1.一种整流天线设备，包括：
一对电极结构；以及
至少一个纳米结构二极管，所述至少一个纳米结构二极管至少接触所述对中的第一电极结构并且至少邻近所述对中的第二电极结构，
其中，所述对中的至少一个电极结构接收AC辐射，并且所述至少一个纳米结构二极管至少部分地对所述AC辐射产生的电流进行整流。
2.如权利要求1所述的设备，还包括至少一个用于接收和增强所述AC辐射，使得所述对中的至少一个电极结构接收所述增强的辐射的介电共振器。
3.一种整流天线系统，包括多个整流天线设备，其中所述整流天线设备中的至少一个是如权利要求1或2所述的整流天线设备。
4.如权利要求3所述的系统，其中，所述多个整流天线设备设置成接收两个极化。
5.如权利要求1至3中任一项所述的设备或系统，其中，所述电极结构至少部分地由不同的导电材料制成。
6.如权利要求1至5中任一项所述的设备或系统，其中，所述至少一个纳米结构二极管接触所述对中的两个电极结构。
7.如权利要求1至3中任一项所述的设备或系统，其中，所述电极结构由相同的导电材料制成。
8.如权利要求1至5中任一项所述的设备或系统，其中，所述至少一个纳米结构二极管接触所述对中的一个电极结构而不接触所述对中的另一个电极结构。
9.如权利要求1至7中任一项所述的设备或系统，其中，所述设备还包括至少一个被基本垂直于由所述一对电极结构限定的假想轴线而定向的附加的电极结构。
10.如权利要求1至9中任一项所述的设备或系统，其中，所述电极结构被成形为确保不对称电性配置的间隙分开。
11.如权利要求1至9中任一项所述的设备或系统，其中，所述对中的所述电极结构基本是平面的并且以部分重叠的方式设置，其中所述设备还包括介电层，所述介电层用于确保所述对中的所述电极结构之间没有电接触，并且其中所述至少一个纳米结构二极管接触所述对中的一个电极结构并与所述对中的另一个电极结构重叠。
12.如权利要求11所述的设备或系统，其中，所述介电层是穿孔的。
13.一种制造整流天线设备的方法，包括：
在基底上沉积第一电极结构；
在所述基底上沉积第二电极结构，从而形成一对电极结构，所述一对电极结构至少部分地暴露并且之间没有接触；以及
在所述对中的至少一个的暴露部分上沉积至少一个纳米结构，从而形成至少一个至少与所述一对电极结构中的第一电极结构接触并至少邻近所述一对电极结构中的第二电极结构的纳米结构二极管。
14.如权利要求13所述的方法，还包括在所述基底上以使得所述至少一个纳米结构二极管将所述第一电极结构与所述附加的电极结构相互连接的方式沉积附加的电极结构，。
15.如权利要求13所述的方法，其中，所述附加的电极结构被基本垂直于由所述第一电极结构和所述第二电极结构限定的假想轴线而定向.
16.如权利要求13所述的方法，还包括对所述附加的电极结构施加电场，从而使所述至少一个纳米结构二极管的端头燃烧，因此防止所述至少一个纳米结构二极管与所述第二电极结构之间的接触。
17.如权利要求13至16中任一项所述的方法，其中，所述第一电极结构和所述第二电极结构被横向移位一间隙。
18.如权利要求13至16中任一项所述的方法，还包括在所述第二电极结构的所述沉积之前沉积介电层，使得所述介电层部分地覆盖所述第一电极结构，其中所述第二电极结构沉积到所述介电层上，使得所述第二电极结构部分地覆盖所述第一电极结构，并且其中所述至少一个纳米结构二极管沉积在所述第二电极结构上，使得所述纳米结构二极管与所述第一电极结构部分地重叠。
19.如权利要求13至18中任一项所述的方法，还包括沉积用于将所述电极结构连接到外部设备的至少一个附加的纳米结构。
20.如权利要求13至19中任一项所述的方法，其中，所述纳米结构的所述沉积通过压印技术来实现。
21.如权利要求1至20中任一项所述的设备、系统或方法，其中，所述至少一个纳米结构二极管包括多个纳米结构二极管。
22.如权利要求21所述的设备、系统或方法，其中，所述多个纳米结构二极管的数量被选择以便与所述一对电极结构的阻抗相匹配。
23.如权利要求1至22中任一项所述的设备、系统或方法，其中，所述一对电极结构形成偶极天线。
24.如权利要求1至23中任一项所述的设备、系统或方法，其中，所述一对电极结构形成蝴蝶结天线。
25.如权利要求24所述的设备、系统或方法，其中，所述蝴蝶结天线具有不对称的间隙。
26.如权利要求1至25中任一项所述的设备、系统或方法，其中，所述设备还包括附接于所述电极结构中的至少一个的有机分子。
27.如权利要求1至26中任一项所述的设备、系统或方法，其中，所述设备被配置成对可见范围内的辐射进行整流。
28.如权利要求1至26中任一项所述的设备、系统或方法，其中，所述设备被配置成对红外范围内的辐射进行整流。