1.一种场发射阴极装置，包括：
一基底；
一金属板，所述金属板具有一第一表面、一与第一表面相对的第二表面及贯穿该第一表面和第二表面的至少一通孔，所述金属板的第一表面与所述基底贴合设置；
至少一线状电子发射体，其与所述金属板电连接；以及
一填充物，所述填充物填充于所述至少一通孔中；
其特征在于，每个通孔内至少设置有一所述线状电子发射体，位于通孔内的所述线状电子发射体的一端设置于所述金属板的第一表面与所述基底之间。
2.如权利要求1所述的场发射阴极装置，其特征在于，所述电子发射体包括碳纳米管线状结构、碳纤维或硅纳米线线状结构。
3.如权利要求2所述的场发射阴极装置，其特征在于，所述碳纳米管线状结构包括多个碳纳米管通过范德华力首尾相连且沿所述碳纳米管线状结构轴向延伸。
4.如权利要求1所述的场发射阴极装置，其特征在于，所述线状电子发射体的另一端从所述填充物中延伸出来作为电子发射体的电子发射端。
5.如权利要求4所述的场发射阴极装置，其特征在于，所述线状电子发射体的电子发射端设置于所述通孔内并与所述通孔的孔壁间隔设置，该线状电子发射体的电子发射端与所述金属板的第二表面平齐设置。
6.如权利要求4所述的场发射阴极装置，其特征在于，所述线状电子发射体贯穿所述通孔，所述线状电子发射体的电子发射端向远离金属板方向延伸。
7.如权利要求1所述的场发射阴极装置，其特征在于，在每个通孔内设置多个线状电子发射体，该多个线状电子发射体相互间隔设置。
8.如权利要求1所述的场发射阴极装置，其特征在于，所述线状电子发射体包括设置于所述第一表面的第一部分、一位于通孔中的第二部分以及一远离第二表面延伸的第三部分。
9.如权利要求8所述的场发射阴极装置，其特征在于，所述填充物至少包覆于所述电子发射体第二部分的部分表面。
10.一种场发射阴极装置的制备方法，其包括以下步骤：
提供一金属板，该金属板包括一第一表面、与该第一表面相对的第二表面以及贯穿第一表面和第二表面的至少一通孔；
提供至少一场发射线材，对应所述金属板的每一通孔设置所述至少一场发射线材，将所述场发射线材的一端固定于所述金属板的第一表面，将另一端贯穿所述金属板的通孔从所述金属板的第二表面拉出；
切断所述至少一场发射线材，从而在所述金属板的每个通孔内形成至少一线状电子发射体；
提供一基底，将所述金属板的第一表面贴附于将所述基底一表面；
在每个设置有线状电子发射体的通孔内填充填充物，以使电子发射体固定于通孔内，形成所述场发射阴极装置。
11.如权利要求10所述的场发射阴极装置的制备方法，其特征在于，所述在绝缘基板的每个通孔形成线状电子发射体的方法具体包括以下步骤：
提供一场发射线材供给装置，所述场发射线材供给装置包括一针管，且该针管具有一针头，将一场发射线材穿设于该针管内，并使该场发射线材的一端从针管的针头露出；
将该针管从第二表面穿过所述金属板的通孔，同时不断提供场发射线材，并将该场发射线材露出针头的一部分固定于所述金属板的第一表面，然后将针管从通孔中拉出第二表面；以及
将该场发射线材拉出第二表面后切断形成所述电子发射体。
12.如权利要求11所述的场发射阴极装置的制备方法，其特征在于，将所述场发射线材切断的方法包括机械切割、激光扫描、电子束扫描或通电流后激光辅助定点熔断。
13.如权利要求10所述的场发射阴极装置的制备方法，其特征在于，在每个通孔内形成至少一线状电子发射体之后进一步包括将线状电子发射体延伸出第二表面一端进行煅烧的步骤。
14.如权利要求13所述的场发射阴极装置的制备方法，其特征在于，所述煅烧的温度为450℃～900℃。