第一二极管；
在所述第二下部导电垫上安置沿第二相反方向偏置的第二二极管；及
在所述第一二极管及所述第二二极管上方安置上部导电垫。
19.一种形成存储器装置的方法，其包含：
在第一衬底中形成多个导电迹线，所述多个导电迹线配置为包含多个域的磁性移位寄存器；
形成多个通孔，所述多个通孔包含从所述第一衬底的表面延伸到接近所述多个磁性移位寄存器的磁性隧穿结；
形成多个接合垫，所述多个接合垫中的每一接合垫耦合到所述多个通孔中的一通孔。
20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包含：
在第二衬底中形成支持电路；及
借助多个导电凸块将所述第二衬底中的所述支持电路耦合到所述第一衬底的所述多个接合垫。
21.根据权利要求20所述的方法，其中在所述第二衬底中形成所述支持电路包含形成电荷泵、解码及寻址电路、读出放大器及I/O电路中的至少一者。
22.根据权利要求19所述的方法，其中形成所述多个接合垫包含将所述多个接合垫图案化为包含接合光栅图案及接合移位图案中的一者。
23.根据权利要求19所述的方法，其中形成所述多个接合垫包含以选自由正方形、矩形、六边形及三角形组成的列表的至少一个形状来配置所述多个接合垫。
24.根据权利要求19所述的方法，其中形成所述多个接合垫包含形成多个接合垫，每一接合垫包含：
第一二极管，其沿第一方向偏置，耦合到与所述多个通孔中的一通孔电接触的第一下部导电垫；
第二二极管，其沿第二相反方向偏置，耦合到与所述多个通孔中的另一通孔电接触的第二下部导电垫；及
上部导电垫，其耦合到所述第一二极管及所述第二二极管。
25.一种系统，其包含：
至少一个处理器；及
至少一个存储器装置，其耦合到所述处理器，所述至少一个存储器装置包含：
第一衬底，其包含包括多个域的多个磁性轨道、接近于所述多个磁性轨道且延伸到邻近所述第一衬底的表面的位置的多个磁性隧穿结及位于所述第一衬底的所述表面上的多个接合垫，所述多个接合垫中的每一接合垫电耦合到所述多个磁性隧穿结中的一磁性隧穿结；及
第二衬底，其包含支持电路，所述第二衬底借助多个导电凸块接合到所述多个接合垫。